JP4311775B2 - Cartridge with semiconductor memory - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銀塩写真フィルムや磁気記録テープ等の記録媒体を収納して成るカートリッジに関し、特に、記憶媒体に加えて半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の半導体メモリ付カートリッジとして、デジタルビデオレコーダ(DVCR)規格に準拠したビデオテープカートリッジに半導体メモリモジュールが付設されたものがある。
【0003】
この半導体メモリモジュール付きのカートリッジは、内蔵されている磁気テープに通常の画像記録ができるだけでなく、半導体メモリモジュールに画像や文字情報を記憶できるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子情報を半導体メモリに記憶して管理するための手法として、コンピュータシステムで用いられるファイル管理の手法が一般的に知られている。
この管理手法では、画像情報等のファイルデータを半導体メモリに記憶するのと同時に、このファイルデータが半導体メモリ中に記憶されたことを示す特定フラグや作成日付などの固有情報を有する管理データを記憶させる。このため、ファイルデータをメモリアクセスしなくても、管理データをメモリアクセスだけで、ファイルデータに関する固有情報の検索を可能にするものである。
【0005】
また、記憶されているファイルデータが不要になった場合には、管理データ中の特定フラグを消去データに書き換えることで、ファイルデータの消去が行われたものとみなすこととしている。すなわち、実際にはファイルデータを消去せず、特定フラグを「消去」に設定するだけそのファイルデータが消去されたものとみなすこととしている。
【0006】
しかし、このファイル管理の手法では、「消去」に設定されたファイルデータが実際には半導体メモリ中に残されているため、何らかの方法で読み取られる虞れがあった。
【0007】
したがって、上記従来のファイル管理手法を半導体メモリモジュール付きのカートリッジについて適用した場合には、上記同様の虞が潜在することとなる。このため、半導体メモリモジュール付きのカートリッジにおいて、半導体メモリモジュールに記憶される情報の漏洩を確実に防止し得る新たな技術が望まれていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記従来技術の課題を克服するために成されたものであり、記録媒体を収納して成るカートリッジに、半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジであって、前記半導体メモリは、1又は2以上のファイルデータを記憶するファイルデータ記憶領域と、前記1又は2以上の各ファイルデータの固有情報を有する1又は2以上の管理データを記憶する管理データ記憶領域とを有し、前記各管理データ内の所定ビットには、前記各ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されたことを表す記憶情報と、前記各ファイルデータの消去が指定されたことを示す消去情報とが排他的に書き込まれ、更に、上記所定ビットを記憶するメモリセルに直接接続されたセンスアンプで構成されるフラグ検出回路と、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、上記所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、上記所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段を備える構成とした。
【0009】
かかる構成によれば、データ消去手段が、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べる。これにより、所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことが検出されると、その書き換えられた管理データに対応するファイルデータが消去される。よって、管理データ内の消去情報に基づいてそれに対応するファイルデータの消去がみかけ上なされたとするのとは異なり、データ消去手段により実際にファイルデータの消去が行われる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体メモリ付カートリッジの実施の形態について図面を参照して説明する。尚、APS(advanced photo system)と呼ばれる新規格のフィルムカートリッジに半導体メモリを付設した半導体メモリ付カートリッジ(以下、半導体メモリ付APSフィルムカートリッジと呼ぶ)について説明する。
【0011】
図1は、半導体メモリ付APSフィルムカートリッジの外観構造を示す斜視図、図2は、半導体メモリの回路構成を示すブロック図である。
【0012】
図1において、この半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1は、ロール状の銀塩写真フィルム2を捲装したスプール3が、遮光性のよい有底円筒体状のカートリッジ本体4内に回転自在に収納されている。カートリッジ本体4の側端には、銀塩写真フィル2を出し入れするための開口5と、開口5を開閉する揺動自在な遮光蓋6が設けられている。
【0013】
スプール3と遮光蓋6のそれぞれの端部がカートリッジ本体4の端面から露呈し、それぞれの端部には、切欠状のキー溝3a,6aが形成されている。この半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1をカメラシステム内に装着すると、カメラシステム内のフィルム搬送機構がキー溝3a,6aに係合し、フィルム搬送機構による駆動で、スプール3の回転と遮光蓋6の開閉が行われるようになっている。
【0014】
