JP4297574B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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JP4297574B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に垂直配向(ホメオトロピック配向)をしたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、一方の基板上に薄膜トランジスタ(TFT)及び画素電極が形成され、他方の基板上に共通電極が形成される。TFTが形成された基板上には、TFTを駆動するためのゲートバスライン(制御バスライン)が配置される。選択されていない画素のTFTを非導通状態にするために、この画素に対応するゲートバスラインの電位が低く抑えられる。このため、ゲートバスラインと共通電極との間に大きな電位差が発生する。ゲートバスラインと共通電極との間の大きな電位差は、画素内の液晶分子の配向を乱す要因になる。
【0003】
また、ゲートバスラインと共通電極との間の大きな電位差により、ゲートバスラインが配置された領域の液晶層内に、その厚さ方向の直流電圧成分が発生する。液晶層内に直流電圧成分が発生することは、液晶材料や配向膜材料にとって好ましくない状態であり、この直流成分が液晶表示装置の寿命低下の要因になる。
【0004】
垂直配向型の液晶表示装置に用いられる誘電率異方性が負の液晶材料は、誘電率異方性が正の液晶材料に比べて種類が少ない。また、垂直配向膜の材料も、水平配向膜の材料に比べて種類が少ない。このため、直流電圧成分の影響を受けにくい材料を選択することが困難である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、制御バスラインに印加される電気信号に起因して液晶層内に発生する直流成分による寿命の低下を防止することが可能な液晶表示装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、間隙を隔てて平行に配置され、少なくとも一方が透明な第1及び第2の基板と、前記第1の基板の対向面上に形成され、行列状に分布する複数の第1の画素電極と、前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の各々に対応して、当該第1の画素電極の脇に配置された第1の補助電極と、前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の行ごとに配置された第1の制御バスラインと、前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の列ごとに配置された第1の信号バスラインと、前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の補助電極の列ごとに配置された第1の補助バスラインと、前記第1の画素電極の各々と、それに対応する前記第1の信号バスラインとを接続し、対応する第1の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第1のスイッチング素子と、前記第1の補助電極の各々と、それに対応する前記第1の補助バスラインとを接続し、対応する第1の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第1の補助スイッチング素子と、前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極ごとに配置され、基板法線方向に沿って見たとき、対応する第1の画素電極と少なくとも部分的に重なる第2の画素電極と、前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極ごとに、当該第2の画素電極の脇に配置された第2の補助電極であって、基板法線方向に沿って見たとき、該第2の補助電極と、それに対応する前記第1の補助電極とが、対応する前記第1の画素電極と第2の画素電極との重なる領域を挟むように配置されている前記第2の補助電極と、前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極の行ごとに配置された第2の制御バスラインと、前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極の列ごとに配置された第2の信号バスラインと、前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の補助電極の列ごとに配置された第2の補助バスラインと、前記第2の画素電極の各々と、それに対応する前記第2の信号バスラインとを接続し、対応する第2の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第2のスイッチング素子と、前記第2の補助電極の各々と、それに対応する前記第2の補助バスラインとを接続し、対応する第2の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第2の補助スイッチング素子と、前記第1の基板と第2の基板との間に充填され、負の誘電率異方性を有する液晶材料と、前記液晶材料中の液晶分子に対して、垂直配向規制力を与える配向膜とを有する液晶表示装置が提供される。
