JP4305516B2 - 固体撮像素子及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
このCCD型固体撮像素子は、光電変換手段(フォトダイオード;PD)を設けた複数の画素を半導体基板上の撮像部(イメージエリア)内に2次元配列のマトリクス状に配置したものであり、各画素に入射した光をフォトダイオードによって光電変換して電荷を生成し、この電荷を垂直転送部及び水平転送部を介して出力部に設けたフローティングディフュージョン(FD)部に転送し、このFD部の電位変動をMOSトランジスタによって検出し、これを電気信号に変換、増幅することにより映像信号として出力するものである。
有効画素期間内に垂直転送を行なうことに起因して、垂直転送クロックの立ち上がり及び立ち下がり時にイメージエリアで発生するクロストークノイズは、図6で示す様に、イメージエリアの遮光膜を経由してイメージエリアのP−WELL領域に伝播することとなる。そして、イメージエリアのP−WELL領域に伝播したクロストークノイズは出力部のP−WELL領域へと伝播し、バックゲート効果によりCCD型固体撮像素子の出力信号にクロストークノイズが発生することとなるのである。
有効画素期間内に垂直転送を行なうことに起因して、垂直転送クロックの立ち上がり及び立ち下がり時にイメージエリアで発生するクロストークノイズは、図7で示す様に、受光部のチャネルストップ領域及びイメージエリアのP−WELL領域に伝播することとなる。そして、イメージエリアのP−WELL領域に伝播したクロストークノイズは出力部のP−WELL領域へと伝播し、バックゲート効果によりCCD型固体撮像素子の出力信号にクロストークノイズが発生することとなるのである。
有効画素期間内に垂直転送を行なうことに起因して、垂直転送クロックの立ち上がり及び立ち下がり時にイメージエリアで発生するクロストークノイズは、図8で示す様に、受光部のチャネルストップ領域及びイメージエリアのP−WELL領域を介してN型半導体基板に伝播することとなり、バックゲート効果によりCCD型固体撮像素子の出力信号にクロストークノイズが発生することとなるのである。なお、FD部や出力回路初段ソースフォロワのドライブ側のMOS型トランジスタではNチャンネル直下のP−WELL(図中符合Xで示す領域)が空乏化しているために、N型半導体基板からのバックゲート効果が大きい。
有効画素期間内に垂直転送を行なうことに起因して、垂直転送クロックの立ち上がり及び立ち下がり時にイメージエリアで発生するクロストークノイズは、図9で示す様に、受光部のチャネルストップ領域及びイメージエリアのP−WELL領域を介してN型半導体基板に伝播することとなり、N型半導体基板から出力信号配線や出力信号用のパッド106へと伝播することでCCD型固体撮像素子の出力信号にクロストークノイズが発生することとなるのである。
有効画素期間内に垂直転送を行なうことに起因して、図10(a)で示す様に、水平転送クロックの高周波成分(高周波ノイズ)が垂直転送クロックにカップリングノイズとして重畳することとなる。
ここで、垂直転送クロックに重畳したカップリングノイズがP−WELLへと伝播し、結果的にCCD型固体撮像素子の出力信号に高周波ノイズが重畳されるのであるが、高周波ノイズは、図10(b)で示す様に、垂直転送クロックの通常状態と遷移状態とでその形状が異なるために、撮像画面の任意の1ラインの出力信号レベルを観測した場合には、図10(c)で示す様に、出力信号の変動が発生することとなるのである。
しかしながら、かかる技術であっても、クロストークノイズを完全に除去することはできていない。
図1(a)は本発明を適用した固体撮像素子の一例であるCCD型固体撮像素子を説明するための模式的な平面図、図1(b)は図1(a)中符合A−A’の模式的な断面図を示しており、ここで示すCCD型固体撮像素子1は、イメージエリア2、水平転送部3及び出力部4から概略構成されている。ここで、イメージエリアはマトリクス状に配列された受光部(図示せず)と各受光部の垂直列毎に設けられ各受光部から電荷を転送する垂直転送部(図示せず)とにより構成されており、イメージエリアには第1の遮光膜5aが形成され、水平転送部には第2の遮光膜5bが形成されている。また、出力部からの電気信号を外部に出力するパッド6が設けられ、パッドと出力部とは電気配線によって接続されている。
即ち、従来のCCD型固体撮像素子では、単一の接地電位(GND)によってイメージエリアの遮光膜とイメージエリアのP−WELL領域に接地電位を印加していたのに対して、本発明を適用したCCD型固体撮像素子では、イメージエリアのP−WELL領域用のパッドとは別にイメージエリアの遮光膜用のパッドを設けて、イメージエリアのP−WELL領域にはVGNDで接地電位を印加し、イメージエリアの遮光膜にはWGNDで接地電位を印加することで、イメージエリアの遮光膜からイメージエリアのP−WELL領域へクロストークノイズが伝播する現象を抑制することができ、結果として上記した[1]のクロストークノイズを抑制することができるのである。
なお、図1中符合Bで示す領域では、出力部のP−WELL領域とイメージエリアのP−WELL領域とが近接しているために、図2で示す様に、出力部のP−WELL領域とイメージエリアのP−WELL領域との間を水平転送部のP−WELL領域で分離することで、イメージエリアのP−WELL領域から出力部のP−WELL領域へクロストークノイズが直接伝播する現象を抑制することができる。更に、出力部のP−WELL領域とイメージエリアのP−WELL領域との間に接地電位が印加されたN型半導体基板とのコンタクトを設けることで、イメージエリアのP−WELL領域から出力部のP−WELL領域へクロストークノイズが直接伝播する現象をより一層抑制することができる。
