JP4307414B2 - 基板支持フレーム，基板支持フレーム組立体，基板フレーミング方法，ドナー基板の製造方法，有機電界発光表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は，基板支持フレームに係り，より詳しくは，基板に引張力を加えてフレーミングすることが可能な基板支持フレーム，フレームを備える基板支持フレーム組立体，フレームを用いた基板フレーミング方法，基板支持フレーム組立体を用いたレーザ熱転写用ドナー基板の製造方法，およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法に関するものである。

一般に，レーザ熱転写方法を行うには，少なくともレーザ，アクセプタ基板およびドナー基板を必要とする。ドナー基板は，例えば，ベース基板，光−熱変換層（Ｌｉｇｈｔ Ｔｏ Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ：ＬＴＨＣ）および転写層を備える。この転写層をアクセプタ基板に対向させてドナー基板をアクセプタ基板上にラミネートし，ベース基板上にレーザビームを照射する。ベース基板上に照射されたビームは，光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換される。熱エネルギーにより，転写層はアクセプタ基板上に転写される。その結果，アクセプタ基板上に転写層パターンが形成される。これは，例えば特許文献１，特許文献２および特許文献３に開示されている。

ドナー基板は，ベース基板上に光−熱変換層を形成し，光−熱変換層上に転写層を形成して製造することができる。転写層は，熱による蒸発を用いた蒸発法によって形成するが，この熱により，ベース基板は変形するおそれがある。ベース基板に熱的変形が発生した場合，前記転写層は不均一に形成される。このような不均一な転写層は，アクセプタ基板上に不均一な転写層パターンを形成する可能性がある。アクセプタ基板が有機電界発光素子基板の場合，不均一な転写層パターンは素子の品質を低下させる原因となる。

米国特許第５９９８０８５号明細書 米国特許第６２１４５２０号明細書 米国特許第６１１４０８８号明細書

そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，均一な転写層を形成することの可能な，新規かつ改良された基板支持フレーム，基板支持フレーム組立体，基板フレーミング方法，ドナー基板の製造方法および有機電界発光表示装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，開口部を備える本体と，本体の上面の少なくとも２辺に突出した複数のピンと，複数のピンを本体の外側方向に押圧するための外側加圧手段と，を含むことを特徴とする基板支持フレームが提供される。

かかる基板支持フレームの本体は，その上面に上面ホールを備え，ピンは，上面ホール内に位置するように配置される。また，外側加圧手段は，例えばスプリングを用いることができ，このスプリングの一端部は，上面ホールの内部側壁のうち，本体の内側方向の側壁に取り付けられる。一方，スプリングの他端部は，ピンに取り付けられる。

さらに，基板支持フレームの本体は，本体の側面に形成されて上面ホールと連通する側面ホールをさらに備える。ここで，ピンは，側面ホールを介して本体の側面に突出する突出部をさらに備える。また，本体の上面側には，ピンに対応する支持ホールが形成された支持板が備えられる。このとき，支持ホールの幅は，上面ホールの幅以上の大きさであるのがよい。

また，支持板は，本体の開口部に対応する部分が，本体の上面に対応する部分より本体の開口部側に突出して形成することもできる。さらに，基板支持フレームの本体と支持板とを密着させる密着手段を備えてもよい。この密着手段は，例えば磁石を用いることができる。

このように，比較的簡単な手段によって基板に引張力を加えてフレーミングする基板支持フレームを得ることができる。

また，本発明の他の観点によれば，開口部を備える本体と，本体上面の少なくとも２辺においてそれぞれ突出した複数のピンと，各ピンを本体の外側方向に押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームと，本体上に位置し，ピンに対応する基板ホールを備える基板とを含み，ピンは，基板ホールに挿入されて，基板に引張力を加えることを特徴とする，基板支持フレーム組立体が提供される。

かかる基板支持フレーム組立体の本体は，本体の上面に上面ホールを備え，ピンは，上面ホール内に配置される。また，外側加圧手段は，例えばスプリングを用いることができ，スプリングの一端部は，上面ホールの内部側壁のうち，本体の内側方向の側壁に取り付けられ，スプリングの他端部は，ピンに取り付けられる。