上記のフィルム搬送機構により遮蔽蓋6が開かれ、更に、スプール3が所定方向に回転されると、開口5を通じて1コマ分ずつ銀塩写真フィルム2が送出され、写真撮影が可能となる。また、スプール3が上記とは反対方向に回転されると、銀塩写真フィルム2がカートリッジ本体4内に巻き取られ、巻き取り完了後に遮光蓋6で開口5を閉じると、銀塩写真フィルム2を外光による感光から防止することができる。
【0015】
このように、半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1は、遮光性のよいカートリッジ本体4と、銀塩写真フィルム2の送出と巻き取りを行うスプール3と、開口5を開閉する遮光蓋6とが備えられているため、未撮影のコマが残っている銀塩写真フィルム2をカートリッジ本体4内に巻き取り、後日に再びカメラシステムに装着して、未撮影分のコマを用いて撮影することができる等々の特徴を有している。
【0016】
カートリッジ本体4の端面に、モジュール化されたチップ状の半導体メモリ7が固着されている。半導体メモリ7の一端には、少なくとも電源入力端子とクロック信号入力端子及びデータ入出力端子等の接続端子が露出して設けられている。これらの接続端子を介して図2に示す回路とカメラシステム等の電子機器との間での電気的接続が行われるようになっている。
【0017】
また、本実施の形態の半導体メモリ7は、データの入出力を1ビット毎に行うシリアル半導体メモリで構成されており、更に、EPROM(Electrically Programable Read Only Memory)や、EEPROM(Electrically Erasable Programable Read Only Memory)、フラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの製造プロセスや、FRAM(Ferro Electric Random Access Memory)等の固体素子製造プロセスによって製造されている。
【0018】
図2において、半導体メモリ7には、データを記憶するメモリマトリックス部8と、メモリマトリックス部8をメモリアクセス(データの書き込みとデータの読み出し)するためのデータ転送回路9とアドレスカウンタ10及び制御回路11が備えられ、更に、データ消去回路12が設けられている。また、データ消去回路12には、判定回路13と、消去アドレス指定回路14、クリアデータ発生回路15、及び複数のフラグ検出回路16a〜16nが備えられている。
【0019】
メモリマトリックス部8には、多数のメモリセルが8ビット単位(バイト単位)で配列されている。これらメモリセルの同一ビット毎の各配列に8本のデータ線から成るメモリバスDBが接続され、バイト単位の各配列に対しアドレスバスABが接続されている。
【0020】
更に、メモリマトリックス部8には、画像データや音声データ等の複数のファイルデータ(#0)〜(#n)を記憶するためのファイルデータ記憶領域と、ファイルデータ(#0)〜(#n)の固有情報に関する管理データを記憶するための管理データ記憶領域が割り当てられている。より具体的には、図3(a)のメモリマップに示すように、アドレスバスABによって指定されるアドレス$00〜$0nが管理データ記憶領域、アドレス$1000〜$1n00がファイルデータ記憶領域に割り当てられている。
【0021】
本実施の形態では、それぞれのファイルデータ(#0)〜(#n)は、固定長の複数バイト単位で構成され、個々の管理データは1バイト単位で構成されている。また、個々の管理データは、図3(b)に示すように、所定フォーマットでコード化され、複数の管理項目がビット単位で共通に割り付けられている。具体的には、下記▲1▼〜▲8▼に示すように、ビット毎に管理項目が割り当てられ、それぞれに“1”又は“0”のビットフラグを立てる(書き込む)ようになっている。
【0022】
▲1▼ビット0…JPEGとTIFF画像形式の何れで処理されているかを示す。
▲2▼ビット1…ファイルデータに日付が付されているか否かを示す。
▲3▼ビット2…広画角のパノラマ撮影で得られたものか否かを示す。
▲4▼ビット3…ストロボを使用して撮影されたものか否かを示す。
▲5▼ビット4…未使用ビット。
▲6▼ビット5…未使用ビット。
▲7▼ビット6…未使用ビット。
▲8▼ビット7…ファイルデータが記録されたことを示す記憶情報と、ファイルデータの消去が指示されたことを示す消去情報が書き込まれる。
【0023】
再び図2において、データ転送回路9は、8ビットの双方向シフトレジスタで構成されており、上記データ入出力端子に接続された1ビットの双方向シリアルデータバスSBと、メモリバスDBとが接続されている。そして、上記クロック信号入力端子から外部入力されるクロック信号CKと、制御回路11からの制御信号Cspに従って動作する。
【0024】
すなわち、データ転送回路9は、制御信号Cspによってデータ書き込みの指示を受けると、双方向シリアルデータバスSBから1ビット毎のビット列で転送されて来る書き込みデータDinを入力した後、8ビット単位のデータに並直列変換してメモリバスDBへ並列転送する。これにより、ビット列で入力されるデータDinが、8ビット単位のデータに変換されて、アドレスカウンタ10で指定されるアドレスに記憶される。
【0025】
一方、制御信号Cspによってデータ読み出しの指示を受けると、データ転送回路9は、メモリマトリックス部8からメモリバスDBを介して転送されて来るバイト単位のデータを並列入力した後、1ビット毎の出力データDoutに並直列変換して双方向シリアルデータバスSBへ送出する。すなわち、アドレスカウンタ10で指定されるアドレスから読み出されるデータが、ビット列に変換されて、双方向シリアルデータバスSBへ出力される。
【0026】
アドレスデコーダ10は、アドレスバスABに接続されたシフトカウンタ等で構成されており、制御回路11から供給されるメモリアクセス制御信号Casに従ってアドレスクロック信号CKadをカウントする。そして、そのカウント値をアドレスバスABへ出力することにより、メモリマトリックス部8をバイト単位でアドレッシングする。
【0027】