即ち、従来のCCD型固体撮像素子におけるFD部、出力回路初段ソースフォロワのドライブ側のMOSトランジスタではNチャネル直下のP−WELLが空乏化しているために、N型半導体基板からのバックゲート効果を受け易かったが(図3(a)参照。)、出力部のP−WELL領域のドーズ位置を、イメージエリアのP−WELL領域のドーズ位置や水平転送部のP−WELL領域のドーズ位置と比較して深くなる様に構成することで、N型半導体基板からのバックゲート効果を抑制することができ(図3(b)参照。)、結果として上記した[3]に示すクロストークノイズを抑制することができるのである。
なお、図4で示す様に、基板バイアス回路に基板クロック(φSUB)を印加する配線上に接地容量7を追加することで垂直転送クロックから基板クロックへのカップリングを抑制することができ、N型半導体基板の伝播に起因するクロストークノイズを抑制することができる。
即ち、従来のCCD型固体撮像素子におけるパッド及び電気配線の形成領域に対応する領域にはP−WELL領域が形成されていなかったが、本発明を適用したCCD型固体撮像素子におけるパッド及び電気配線の形成領域に対応する領域にはP−WELL領域を形成し、これらP−WELL領域にAGNDから接地電位を印加することで、N型半導体基板からパッドや電気配線へのクロストークノイズ伝播経路を遮断できるために、上記した[4]に示すクロストークノイズを抑制することができるのである。
なお、従来のCCD型固体撮像素子では、水平転送クロックを印加するパッドに対応する領域にN−WELL領域を形成していたが(図5参照。)、かかるN−WELL領域を削除することで、N型半導体基板から水平転送クロックへとクロストークノイズが伝播し、クロストークノイズが伝播した水平転送クロックから出力信号へクロストークノイズが伝播するという経路を遮断することができる。
2 イメージエリア
3 水平転送部
4 出力部
5a 第1の遮光膜
5b 第2の遮光膜
6 パッド
7 接地容量
8 接地容量
9 フェライトビーズ
Claims (1)
- マトリクス状に配列された受光部と、該受光部の垂直列毎に設けられると共に同受光部から電荷が転送され、転送された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部とを有する撮像部と、前記垂直転送部から電荷が転送され、転送された電荷を水平方向に転送する水平転送部と、該水平転送部より転送された電荷を電気信号に変換して出力する出力部とを有し、前記撮像部、水平転送部及び出力部が第2導電型半導体領域を有する第1導電型半導体基板に形成されると共に、前記第2導電型半導体領域に接地電位が印加されている固体撮像素子と、
前記垂直転送部を駆動するための垂直転送クロック及び前記水平転送部を駆動するための水平転送クロックを前記固体撮像素子に印加するタイミング信号発生回路とを備える固体撮像装置において、
前記出力部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域に接地電位を印加する第1の基準電位印加手段と、
前記撮像部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域に接地電位を印加する第2の基準電位印加手段と、
前記水平転送部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域に接地電位を印加する第3の基準電位印加手段と、
前記撮像部を遮光する遮光膜に接地電位を印加する第4の基準電位印加手段と、
前記水平転送部を遮光する遮光膜に接地電位を印加する第5の基準電位印加手段と、
前記固体撮像素子に垂直転送クロックを印加する配線と接地電位との間に設けられた所定の容量と、
前記固体撮像素子に水平転送クロックを印加する配線に設けられたフェライトビーズとを備え、
前記出力部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域と前記撮像部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域とが、前記水平転送部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域によって分離されており、
前記出力部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域におけるドーズ量は、前記撮像部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域におけるドーズ量よりも多くし、若しくは、前記出力部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域におけるドーズ位置は、前記撮像部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域におけるドーズ位置よりも深くし、
前記出力部で変換した信号を出力する外部端子が形成された領域及び前記出力部と前記外部端子とを接続する配線が形成された領域に対応する領域に前記第2導電型半導体領域が形成されると共に、前記外部端子及び前記配線が形成された領域に対応する第2導電型半導体領域に接地電位が印加され、
更に、前記出力部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域と前記撮像部が形成された領域に対応する前記第2導電型半導体領域との間が接地されている
固体撮像装置。
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