また，基板支持フレーム組立体の本体は，本体の側面に形成されて上面ホールと連通する側面ホールをさらに備える。このとき，ピンは，側面ホールを介して本体の側面に突出する突出部をさらに備える。そして，本体の上面側には，ピンに対応する支持ホールが形成された支持板が備えられる。

さらに，基板支持フレーム組立体の本体は，本体の上面に上面ホールを備え，ピンは，上面ホール内に位置する。このとき，支持ホールの幅は，上面ホールの幅以上の大きさであるのがよい。また，基板ホールの幅は，上面ホールの幅以下の大きさであるのがよい。

また，支持板は，本体の開口部に対応する部分が，本体の上面に対応する部分より本体の開口部側に突出している。かかる本体は，本体と前記支持板とを密着させる密着手段を含んでもよい。この密着手段は，例えば磁石を用いることができる。さらに，基板は，基板上に光−熱変換層を備えることもできる。

これにより，基板上に転写層を蒸着するときに発生する熱的変形を最小化することができ，この転写層を均一に形成することができるようになる。したがって，基板支持フレーム組立体を用いて，転写層が均一に形成されたドナー基板を得ることができる。

また，本発明の別の観点によれば，開口部を備える本体と，本体の上面の少なくとも２辺にそれぞれ突出した複数のピンと，各ピンを本体の外側方向に押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，本体上に，ピンに対応する基板ホールを備える基板を載置し，ピンを前記基板ホールに挿入するステップと；外側加圧手段を用いてピンが押圧されるステップと；を含むフレームを用いた基板フレーミング方法が提供される。

ここで，かかる方法で使用される基板支持フレームの本体は，本体の上面にホールを備えており，このホール内にピンが配置される。加圧手段は，例えばスプリングを用いることができ，スプリングの一端部は，ホールの内部側壁のうち，本体の内側方向の側壁に取り付けられ，スプリングの他端部は，ピンに取り付けられる。

また，かかる基板フレーミング方法では，ピンを，基板ホールに挿入される前に，内側加圧手段により本体の内側方向に押圧するステップと；ピンが基板ホールに挿入された後，内側加圧手段を除去して，外側加圧手段によりピンを押圧するステップと；をさらに含んでもよい。

さらに，かかる方法で使用される基板支持フレームの本体は，本体の側面に形成されて上面ホールと連通する側面ホールを備えており，内側加圧手段は，側面ホールを介してピンを押圧する。さらに，ピンは，側面ホールを介して本体の側面に突出した側面突出部を備える。このとき，内側加圧手段は，ピンの側面突出部を押圧する。そして，ピンを押圧した後，基板上に支持板が載置される。

また，本発明の別の観点によれば，支持板は，ピンに対応する支持ホールを備え，ピンを支持ホールに挿入して，支持板を載置するステップを含む，フレームを用いたドナー基板の製造方法を提供する。かかる方法は，フレームを提供することを含む。

かかる方法では，開口部を備える本体と，本体の上面の少なくとも２辺にそれぞれ突出した複数のピンと，各ピンを本体の外側方向に押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，本体上に，ピンに対応する基板ホールおよび光−熱変換層を備える基板を載置するステップと，ピンを基板ホールに挿入し，外側加圧手段を用いてピンを押圧して基板をフレーミングするステップと；フレーミングされた基板の光−熱変換層上に転写層を形成するステップと，を含んでもよい。

また，ピンを基板ホールに挿入し，外側加圧手段を用いてピンを押圧して基板をフレーミングするステップにおいて，ピンを押圧した後，基板上に支持板を載置することもできる。ここで，支持板は，ピンに対応する支持ホールを備え，ピンを支持ホールに挿入することにより載置される。さらに，転写層は，例えば蒸発法を用いることもできる。