尚、アドレスクロック信号CKadは、通常のデータ書き込みとデータ読み出しのとき(以下、「通常メモリアクセスモード」という)には、制御回路11から供給され、後述する「データ消去モード」のときには、消去アドレス指定回路14から供給される。
【0028】
制御回路11は、デコーダ回路やROM構造のファームウェア等で構成されており、双方向シリアルバスSBを介して外部入力される入力データDin中のアドレスデータADRとコマンドデータCOMとを判定することにより、上記の制御信号Csp,Cas及びアドレスクロック信号CKadを生成する。更に、制御回路11と判定回路13との間で、タイミング調整信号Ccnが送受信され、「通常メモリアクセスモード」と「データ消去モード」との処理を競合させないようにしている。
【0029】
フラグ検出回路16a〜16nは、それぞれセンスアンプ等で構成され、図3(c)に示すように、管理データ記憶領域の各アドレス$00〜$0nの7ビット目のメモリセルに接続されている。また、フラグ検出回路16a〜16nは、アドレス線によってメモリアクセスされたデータを検出するのではなく、7ビット目のメモリセルに直接接続された上記のセンスアンプ等でデータを非破壊読み出しし、読み出した検出信号Fa〜Fnを判定回路13へ送出する。
【0030】
判定回路13は、デコーダ回路やROM構造のファームウェア等で構成されており、フラグ検出回路16a〜16nからの検出信号Fa〜Fnに基づいて、「データ消去モード」にすべきか否かの判定を行う。すなわち、検出信号Fa〜Fnの何れか1つが論理“1”から“0”に変化すると、その検出信号に該当する管理データの第7ビット目のフラグが“1”から“0”に書き換えられたと判定する。
その判定結果により、第7ビット目のフラグが“1”から“0”に書き換えられた管理データと、その管理データによって管理されているファイルデータとを消去するための「データ消去モード」が設定される。
【0031】
消去アドレス指定回路14は、「データ消去モード」時に判定回路13から供給される制御信号Cadの指示に従って動作し、上記の第7ビット目のフラグが“0”に書き換えられた管理データのアドレスと、その管理データによって管理されているファイルデータのアドレスとを指定するためのアドレスクロック信号CKadを生成する。尚、アドレスクロック信号CKadは、クロック信号CKに同期している。
【0032】
クリアデータ発生回路15は、「データ消去モード」時に判定回路13から供給される制御信号Ccdの指示に従って、上記の第7ビット目のフラグが“0”に書き換えられた管理データと、その管理データによって管理されているファイルデータとを消去するためのビット列データDcdを生成し、双方向シリアルバスSBを介してデータ転送回路9へ送出する。
【0033】
そして、判定回路13が、タイミング調整信号Ccnによって制御回路11に「データ消去モード」を要求すると、制御回路11がデータ転送回路9とアドレスカウンタ10に制御信号Cspとメモリアクセス制御信号Casを供給して、データ書き込みを指示する。これにより、消去アドレス指定回路14がアドレスクロック信号CKadに基づいてメモリアドレスを設定し、データ転送回路9がビット列のデータDcdをメモリバスDBを介してメモリマトリックス部8へ転送することにより、判定回路13で指定されたメモリアドレスのファイルデータと管理データとを、データDcdで上書きして消去する。
【0034】
尚、本実施の形態では、データDcdが全て“0”又は“1”で構成されている。但し、本発明は、データDcdをこれに限定するものではなく、無意味なデータであればよい。
【0035】
次に、かかる構成を有する半導体メモリの動作例を図4及び図5に基づいて説明する。尚、図4は、「通常メモリアクセスモード」において、ファイルデータと管理データとを書き込む際の動作を示す説明図、図5は、「データ消去モード」において、ファイルデータと管理データとを消去する際の動作を示す説明図である。
【0036】
半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1の出荷時等では、ファイルデータ管理領域と管理データ記憶領域に何らのデータも書き込まれていない。別言すれば、図4(a)に示すように、無意味なデータ(NULL)が書き込まれているのと同じ状態になっている。
【0037】
使用者が、半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1を用いて写真撮影を行った後、現像所などに銀塩フィルム2の現像を依頼すると、使用者の要望に応じて、現像された銀塩フィルム2の各コマの画像を電子化してファイルデータ記憶領域に記憶させる等の役務が受けられる。また、詳細な説明を省略するが、現像された各コマの画像を電子化して半導体メモリ7に書き込む専用電子機器によっても、ファイルデータ記憶領域へのデータ書き込みを行うことができるようになっている。
【0038】
まず、図4(b)に示すように、メモリアドレス$1000に第1番目のファイルデータ、すなわち最初の画像データ(#0)が記憶された後、メモリアドレス$00に、その画像データ(#0)の固有情報を有する管理データが図2(b)に示したフォーマットで記憶される。この画像データ(#0)と管理データとの書き込み処理は、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。
【0039】
次に、図4(c)に示すように、メモリアドレス$1100に第2番目の画像データ(#1)が記憶された後、メモリアドレス$01に、その画像データ(#1)の固有情報を有する管理データが上記同様のフォーマットで記憶される。この画像データ(#1)と管理データとの書き込み処理も、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。
【0040】
そして、全ての画像データが書き込まれるまで、同様の書き込み処理が行われる。
【0041】
