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Description

本発明は、加熱炉内で加熱した光ファイバ母材を線引きして、光ファイバを製造する光ファイバの製造方法に関する。
一般に、光ファイバは、石英等の材料で製造された光ファイバ母材を下端側から加熱して軟化させ、光ファイバ母材の軟化した部分に張力をかけて細径化することにより得られる。この光ファイバ母材を細径化して光ファイバとする工程は、線引きと呼ばれている。
線引きされた光ファイバは、キャプスタンローラ等の引き取り手段によりそのパスラインの下流側に引き取られ、さらに、強度試験のためのスクリーニング区間を通過した後、ボビン等に巻き取られる。
従来、スクリーニング工程で光ファイバが断線した場合に、その断線を検知して線引き速度を低下させ、線引きを中断せずに、断線した光ファイバの端末をパスラインに復帰させる技術が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
図2に、従来の光ファイバの製造装置の一例を示す。
図2に示す光ファイバの製造装置50では、まず光ファイバ母材Gは、母材送出機51により紡糸炉52に送り出されて加熱され、線引きされて外径測定器53の線径検出により制御され所定の外径を維持されつつ、ガラス体の光ファイバG1が形成される。次に、被覆形成部54によってガラス体の周囲に樹脂の被覆が施され、被覆層を有する光ファイバG2が形成された後、引き取り機(引き取り手段)55に引き取られる。そして、光ファイバG2は、引張強度等の検査のための荷重をかけられながらスクリーニングシーブ56,57間を一巡して巻き取り機59に巻き取られる。
スクリーニングシーブ56,57によって光ファイバG2が断線した場合には、スクリーニングシーブ57が下方へ降下し、リミットスイッチ58と接触する。すると、コンピュータ60がその接触を感知して母材送出機51に母材送り停止命令を出し、母材の供給を断つこととなる。その際、線引き速度は所定の光ファイバ径を維持するために低下する。
これにより、引き取り機55から引き取られる光ファイバG2の速度が低下し、線引きを中断させることなく引き取られた光ファイバG2をスクリーニングシーブ56,57のパスラインに復帰させることができる。
特開昭63−117925号公報
ところで、線引きを行っている際には、線引きされた光ファイバが、引き取り手段の手前(上流側)で断線してしまうことがある。
引き取り手段の下流側で断線した場合であれば、引き取り手段によって光ファイバは引き取られ続けるため、例えば上述したような従来の技術を用いることで、光ファイバをパスラインに復帰させて線引きを行うことは容易である。しかしながら、引き取り手段の上流側で断線すると、光ファイバ母材から線引きされた光ファイバは、その下流側の支持を行うことができなくなるため、軟化したガラス体の光ファイバが、パスライン付近の機器に接触して接着されてしまうことがある。例えば、高温となっている加熱炉の出口でガラス体の光ファイバが接着されてしまった場合には、その接着箇所を支点として、加熱炉内の下部に軟化したガラスがとぐろを巻くように溜まってしまう。
このように、光ファイバが引き取り手段の上流側で断線して周囲に付着した場合には、その付着したガラスを除去あるいは機器や部品を交換して再度線引きを行うまでに多くの時間が必要となり、光ファイバの製造効率を低下させる要因となっていた。
本発明は、線引きにより光ファイバを製造している際、引き取り手段の上流側で光ファイバが断線した場合に、ガラスが加熱炉内に溜まってしまうことを防いで、再度線引きを行うまでの復旧作業時間を短くすることができる光ファイバの製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成することができる本発明の光ファイバの製造方法は、加熱炉の加熱領域に配置して加熱した光ファイバ母材を線引きして光ファイバとし、前記光ファイバを引き取り手段で引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバが断線したときに、その断線の発生を検知して、前記光ファイバ母材を前記加熱領域から外すとともに、前記加熱領域に冷却ガスを供給することで前記加熱領域の温度を下げることを特徴としている。
