JP4301948B2 - 調整可能な光学フィルタリング部品 - Google Patents
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Description
米国特許第5291502号によるチューニング可能フィルタは、フィルタリングされる波長に対して透過性でない検出器を含む。
・PINダイオードの真性層Iの第1の部分を形成しているInPエピタキシャル層72;
・量子層74:化学式InxGa1−xAsを有する、ヒ化ガリウム−インジウムの非常に薄いエピタキシャル層。ここで、xは、原子価バンドおよび伝導帯の間に約0.7ボルトのエネルギーギャップが得られるように選択され、1.52〜1.61マイクロメートルのブロード・スペクトル・バンドにおける光子の良好な吸収を可能にする。xは、ヒ化ガリウム−インジウムの結晶格子をリン化インジウムの格子に正確に合致させたい場合に常套的に選択される、値0.532に等しくてもよい。層の厚さは、検出器によって約1%の吸収を得るために、この場合、約15ナノメートルであってよい。しかしながら、xの異なる値は、x=0.53〜0.65の範囲で特に選択されてもよい。この場合、結晶格子は、リン化インジウムの結晶格子に対して僅かながら合致せず、層の厚さは、それゆえに、ずれを避けるために限定される。この厚さの限定は、xが増加すると増加する吸収性についてさらなる問題とはならない。x=0.55の場合、10ナノメートルの厚さが1%の吸収に対して適切である。x=0.625の場合は、層の厚さは、やはり約1%の吸収を可能にするように、5ナノメートルに限定されるべきである。格子の不整合がある場合も、量子エピタキシャル層の厚みが小さいことにより、リン化インジウムの格子に従ってこの層をエピタキシャル堆積させることが可能である(但し、歪を有する)。この厚さでは、歪によりずれが生じることはない。さらに、ヒ化ガリウム−インジウムの厚みが小さいことにより、光の吸収性が低くなり、よって有用な検出信号を生成すること、および他の利用目的のために放射線の大部分を保持することが可能となる。
・ファブリ・ペロー空洞の形成前の最終層を形成しているn+ドープ処理リン化インジウムからなる上述のエピタキシャル層42;接点62は、接点62および64がそれぞれPINダイオードのP層およびN層へアクセスできるようにこの層の上に形成されており、よって検出フォトダイオードのように動作できる。
・n+ドープ処理InP層10
・n+ドープ処理In0.53Ga0.47Asスペーサ層
・n+ドープ処理InP層12
・意図的にドープ処理されていないIn0.53Ga0.47Asスペーサ層;この層が完全に絶縁されている方が好ましい。そうでない場合、接点60と62の間の直接短絡を避けるために、上部層にp+がドープ処理されることが必要である。このとき、それら接点間のバイアスは逆方向(n+層上で正、p+層で負)である。
・p+ドープ処理InP層30
・p+ドープ処理In0.53Ga0.47Asスペーサ層
・p+ドープ処理InP層32
Claims (13)
- マイクロ加工されたモノリシック構造内に製造されたチューニング可能光学フィルタ本体(M1,M2,C)を具備し、マイクロ加工されたモノリシック構造が、フィルタが受光した波長にフィルタのチューニング制御をスレーブ動作させるために用いられる光検出素子(70,72,74,76,42)をさらに含み、フィルタリングされた光の大部分が前記要素を通過することにより使用可能となることを特徴とする、チューニング可能な光フィルタリング部品。
- 透過半導体基板(40)を含み、前記透過半導体基板の前面と称される一面に同様な透過層の積層が形成されて、電圧によって調整可能な波長を中心とする狭スペクトル・バンドで光を選択的に伝達するチューニング可能な干渉フィルタを構成し、前記光検出素子は、基板およびフィルタの間の、基板の前面上に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のフィルタリング部品。
- 透過半導体基板(40)を含み、前記透過半導体基板の前面と称される一面に同様な透過層の積層が形成されて、電圧によって調整可能な波長を中心とする狭スペクトル・バンドで光を選択的に伝達するチューニング可能な干渉フィルタを構成し、前記光検出素子は、前記フィルタの上部に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載のフィルタリング部品。
- 前記基板がリン化インジウムから形成され、前記干渉フィルタが制御された幅の間隔により分離された複数のリン化インジウム層(10,12,30,32)を含み、少なくとも1つの間隔(C)が電圧の制御の下で変更することができる幅を有することを特徴とする、請求項1または2に記載のフィルタリング部品。
- 前記基板が、意図的にドープ処理されていない材料か、又は半絶縁体で形成されていることを特徴とする、請求項4に記載のフィルタリング部品。
- 前記間隔がエアギャップであることを特徴とする、請求項4または5に記載のフィルタリング部品。
- 前記光検出素子が量子井戸フォトダイオードからなることを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のフィルタリング部品。
- 前記フォトダイオードが、P型ドープ処理半導体層(70)と、意図的にドープ処理していない2つの半導体層(72,76)と、N型ドープ処理半導体層(42)と、前記意図的にドープ処理していない2つの半導体層(72,76)間に挿入された異なる半導体合金のエピタキシャル層(74)とを有して構成され、
前記P型ドープ処理半導体層(70)、前記意図的にドープ処理していない2つの半導体層(72,76)及び前記N型ドープ処理半導体層(42)が半導体エピタキシャル層であり、
前記異なる半導体合金のエピタキシャル層(74)の厚さが、この層と前記意図的にドープ処理していない2つの半導体層(72,76)のそれぞれとの間に存在しやすい結晶格子差がある場合にも、この層のずれを避けるのに十分に小さいことを特徴とする、請求項7に記載のフィルタリング部品。 - 前記異なる半導体合金のエピタキシャル層(74)が、1.5〜1.6マイクロメートルの光学波長バンドでの吸収に相当する、約0.775電子ボルトのエネルギー「ギャップ」を有する材料から形成されていることを特徴とする、請求項8に記載のフィルタリング部品。
- 前記異なる半導体合金のエピタキシャル層(74)の厚さが20ナノメートル未満であることを特徴とする、請求項9に記載のフィルタリング部品。
- 前記フォトダイオードがリン化インジウムの複数の層から形成されており、前記異なる半導体合金のエピタキシャル層(74)がヒ化ガリウム−インジウムInxGa1−xAs(xは約0.53と0.63の間に存在する)から形成されていることを特徴とする、請求項8ないし10のいずれか1項に記載のフィルタリング部品。
- 前記光検出素子の光吸収性が2%以下であることを特徴とする、請求項1ないし11のいずれか1項に記載のフィルタリング部品。
- 前記光検出素子から当該素子を通過する光の微少部分を表す信号を収集すること、該信号を平均化すること、および平均化された信号から前記フィルタのチューニングをスレーブ動作させるための電気的制御信号を生成することにより、平均化された検出信号を最大化する値でフィルタのチューニングを保持することからなる操作を含むことを特徴とする、請求項1ないし12のいずれか1項に記載のチューニング可能な光フィルタリング部品のチューニング方法。
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JP2005165067A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
CN100345015C (zh) * | 2003-12-30 | 2007-10-24 | 侯继东 | 一类基于微机电系统技术的可调光学器件 |
JP2007019313A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Seiko Epson Corp | 光素子および光モジュール |