次に、上記の専用電子機器を用いたり現像所に依頼することで、不要となった画像ファイルの消去を行うことができる。図5は、一例として、第1番目の画像データ(#0)の消去動作を示している。まず、同図(a)に示すように、管理データ記憶領域のアドレス$00に記憶されている管理データの第7ビット目にビットフラグ“0”が書き込まれる。このビットフラグ“0”の書き込みも、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。これにより、画像データ(#0)は、みかけ上消去されたことになる。
【0042】
このように第7ビット目のビットフラグが“0”になると、半導体メモリ7内のフラグ検出回路16aと判定回路13が自動的にこれを検出し、「データ消去モード」が設定される。そして、図5(b)に示すように、画像データ(#0)が無意味なデータNULLで上書きされることにより、完全に消去される。
【0043】
次に、図5(c)に示すように、アドレス$00の管理データの全てのビットが無意味なデータNULLで上書きされることにより、管理データも完全に消去される。
【0044】
また、複数の画像データについて消去する場合にも、同様の「データ消去モード」の処理が行われる。すなわち、それら複数の画像データに関連する管理データの第7ビット目のビットフラグが“0”に書き換えられると、フラグ検出回路16a〜16nと判定回路13によって、自動的にこれらのビットフラグの“1”から“0”への変化が検出され、それぞれ「データ消去モード」の処理によって、該当する画像データと管理データが完全に消去される。
【0045】
このように、本実施の形態によれば、管理データの第7ビット目にビットフラグ“0”を立てる(書き込む)ことで、みかけ上のファイルデータの消去が設定されると、半導体メモリ7自身が自動的にこれを検出して、該当するファイルデータを無意味なデータで上書きして消去するので、従来技術のような情報の漏洩などを確実に防止することができる。
【0046】
尚、本実施の形態では、データを8ビット単位でメモリアクセスするシリアル半導体メモリ7について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。メモリマトリックス部8のメモリセルをワード単位(16ビット単位)やその他の複数ビット単位でメモリアクセスするシリアル半導体メモリにしてもよい。
【0047】
また、本実施の形態では、管理データの第7ビット目に、ファイルデータの消去に関する項目を割り当てているが、本発明はこれに限定されるものではなく、管理データの他のビットあるいは他の複数ビットに、ファイルデータの消去に関する項目を割り当てるようにしてもよい。
【0048】
また、本実施の形態では、シリアル半導体メモリ7について説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、書き込みデータと読み出しデータとをパラレル入出力する半導体メモリを適用してもよい。
【0049】
また、半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ1について説明したが、これは、あくまでも一実施の形態であり、本発明は他のカートリッジを含むものである。一例として、被写体をデジタル撮影するデジタルビデオレコーダ(DVCR)で使用されるDVCR用ビデオテープカートリッジにも適用できる。また、カートリッジ内に収納される記憶媒体として、銀塩写真フィルムや磁気記録媒体に限定されるものではなく、他の記録媒体でもよい。
【0050】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段を半導体メモリ内に備えたので、管理データ内の消去情報に基づいてそれに対応するファイルデータの消去がみかけ上なされたとする従来技術とは異なり、確実にファイルデータの消去が行われる。このため、半導体メモリに記憶される情報の漏洩を確実に防止し得る新たな技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態に係る半導体メモリ付APSフィルムカートリッジの外観構造を示す斜視図である。
【図2】本実施の形態の半導体メモリの回路構成を示すブロック図である。
【図3】半導体メモリのメモリマップと、管理データの構成及びデータ消去回路の部分構成を示す説明図である。
【図4】半導体メモリのファイルデータ記憶領域と管理データ記憶領域へのデータ書き込み動作を説明するための説明図である。
【図5】ファイルデータ記憶領域内の画像データと管理データ記憶領域内の管理データとの消去動作を説明するための説明図である。
【符号の説明】
1…半導体メモリ付APSフィルムカートリッジ
7…半導体メモリ
8…メモリマトリックス部
9…データ転送回路
10…アドレスカウンタ
11…制御回路
12…データ消去回路
13…判定回路
14…消去アドレス指定回路
15…クリアデータ発生回路
16a〜16n…フラグ検出回路
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a cartridge containing a recording medium such as a silver halide photographic film or a magnetic recording tape, and more particularly to a cartridge with a semiconductor memory provided with a semiconductor memory in addition to a storage medium.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as this type of cartridge with a semiconductor memory, there is a cartridge in which a semiconductor memory module is attached to a video tape cartridge conforming to the digital video recorder (DVCR) standard.
