KR19990012989A - 횡전계방식 액정표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 제1기판에 종횡으로 배열된 게이트배선 및 데이터배선과, 상기 데이터배선 및 게이트배선의 교차점에 형성된 스위칭소자와, 상기 게이트배선에 평행하게 형성된 공통배선과, 상기 데이터배선과 교대로 평행하게 형성되어 횡전계를 인가하는 적어도 한쌍의 제1전극 및 제2전극과, 상기 제1전극을 따라 형성된 반도체층과 같은 단선방지층과, 그리고 상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어진다.

Description

횡전계방식 액정표시소자
본 발명은 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 데이터전극을 따라 단선방지층을 형성한 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것이다.
휴대용 텔레비젼이나 노트북 컴퓨터에 많이 사용되는 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT LCD)에서 대면적화가 강력하게 요구되고 있지만, 상기한 TFT LCD에는 시야각에 따라 콘트라스트비가 변하는 문제가 있었다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 광보상판이 장착된 트위스트네마틱(twisted nematic) 액정표시장치, 멀티도메인(multi-domain) 액정표시장치 등과 같은 여러가지 액정표시장치가 제안되고 있지만, 이러한 여러가지 액정표시장치로는 시야각에 따라 콘트라스트비의 저하와 색상이 변하는 문제를 해결하기 힘든 실정이다.
광시야각을 실현하기 위해 제안되는 다른 방식의 액정표시장치인 횡전계방식(in plane switching mode)의 액정표시장치가 JAPAN DISPLAY 92 P547, 일본특허 특개평 7-36058, 일본특허 특개평 7-225538, ASIA DISPALY 95 P107 등에 제안되고 있다.
도 1a는 종래 횡전계방식 액정표시장치의 한 화소를 평면상에 나타낸 도면으로서, 기판 위에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선(13) 및 데이터배선(10)과, 상기한 게이트배선(13)과 평행하게 화소내에 배열된 공통배선(19)과, 상기한 게이트배선(13)과 데이터배선(10)의 교차점에 배치된 박막트랜지스터와, 상기한 화소내에 데이터배선(10)과 대략 평행하게 배열된 데이터전극(20) 및 공통전극(15)으로 구성된다. 또한, 박막트랜지스터는 기판 위에 형성되어 게이트배선(13)과 접속되는 게이트전극(12)과, 상기한 게이트전극(12) 위에 적층된 게이트절연막(도 1b의 30)과, 상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층(17)과, 상기한 반도체층(17) 위에 형성되어 데이터배선(10)과 데이터전극(20)에 각각 접속되는 소스전극(11) 및 드레인전극(16)으로 구성된다. 화소내의 공통전극(15)은 기판 위에 형성되어 공통배선(19)에 접속되며 데이터전극(20)은 게이트절연막 위에 형성되어 박막트랜지스터의 드레인전극(16)에 접속된다. 박막트랜지스터, 데이터전극(20) 및 게이트절연막 위에는 보호막(미도시)이 적층되어 있으며, 그 위에 제1배향막(미도시)이 도포되고 배향방향이 결정된다.
또한, 비록 도면으로 나타내지는 않았지만, 상기한 기판과 대응하는 기판에는 상기 박막트랜지스터, 게이트배선, 데이터배선, 공통배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 차광층이 형성되어 있으며, 그 위에 컬러필터층 및 제2배향막이 형성되어 있다. 또한, 상기한 두 기판 사이에는 액정층이 형성되어 있다.
상기한 바와 같이 구성된 횡전계방식 액정표시장치에 있어서, 외부구동회로로부터 전압이 인가되면, 데이터전극(20)과 공통전극(15) 사이에 기판과 평행한 횡전계가 발생한다. 따라서, 액정층 내에 배향된 액정분자가 상기한 횡전계를 따라 회전하게 되며, 그 결과 액정층을 통과하는 빛의 양을 제어하게 된다.
도 1b는 상기한 도 1a의 A-A'선 단면도로서, 도면에 나타내듯이, 공통배선(19) 위에 게이트절연막(30)이 형성되고, 그 위에 데이터전극(20)이 형성되어 있다. 그러나, 도 1c에 나타내듯이, 게이트 테이퍼가 좋지 않을 경우(테이퍼각도가 높거나 또는 역테이퍼시) 게이트절연막의 스텝커버리지(step coverage)가 좋지 않게 되며, 특히 건식에칭시 테이퍼 부근(S)의 취약한 절연막이 더 손상을 받아 후에 증착되는 데이터전극(20)의 스텝커버리지가 나빠져 습식에칭시 단차부에서 단선(open)이 발생할 확률이 매우 높고, 이로 인하여 수율이 떨어진다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 공통배선과 데이터전극의 사이에 반도체층을 형성하여 데이터전극의 단선시에 상기 반도체층이 리던던시 역할을 하도록 한 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 기판 위에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과, 상기한 게이트배선과 평행하게 화소내에 배열된 공통배선과, 상기한 게이트배선과 데이터배선의 교차점에 배치된 박막트랜지스터와, 상기한 화소내에 데이터배선과 대략 평행하게 배열된 데이터전극 및 공통전극과, 상기한 데이터전극과 상기한 공통배선 사이에 형성된 제1반도체층으로 구성된다. 또한, 박막트랜지스터는 기판 위에 형성되어 게이트배선과 접속되는 게이트전극과, 상기한 게이트전극 위에 적층된 게이트절연막과, 상기한 게이트절연막 위에 형성된 제2반도체층과, 상기한 반도체층 위에 형성되어 데이터배선과 데이터전극에 각각 접속되는 소스전극 및 드레인전극으로 구성된다. 화소내의 공통전극은 기판 위에 형성되어 공통배선에 접속되며 데이터전극은 게이트절연막 위에 형성되어 박막트랜지스터의 드레인전극에 접속된다.