【0007】
双方の基板に制御バスラインが形成されているため、制御バスラインと共通電極とが対向する場合に比べて、液晶層の厚さ方向の直流電圧成分の発生を抑制することができる。また、第1の画素電極と第1の補助電極との間の横方向電界により、液晶分子の傾斜方向を規定することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1〜図4を参照して、本発明の第1の実施例による液晶表示装置について説明する。
【0009】
図1(A)及び(B)は、それぞれ第1の実施例による液晶表示装置の第1の基板10及び第2の基板30の一画素部分の平面図を示す。第1の基板10と第2の基板30とが、ある間隙を隔てて平行に配置されている。第1の基板10と第2の基板30の少なくとも一方は透明である。図1(A)及び(B)は、第1の基板側から見た平面図である。図1(A)においては、紙面の裏側が対向面側に相当し、図1(B)においては、紙面の表側が対向面側に相当する。
【0010】
図1(A)に示すように、第1の基板10の対向面上にインジウム錫オキサイド(ITO)からなる第1の画素電極11と第1の補助電極12とが形成されている。一画素が、一つの第1の画素電極11と一つの第1の補助電極12を含んで構成される。複数の画素が、第1の基板の面内に行列状に分布する。第1の画素電極11と、それに対応する第1の補助電極12とは、ある間隔を隔てて行方向に並ぶ。
【0011】
画素の行ごとに、行方向に延在する第1の制御バスライン13が配置されている。第1の制御バスライン13は、図1(A)において、対応する画素の上側を通過する。画素の列ごとに、列方向に延在する第1の信号バスライン14及び第1の補助バスライン15が配置されている。第1の信号バスライン14は、図1(A)において、対応する画素列の右側(第1の画素電極11側)を通過し、第1の補助バスライン15は、対応する画素列の左側(第1の補助電極12側)を通過する。
【0012】
第1のTFT17が、各第1の画素電極11と、それに対応する第1の信号バスライン14とを接続する。第1のTFT17のゲート電極は、対応する第1の制御バスライン13に接続されている。第1の補助TFT18が、各第1の補助電極12と、それに対応する第1の補助バスライン15とを接続する。第1の補助TFT18のゲート電極は、対応する第1の制御バスライン13に接続されている。第1の制御バスライン13に印加される電気信号によって、第1のTFT17及び第1の補助TFT18の導通状態が制御される。
【0013】
図1(A)において、第1のTFT17は、画素の右上隅に配置され、第1の補助TFT18は、画素の左上隅に配置されている。
【0014】
図1(B)に示すように、第2の基板30の対向面上に、ITOからなる第2の画素電極31及び第2の補助電極32が形成されている。一画素が、一つの第2の画素電極31と一つの第2の補助電極32とを含んで構成される。基板法線方向に沿って見たとき、第2の画素電極31は、図1(A)に示す第1の画素電極11と少なくとも部分的に重なる。
【0015】
第2の画素電極31と、それに対応する第2の補助電極22とは、ある間隔を隔てて行方向に並ぶ。図1(B)において、第2の補助電極32は、第2の画素電極31の右側に配置される。すなわち、基板法線方向に沿って見たとき、第2の補助電極32と、それに対応する第1の補助電極12とは、対応する第1の画素電極11と第2の画素電極31との重なる領域を挟むように配置されている。
【0016】
画素の行ごとに、行方向に延在する第2の制御バスライン33が配置されている。第2の制御バスライン33は、図1(B)において、対応する画素の下側を通過する。画素の列ごとに、列方向に延在する第2の信号バスライン34及び第2の補助バスライン35が配置されている。第2の信号バスライン34は、図1(B)において、対応する画素列の右側(第2の画素電極31側)を通過し、第2の補助バスライン35は、対応する画素列の左側(第2の補助電極32側)を通過する。
【0017】
基板法線方向に沿って見たとき、図1(A)に示す第1の制御バスライン13が、当該第1の制御バスライン13の行の隣の行(図1(A)及び(B)においては、ひとつ上の行)の第2の制御バスライン33とほぼ重なる。
【0018】
第2のTFT37が、各第2の画素電極31と、それに対応する第2の信号バスライン34とを接続する。第2のTFT37のゲート電極は、対応する第2の制御バスライン33に接続されている。第2の補助TFT38が、各第2の補助電極32と、それに対応する第2の補助バスライン35とを接続する。第2の補助TFT38のゲート電極は、対応する第2の制御バスライン33に接続されている。第2の制御バスライン33に印加される電気信号によって、第2のTFT37及び第2の補助TFT38の導通状態が制御される。
【0019】