[0003]
This cartridge with a semiconductor memory module can not only record normal images on a built-in magnetic tape but also store images and character information in the semiconductor memory module.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, a file management method used in a computer system is generally known as a method for storing and managing electronic information in a semiconductor memory.
In this management method, file data such as image information is stored in the semiconductor memory, and at the same time, management data having specific information such as a specific flag indicating that the file data is stored in the semiconductor memory and a creation date is stored. Let For this reason, even if the file data is not accessed in the memory, the management data can be searched for the unique information related to the file data only by the memory access.
[0005]
Further, when the stored file data is no longer needed, it is assumed that the file data has been erased by rewriting a specific flag in the management data to erase data. That is, the file data is not actually erased, but the file data is regarded as erased only by setting the specific flag to “erase”.
[0006]
However, in this file management method, the file data set to “erase” is actually left in the semiconductor memory, so there is a possibility that it will be read by some method.
[0007]
Therefore, when the conventional file management method is applied to a cartridge with a semiconductor memory module, the same possibility as described above is latent. For this reason, in a cartridge with a semiconductor memory module, a new technology that can reliably prevent leakage of information stored in the semiconductor memory module has been desired.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to overcome the above-described problems of the prior art, and is a cartridge with a semiconductor memory in which a semiconductor memory is attached to a cartridge containing a recording medium. A file data storage area for storing one or more file data, and a management data storage area for storing one or more management data having unique information of each of the one or more file data, In the predetermined bits in each management data, storage information indicating that each file data is stored in the file data storage area and deletion information indicating that deletion of each file data is designated are exclusive. written, further, a flag detecting circuit constituted by a sense amplifier that is directly connected to the memory cell storing the predetermined bit, the file data When stored in the file data storage area, it examined based on the detection signal from the flag detecting circuit one is what is stored in the storage information or erase information on said predetermined bits, stored in the predetermined bit storage When it is detected that the information has been rewritten to the erasure information, a data erasing unit is provided for erasing the file data designated for erasure.
[0009]
According to such a configuration, when the data erasing means stores the file data in the file data storage area, the detection signal from the flag detection circuit indicates whether stored information or erasure information is stored in the predetermined bit. Find out based on . As a result, when it is detected that the stored information stored in the predetermined bit is rewritten to the erasure information, the file data corresponding to the rewritten management data is erased. Therefore, unlike the case where the erasure of the corresponding file data is apparently performed based on the erasure information in the management data, the file data is actually erased by the data erasure means.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of a cartridge with a semiconductor memory according to the present invention will be described below with reference to the drawings. A cartridge with a semiconductor memory in which a semiconductor memory is attached to a new standard film cartridge called an APS (advanced photo system) (hereinafter referred to as an APS film cartridge with a semiconductor memory) will be described.
[0011]
FIG. 1 is a perspective view showing an external structure of an APS film cartridge with a semiconductor memory, and FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of the semiconductor memory.
[0012]
1, this APS film cartridge 1 with a semiconductor memory has a spool 3 equipped with a roll-shaped silver salt photographic film 2 rotatably housed in a bottomed cylindrical cartridge body 4 with good light shielding properties. ing. At the side end of the cartridge body 4, an opening 5 for taking in and out the silver halide photographic film 2 and a swingable light-shielding lid 6 for opening and closing the opening 5 are provided.
[0013]
The respective end portions of the spool 3 and the light shielding cover 6 are exposed from the end surface of the cartridge main body 4, and notched key grooves 3a and 6a are formed at the respective end portions. When the APS film cartridge 1 with semiconductor memory is mounted in the camera system, the film transport mechanism in the camera system engages with the key grooves 3a and 6a, and the rotation of the spool 3 and the light shielding lid 6 are driven by the film transport mechanism. Opening and closing is performed.
[0014]
When the shielding lid 6 is opened by the above film transport mechanism and the spool 3 is further rotated in a predetermined direction, the silver halide photographic film 2 is sent one frame at a time through the opening 5 and photography can be performed. When the spool 3 is rotated in the direction opposite to the above, the silver salt photographic film 2 is wound up in the cartridge body 4, and the silver halide photographic film 2 is closed when the opening 5 is closed by the light shielding lid 6 after the winding is completed. Can be prevented from being exposed to external light.
[0015]
As described above, the APS film cartridge 1 with a semiconductor memory includes the cartridge body 4 having good light shielding properties, the spool 3 for feeding and winding the silver halide photographic film 2, and the light shielding lid 6 for opening and closing the opening 5. Therefore, the silver halide photographic film 2 in which the unphotographed frames remain can be taken up in the cartridge body 4 and attached to the camera system again at a later date to shoot using the unphotographed frames. It has the characteristics.
[0016]
A modular chip-shaped semiconductor memory 7 is fixed to the end surface of the cartridge body 4. At one end of the semiconductor memory 7, at least connection terminals such as a power input terminal, a clock signal input terminal, and a data input / output terminal are exposed. Electrical connection is made between the circuit shown in FIG. 2 and an electronic device such as a camera system via these connection terminals.
