JP4289744B2 - 信号発生装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースバンド信号をキャリア信号によって直交変調してディジタル変調信号を発生する信号発生装置を用いて測定を行う場合に、感度測定やひずみ測定を高精度に行えるようにするための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ディジタル変調方式に各種の方式があるが、移動体通信システム等で使用されるＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）変調は、図１０に示すように、伝送レートの極めて遅い変調波ｍを、等間隔に数１０〜数１０００束ねて伝送する方式である。
【０００３】
このような変調方式の信号を扱う通信機器や回路を試験するために、従来では図１１に示す構成の信号発生装置１０を用いていた。
【０００４】
この信号発生装置１０は、ベースバンド信号発生器１１から出力されたベースバント信号Ｉ、Ｑと、キャリア信号発生器１２から出力されたキャリア信号Ｃとを直交変調器１３に入力して、ベースバンド信号Ｉ、Ｑをキャリア信号Ｃで直交変調して図１０に示したようにキャリア周波数ｆｃを中心とするチャネルのディジタル変調信号Ｓａを生成し、このディジタル変調信号Ｓａを増幅器１４で所定レベルまで増幅し、その増幅出力Ｓｂを可変減衰器１５に入力して所望レベルに調整し、このレベルが調整されたディジタル変調信号Ｓｃを出力端子１０ａから出力するように構成されており、出力端子１０ａに通信装置や回路等の測定対象物１を接続して、その測定対象物１の感度特性やひずみ特性等を調べている。
【０００５】
例えば、通信装置の感度特性等を調べる場合には、可変減衰器１５の減衰量を大きく設定して出力端子１０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを非常に低いレベル（例えば−１００ｄＢｍ）にして測定対象物１に入力し、測定対象物１の復調信号の誤り率等を測定する。
【０００６】
また、増幅器やミキサ等の回路のひずみ特性を調べる場合には、可変減衰器１５の減衰量を小さく設定して出力端子１０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルをかなり高いレベル（例えば−１０ｄＢｍ）にして測定対象物１に入力し、測定対象物１の出力のスペクトラムをスペクトラムアナライザ等によって観測する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように直交変調器１３によってベースバンド信号Ｉ、Ｑをキャリア信号で直交変調してディジタル変調信号を生成する信号発生装置１０では、直交変調器１３の僅かな不平衡性によってキャリア信号Ｃを完全に抑圧することはできず、生成されたディジタル変調信号Ｓａにはその残留キャリアＣａが含まれている（キャリアリークという）。
【０００８】
前記したＯＦＤＭ変調では、１つの変調波のパワーが変調波全部のトータルパワーに対して変調波数分の１と小さいため、図１０に示しているように、１つの変調波と重なる残留キャリアＣａの影響が非常に大きくなり、この１つの変調波と残留キャリアＣａとのレベル差α′が小さい場合には変調精度が悪化するため、受信装置等の測定対象物１でこの変調波を復調したとき、復調波に残留キャリアＣａの影響がでてしまい、測定対象物１の特性を正しく把握できない。
【０００９】
これを解決するためには、直交変調器１３に入力されるキャリア信号Ｃのレベルを低くするか、逆に、直交変調器１３に入力されるベースバンド信号Ｉ、Ｑのレベルを高くして、レベル差α′を大きくすることが考えられる。
【００１０】
しかし、直交変調器１３に入力されるキャリア信号Ｃのレベルを低くすると、直交変調器１３のスイッチング特性の悪化、利得の低下等という問題が発生するのでキャリア信号Ｃのレベルを所定レベル以下にすることはできない。
【００１１】
また、直交変調器１３に入力されるベースバンド信号Ｉ、Ｑのレベルを高くすると、直交変調器１３の非直線性によって発生する相互変調歪み（主に３次の歪み）が増加し、しかも、増幅器１４に入力される信号のレベルも大きくなるので、増幅器１４の非直線性によって発生する相互変調歪み（主に３次の歪み）増加して、この３次の相互変調歪みの増加により、隣接チャネルへの漏洩電力が増加してしまう。
【００１２】
このため、従来の信号発生装置では、直交変調器自体のキャリア抑圧特性を向上させるとともに、直交変調器１３および増幅器１４の非直線性を改善する努力をしていたが、それにも限界があり、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とを高いレベルで両立させることが困難であった。
【００１３】
本発明は、この問題を解決して、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とを高いレベルで両立させることができる信号発生装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の信号発生装置は、
ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第２のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えている。
【００１５】
また、本発明の請求項２の信号発生装置は、
ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０′）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記直交変調器と増幅器との間に設けられ、前記直交変調器から出力されるディジタル変調信号のレベルを減衰可変して前記増幅器に入力するための第２のレベル可変手段（２６）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第３のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたきには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段および第３のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段および第２のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第３のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明するが、その詳細を説明する前に、本発明の原理を簡単に説明する。