図1(B)において、第2のTFT37は、画素の左下隅に配置され、第2の補助TFT38は、画素の右下隅に配置されている。すなわち、一画素について4つのTFT17、18、37、及び38が設けられ、4つのTFTは、それぞれ画素の4つの隅に配置される。
【0020】
図2(A)は、図1(A)及び図1(B)の一点鎖線A2−A2における概略断面図を示し、図2(B)は、図1(A)及び図1(B)の一点鎖線B2−B2における概略断面図を示す。
【0021】
第1の基板10の対向面上に、第1の画素電極11、第1の補助電極12、第1の信号バスライン14、及び第1の補助バスライン15が形成されている。第1の配向膜20が、これらを覆う。第2の基板30の対向面上に、第2の画素電極31、第2の補助電極32、第2の信号バスライン34、第2の補助バスライン35、第2のTFT37、及び第2の補助TFT38が形成されている。第2の配向膜40が、これらを覆う。
【0022】
基板法線方向に沿って見たとき、第1の補助電極12が第2の信号バスライン34にほぼ重なり、第2の補助電極32が第1の信号バスライン14にほぼ重なる。
【0023】
第1の基板10と第2の基板30との間に、液晶材料50が充填されている。液晶材料50は、負の誘電率異方性を有する。第1及び第2の配向膜は、液晶材料50内の液晶分子に対し、垂直配向規制力を与える。これにより、液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に配向する。
【0024】
第1の基板10の外側に第1の偏光板25が配置され、第2の基板30の外側に第2の偏光板45が配置されている。第1の偏光板25と第2の偏光板45とは、クロスニコルの関係に配置されている。また、各偏光板の偏光軸は、画素の行方向及び列方向と45°で交わる。
【0025】
図3は、第1の実施例による液晶表示装置の駆動回路のブロック図を示す。図3では、第1の基板10の駆動回路を示しているが、第2の基板30の駆動回路も同様の構成である。
【0026】
第1の走査回路21が、第1の制御バスライン13に走査信号を印加する。第1の制御回路22が、第1の信号バスライン14に、画像情報に対応した電気信号を印加する。第1の補助回路23が、第1の補助バスライン15に補助信号を印加する。
【0027】
次に、図2(A)と図4とを参照して、第1の実施例による液晶表示装置の駆動方法について説明する。
【0028】
図2(A)に示すように、第1の画素電極11、第1の補助電極12、第2の画素電極31、第2の補助電極32の電位を、それぞれV1、V2、V3、及びV4とする。
【0029】
図4(A)は、画素が暗状態にある時の各電極の電位の変化を示す。横軸は、経過時間に対応する。画素のひとつの行が、第1の走査回路21により選択されると、選択された行の画素内の4つのTFTが導通状態になり、各バスラインに印加されている電圧が、対応する電極に与えられる。図4は、液晶表示装置がフレーム反転駆動される場合を示している。すなわち、各電極の電位の極性が、フレームごとに反転する。
【0030】
第1の画素電極11の電位V1と第2の画素電極31の電位V3とは逆極性であり、その大きさはほぼ等しい。第1の補助電極12の電位V2と第2の補助電極32の電位V4とは逆極性であり、その大きさはほぼ等しい。第1の画素電極11の電位V1と第2の補助電極32の電位V4とは、同極性であり、その大きさは異なる。
【0031】
第1の画素電極11と第2の画素電極31とが重なる領域の液晶層に、電位V1とV3との差に相当する電界E13が発生する。この電界E13は、液晶分子をほとんど傾斜させない程度の大きさである。この状態の時、液晶層を厚さ方向に伝搬する光に対して光学的異方性を示さない。このため、電界E13が印加されている領域は、暗状態になる。
【0032】
図4(B)は、画素が明状態にある時の各電極の電位を示す。暗状態の時に比べて、電位V1とV3の振幅が大きくなっている。また、電圧V1と電圧V4とが逆極性になる。第1の画素電極11と第2の画素電極31とが重なる領域の液晶層に、大きな電界E13が発生する。この電界E13により、液晶分子が倒れ、その長軸が基板面にほぼ平行になる。このため、大きな電界E13が発生している領域が明状態になる。
【0033】
電位V2とV4の大きさは、暗状態のときの大きさとほぼ同一である。第1の画素電極11と第1の補助電極12との間に、基板面に平行な方向(横方向)の成分を有する電界E12が発生する。横方向の電界E12により、第1の画素電極11と第1の補助電極12との境界近傍の液晶分子がスプレー配向する。同様に、第2の画素電極31と第2の補助電極32との境界近傍の液晶分子もスプレー配向する。
【0034】
このスプレー配向の影響を受けて、第1の画素電極11と第2の画素電極31のほぼ中央の液晶分子の倒れる向きが定まる。これにより、画素内に、ディスクリネーションラインが発生することを防止することができる。
【0035】
また、第1の実施例による液晶表示装置においては、第1及び第2の基板の制御バスライン同士が重なっている。このため、制御バスラインの配置された領域の液晶層内に直流電圧成分が発生することが抑制される。これにより、液晶表示装置の寿命の低下を抑制することができる。