また，本発明の別の観点によれば，開口部を備える本体と，本体の上面の少なくとも２辺にそれぞれ突出した複数のピンと，各ピンを本体の外側方向に押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，本体上に，ピンに対応する基板ホールおよび光−熱変換層を備える基板を載置して，ピンを基板ホールに挿入し，外側加圧手段を用いてピンを押圧して基板をフレーミングするステップと，フレーミングされた基板の光−熱変換層上に，転写層を形成してドナー基板を製造するステップと，ドナー基板を，少なくとも画素電極を備えるアクセプタ基板上に，転写層とアクセプタ基板とが対向する位置に載置するステップと，ドナー基板上にレーザを照射することにより，転写層の少なくとも一部を画素電極上に転写して，転写層パターンを形成するステップと，を含むドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。

ここで，転写層パターンは，例えば発光層である。この転写層パターンは，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも一つの層をさらに含んでもよい。

本発明によれば，均一な転写層を形成することの可能な，基板支持フレーム，基板支持フレーム組立体，基板フレーミング方法，ドナー基板の製造方法および有機電界発光表示装置の製造方法を提供することができる。

以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。ここで，添付図面と関連し，層が他の層または基板「上」にあると言及されるとき，これは，ある層が他の層または基板の上に直接形成される場合だけでなく，ある層と他の層または基板との間に第３の層が介在する場合も含む。

（第１の実施形態）
まず，図１〜図３Ｃに基づいて，第１の実施形態について説明する。ここで，図１は，本実施形態にかかる基板支持フレームおよび基板支持フレームを備える基板支持フレーム組立体を概略的に示す分解斜視図である。また，図２は，図１のフレーム組立体を示す平面図である。さらに，図３Ａ〜図３Ｃは，図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って切断した，基板フレーミング方法，すなわち基板支持フレーム組立体の形成方法を説明するための断面図である。

図１，図２および図３Ａを参照すると，開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）１１ｐを備えるフレーム本体（ｆｒａｍｅ ｂｏｄｙ）１１を含む基板支持フレームＦを提供する。なお，図１において本体１１は四角形であるが，本発明はこれに限定されない。例えば，本体１１は，多角形または円形であってもよい。この本体１１は，上面１１ｕ，下面，上面と下面とを連結する外側面１１ｓ，および上面と下面とを連結する内側面１１ｔを備える。

上面１１ｕの少なくとも２辺では，ピン１３が突出している。この２辺は，互いに対向していることが好ましい。また，ピン１３は，各辺に，例えばアレイ状に配置することができる。各辺に位置するピン１３間の間隔は，２〜１０ｃｍであることが好ましい。各ピン１３は，外側加圧手段１５によって本体１１の外側方向に押し付けられている。基板支持フレームは，フレーム本体１１，ピン１３および外側加圧手段１５を備える。

本体１１は，上面１１ｕに上面ホール１１ａを備えることができ，ピン１３は，上面ホール１１ａ内に配置される。また，外側加圧手段１５は，例えば弾性エネルギーによってピン１３を付勢することが可能なスプリングを用いることができる。この場合，スプリング１５の一端部は，上面ホール１１ａの内部側壁のうち，本体の内側面１１ｔに対応する側壁に取り付けられ，スプリング１５の他端部は，ピン１３に取り付けられる。これにより，比較的簡単な構成を有するフレームを用いて後述の基板をフレーミングすることができる。このスプリング１５によって，ピン１３は，外部の付加的な力が加わっていない状態でも上面ホール１１ａ内において外側に変位することができる。

本体１１は，側面，具体的には外側壁１１ｓに形成され，本体１１内で上面ホール１１ａと連通する側面ホール１１ｂをさらに備える。そして，ピン１３は，側面ホール１１ｂを介して本体１１の側面に突出した側面突出部１３ｂをさらに備える。

また，本体１１の上に，ピン１３に対応する基板ホール５０ａを備える基板５０が載置される。この場合，基板５０が，例えばフレキシブルな高分子フィルムの場合，重力で下方に垂れるおそれがある。このような問題に対し， 本実施形態にかかる基板支持フレームでは，基板５０を弛みがないように張ることができる。そこで，以下に，本実施形態にかかる基板支持フレームの構成について説明する。