도 1a는, 종래 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 1b는, 도 1a의 A-A'선 단면도.
도 1c는, 도 1b에서 단선이 일어난 상태의 A-A'선 단면도.
도 2a는, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.
도 2b는, 도 2a의 B-B'선 단면도.
- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -
110 : 데이터배선 111 : 소스전극
112 : 게이트전극 113 : 게이트배선
115 : 공통전극 116 : 드레인전극
117 : 반도체층 119 : 공통배선
120 : 데이터전극 130 : 게이트절연막
133 : 리던던시(redundancy)
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2a는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자의 한 화소를 평면상에 나타낸 도면으로서, 기판 위에 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트배선(113) 및 데이터배선(110)과, 상기한 게이트배선(113)과 평행하게 화소내에 배열된 공통배선(119)과, 상기한 게이트배선(113)과 데이터배선(110)의 교차점에 배치된 박막트랜지스터와, 상기한 화소내에 데이터배선(110)과 대략 평행하게 배열된 데이터전극(120) 및 공통전극(115)과 상기한 데이터전극과 상기한 공통배선 사이에 형성된 리던던시(133)로 구성된다. 또한, 박막트랜지스터는 기판 위에 형성되어 게이트배선(113)과 접속되는 게이트전극(112)과, 상기한 게이트전극(112) 위에 적층된 게이트절연막(미도시)과, 상기한 게이트절연막 위에 형성된 반도체층(117)과, 상기한 반도체층(117) 위에 형성되어 데이터배선(110)과 데이터전극(120)에 각각 접속되는 소스전극(111) 및 드레인전극(116)으로 구성된다. 화소내의 공통전극(115)은 기판 위에 형성되어 공통배선(119)에 접속되며 데이터전극(120)은 게이트절연막 위에 형성되어 박막트랜지스터의 드레인전극(116)에 접속된다. 박막트랜지스터, 데이터전극(120) 및 게이트절연막 위에는 보호막(미도시)이 적층되어 있으며, 그 위에 제1배향막(미도시)이 도포되고 배향방향이 결정된다.
또한, 비록 도면으로 나타내지는 않았지만, 상기한 기판과 대응하는 기판에는 상기 박막트랜지스터, 게이트배선, 데이터배선 및 공통배선 근처로 빛이 새는 것을 방지하는 차광층을 형성하고, 그 위에 컬러필터층 및 제2배향막을 형성한 후, 상기한 두 기판 사이에는 액정층을 형성하면 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자가 완성된다.
도 2b는 상기한 도 1a의 B-B'선 단면도로서, 도면에 나타내듯이, 공통배선(119) 위에 게이트절연막(130)이 형성되고, 그 위에 a-Si층(131), n+층(132) 및 데이터전극(120)이 순서대로 형성되어 있다. 상기한 공통배선(119)은 Al, Ta, Mo, Cr 또는 Al합금 등을 스퍼터링방법에 의해 적층하고 에칭하여 형성하고, 게이트절연막(130)은 기판 전체에 걸쳐서 SiNx 등과 같은 무기물을 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법으로 적층하여 형성한다. 또한, 상기한 a-Si층(131) 및 n+층(132)은 CVD방법에 의해 적층된 비정질실리콘(a-Si)과 n+a-Si을 에칭하여 형성한다. 여기서 상기한 a-Si층(131) 및 n+층(132)은, 도 2a에 나타낸 것과 같은 상기한 반도체층(117)을 형성할 시에 함께 형성할 수 있으므로 별개의 공정을 필요로 하지 않는다. 또한, 상기한 a-Si층(131) 및 n+층(132)은 상기 데이터전극(20) 아래의 전 영역에 걸쳐 형성할 수도 있다. 즉, 각각의 a-Si층(131) 및 n+층(132)은 상기 데이터전극(120)의 모양을 따라 연결하여 형성할 수도 있다.
상기한 구조를 갖는 액정표시소자에서, 상기한 데이터전극(20)의 단차부가 단선되었을 경우, 전류는 상기 n+층(132) 및 a-Si층(131)을 통해 정상적으로 흐르게 된다.
본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자는 데이터전극과 공통배선 사이에 불순물 비정질실리콘층 및 비정질실리콘층으로 이루어진 반도체층을 형성하는 것에 의해, 데이터전극의 단선시에도 정상적인 전류의 흐름을 가능하게 하여 원활한 동작을 수행할 수 있다.