なお、ここでいう上流側とは、線引きされた光ファイバのパスラインにおける光ファイバ母材と引き取り手段の間を指す。また、加熱領域とは、光ファイバ母材から光ファイバを線引きできる温度となっている領域を指す。
また、本発明の光ファイバの製造方法において、前記断線したときに、前記加熱炉の発熱温度を下げることが好ましい。
また、本発明の光ファイバの製造方法において、前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの張力を測定し、測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少したときを、前記断線の発生として検知することが好ましい。
また、本発明の光ファイバの製造方法において、前記光ファイバを、前記引き取り手段の下流側でダンサローラを介してさらに下流側に送り、測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記ダンサローラが遠接点に達したときを、前記断線の発生として検知することが好ましい。
また、本発明の光ファイバの製造方法において、前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの外径を測定し、測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記光ファイバが、前記外径を測定可能な領域から消失したときを、前記断線の発生として検知することが好ましい。
また、本発明の光ファイバの製造方法において、測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、前記ダンサローラが遠接点に達し、かつ前記光ファイバが、前記外径を測定可能な領域から消失したときを、前記断線の発生として検知することが好ましい。
本発明の光ファイバの製造方法によれば、線引きにより光ファイバを製造している際、引き取り手段の上流側で光ファイバが断線した場合に、ガラスが加熱炉内に溜まってしまうことを防いで、再度線引きを行うまでの復旧作業時間を短くすることができる。
以下、本発明に係る光ファイバの製造方法の実施の形態について説明する。
図1は、本実施の形態の光ファイバの製造方法を行うことのできる装置の概略構成図である。
図1に示すように、光ファイバの製造装置1は、光ファイバ母材Gを加熱する縦型の線引き炉2と、線引きされた後のガラス体の光ファイバG1を冷却する冷却装置6と、光ファイバG1の周囲に樹脂の被覆を施す被覆装置(ダイス)8と、被覆された光ファイバG2の張力を測定する張力計12と、被覆された光ファイバG2を引き取るキャプスタン(引き取り手段)13と、ダンサローラ18,19と、光ファイバG2を巻き取る巻き取りボビン20とを備えている。
光ファイバの製造装置1は、その最も上流側に、光ファイバ母材Gを加熱する加熱炉2を備えている。加熱炉2は、内側に光ファイバ母材Gが供給される円筒状の炉心管4と、この炉心管を囲むヒータである発熱体3とを備え、発熱体3を発熱させることで炉心管4が昇温して、その内側の空間に加熱領域が形成される。ここでいう加熱領域とは、ガラスが軟化して線引き可能な温度となっている領域であり、例えば1800℃以上となっている領域である。
また、加熱炉2には、加熱領域にヘリウムや窒素等の冷却ガスを供給できるガス供給部21が設けられている。
光ファイバ母材Gは、送り手段5によってその上部が把持されて、炉心管4の内側の加熱領域にその下端部分が位置するように加熱炉2内に送られる。このように、加熱炉2内に供給された光ファイバ母材Gは、その下端側が加熱領域内で加熱されて軟化し、下方に引き伸ばされて細径化し、ガラス体の光ファイバG1が形成される。
加熱炉2の下(下流側)には、例えばヘリウムガス等の冷却溶媒を用いた冷却装置6が設けられており、加熱炉2を出た直後の光ファイバG1は、この冷却装置6によって冷却される。これにより、ガラス体の光ファイバG1が数百℃から室温近くまで急速に冷却される。
また、冷却装置6の下(下流側)には、例えばレーザ光式の外径測定器7が設けられており、冷却装置6を出た光ファイバG1は、この外径測定器7によりその外径が測定される。なお、ここでの外径の測定は、光ファイバG1の軸に直交する方向の平面上の直交軸(X軸とY軸)方向のそれぞれにおいて測定することが好ましい。なお、外径測定器7は、パスラインの複数箇所に設けられていても良い。