ここで，基板ホール５０ａは，基板５０を貫通することが好ましい。また，基板５０は，基板５０の下面上に光−熱変換（Ｌｉｇｈｔ Ｔｏ Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ：ＬＴＨＣ）層をさらに備えてもよい。また，本体１１の外側面１１ｓと隣接して，内側加圧手段２０を備えることもできる。この内側加圧手段２０は，側面ホール１１ｂに対応する加圧突起部２１を備える。さらに，基板支持フレームＦは，本体１１上に位置する支持板３０をさらに含むことができる。

まず，図１，図２および図３Ｂを参照すると，内側加圧手段２０を本体１１の方へ移動させて，ピン１３を押圧する。その結果，加圧突起部２１は，側面ホール１１ｂ内に挿入される。側面ホール１１ｂ内に挿入された加圧突起部２１は，ピン１３を内側方向に押圧し，ピン１３を内側方向に移動させながら，ピン１３に取り付けられているスプリング１５を収縮させる。ピン１３が突出部１３ｂを備える場合，例えば加圧突起部２１の長さを短くすることができる。これにより，ピン１３を容易に内側方向に押圧することができる。

次いで，基板５０を下部に移動させ，内側方向に移動されたピン１３を基板ホール５０ａに挿入させる。基板ホール５０ａが基板５０を貫通している場合，基板ホール５０ａに挿入されたピン１３は，基板５０の上部に突出する。

さらに，図１，図２および図３Ｃを参照すると，内側加圧手段２０を，本体１１から除去する。その結果，収縮されていたスプリング１５が弛緩しながら，ピン１３を本体１１の外側方向に押し出す。したがって，ピン１３は，上面ホール１１ａ内で本体１１の外側方向に移動され，移動したピン１３は基板５０に引張力を加えながら基板５０をフレーミングする。より詳細に説明すると，一辺に位置するピン１３と対向する他の一辺に位置するピン１３とは，互いに反対方向に移動する。このように，互いに反対方向に移動したピンによって，基板５０は下方に垂れずにぴんと張られる。このとき，移動したピン１３が基板５０に引張力を容易に加えることができるように，基板ホール５０ａの幅Ｗ＿５０ａは，上面ホール１１ａの幅Ｗ＿１１ａと同一またはより狭いことが好ましい。

なお，外側加圧手段１５がスプリングではない場合，ピン１３に外力が加わっていないときには，ピン１３は，上面ホール１１ａの外側方向に変位しないこともある。この場合，ピン１３を基板ホール５０ａに挿入するために，ピン１３を内側加圧手段２０によって押圧する必要はない。すなわち，外側加圧手段１５がスプリングではない場合は，まず，ピン１３を基板５０の基板ホール５０ａに挿入する。その後，外側加圧手段１５によってピン１３に外側方向の圧力を印加して，基板５０に引張力を加えることができる。

そして，図１，図２および図３Ｄを参照すると，ピン１３を加圧した後，引張力が加えられた基板５０上に支持板３０を載置する。この支持板３０は，基板５０を支持する役割をする。ここで，本体１１は，支持板３０を密着させるための密着手段１７をさらに備えることが好ましい。この場合，支持板５０は，例えば金属板であり，密着手段１７は，例えば磁石であることが好ましい。なお，図１では，密着手段１７が本体の内側面１１ｔに備えられているが，密着手段１７の位置は，これに限定されず，支持板３０を適切に密着させることが可能な箇所であればどこでも可能である。

また，基板５０上にピン１３が突出する場合，支持板３０は，例えばピン１３に対応する支持ホール３０ａを備えることができる。この場合，支持板３０を基板５０上に載置する際，基板５０の上部に突出したピン１３を支持ホール３０ａに挿入させる。ここで，支持ホール３０ａの幅Ｗ＿３０ａは，上面ホール１１ａの幅Ｗ＿１１ａと同一またはより広い。これにより，上面ホール１１ａ内でピン１３が移動するとき，支持板３０に影響を及ぼさない。

さらに，支持板３０は，本体１１の開口部１１ｐに対応する部分３０＿ｐ１が，本体１１の上面１１ｕに対応する部分３０＿ｐ２と比べて下方（開口部１１ｐの方向）に突出していることが好ましい。このような支持板３０は，基板５０を下方に押し付けて，基板５０に引張力をさらに加えることができる。