US7564070B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-07-21 | Visteon Global Technologies, Inc. | Light emitting diode device having a shield and/or filter |
WO2007077658A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | テラヘルツ帯光学フィルタ、その設計方法および製造方法 |
JP4784495B2 (ja) * | 2006-11-28 | 2011-10-05 | 株式会社デンソー | 光学多層膜ミラーおよびそれを備えたファブリペロー干渉計 |
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KR101081062B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
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KR20240052898A (ko) * | 2017-11-17 | 2024-04-23 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 흡착 방법 |
JP6899314B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2021-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 吸着方法 |
DE102017011643B4 (de) * | 2017-12-15 | 2020-05-14 | Azur Space Solar Power Gmbh | Optische Spannungsquelle |
EP3546903A3 (en) * | 2018-03-09 | 2020-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light filter and spectrometer including the same |
DE102018211325A1 (de) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | Robert Bosch Gmbh | Fabry-Perot-Interferometer-Einheit und Verfahren zur Herstellung einer Fabry-Perot-Interferometer-Einheit |
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EP3640690B1 (en) * | 2018-09-27 | 2023-06-21 | Seiko Epson Corporation | Optical device and electronic apparatus |
CN111266934B (zh) * | 2020-02-29 | 2021-06-25 | 湖南大学 | 一种离子束抛光单片集成Fabry-Pérot腔全彩滤光片大批量制造方法 |
GB202009964D0 (en) * | 2020-06-30 | 2020-08-12 | Ams Int Ag | Spectral sensor |
US11502214B2 (en) * | 2021-03-09 | 2022-11-15 | Globalfoundries U.S. Inc. | Photodetectors used with broadband signal |
CN114942485A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-26 | 南京大学 | 一种自滤光的超导纳米线单光子探测器 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5022745A (en) * | 1989-09-07 | 1991-06-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror |
US5291502A (en) * | 1992-09-04 | 1994-03-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Electrostatically tunable optical device and optical interconnect for processors |
FI96450C (fi) * | 1993-01-13 | 1996-06-25 | Vaisala Oy | Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto |
US5329136A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-12 | At&T Bell Laboratories | Voltage-tunable photodetector |
US5629951A (en) * | 1995-10-13 | 1997-05-13 | Chang-Hasnain; Constance J. | Electrostatically-controlled cantilever apparatus for continuous tuning of the resonance wavelength of a fabry-perot cavity |
EP1212816A2 (en) * | 1999-08-23 | 2002-06-12 | Coretek, Inc. | Wavelength reference device |
US6295130B1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-09-25 | Xerox Corporation | Structure and method for a microelectromechanically tunable fabry-perot cavity spectrophotometer |
GB2359636B (en) * | 2000-02-22 | 2002-05-01 | Marconi Comm Ltd | Wavelength selective optical filter |
US6687423B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-02-03 | Xiaotian Steve Yao | Optical frequency-division multiplexer and demultiplexer |
US6549548B2 (en) * | 2000-10-25 | 2003-04-15 | Axsun Technologies, Inc. | Interferometric filter wavelength meter and controller |
JP3835525B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2006-10-18 | ホーチキ株式会社 | 波長可変フィルタ制御装置 |
US20020163643A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-07 | Li Chian Chiu | Optical interference apparatus and method |
US20030020926A1 (en) * | 2001-05-15 | 2003-01-30 | Nicolae Miron | Tunable band pass optical filter unit with a tunable band pass interferometer |
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