[0017]
The semiconductor memory 7 of the present embodiment is composed of a serial semiconductor memory that performs input / output of data for each bit. And a non-volatile semiconductor memory such as a flash memory, and a solid element manufacturing process such as a FRAM (Ferro Electric Random Access Memory).
[0018]
In FIG. 2, a semiconductor memory 7 includes a memory matrix unit 8 for storing data, a data transfer circuit 9 for accessing the memory matrix unit 8 (data writing and data reading), an address counter 10 and a control circuit. 11 and a data erasing circuit 12 are provided. The data erasing circuit 12 includes a determination circuit 13, an erasing address designating circuit 14, a clear data generating circuit 15, and a plurality of flag detecting circuits 16a to 16n.
[0019]
In the memory matrix portion 8, a large number of memory cells are arranged in units of 8 bits (byte units). A memory bus DB composed of eight data lines is connected to each array of the same bits of these memory cells, and an address bus AB is connected to each array in byte units.
[0020]
The memory matrix unit 8 further includes a file data storage area for storing a plurality of file data (# 0) to (#n) such as image data and audio data, and file data (# 0) to (#n). ) Is assigned a management data storage area for storing management data related to the unique information. More specifically, as shown in the memory map of FIG. 3A, addresses $ 00 to $ 0n designated by the address bus AB are management data storage areas, and addresses $ 1000 to $ 1n00 are file data storage areas. Assigned.
[0021]
In the present embodiment, each file data (# 0) to (#n) is configured in units of a plurality of bytes having a fixed length, and each management data is configured in units of 1 byte. Further, as shown in FIG. 3B, each piece of management data is encoded in a predetermined format, and a plurality of management items are commonly assigned in bit units. Specifically, as shown in (1) to (8) below, a management item is assigned for each bit, and a bit flag of “1” or “0” is set (written) to each.
[0022]
{Circle around (1)} Bit 0... Indicates whether processing is in JPEG or TIFF image format.
{Circle around (2)} Bit 1 indicates whether or not a date is attached to the file data.
{Circle around (3)} Bit 2... Indicates whether the image is obtained by panoramic shooting with a wide angle of view.
{Circle around (4)} Bit 3... Indicates whether or not the picture was taken using a strobe.
(5) Bit 4 ... Unused bit.
(6) Bit 5: Unused bit.
(7) Bit 6: Unused bit.
(8) Bit 7: Storage information indicating that the file data has been recorded and erase information indicating that the deletion of the file data has been instructed are written.
[0023]
In FIG. 2 again, the data transfer circuit 9 is composed of an 8-bit bidirectional shift register, and a 1-bit bidirectional serial data bus SB connected to the data input / output terminal is connected to the memory bus DB. Has been. Then, it operates according to the clock signal CK externally input from the clock signal input terminal and the control signal Csp from the control circuit 11.
[0024]
That is, when the data transfer circuit 9 receives an instruction to write data by the control signal Csp, the data transfer circuit 9 inputs the write data Din transferred by the bit string for each bit from the bidirectional serial data bus SB, and then the data in units of 8 bits. Are converted into parallel and serial data and transferred to the memory bus DB in parallel. As a result, the data Din input as a bit string is converted into 8-bit data and stored at the address specified by the address counter 10.
[0025]
On the other hand, when receiving an instruction to read data by the control signal Csp, the data transfer circuit 9 inputs the data in units of bytes transferred from the memory matrix unit 8 via the memory bus DB in parallel, and then outputs the data for each bit. The data Dout is parallel-serial converted and sent to the bidirectional serial data bus SB. That is, data read from the address specified by the address counter 10 is converted into a bit string and output to the bidirectional serial data bus SB.
[0026]
The address decoder 10 includes a shift counter connected to the address bus AB, and counts the address clock signal CKad according to the memory access control signal Cas supplied from the control circuit 11. Then, by outputting the count value to the address bus AB, the memory matrix unit 8 is addressed in units of bytes.
[0027]
The address clock signal CKad is supplied from the control circuit 11 during normal data writing and data reading (hereinafter referred to as “normal memory access mode”), and in the “data erasing mode” described later, the erasing address. Supplied from the designation circuit 14.
[0028]
The control circuit 11 is composed of a decoder circuit, ROM-structured firmware, and the like, and by determining the address data ADR and command data COM in the input data Din externally input via the bidirectional serial bus SB, The control signals Csp and Cas and the address clock signal CKad are generated. Further, the timing adjustment signal Ccn is transmitted / received between the control circuit 11 and the determination circuit 13 so that the processes in the “normal memory access mode” and the “data erase mode” do not compete.
[0029]
Each of the flag detection circuits 16a to 16n is composed of a sense amplifier or the like, and is connected to the 7th bit memory cell of each address $ 00 to $ 0n of the management data storage area as shown in FIG. . The flag detection circuits 16a to 16n do not detect the data accessed by the memory by the address line, but read the data nondestructively by the above-described sense amplifier directly connected to the memory cell of the 7th bit and read it. The detected signals Fa to Fn are sent to the determination circuit 13.