このように，フレーム本体１１，ピン１３，外側加圧手段１５および支持板３０を備える基板支持フレームＦと，フレームＦにフレーミングされた基板５０とを含む基板支持フレーム組立体Ｆａを組み立てることができる。

次に，本実施形態にかかるドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法について説明する。ここで，図４Ａ〜図４Ｃは，本実施形態にかかるドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず，図４Ａを参照すると，フレーム組立体Ｆａは，図１，図２および図３Ａ〜図３Ｄを参照して説明した基板支持フレーム組立体Ｆａである。したがって，フレーム組立体Ｆａに対する詳細な説明は省略する。

フレーム組立体Ｆａを，蒸着源７０を備える蒸着装備に移動させ，蒸着装備内で基板５０上に転写層５５を蒸着する。具体的には，基板５０の光−熱変換層上に，転写層５５を形成する。これにより，ドナー基板を製造する。

転写層５５の蒸着は，蒸発法（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ）により行うことができる。詳しくは，蒸着源７０から熱によって蒸着物質が気化し，気化した蒸着物質は基板５０上に積層して転写層５５を形成する。この際，基板５０は，熱によって熱的変形が発生して表面積が増加することにより下方に垂れるおそれがある。しかし，フレーム組立体Ｆａに備えられたピン１３によって，基板５０の引張力は維持できる。したがって，転写層５５は基板５０上に均一に形成される。

さらに，フレーム組立体Ｆａが支持板３０をさらに備える場合，支持板３０により，基板５０は，より容易に引張力を維持することができる。支持板３０が熱伝導性の高い金属板であれば，基板５０の熱的変形が部分的に発生することを抑制できる。したがって，転写層５５をさらに均一に形成することができる。

次いで，図４Ｂを参照すると，支持板（図４Ａの３０）を除去した後，ドナー基板５７が，少なくとも画素電極を備えるアクセプタ基板６５上に，転写層５５がアクセプタ基板６５と対向して配置される。この際，アクセプタ基板６５は，チャック６０上に固着できる。また，チャック６０は，フレーム本体１１の開口部１１ｐ内に位置させることもできる。次に，ローラ７５などを用いて，ドナー基板５７をアクセプタ基板６５上にラミネートする。

さらに，図４Ｃを参照すると，ラミネートされたドナー基板５７上に，レーザ照射装置８０を位置させる。レーザ照射装置８０は，ドナー基板５７上の少なくとも一部にレーザを照射する。照射されたレーザは，ドナー基板５７の光−熱変換層に吸収されて熱を発生させる。この発生した熱は，光−熱変換層と転写層５５との接着力を減少させ，転写層５５をアクセプタ基板６５上に転写する。その結果，アクセプタ基板６５上に転写層パターン５５ａが形成される。

ここで，図５は，図４Ｃの一部領域Ｐを拡大して示す断面図であって，アクセプタ基板６５とドナー基板５７を同時に示しており，アクセプタ基板６５が有機電界発光素子基板の場合を示すものである。

図５を参照すると，ドナー基板５７は，基板，すなわちベース基板５０の下面に光−熱変換層５３が位置し，光−熱変換層５３の下面に転写層５５が位置する。一方，アクセプタ基板６５は，基板９０上の所定の領域に半導体層９１が位置する。半導体層９１は，例えば，非晶質シリコン膜または非晶質シリコン膜を結晶化した多結晶シリコン膜である。この半導体層９１上には，ゲート絶縁膜９２が位置する。そして，ゲート絶縁膜９２上は，半導体層９１とオーバーラップするゲート電極９３が位置する。

さらに，ゲート電極９３上には，半導体層９１，およびゲート電極９３を覆う第１層間絶縁膜９６が位置する。また，第１層間絶縁膜９６上には，第１層間絶縁膜９６およびゲート絶縁膜９２を貫通して，半導体層９１の両端にそれぞれ接続するドレイン電極９４およびソース電極９５が位置する。半導体層９１，ゲート電極９３およびソース／ドレイン電極９４，９５は，薄膜トランジスタＴを構成する。このソース／ドレイン電極９４，９５上に，ソース／ドレイン電極９４，９５を覆う第２層間絶縁膜９７が位置する。第２層間絶縁膜９７は，例えば，薄膜トランジスタＴを保護するためのパッシベーション膜／または薄膜トランジスタによる段差を緩和するための平坦化膜を備えることができる。