Claims (8)

  1. 제1기판 및 제2기판과,
    상기한 제1기판에 종횡으로 배열된 게이트배선 및 데이터배선과,
    상기 데이터배선 및 게이트배선의 교차점에 형성된 스위칭소자와,
    상기 게이트배선에 평행하게 형성된 공통배선과,
    상기 데이터배선과 교대로 평행하게 형성되어 횡전계를 인가하는 적어도 한쌍의 제1전극 및 제2전극과,
    상기 제1전극을 따라 형성된 단선방지층과, 그리고
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어진 횡전계방식 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭소자가 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전극이 데이터전극이고 제2전극이 공통전극인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단선방지층이 제1전극과 공통배선 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  5. 제1기판 및 제2기판과,
    상기한 제1기판에 종횡으로 배열된 게이트배선 및 데이터배선과,
    상기 데이터배선 및 게이트배선의 교차점에 형성된 스위칭소자와,
    상기 게이트배선에 평행하게 형성된 공통배선과,
    상기 데이터배선과 교대로 평행하게 형성되어 횡전계를 인가하는 적어도 한쌍의 제1전극 및 제2전극과,
    상기 제1전극과 공통배선 사이에 형성된 반도체층과, 그리고
    상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 이루어진 횡전계방식 액정표시소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스위칭소자가 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반도체층이 불순물 비정질실리콘층 및 비정질실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1전극이 데이터전극이고 제2전극이 공통전극인 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
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KR100920022B1 (ko) * 2001-12-29 2009-10-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판

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