【0036】
次に、図5を参照して、第1の実施例による液晶表示装置の詳細な構成及び製造方法を説明する。なお、以下では、図1(A)の第1の基板10の第1のTFT17及びその近傍の構造を説明するが、第1の補助TFT18の構造も第1のTFT17の構造と同様である。また、第2の基板30の各TFT37及び38も、第1の基板10側のTFTと構造と同様である。
【0037】
図5は、図1(A)の一点鎖線A5−A5における断面図を示す。ガラス基板10の表面上に第1のTFT17が形成されている。第1のTFT17は、第1の制御バスライン13、チャネル層62、チャネル保護膜68、ソース電極63S、及びドレイン電極63Dを含んで構成される。第1の制御バスライン13はCr(又はAl合金、Al/Ti等の積層でも良い)で形成され、その厚さは150nmであり、ガラス基板10の表面上に配置されている。
【0038】
第1の制御バスライン13を覆うように、ガラス基板10の表面上にSiNからなる厚さ400nmの第1の絶縁膜54が配置されている。チャネル層62は、アモルファスSiで形成され、その厚さは30nmであり、第1の絶縁膜54の上に、第1の制御バスライン13を跨ぐように配置されている。
【0039】
チャネル層62の上面のうち第1の制御バスライン13の上方の領域が、チャネル保護膜68で保護されている。チャネル保護膜68はSiNで形成され、その厚さは120nmである。
【0040】
チャネル層62の上面のうち第1の制御バスライン13の両側の領域が、それぞれソース電極63S及びドレイン電極63Dで覆われている。ソース電極63S及びドレイン電極63Dは、n+型アモルファスSi膜64、下側Ti膜65、Al膜66、及び上側Ti膜67がこの順番に積層された4層構造を有する。n+型アモルファスSi膜64の厚さは30nm、下側Ti膜65及び上側Ti膜67の厚さは20nm、Al膜66の厚さは100nmである。ソース電極63Sの上側Ti膜67に、開口71aが形成されている。
【0041】
チャネル層62及びドレイン電極63Dが、対応する第1の信号バスライン14に連続している。第1の信号バスライン14は、チャネル層62とドレイン電極63Dとを積層した積層構造を有する。また、図1(A)に示す第1の補助バスライン15も、第1の信号バスライン14と同様の積層構造を有する。
【0042】
TFT17を覆うように、第1の絶縁膜54の上にSiNからなる厚さ300nmの第2の絶縁膜70が配置されている。第2の絶縁膜70の、開口71aに対応する位置に開口71bが形成されている。開口71bの外周は、開口71aの外周よりも外側に位置している。第2の絶縁膜70の上面の一部、開口71a及び71bの内面を覆うように、ITOからなる厚さ70nmの第1の画素電極11が配置されている。
【0043】
第1の画素電極11は、上側Ti膜67の上面のうち開口71bの内側の領域に接触し、開口71aの底面においてAl膜66に接触している。このため、上側Ti膜17を介して、第1の画素電極11とソース電極63Sとの間の良好な電気的接続を得ることができる。
【0044】
次に、図5に示す液晶表示用基板の製造方法を説明する。ガラス基板10の表面上にCr膜を形成し、このCr膜をパターニングして第1の信号バスライン13を残す。第1の信号バスライン13を覆うように、ガラス基板10の表面上にSiNからなる厚さ400nmの第1の絶縁膜54を堆積する。第1の絶縁膜54の堆積は、原料ガスとしてSiH4とNH3を用いた化学気相成長(CVD)により行う。成膜時の基板温度は320℃とする。
【0045】
第1の絶縁膜54の表面上に、チャネル層62になる厚さ30nmのアモルファスSi膜を堆積する。このアモルファスSi膜の堆積は、原料ガスとしてSiH4を用いたCVDにより行う。成膜時の基板温度は310℃とする。
【0046】
アモルファスSi膜の表面上に、厚さ120nmのSiN膜を堆積し、このSiN膜をパターニングしてチャネル保護膜68を残す。チャネル保護膜68となるSiN膜の堆積は、原料ガスとしてSiH4とNH3を用いたCVDにより行う。成膜時の基板温度は320℃とする。
【0047】
基板全面上に、厚さ30nmのn+型アモルファスSi膜、厚さ20nmのTi膜、厚さ100nmのAl膜、及び厚さ20nmのTi膜を順番に堆積する。アモルファスSi膜の堆積は、原料ガスとしてSiH4とPH3を用い、基板温度250℃としたCVDにより行う。Ti及びAl膜の堆積は、室温でのスパッタリングにより行う。
【0048】
最も上のTi膜の表面上に、ソース電極63S及びドレイン電極63Dに対応したレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、第1の絶縁膜54の上に形成されているアモルファスSi膜までをエッチングする。このエッチングは、Cl2とBCl3との混合ガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)により行う。Cl2とBCl3の流量は、例えば共に100sccmとする。
【0049】