そして，第２層絶縁膜９７上には，第２層間絶縁膜９７を貫通して，ドレイン電極９４に接続する画素電極９８が位置する。画素電極９８は，例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）膜である。この画素電極９８上に，例えば，画素電極の一部を露出させる開口部９９ａを有する画素定義膜９９が位置させることもできる

開口部９９ａを介して露出した画素電極９８上には，ドナー基板５７から転写された転写層パターン５５ａが位置する。転写層パターン５５ａは，例えば発光層とすることもできる。また，転写層パターン５５ａは，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，転写輸送層および転写注入層よりなる群から選択される少なくとも１層をさらに含むことができる。

以上，第１の実施形態にかかる基板支持フレーム，基板支持フレーム組立体，基板フレーミング方法，ドナー基板の製造方法，および有機電界発光表示装置の製造方法について説明した。かかる基板支持フレームの構造により，基板が弛みを生じることなく支持することができる。このように支持された基板に対して上記方法を適用することにより，均一な転写層を形成することが可能となる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，基板支持フレームに適用可能であり，より詳しくは，基板に引張力を加えてフレーミングすることが可能な基板支持フレーム，フレームを備える基板支持フレーム組立体，フレームを用いた基板フレーミング方法，基板支持フレーム組立体を用いたレーザ熱転写用ドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法に適用可能である。

本発明の第１の実施形態にかかる基板支持フレームおよび基板支持フレーム組立体を概略的に示す分解斜視図である。 図１のフレーム組立体を示す平面図である。 図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取った，本発明の第１の実施形態に係る基板フレーミング方法を示す断面図である。 図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取った，本発明の第１の実施形態に係る基板フレーミング方法を示す断面図である。 図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取った，本発明の第１の実施形態に係る基板フレーミング方法を示す断面図である。 図２の線Ｉ−Ｉ’に沿って切り取った，本発明の第１の実施形態に係る基板フレーミング方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態にかかるドナー基板の製造方法およびドナー基板を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示す断面図である。 図４Ｃの一部領域を拡大して示す断面図である。

符号の説明

１１ フレーム本体
１３ ピン
１５ 外側加圧手段
１７ 密着手段
２０ 内側加圧手段
３０ 支持板
５０ 基板

Claims (37)

