JP4300993B2 - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
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Description
線引きされた光ファイバは、キャプスタンローラ等の引き取り手段によりそのパスラインの下流側に引き取られ、さらに、強度試験のためのスクリーニング区間を通過した後、ボビン等に巻き取られる。
図2に示す光ファイバの製造装置50では、まず光ファイバ母材Gは、母材送出機51により紡糸炉52に送り出されて加熱され、線引きされて外径測定器53の線径検出により制御され所定の外径を維持されつつ、ガラス体の光ファイバG1が形成される。次に、被覆形成部54によってガラス体の周囲に樹脂の被覆が施され、被覆層を有する光ファイバG2が形成された後、引き取り機(引き取り手段)55に引き取られる。そして、光ファイバG2は、引張強度等の検査のための荷重をかけられながらスクリーニングシーブ56,57間を一巡して巻き取り機59に巻き取られる。
これにより、引き取り機55から引き取られる光ファイバG2の速度が低下し、線引きを中断させることなく引き取られた光ファイバG2をスクリーニングシーブ56,57のパスラインに復帰させることができる。
引き取り手段の下流側で断線した場合であれば、引き取り手段によって光ファイバは引き取られ続けるため、例えば上述したような従来の技術を用いることで、光ファイバをパスラインに復帰させて線引きを行うことは容易である。しかしながら、引き取り手段の上流側で断線すると、光ファイバ母材から線引きされた光ファイバは、その下流側の支持を行うことができなくなるため、軟化したガラス体の光ファイバが、パスライン付近の機器に接触して接着されてしまうことがある。例えば、高温となっている加熱炉の出口でガラス体の光ファイバが接着されてしまった場合には、その接着箇所を支点として、加熱炉内の下部に軟化したガラスがとぐろを巻くように溜まってしまう。
なお、ここでいう上流側とは、線引きされた光ファイバのパスラインにおける光ファイバ母材と引き取り手段の間を指す。また、加熱領域とは、光ファイバ母材から光ファイバを線引きできる温度となっている領域を指す。
図1は、本実施の形態の光ファイバの製造方法を行うことのできる装置の概略構成図である。
図1に示すように、光ファイバの製造装置1は、光ファイバ母材Gを加熱する縦型の線引き炉2と、線引きされた後のガラス体の光ファイバG1を冷却する冷却装置6と、光ファイバG1の周囲に樹脂の被覆を施す被覆装置(ダイス)8と、被覆された光ファイバG2の張力を測定する張力計12と、被覆された光ファイバG2を引き取るキャプスタン(引き取り手段)13と、ダンサローラ18,19と、光ファイバG2を巻き取る巻き取りボビン20とを備えている。
また、加熱炉2には、加熱領域にヘリウムや窒素等の冷却ガスを供給できるガス供給部21が設けられている。
なお、ダイス8には、通常はパスラインから外れた箇所に配置されている受け皿9が設けられている。この受け皿9は、断線時にはダイス8の下側に入り込んで、ダイス8から溢れ出る紫外線硬化型樹脂を受けることができる。
このキャプスタン13により、光ファイバG2はさらに下流側に引き取られる。
スクリーニング装置17による強度試験を経た光ファイバG2は、ダンサローラ18,19を介して巻き取りボビン20に送られ、この巻き取りボビン20に巻き取られる。
図1に示すように、光ファイバの製造装置1には、送り手段5の駆動とガス供給部21の作動と発熱体3の温度を制御する制御部22が設けられている。この制御部22は、通常の線引き時における運転状態を制御するものであるが、外径測定器7、張力計12、ダンサローラ19から受ける信号によって、光ファイバG1またはG2の断線を検出して、断線時における作動の指令を出すようにプログラムされている。
まず、キャプスタン13を停止させ、断線した下流側の光ファイバG2の送りを止める。また、ダイス8で光ファイバG1に塗布する紫外線硬化型樹脂の供給を停止する。
送り手段5を急激に上昇させて、把持した光ファイバ母材Gを加熱領域から外れるように、例えば100mm程度上方に移動させる。
また、発熱体3の発熱温度を低下させて、炉心管4内の温度を低下させる。これにより、加熱領域の温度を下げる。
また、ガス供給部21から、室温程度の冷却ガス(例えば窒素ガス)を炉心管4内に供給することで、炉心管4内の温度を低下させる。冷却ガスの供給量は、例えば30リットル/分とする。これにより、加熱領域の温度を下げる。なお、線引き時に予めヘリウムガスが炉心管4内に供給されている場合には、供給するガスを窒素ガスに切り替えて、加熱領域の温度を下げると良い。
2 加熱炉
3 発熱体
4 炉心管
5 送り手段
6 冷却装置
7 外径測定器
8 ダイス
9 受け皿
10 紫外線照射装置
11 ガイドローラ
12 張力計
13 キャプスタン(引き取り手段)
17 スクリーニング装置
18,19 ダンサローラ
20 巻き取りボビン
21 ガス供給部
22 制御部
G 光ファイバ母材
G1,G2 光ファイバ
Claims (5)
- 加熱炉の加熱領域に配置して加熱した光ファイバ母材を線引きして光ファイバとし、前記光ファイバを引き取り手段で引き取る工程中、
前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバが断線したときに、その断線の発生を検知して、前記光ファイバ母材を前記加熱領域から外すとともに、前記加熱領域に冷却ガスを供給することで前記加熱領域の温度を下げることを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 請求項1に記載の光ファイバの製造方法であって、
前記断線したときに、前記加熱炉の発熱温度を下げることを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 請求項1または2に記載の光ファイバの製造方法であって、
前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの張力を測定し、
測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 請求項3に記載の光ファイバの製造方法であって、
前記光ファイバを、前記引き取り手段の下流側でダンサローラを介してさらに下流側に送り、
測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記ダンサローラが遠接点に達したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 請求項3または4に記載の光ファイバの製造方法であって、
前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの外径を測定し、
測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記光ファイバが、前記外径を測定可能な領域から消失したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。
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