[0030]
The determination circuit 13 is configured by a decoder circuit, ROM-structured firmware, or the like, and determines whether or not the “data erasure mode” should be set based on the detection signals Fa to Fn from the flag detection circuits 16a to 16n. . That is, when any one of the detection signals Fa to Fn changes from logic “1” to “0”, the flag of the seventh bit of the management data corresponding to the detection signal is rewritten from “1” to “0”. It is determined that
Based on the determination result, “data erasure mode” is set to erase the management data in which the 7th bit flag is rewritten from “1” to “0” and the file data managed by the management data. Is done.
[0031]
The erase address designating circuit 14 operates in accordance with the instruction of the control signal Cad supplied from the determination circuit 13 in the “data erase mode”, and the address of the management data in which the flag of the seventh bit is rewritten to “0”. The address clock signal CKad for designating the address of the file data managed by the management data is generated. The address clock signal CKad is synchronized with the clock signal CK.
[0032]
The clear data generation circuit 15 performs management data in which the flag of the seventh bit is rewritten to “0” in accordance with the instruction of the control signal Ccd supplied from the determination circuit 13 in the “data erasing mode”, and the management data The bit string data Dcd for erasing the file data managed by the above is generated and sent to the data transfer circuit 9 via the bidirectional serial bus SB.
[0033]
When the determination circuit 13 requests the “data erasing mode” from the control circuit 11 by the timing adjustment signal Ccn, the control circuit 11 supplies the control signal Csp and the memory access control signal Cas to the data transfer circuit 9 and the address counter 10. To instruct data writing. As a result, the erase address designating circuit 14 sets a memory address based on the address clock signal CKad, and the data transfer circuit 9 transfers the bit string data Dcd to the memory matrix unit 8 via the memory bus DB. The file data and the management data at the memory address specified in 13 are overwritten with data Dcd and deleted.
[0034]
In the present embodiment, the data Dcd is all composed of “0” or “1”. However, the present invention is not limited to the data Dcd, and may be meaningless data.
[0035]
Next, an operation example of the semiconductor memory having such a configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an operation when writing file data and management data in the “normal memory access mode”, and FIG. 5 erases the file data and management data in the “data deletion mode”. It is explanatory drawing which shows the operation | movement at the time.
[0036]
When the APS film cartridge with semiconductor memory 1 is shipped, no data is written in the file data management area and the management data storage area. In other words, as shown in FIG. 4A, the state is the same as when meaningless data (NULL) is written.
[0037]
When the user takes a picture using the APS film cartridge 1 with a semiconductor memory and then requests the developer to develop the silver salt film 2, the developed silver salt film 2 according to the user's request. The image of each frame can be digitized and stored in a file data storage area. Although detailed description is omitted, data can be written into the file data storage area also by a dedicated electronic device that digitizes the developed image of each frame and writes it in the semiconductor memory 7. .
[0038]
First, as shown in FIG. 4B, after the first file data, that is, the first image data (# 0) is stored at the memory address $ 1000, the image data (#) is stored at the memory address $ 00. Management data having unique information 0) is stored in the format shown in FIG. The writing process of the image data (# 0) and the management data is performed in the “normal memory access mode”.
[0039]
Next, as shown in FIG. 4C, after the second image data (# 1) is stored at the memory address $ 1100, the unique information of the image data (# 1) is stored at the memory address $ 01. Is stored in the same format as described above. The writing process of the image data (# 1) and the management data is also performed in the “normal memory access mode”.
[0040]
The same writing process is performed until all the image data is written.
[0041]
Next, by using the above-described dedicated electronic device or by requesting a developing laboratory, it is possible to delete an image file that has become unnecessary. FIG. 5 shows an erasing operation of the first image data (# 0) as an example. First, as shown in FIG. 5A, the bit flag “0” is written to the seventh bit of the management data stored at the address $ 00 of the management data storage area. The bit flag “0” is also written in the “normal memory access mode”. As a result, the image data (# 0) is apparently erased.
[0042]
Thus, when the bit flag of the seventh bit becomes “0”, the flag detection circuit 16a and the determination circuit 13 in the semiconductor memory 7 automatically detect this, and the “data erasing mode” is set. Then, as shown in FIG. 5B, the image data (# 0) is completely erased by being overwritten with meaningless data NULL.
[0043]
Next, as shown in FIG. 5C, the management data is completely erased by overwriting all the bits of the management data at the address $ 00 with the meaningless data NULL.
[0044]
Also, when deleting a plurality of image data, the same “data erasing mode” process is performed. That is, when the bit flag of the seventh bit of the management data related to the plurality of image data is rewritten to “0”, the flag detection circuits 16a to 16n and the determination circuit 13 automatically set these bit flags “ A change from “1” to “0” is detected, and the corresponding image data and management data are completely erased by the processing of “data erase mode”.