【００１７】
この種の信号発生装置において、キャリアリーク特性の良さが要求されるのは、受信装置のような測定対象物１の感度特性等を測定する場合であり、その測定対象物１に入力するディジタル変調信号のレベルが−１００ｄＢｍ前後とかなり低く、このように出力レベルが低い場合の測定では相互変調歪み特性はあまり問題にならない。
【００１８】
これに対し、相互変調歪み特性の良さが要求されるのは、増幅器やミキサ等のような測定対象物１のひずみ特性等を測定する場合であり、その測定対象物１に入力するディジタル変調信号のレベルが−１０ｄＢｍ前後とかなり高く、このように出力レベルが高い場合の測定ではキャリアリーク特性があまり問題にならない。
【００１９】
本発明は、キャリアリーク特性の良さが要求されるときの出力レベルは低く相互変調歪み特性は問題にならず、相互変調歪み特性の良さが要求されるときの出力レベルは高くキャリアリーク特性は問題にならないという点に着目したものであり、指定された出力レベル値が低い場合には、相互変調歪み特性が悪化してもキャリアリーク特性が良くなるように装置内部のレベルダイヤグラムを設定し、指定された出力レベル値が高い場合には、キャリアリーク特性が悪化しても相互変調歪み特性がよくなるように装置内部のレベルダイヤグラムを設定することによって、キャリアリーク特定と相互変調歪み特性を高いレベルで両立させている。
【００２０】
図１は、上記原理に基づく本発明の第１の実施形態の信号発生装置２０の構成を示している。
【００２１】
この信号発生装置２０は、前述の信号発生装置１０と同様に、ＯＦＤＭ変調方式のディジタル変調信号を出力端子２０ａから出力するものであり、ベースバンド信号発生器２１から出力されたベースバンド信号Ｉａ、Ｑａを、第１のレベル可変手段としての可変減衰器２２、２３で減衰して直交変調器２４に入力している。
【００２２】
なお、この可変減衰器２２、２３は、ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルが低い場合には、可変利得増幅器や、可変減衰器と増幅器とを直列に接続したものを用いることもできる。
【００２３】
直交変調器２４は、可変減衰器２２、２３からのベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂをキャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号Ｃによって直交変調して、キャリア信号の周波数に対応するチャネルのディジタル変調信号Ｓａを生成する。
【００２４】
直交変調器２４は、図２に示しているように、２つのミキサ２４ａ、２４ｂ、９０度の移相器２４ｃおよび合成器２４ｄからなり、ベースバンド信号Ｉｂとキャリア信号Ｃとをミキサ２４ａに入力し、ベースバンド信号Ｑｂと移相器２４ｃによって９０度移相されたキャリア信号Ｃ′とをミキサ２４ｂに入力し、両ミキサ２４ａ、２４ｂの出力信号を合成器２４ｄで合成して、ＯＦＤＭ変調方式のディジタル変調信号Ｓａを生成している。
【００２５】
このディジタル変調信号Ｓａは増幅器２７で増幅され、その増幅出力Ｓｂが第２のレベル可変手段としての可変減衰器２８に入力され、この可変減衰器２８で減衰を受けたディジタル変調信号Ｓｃが出力端子２０ａから出力される。
【００２６】
この可変減衰器２８は、前記した可変減衰器２２、２３とともに、後述する制御部３０によってその減衰量が制御される。
【００２７】
出力レベル指定手段２９は、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号のレベルを指定するためのものであり、この指定されたレベル値Ａは制御部３０に出力される。
【００２８】
制御部３０は、例えばマイクロコンピュータによって構成されており、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａに応じて、可変減衰器２２、２３、２８の減衰量Ｇａ、Ｇｂを可変制御する。
【００２９】
この制御部３０は、判定手段３１とレベルダイヤグラム切換手段３２とを有しており、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より高いか否かを判定する。
【００３０】
レベルダイヤグラム切換手段３２は、判定手段３１の判定結果に応じて、装置内部のレベルダイヤグラムを、相互変調歪み特性よりもキャリアリーク特性を優先した状態と、キャリアリーク特性よりも相互変調歪み特性を優先した状態とに切り換えることができる。
【００３１】
即ち、指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より低いと判定されたときには、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルの差が所定以上となるように可変減衰器２２、２３の減衰量を小さく設定するとともに、指定されたレベル値Ａの所定チャネルのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように可変減衰器２８の減衰量を設定し、指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より高いと判定されたときには、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように可変減衰器２２、２３の減衰量を大きく設定するとともに、指定されたレベル値Ａの所定チャネルのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように可変減衰器２８の減衰量を設定する。
【００３２】