外径測定器7の下(下流側)には、光ファイバG1に紫外線硬化型樹脂を塗布するダイス(被覆装置)8と、塗布された紫外線硬化型樹脂を硬化させるための紫外線照射装置10が設けられている。このダイス8と紫外線照射装置10を通過した光ファイバG2には、紫外線硬化型樹脂の被覆層が形成される。
なお、ダイス8には、通常はパスラインから外れた箇所に配置されている受け皿9が設けられている。この受け皿9は、断線時にはダイス8の下側に入り込んで、ダイス8から溢れ出る紫外線硬化型樹脂を受けることができる。
その後、光ファイバG2は、ガイドローラ11を介してキャプスタン13に引き込まれる。光ファイバG2にはキャプスタン13によって所定の張力が加えられている。キャプスタン13は、複数のローラ14に巻回されたキャプスタンベルト15と、このキャプスタンベルト15が密着されるキャプスタンローラ16とを有しており、これらキャプスタンベルト15とキャプスタンローラ16との間に、光ファイバG2を挟持して引き込む構造とされている。
このキャプスタン13により、光ファイバG2はさらに下流側に引き取られる。
また、ガイドローラ11とキャプスタン13との間には、光ファイバG2の張力を測定する張力計12が設けられている。キャプスタン13の回転速度は、外径測定器7の測定値が予め定められた値になるように制御される。
また、キャプスタン13の下流側には、光ファイバG2の引っ張りや曲げ等の強度試験を行うためのスクリーニング装置17が設けられている。ここでは、光ファイバG2に対して所定の張力を付加して、一定の強度条件を満たしているか否かを試験する。
スクリーニング装置17による強度試験を経た光ファイバG2は、ダンサローラ18,19を介して巻き取りボビン20に送られ、この巻き取りボビン20に巻き取られる。
次に、光ファイバの製造装置1によって光ファイバG2を製造している際に、キャプスタン13の上流側で光ファイバG1あるいはG2が断線した場合の制御について説明する。
図1に示すように、光ファイバの製造装置1には、送り手段5の駆動とガス供給部21の作動と発熱体3の温度を制御する制御部22が設けられている。この制御部22は、通常の線引き時における運転状態を制御するものであるが、外径測定器7、張力計12、ダンサローラ19から受ける信号によって、光ファイバG1またはG2の断線を検出して、断線時における作動の指令を出すようにプログラムされている。
キャプスタン13の上流側で断線が発生した場合には、断線した上流側の光ファイバG2がキャプスタン13による支持を失うため、その光ファイバG1,G2がパスラインから外れる。また、キャプスタン13によって光ファイバG1,G2に付加されていた張力も失われる。
そのとき、パスラインを走行していた光ファイバG1の外径を測定していた外径測定器7では、光ファイバG1が測定可能な範囲から消失して、測定を行うことが不可能となり、エラー信号または測定値がゼロであることが制御部22に伝わる。その場合、制御部22は断線が発生したと判断する。なお、外径の測定を複数軸方向で行っていた場合、例えば、上記のX軸及びY軸で測定を行っていた場合には、このうち何れか1つの測定方向において測定可能な範囲を外れた場合を断線の発生と判断できる。また、外径測定器7をパスライン上の複数箇所に設けていた場合には、ダイス8より上流側に設けられた外径測定器7の情報を基に断線の発生を判断すると良い。より好ましくは、加熱炉2に最も近い外径測定器7の情報を用いると良い。
また、断線時、光ファイバG2の張力を測定していた張力計12は、その測定値が急激に低下する。本発明者は、断線時に、1秒で50g以上の張力低下が発生することを調べた。この結果を用い、制御部22によって検出されていた張力計12の測定値が50g/秒以上減少した場合には、制御部22は断線が発生したと判断する。または、測定値が50g/秒以上減少したときに張力計12が制御部22にエラー信号を伝えるようにし、それにより断線の発生を判断するようにしても良い。
さらに、断線時、ダンサローラ18に対して昇降していたダンサローラ19は急激に下降し、下限の遠接点に達する。予め、ダンサローラ19の下限位置には、接触式センサあるいは位置センサを設けておき、ダンサローラ19が下限の遠接点に達したことを制御部22に伝えて、断線が発生したと判断する。あるいは、ダンサローラ19の昇降方向の加速度を測定し、ある一定の測定値を超えた場合に断線が発生したと判断しても良い。