[0045]
As described above, according to this embodiment, when apparent file data is set to be erased by setting (writing) the bit flag “0” to the seventh bit of the management data, the semiconductor memory 7 itself Since this is automatically detected and the corresponding file data is overwritten and erased with meaningless data, information leakage as in the prior art can be reliably prevented.
[0046]
In this embodiment, the serial semiconductor memory 7 that accesses data in units of 8 bits has been described. However, the present invention is not limited to this. The memory cells of the memory matrix unit 8 may be a serial semiconductor memory that performs memory access in word units (16-bit units) or other multi-bit units.
[0047]
In this embodiment, an item related to erasure of file data is assigned to the seventh bit of management data, but the present invention is not limited to this, and other bits of management data or other bits An item related to erasure of file data may be assigned to a plurality of bits.
[0048]
In the present embodiment, the serial semiconductor memory 7 has been described. However, the present invention is not limited to this, and a semiconductor memory that inputs and outputs write data and read data in parallel may be applied.
[0049]
Further, the APS film cartridge 1 with semiconductor memory has been described. However, this is merely an embodiment, and the present invention includes other cartridges. As an example, the present invention can also be applied to a DVCR video tape cartridge used in a digital video recorder (DVCR) for digitally photographing a subject. Further, the storage medium stored in the cartridge is not limited to a silver salt photographic film or a magnetic recording medium, but may be other recording media.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, when the file data is stored in the file data storage area, the flag detection circuit detects whether stored information or erase information is stored in a predetermined bit. Since the semiconductor memory has data erasing means for erasing the file data designated for erasure when it is detected that the stored information stored in the predetermined bit is rewritten to the erasure information , the management data is provided. Unlike the prior art in which erasure of the file data corresponding to the erasure information is apparently performed, the file data is surely erased. Therefore, it is possible to provide a new technique that can reliably prevent leakage of information stored in the semiconductor memory.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an external structure of an APS film cartridge with a semiconductor memory according to the present embodiment.
FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of a semiconductor memory according to the present embodiment.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a memory map of a semiconductor memory, a configuration of management data, and a partial configuration of a data erasing circuit;
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a data write operation to a file data storage area and a management data storage area of a semiconductor memory.
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an erasing operation between image data in a file data storage area and management data in a management data storage area;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... APS film cartridge with semiconductor memory 7 ... Semiconductor memory 8 ... Memory matrix part 9 ... Data transfer circuit 10 ... Address counter 11 ... Control circuit 12 ... Data erasure circuit 13 ... Determination circuit 14 ... Erase address designation circuit 15 ... Clear data generation Circuits 16a to 16n: Flag detection circuit

Claims (4)

記録媒体を収納して成るカートリッジに半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジであって、
前記半導体メモリは、1又は2以上のファイルデータを記憶するファイルデータ記憶領域と、前記1又は2以上の各ファイルデータの固有情報を有する1又は2以上の管理データを記憶する管理データ記憶領域とを有し、
前記各管理データ内の所定ビットには、前記各ファイルデータが前記ファイルデータ記憶領域に記憶されたことを表す記憶情報と、前記各ファイルデータの消去が指定されたことを示す消去情報とが排他的に書き込まれ、
前記所定ビットを記憶するメモリセルに直接接続されたセンスアンプで構成されるフラグ検出回路と、
前記ファイルデータが前記ファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、前記所定ビットに前記記憶情報または前記消去情報のいずれが記憶されているのかを前記フラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、前記所定ビットに記憶された前記記憶情報が前記消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段
を備えたことを特徴とする半導体メモリ付カートリッジ。
A cartridge with a semiconductor memory in which a semiconductor memory is attached to a cartridge containing a recording medium,
The semiconductor memory includes a file data storage area for storing one or more file data, and a management data storage area for storing one or more management data having unique information of each of the one or more file data Have
The predetermined bit in each management data is exclusive of storage information indicating that each file data has been stored in the file data storage area and deletion information indicating that the deletion of each file data is designated. Written,
A flag detection circuit including a sense amplifier directly connected to the memory cell storing the predetermined bit;
When the file data is stored in the file data storage area, whether the stored information or the erasure information is stored in the predetermined bit based on a detection signal from the flag detection circuit , wherein when the storage information stored in a predetermined bit is detected to be rewritten on the erased information, cartridge with a semiconductor memory which is characterized in that a data erasing means for erasing the file data specified in erased.
前記半導体メモリは、シリアル半導体メモリであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ付カートリッジ。The cartridge with semiconductor memory according to claim 1, wherein the semiconductor memory is a serial semiconductor memory. 前記半導体メモリ付カートリッジは、APS規格に準拠したカートリッジであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体メモリ付カートリッジ。3. The cartridge with a semiconductor memory according to claim 1, wherein the cartridge with a semiconductor memory is a cartridge compliant with the APS standard. 前記半導体メモリ付カートリッジは、デジタルビデオレコーダ用ビデオテープカートリッジであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体メモリ付カートリッジ。3. The cartridge with semiconductor memory according to claim 1, wherein the cartridge with semiconductor memory is a video tape cartridge for a digital video recorder.
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