次に、この信号発生装置２０の動作を数値を用いて具体的に説明する。
ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルを０ｄＢｍ、キャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号のレベルを１０ｄＢｍ、直交変調器２４のキャリア抑圧比を−７０ｄＢ、直交変調器２４の利得（ベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂのレベルと出力信号Ｓａのレベルの差）を１０ｄＢ、増幅器２７の利得を２０ｄＢとする。
【００３３】
また、直交変調器２４によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−２０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−２０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、増幅器２７によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−１０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−１０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが、−５０ｄＢｍより高いか否かを判定するものとする。
【００３４】
ここで、受信装置等の測定対象物１の感度測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベル値Ａが例えば−１００（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は所定値−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが低いと判定する。
【００３５】
また、このような感度特性の測定で要求されるディジタル変調信号のトータルレベルと残留キャリアのレベルの差（以下キャリアリーク比という）は５０ｄＢ以上とする。
【００３６】
なお、トータルレベルと残留キャリアのレベル差を５０ｄＢ以上確保するということは、例えば変調波１０００波のＯＦＤＭ変調において、１つの変調波のレベルがトータルレベルの１／１０００となるので、残留キャリアと重なる１つの変調波とのレベル差を２０ｄＢ以上確保するということを意味している。
【００３７】
また、増幅器やミキサ等の歪み特性の測定に要求されるディジタル変調信号のトータルレベルと相互変調歪みのトータルレベルの差（以下隣接チャネル漏洩比という）は７０ｄＢ以上とする。
【００３８】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号と残留キャリアのレベル差が大きくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００３９】
即ち、図３に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを比較的少ない１０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉ、Ｑの入力レベルを−１０ｄＢｍとする。なお、図３のレベルダイヤグラムおよび以下に述べるレベルダイヤグラムでは、ディジタル変調信号、相互変調歪みおよび残留キャリアをトータルレベルで示している。
【００４０】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは０ｄＢｍ（＝−１０＋１０）となり、この信号に含まれる残留キャリアＣａのレベルは−６０ｄＢｍ（＝１０−７０）となる。
【００４１】
そして、このディジタル変調信号Ｓａは、増幅器２７によって２０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｂが可変減衰器２８に入力される。
【００４２】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｂを１２０ｄＢ〔＝２０−（−１００）〕に設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを、指定されたレベルＡに対応する−１００ｄＢｍにする。
【００４３】
残留キャリアＣａもディジタル変調信号Ｓａと同様に増幅器２７によって−４０ｄＢｍに増幅され、可変減衰器２８で１２０ｄＢの減衰を受けるので、−１６０ｄＢｍに減衰された残留キャリアＣｃが出力端子２０ａから出力されることになり、出力端子２０ａにおけるトータルレベルに対するキャリアリーク比αは６０ｄＢ〔＝−１００−（−１６０）〕、残留キャリアＣｃと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′が３０ｄＢとなり、この測定に要求されるトータルレベルに対するキャリアリーク比５０ｄＢを超えるディジタル変調信号を得ることができる。
【００４４】
なお、図３に示したレベルダイヤグラムのうち、ベースバンド信号発生器２１から増幅器２７の出力までのレベルダイヤグラムは、出力レベル指定手段２９によって指定されるレベル値Ａが−５０（ｄＢｍ）より低い範囲では変化せず、可変減衰器２８の減衰量だけが指定されたレベル値Ａに応じて変化し、この範囲ではトータルレベルに対するキャリアリーク比αは６０ｄＢが確保されている。
【００４５】
このように、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値より低い場合には、レベルダイヤグラム切換手段３２によって、図４に示すように、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルに対して、残留キャリアＣｃのレベルが非常に低くなるので、この残留キャリアＣｃの影響を受けることなく、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定を正確に行うことができる。
【００４６】