1. 被支持体である基板の外縁部の少なくとも一部を支持し，前記基板の中央領域を露出する開口部を備える本体と；
   前記本体の少なくとも２辺において，前記本体の上面から突出する複数のピンと；
   前記複数のピンを前記本体の側面方向外側へ押圧するための外側加圧手段と；
   を備えることを特徴とする，基板支持フレーム。
2. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
   前記ピンは，前記上面ホール内に位置することを特徴とする，請求項１に記載の基板支持フレーム。
3. 前記外側加圧手段は，スプリングであり，
   前記スプリングの一端部は，前記上面ホールの内部側壁のうち，前記本体の側面方向内側の側壁に取り付けられ，
   前記スプリングの他端部は，前記ピンに取り付けられることを特徴とする，請求項２に記載の基板支持フレーム。
4. 前記本体は，前記本体の側面に形成されて前記上面ホールと連通する側面ホールをさらに備えることを特徴とする，請求項２に記載の基板支持フレーム。
5. 前記ピンは，前記側面ホールを介して前記本体の側面方向に突出する突出部をさらに備えることを特徴とする，請求項４に記載の基板支持フレーム。
6. 前記本体の上面側には，前記ピンに対応する支持ホールが形成され，前記本体と前記基板を挟み込む支持板を備えることを特徴とする，請求項１に記載の基板支持フレーム。
7. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
   前記ピンは，前記上面ホール内に挿通され，
   前記ピンの移動方向における前記支持ホールの幅は，前記上面ホールの幅以上の大きさであることを特徴とする，請求項６に記載の基板支持フレーム。
8. 前記支持板は，前記本体の開口部に対応する部分が，前記本体の上面に対応する部分より前記本体の開口部側に突出することを特徴とする，請求項６に記載の基板支持フレーム。
9. 前記本体は，前記本体と前記支持板とを密着させる密着手段をさらに備えることを特徴とする，請求項６に記載の基板支持フレーム。
10. 前記密着手段は，磁石であることを特徴とする，請求項９に記載の基板支持フレーム。
11. 被支持体である基板の外縁部の少なくとも一部を支持し，前記基板の中央領域を露出する開口部を備える本体と，前記本体の少なくとも２辺において，前記本体の上面から突出する複数のピンと，前記複数のピンを前記本体の側面方向外側へ押圧するための外側加圧手段と，を備える基板支持フレームと；
    前記本体上に位置し，前記ピンに対応する基板ホールを備える基板と；
    を含み，
    前記ピンは，前記基板ホールに挿入されて，前記基板に引張力を加えることを特徴とする，基板支持フレーム組立体。
12. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
    前記ピンは，前記上面ホール内に位置することを特徴とする，請求項１１に記載の基板支持フレーム組立体。
13. 前記外側加圧手段は，スプリングであり，
    前記スプリングの一端部は，前記上面ホールの内部側壁のうち，前記本体の側面方向内側の側壁に取り付けられ，
    前記スプリングの他端部は，前記ピンに取り付けられることを特徴とする，請求項１２に記載の基板支持フレーム組立体。
14. 前記本体は，前記本体の側面に形成されて前記上面ホールと連通する側面ホールをさらに備えることを特徴とする，請求項１２に記載の基板支持フレーム組立体。
15. 前記ピンは，前記側面ホールを介して前記本体の側面に突出する突出部をさらに備えることを特徴とする，請求項１４に記載の基板支持フレーム組立体。
16. 前記本体の上面側には，前記ピンに対応する支持ホールが形成され，前記本体と前記基板を挟み込む支持板を備えることを特徴とする，請求項１１に記載の基板支持フレーム組立体。
17. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
    前記ピンは，前記上面ホール内に挿通され，
    前記ピンの移動方向における前記支持ホールの幅は，前記上面ホールの幅以上の大きさであることを特徴とする，請求項１６に記載の基板支持フレーム組立体。
18. 前記支持板は，前記本体の開口部に対応する部分が，前記本体の上面に対応する部分より前記本体の開口部側に突出していることを特徴とする，請求項１６に記載の基板支持フレーム組立体。
19. 前記本体は，前記本体と前記支持板とを密着させる密着手段を備えることを特徴とする，請求項１６に記載の基板支持フレーム組立体。
20. 前記密着手段は，磁石であることを特徴とする，請求項１９に記載の基板支持フレーム組立体。
21. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
    前記ピンは，前記上面ホール内に挿通され，
    前記ピンの移動方向における前記基板ホールの幅は，前記上面ホールの幅以下の大きさであることを特徴とする，請求項１１に記載の基板支持フレーム組立体。
22. 前記基板は，前記基板上に光−熱変換層を備えることを特徴とする，請求項１１に記載の基板支持フレーム組立体。