第1の制御バスライン13の上方の領域では、チャネル保護膜68がエッチング停止層として働き、この上面でエッチングがほぼ停止する。このエッチングにより、チャネル層62、ソース電極63S、及びドレイン電極63Dが形成される。
【0050】
基板全面上に、SiNからなる厚さ300nmの第2の絶縁膜70を堆積する。第2の絶縁膜70の堆積は、原料ガスとしてSiH4とNH3を用いたCVDにより行う。成膜時の基板温度は、第1の絶縁膜54の成膜時の基板温度よりも低い230℃とする。
【0051】
第2の絶縁膜70に開口71bを形成する。開口71bの形成は、SF6とO2との混合ガスを用いたRIEにより行う。エッチング条件は、SF6の流量200sccm、O2の流量200sccm、圧力10Paである。このエッチング条件では、第2の絶縁膜70がサイドエッチングされる。また、上側Ti膜67もエッチングされるが、Ti膜のエッチングはイオン衝突時の衝撃による作用が大きいため、ほぼ基板面に対して法線方向にエッチングが進む。このため、上側Ti膜67に形成される開口71aの外周が、第2の絶縁膜70に形成される開口70bの外周よりも外側に位置するようになる。基板全面上にITO膜を堆積し、パターニングして第1の画素電極11を残す。なお、図5には現れていないが、図1(A)の第1の補助電極12も同時に形成される。
【0052】
次に、図6を参照して、第2の実施例について説明する。上記第1の実施例では、図2(A)で説明したように、基板法線方向に沿って見たとき、第1の補助電極12が第2の信号バスライン34に重なり、第2の補助電極32が第1の信号バスライン14に重なるように配置されている。第2の実施例では、これらが重ならないように配置される。
【0053】
図6に示すように、基板法線方向に沿って見たとき、第1の補助電極12が第2の画素電極31の一部に重なり、第2の補助電極32が第1の画素電極11の一部に重なる。このため、第1の補助電極12及び第2の補助電極32が配置された領域も遮光されず、画像表示に有効な領域となる。これらの電極に印加される電圧は、第1の実施例の場合の図4に示す電圧とほぼ同様である。
【0054】
図4(A)に示すように、暗状態のとき、第1の補助電極12と第2の画素電極31との間に発生する電界E23、及び第2の補助電極32と第1の画素電極11との間に発生する電界E14は、第1の画素電極11と第2の画素電極31との間に発生する電界E13よりも小さく、液晶分子が傾かない程度の大きさである。このため、画素内の全領域が暗状態になる。
【0055】
図4(B)に示すように、明状態のとき、第1の補助電極12と第2の画素電極31との間に発生する電界E23、及び第2の補助電極32と第1の画素電極11との間に発生する電界E14は、第1の画素電極11と第2の画素電極31との間に発生する電界E13よりは小さいが、図4(A)に示す暗状態のときの電界E13よりは大きい。電界E23及びE14は、中間調状態の電界に相当し、第1の補助電極12及び第2の補助電極32が配置された領域が、中間調状態になる。このため、第1の実施例の場合のように、第1の補助電極12及び第2の補助電極32が配置された領域を遮光する場合に比べて、透過光量を高めることが可能になる。
【0056】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、液晶表示用基板の双方の対向面上に、スイッチング素子制御用の制御バスラインが配置される。このため、両者の非対称性に起因する直流電圧成分の残留を抑制することができ、寿命の低下を防止することが可能になる。また、画素電極の縁に発生する横方向電界を利用して、液晶分子の傾斜方向を規制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施例による液晶表示用基板の平面図である。
【図2】第1の実施例による液晶表示用基板の断面図である。
【図3】第1の実施例による液晶表示用基板の駆動回路のブロック図である。
【図4】第1の実施例による液晶表示用基板の各電極に印加される電圧を示すグラフである。
【図5】第1の実施例による液晶表示用基板のTFT部分及びその近傍の断面図である。
【図6】第2の実施例による液晶表示用基板の断面図である。
【符号の説明】
10 第1の基板
11 第1の画素電極
12 第1の補助電極
13 第1の制御バスライン
14 第1の信号バスライン
15 第1の補助バスライン
17 第1のTFT
18 第1の補助TFT
20 第1の配向膜
21 走査回路
22 第1の制御回路
23 第1の補助回路
25 第1の偏光板
30 第2の基板
31 第2の画素電極
32 第2の補助電極
33 第2の制御バスライン
34 第2の信号バスライン
35 第2の補助バスライン
37 第2のTFT
38 第2の補助TFT
40 第2の配向膜
45 第2の偏光板
50 液晶材料
54 第1の絶縁膜
62 チャネル層
63S ソース電極
63D ドレイン電極
64 アモルファスシリコン膜
65 下側Ti膜
66 Al膜
67 上側Ti膜
68 チャネル保護膜
70 第2の絶縁膜

Claims (3)