なお、図３のようにキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが−２０ｄＢｍより高いので、直交変調器２４の出力には比較的高いレベル（−５０ｄＢｍ）で相互変調歪みＲａが発生し、しかも増幅器２７の入力信号レベルも−１０ｄＢｍより高いので、増幅器２７の出力には、その利得分より高いレベル（−２０ｄＢｍ）の相互変調歪みＲｂが発生し、この相互変調歪みＲｂが可変減衰器２８で減衰されて−１４０ｄＢｍの相互変調歪みＲｃが出力端子２０ａから出力される。
【００４７】
したがって、このレベルダイヤグラムでの隣接チャネル漏洩比βは４０ｄＢ〔＝−１００−（−１４０）〕となる。この相互変調歪みＲｃは、図４に示すように、所定チャネル内だけでなく、この所定チャネルに隣接するチャネルへ漏洩するが、個々の変調波ｍとそれに重なる各歪み成分とのレベル差β′は４０ｄＢ確保されていて変調精度にはほとんど影響しないため、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定への影響はほぼ無視できる。
【００４８】
また、増幅器やミキサ等の測定対象物１のひずみ測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベル値Ａが例えば−１０（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが高いと判定する。
【００４９】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、相互変調歪みが少なくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００５０】
即ち、図５に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量を３０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを−３０ｄＢｍとする。
【００５１】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは−２０ｄＢｍ（＝−３０＋１０）となり、相互変調歪みＲａのレベルは例えば−１００ｄＢｍとなる。
【００５２】
このディジタル変調信号Ｓａは増幅器２７によって０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｂが可変減衰器２８に入力される。
【００５３】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量を１０ｄＢ〔＝０−（−１０）〕に設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを、指定されたレベルＡに対応する−１０ｄＢｍにする。
【００５４】
ここで、増幅器２７に入力されるディジタル変調信号Ｓａのレベルは−１０ｄＢｍより低いので、増幅器２７による相互変調歪みの増加分はほぼ無視することができ、増幅器２７からは相互変調歪みＲａを２０ｄＢ増幅した−８０ｄＢｍの相互変調歪みＲｂが発生し、この相互変調歪みが可変減衰器２８によって１０ｄＢ減衰され、出力端子２０ａには−９０ｄＢｍの相互変調歪みＲｃが発生することになる。
【００５５】
したがって、出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは８０ｄＢ〔＝−１０−（−９０）〕となり、この測定に要求される隣接チャネル漏洩比７０ｄＢを超えるディジタル変調信号が得られる。
【００５６】
なお、図５に示したレベルダイヤグラムのうち、ベースバンド信号発生器２１から増幅器２７の出力までのレベルダイヤグラムは、出力レベル指定手段２９によって指定されるレベル値Ａが−５０（ｄＢｍ）より高い範囲では変化せず、可変減衰器２８の減衰量だけが指定されたレベル値Ａに応じて変化し、この範囲では、隣接チャネル漏洩比βは８０ｄＢが確保されている。
【００５７】
このように、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値より高い場合には、レベルダイヤグラム切換手段３２によって、図６に示すように、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃの各変調波ｍのレベルと、所定チャネル内および隣接チャネルへ漏洩する相互変調歪みＲｃのレベルとの差β′が８０ｄＢ確保され、この相互変調歪みＲｃの影響を受けることなく、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対する歪み特性の測定を正確に行うことができる。
【００５８】
なお、図５のように相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが−３０ｄＢｍと低いので、出力端子２０ａにおいて、残留キャリアと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′は１０ｄＢと悪化し、図６に示すように比較的大きなレベルの残留キャリアＣｃが発生するが、トータルレベルに対するキャリアリーク比αは４０ｄＢ確保されていて残留キャリアＣｃのレベルはトータルレベルに対して十分小さいので、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対する歪み特性測定のように信号のトータルレベルを問題にする測定では、その影響をほぼ無視できる。
【００５９】
前記信号発生装置２０は、直交変調器２４の前段に設けた可変減衰器２２、２３によって、直交変調器２４および増幅器２７の入力信号レベルを決定していたが、図７に示す信号発生装置２０′のように、直交変調器２４と増幅器２７との間に可変減衰器２６を設け、この可変減衰器２６を可変減衰器２２、２３、２８とともにレベルダイヤグラム切換手段３２によって制御してもよい。
【００６０】
このように増幅器２７の前段に可変減衰器２６を設けることにより、可変減衰器２２、２３を直交変調器２４の入力レベル可変用、可変減衰器２６を増幅器２７の入力レベル可変用にそれぞれ独立に使用することができ、直交変調器２４と増幅器２７のダイナミックレンジにそれぞれ対応したレベル制御を行うことができる。