23. 被支持体である基板の外縁部の少なくとも一部を支持し，前記基板の中央領域を露出する開口部を備える本体と，前記本体の少なくとも２辺において，前記本体の上面から突出する複数のピンと，前記各ピンを前記本体の側面方向外側へ押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，
    前記本体上に，前記ピンに対応する基板ホールを備える基板を載置し，前記ピンを前記基板ホールに挿入するステップと；
    前記外側加圧手段を用いて前記ピンが押圧されるステップと；
    を含むことを特徴とする，基板フレーミング方法。
24. 前記本体は，前記本体の上面に上面ホールを備え，
    前記ピンは，前記上面ホール内に位置することを特徴とする，請求項２３に記載の基板フレーミング方法。
25. 前記加圧手段は，スプリングであり，
    前記スプリングの一端部は，前記上面ホールの内部側壁のうち，前記本体の側面方向内側の側壁に取り付けられ，
    前記スプリングの他端部は，前記ピンに取り付けられることを特徴とする，請求項２４に記載の基板フレーミング方法。
26. 前記ピンを，前記基板ホールに挿入される前に，内側加圧手段により前記本体の側面方向内側へ押圧するステップと；
    前記ピンが前記基板ホールに挿入された後，前記内側加圧手段を除去して，前記外側加圧手段により前記ピンを押圧するステップと；
    をさらに含むことを特徴とする，請求項２５に記載の基板フレーミング方法。
27. 前記本体は，前記本体の側面に形成されて前記上面ホールと連通する側面ホールを備え，
    前記内側加圧手段は，前記側面ホールを介して前記ピンを押圧することを特徴とする，請求項２６に記載の基板フレーミング方法。
28. 前記ピンは，前記側面ホールを介して前記本体の側面に突出した側面突出部を備え，
    前記内側加圧手段は，前記側面突出部を押圧することを特徴とする，請求項２７に記載の基板フレーミング方法。
29. 前記ピンを押圧した後，前記基板上に支持板を載置することを特徴とする，請求項２３に記載の基板フレーミング方法。
30. 前記支持板は，前記ピンに対応する支持ホールを備え，
    前記ピンを前記支持ホールに挿入して，前記支持板を載置するステップを備えることを特徴とする，請求項２９に記載の基板フレーミング方法。
31. 被支持体である基板の外縁部の少なくとも一部を支持し，前記基板の中央領域を露出する開口部を備える本体と，前記本体の少なくとも２辺において，前記本体の上面から突出する複数のピンと，前記各ピンを前記本体の側面方向外側へ押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，
    前記本体上に，前記ピンに対応する基板ホールおよび光−熱変換層を備える基板を載置するステップと；
    前記ピンを前記基板ホールに挿入し，前記外側加圧手段を用いて前記ピンを押圧して前記基板をフレーミングするステップと；
    前記フレーミングされた基板の前記光−熱変換層上に転写層を形成するステップと；
    を含むことを特徴とする，ドナー基板の製造方法。
32. 前記ピンを前記基板ホールに挿入し，前記外側加圧手段を用いて前記ピンを押圧して前記基板をフレーミングするステップにおいて，前記ピンを押圧した後，前記基板上に支持板を載置することを特徴とする，請求項３１に記載のドナー基板の製造方法。
33. 前記支持板は，前記ピンに対応する支持ホールを備え，
    前記ピンを前記支持ホールに挿入することにより，前記支持板を載置することを特徴とする，請求項３２に記載のドナー基板の製造方法。
34. 前記転写層は，蒸発法を用いることを特徴とする，請求項３１に記載のドナー基板の製造方法。
35. 被支持体である基板の外縁部の少なくとも一部を支持し，前記基板の中央領域を露出する開口部を備える本体と，前記本体の少なくとも２辺において，前記本体の上面から突出する複数のピンと，前記各ピンを前記本体の側面方向外側へ押圧するための外側加圧手段とを備える基板支持フレームを提供し，
    前記本体上に，前記ピンに対応する基板ホールおよび光−熱変換層を備える基板を載置して，前記ピンを前記基板ホールに挿入し，前記外側加圧手段を用いて前記ピンを押圧して前記基板をフレーミングするステップと；
    前記フレーミングされた基板の前記光−熱変換層上に，転写層を形成してドナー基板を製造するステップと；
    前記ドナー基板を，少なくとも画素電極を備えるアクセプタ基板上に，前記転写層と前記アクセプタ基板とが対向する位置に載置するステップと；
    前記ドナー基板上にレーザを照射することにより，前記転写層の少なくとも一部を前記画素電極上に転写して，転写層パターンを形成するステップと；
    を含むことを特徴とする，有機電界発光表装置の製造方法。
36. 前記転写層パターンは，発光層であることを特徴とする，請求項３５に記載の有機電界発光表装置の製造方法。
37. 前記転写層パターンは，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層よりなる群から選択される少なくとも一つの層をさらに含むことを特徴とする，請求項３６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
    

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