  1. 間隙を隔てて平行に配置され、少なくとも一方が透明な第1及び第2の基板と、
    前記第1の基板の対向面上に形成され、行列状に分布する複数の第1の画素電極と、
    前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の各々に対応して、当該第1の画素電極の脇に配置された第1の補助電極と、
    前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の行ごとに配置された第1の制御バスラインと、
    前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極の列ごとに配置された第1の信号バスラインと、
    前記第1の基板の対向面上に形成され、前記第1の補助電極の列ごとに配置された第1の補助バスラインと、
    前記第1の画素電極の各々と、それに対応する前記第1の信号バスラインとを接続し、対応する第1の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第1のスイッチング素子と、
    前記第1の補助電極の各々と、それに対応する前記第1の補助バスラインとを接続し、対応する第1の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第1の補助スイッチング素子と、
    前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第1の画素電極ごとに配置され、基板法線方向に沿って見たとき、対応する第1の画素電極と少なくとも部分的に重なる第2の画素電極と、
    前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極ごとに、当該第2の画素電極の脇に配置された第2の補助電極であって、基板法線方向に沿って見たとき、該第2の補助電極と、それに対応する前記第1の補助電極とが、対応する前記第1の画素電極と第2の画素電極との重なる領域を挟むように配置されている前記第2の補助電極と、
    前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極の行ごとに配置された第2の制御バスラインと、
    前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の画素電極の列ごとに配置された第2の信号バスラインと、
    前記第2の基板の対向面上に形成され、前記第2の補助電極の列ごとに配置された第2の補助バスラインと、
    前記第2の画素電極の各々と、それに対応する前記第2の信号バスラインとを接続し、対応する第2の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第2のスイッチング素子と、
    前記第2の補助電極の各々と、それに対応する前記第2の補助バスラインとを接続し、対応する第2の制御バスラインに印加される電気信号によって導通状態を制御される第2の補助スイッチング素子と、
    前記第1の基板と第2の基板との間に充填され、負の誘電率異方性を有する液晶材料と、
    前記液晶材料中の液晶分子に対して、垂直配向規制力を与える配向膜と
    を有する液晶表示装置。
  2. さらに、
    前記第1の信号バスラインに電気信号を印加する第1の制御回路と、
    前記第1の画素電極と、それに対応する第1の補助電極との間に電位差が生ずるように、前記第1の補助バスラインに電気信号を印加する第1の補助回路と、
    前記第2の信号バスラインに電気信号を印加する第2の制御回路と、
    前記第2の画素電極と、それに対応する第2の補助電極との間に電位差が生ずるように、前記第2の補助バスラインに電気信号を印加する第2の補助回路と
    を有する請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 基板法線方向に沿って見たとき、前記第1の補助電極が、それに対応する前記第2の画素電極の一部と重なり、前記第2の補助電極が、それに対応する前記第1の画素電極の一部と重なり、
    各画素が、前記第1の画素電極と第2の画素電極との電位差が第1の電圧である暗状態、前記第1の電圧よりも大きな第2の電圧である明状態、及び前記第1の電圧と第2の電圧との中間の電圧である中間調状態のいずれかの表示状態をとり、暗状態の画素においては、前記第1の画素電極と、それに対応する第2の補助電極との電位差、及び前記第2の画素電極と、それに対応する第1の補助電極との電位差が、前記第1の電圧よりも小さくなり、
    明状態の画素においては、前記第1の画素電極と、それに対応する第2の補助電極との電位差、及び前記第2の画素電極と、それに対応する第1の補助電極との電位差が、前記第1の電圧よりも大きくなるように、前記第1及び第2の補助回路が、それぞれ前記第1及び第2の補助バスラインに電気信号を印加する請求項2に記載の液晶表示装置。
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