【００６１】
例えば、前記信号発生装置２０の場合、直交変調器２４に比べて増幅器２７のダイナミックレンジが狭いときには、増幅器２７のダイナミックレンジに制限されて直交変調器２４の入力レベルを上げられずにキャリアリーク比をより大きくできない場合があるが、この信号発生装置２０′のように、増幅器２７の前段に可変減衰器２６を設けることにより、キャリアリーク比をさらに大きくすることができる。
【００６２】
次に、この第２の実施形態の信号発生装置２０′の動作を数値を用いて具体的に説明する。
【００６３】
前記同様に、ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルを０ｄＢｍ、キャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号のレベルを１０ｄＢｍ、直交変調器２４のキャリア抑圧比を−７０ｄＢ、直交変調器２４の利得（ベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂのレベルと出力信号Ｓａのレベルの差）を１０ｄＢ、増幅器２７の利得を２０ｄＢとする。
【００６４】
また、直交変調器２４によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−２０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−２０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、増幅器２７によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−１０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−１０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが、−５０ｄＢｍより高いか否かを判定するものとする。
【００６５】
ここで、受信装置等の測定対象物１の感度測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベルＡが例えば−１００（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は所定値−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが低いと判定する。
【００６６】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、キャリアリーク比が大きくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００６７】
即ち、図８に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを０ｄＢｍとする。
【００６８】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは１０ｄＢｍ、残留キャリアＣａのレベルは−６０ｄＢｍとなる。
【００６９】
そして、このディジタル変調信号Ｓａと残留キャリアＣａは、可変減衰器２６に入力されるが、このときレベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２６の減衰量Ｇｂを２０ｄＢに設定して、ディジタル変調信号Ｓａを−１０ｄＢｍ、残留キャリアＣａを−８０ｄＢｍに減衰して増幅器２７に入力する。
【００７０】
可変減衰器２６によって減衰されたディジタル変調信号Ｓｂと残留キャリアＣｂは増幅器２７によってそれぞれ１０ｄＢｍ、−７０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｃ、Ｃｃが可変減衰器２８に入力される。
【００７１】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｃを１１０ｄＢに設定し、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｄのレベルを指定されたレベル値Ａに対応する−１００ｄＢｍにし、出力端子２０ａから出力される残留キャリアＣｄのレベルを−１７０ｄＢｍまで減衰させる。
【００７２】
したがって、出力端子２０ａにおけるトータルレベルに対するキャリアリーク比αは７０ｄＢ、残留キャリアと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′は４０ｄＢとなり、前記した信号発生装置２０′よりもさらに高いキャリアリーク比が得られ、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定をより正確に行うことができる。
【００７３】
なお、このようにキャリアリーク特性を優先した図８のレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルをより高くしているので、相互変調歪みＲａがより高いレベル（−３５ｄＢｍ）で発生するが、可変減衰器２７によって増幅器２７の入力信号レベルを−１０ｄＢｍまで下げているので、この増幅器２７自身による相互変調歪みの発生はほぼ無視でき、増幅器２７の出力の相互変調歪みＲｃは−３０ｄＢｍと前記信号発生装置２０の場合より低くすることができ、結局出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは、前記した信号発生装置２０の場合と同じ４０ｄＢとなり、入力レベル増加による相互変調歪みの極端な増加を抑えることができる。
【００７４】
また、増幅器やミキサ等の測定対象物１のひずみ測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベルＡが−１０（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが高い判定する。
【００７５】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、相互変調歪みが少なくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００７６】