以上説明した外径測定器7、張力計12、ダンサローラ19の3箇所から受ける信号のうち、少なくとも張力計12からの信号によって制御部22は断線の発生を検出することができる。また、断線の判断をより確実に行うためには、10秒間の内に上記の3箇所全てから断線の発生を判断できる信号を伝えられたときに、断線が発生したと判断しても良い。
断線の発生を検知したときには、制御部22は、予めプログラムされていた指令を各装置に送る。
まず、キャプスタン13を停止させ、断線した下流側の光ファイバG2の送りを止める。また、ダイス8で光ファイバG1に塗布する紫外線硬化型樹脂の供給を停止する。
さらに、本実施形態では、光ファイバ母材Gが加熱されて軟化することを防ぐように各装置を作動させる。
送り手段5を急激に上昇させて、把持した光ファイバ母材Gを加熱領域から外れるように、例えば100mm程度上方に移動させる。
また、発熱体3の発熱温度を低下させて、炉心管4内の温度を低下させる。これにより、加熱領域の温度を下げる。
また、ガス供給部21から、室温程度の冷却ガス(例えば窒素ガス)を炉心管4内に供給することで、炉心管4内の温度を低下させる。冷却ガスの供給量は、例えば30リットル/分とする。これにより、加熱領域の温度を下げる。なお、線引き時に予めヘリウムガスが炉心管4内に供給されている場合には、供給するガスを窒素ガスに切り替えて、加熱領域の温度を下げると良い。
このように、断線の発生を検出した直後に、光ファイバ母材Gの上昇、発熱体3の温度低下、ガスの供給のうち、少なくとも何れか一つ以上(好ましくは全て)を行うことで、断線の発生以後に光ファイバ母材Gを軟化させることを防ぎ、軟化したガラスが加熱炉2内に溜まってしまうことを防止することができる。
本発明に係る光ファイバの製造方法を実施することができる装置を示す概略構成図である。 従来の光ファイバの製造装置を示す概略構成図である。
符号の説明
1 光ファイバの製造装置
2 加熱炉
3 発熱体
4 炉心管
5 送り手段
6 冷却装置
7 外径測定器
8 ダイス
9 受け皿
10 紫外線照射装置
11 ガイドローラ
12 張力計
13 キャプスタン(引き取り手段)
17 スクリーニング装置
18,19 ダンサローラ
20 巻き取りボビン
21 ガス供給部
22 制御部
G 光ファイバ母材
G1,G2 光ファイバ

Claims (5)

  1. 加熱炉の加熱領域に配置して加熱した光ファイバ母材を線引きして光ファイバとし、前記光ファイバを引き取り手段で引き取る工程中、
    前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバが断線したときに、その断線の発生を検知して、前記光ファイバ母材を前記加熱領域から外すとともに、前記加熱領域に冷却ガスを供給することで前記加熱領域の温度を下げることを特徴とする光ファイバの製造方法。
  2. 請求項1に記載の光ファイバの製造方法であって、
    前記断線したときに、前記加熱炉の発熱温度を下げることを特徴とする光ファイバの製造方法。
  3. 請求項1または2に記載の光ファイバの製造方法であって、
    前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの張力を測定し、
    測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。
  4. 請求項3に記載の光ファイバの製造方法であって、
    前記光ファイバを、前記引き取り手段の下流側でダンサローラを介してさらに下流側に送り、
    測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記ダンサローラが遠接点に達したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。
  5. 請求項3または4に記載の光ファイバの製造方法であって、
    前記光ファイバを引き取る工程中、前記引き取り手段の上流側で前記光ファイバの外径を測定し、
    測定した前記張力が1秒あたり50g以上減少し、かつ前記光ファイバが、前記外径を測定可能な領域から消失したときを、前記断線の発生として検知することを特徴とする光ファイバの製造方法。
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