即ち、図９に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを３０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを−３０ｄＢｍにする。
【００７７】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは−２０ｄＢｍとなり、直交変調器２４の相互変調歪みＲａは前記同様に−１００ｄＢｍとなる。
【００７８】
このディジタル変調信号Ｓａと相互変調歪みＲａは、可変減衰器２６に入力されるが、このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２６の減衰量を０ｄＢに設定して、−２０ｄＢｍのディジタル変調信号Ｓｂと−１００ｄＢｍの残留キャリアＣｂを増幅器２７に入力する。
【００７９】
このディジタル変調信号Ｓｂは、増幅器２７によって０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｃが可変減衰器２８に入力される。
【００８０】
また、前記したように、増幅器２７の入力信号レベルが−２０ｄＢｍと低いので、増幅器２７自身が発生する相互変調歪みは無視することができ、増幅器２７からは−８０ｄＢｍの相互変調歪みがＲｃが出力され、可変減衰器２８に入力される。
【００８１】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｃを１０ｄＢに設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｄのレベルを指定されたレベルＡに対応する−１０ｄＢｍにする。
【００８２】
また、出力端子２０ａから出力される相互変調歪みＲｄは可変減衰器２８の減衰により−９０ｄＢｍとなる。
【００８３】
したがって、出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは、前記同様に１００ｄＢとなり、この相互変調歪みの影響を受けることなく、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対するひずみ特性の測定を正確に行うことができる。
【００８４】
なお、この相互変調歪み特性を優先した図９のレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが低いため、残留キャリアＣａ〜Ｃｄのレベルが高いが、トータルレベルに対するキャリアリーク比αは４０ｄＢ確保されており、前記同様に、信号のトータルレベルを問題にする増幅器やミキサ等の測定対象物１に対するひずみ特性の測定への影響はほぼ無視することができる。
【００８５】
なお、前記した信号発生装置２０、２０′では、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが所定値（−５０ｄＢｍ）より高いか否かを判定手段３１で判定して、装置内のレベルダイヤグラムを可変していたが、例えば−４０〜−６０（ｄＢｍ）の範囲を所定範囲とし、指定されたレベル値Ａがこの所定範囲より低い場合には前記同様にキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラムにし、所定範囲より高い場合には前記同様に相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラムにしてもよい。
【００８６】
この場合、指定されたレベル値Ａが所定範囲内のとき、信号発生装置２０の場合であれば可変減衰器２２、２３の減衰量（または利得）、信号発生装置２０′の場合であれば可変減衰器２２、２３の減衰量（または利得）と可変減衰器２６の２６の減衰量を、キャリアリーク特性を優先したときの値と相互変調歪み特性を優先したときの値の間に設定して、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とがともに比較的良い状態となるように制御すればよい。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項１の信号発生装置は、ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に第１のレベル可変手段を設け、増幅器と出力端子との間に第２のレベル可変手段を設け、出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いか否かを判定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より低いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段の減衰量を設定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段の減衰量を設定している。
【００８８】
このため、受信装置等の感度測定を行うために低い出力レベルが指定された場合には、その感度測定等に適したキャリアリーク特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、増幅器やミキサ等のひずみ測定を行うために高い出力レベルが指定された場合には、その歪み特性等に適した相互変調歪み特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性を高いレベルで両立させることができる。
【００８９】
また、本発明の請求項２の信号発生装置は、ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に第１のレベル可変手段を設け、直交変調器と増幅器との間に第２のレベル可変手段を設け、増幅器と出力端子との間に第３のレベル可変手段を設け、出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いか否かを判定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より低いと判定されたきには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルとの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段および第３のレベル可変手段を設定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように、第１のレベル可変手段と第２のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第３のレベル可変手段を設定している。
【００９０】
このため、受信装置等の感度測定を行うために低い出力レベルが指定された場合には、その感度測定等に適したキャリアリーク特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、増幅器やミキサ等のひずみ測定を行うために高い出力レベルが指定された場合には、その歪み特性等に適した相互変調歪み特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、しかも、直交変調器および増幅器の前段にそれぞれ独立したレベル可変手段を設けたので、直交変調器の入力信号レベルを増幅器の特性に制限されずに上げることができ、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とをさらに高いレベルで両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の構成を示すブロック図
【図２】実施形態の要部の構成を示すブロック図
【図３】実施形態のキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラム
【図４】実施形態のキャリアリーク特性を優先した出力信号のスペクトラム
【図５】実施形態の相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラム
【図６】実施形態の相互変調歪み特性を優先した出力信号のスペクトラム
【図７】他の実施の形態の構成を示すブロック図
【図８】図７の実施形態のキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラム
【図９】図７の実施形態の相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラム
【図１０】ＯＦＤＭ変調方式の信号のスペクトラム
【図１１】従来装置の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１ 測定対象物
２０、２０′ 信号発生装置
２１ ベースバンド信号発生器
２２、２３ 可変減衰器
２４ 直交変調器
２５ キャリア信号発生器
２６ 可変減衰器
２７ 増幅器
２８ 可変減衰器
２９ 出力レベル指定手段
３１ 判定手段
３２ レベルダイヤグラム切換手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、ベースバンド信号をキャリア信号によって直交変調してディジタル変調信号を発生する信号発生装置を用いて測定を行う場合に、感度測定やひずみ測定を高精度に行えるようにするための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ディジタル変調方式に各種の方式があるが、移動体通信システム等で使用されるＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ）変調は、図１０に示すように、伝送レートの極めて遅い変調波ｍを、等間隔に数１０〜数１０００束ねて伝送する方式である。
【０００３】
このような変調方式の信号を扱う通信機器や回路を試験するために、従来では図１１に示す構成の信号発生装置１０を用いていた。
【０００４】
この信号発生装置１０は、ベースバンド信号発生器１１から出力されたベースバント信号Ｉ、Ｑと、キャリア信号発生器１２から出力されたキャリア信号Ｃとを直交変調器１３に入力して、ベースバンド信号Ｉ、Ｑをキャリア信号Ｃで直交変調して図１０に示したようにキャリア周波数ｆｃを中心とするチャネルのディジタル変調信号Ｓａを生成し、このディジタル変調信号Ｓａを増幅器１４で所定レベルまで増幅し、その増幅出力Ｓｂを可変減衰器１５に入力して所望レベルに調整し、このレベルが調整されたディジタル変調信号Ｓｃを出力端子１０ａから出力するように構成されており、出力端子１０ａに通信装置や回路等の測定対象物１を接続して、その測定対象物１の感度特性やひずみ特性等を調べている。
【０００５】
例えば、通信装置の感度特性等を調べる場合には、可変減衰器１５の減衰量を大きく設定して出力端子１０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを非常に低いレベル（例えば−１００ｄＢｍ）にして測定対象物１に入力し、測定対象物１の復調信号の誤り率等を測定する。
【０００６】
また、増幅器やミキサ等の回路のひずみ特性を調べる場合には、可変減衰器１５の減衰量を小さく設定して出力端子１０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルをかなり高いレベル（例えば−１０ｄＢｍ）にして測定対象物１に入力し、測定対象物１の出力のスペクトラムをスペクトラムアナライザ等によって観測する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように直交変調器１３によってベースバンド信号Ｉ、Ｑをキャリア信号で直交変調してディジタル変調信号を生成する信号発生装置１０では、直交変調器１３の僅かな不平衡性によってキャリア信号Ｃを完全に抑圧することはできず、生成されたディジタル変調信号Ｓａにはその残留キャリアＣａが含まれている（キャリアリークという）。
【０００８】
前記したＯＦＤＭ変調では、１つの変調波のパワーが変調波全部のトータルパワーに対して変調波数分の１と小さいため、図１０に示しているように、１つの変調波と重なる残留キャリアＣａの影響が非常に大きくなり、この１つの変調波と残留キャリアＣａとのレベル差α′が小さい場合には変調精度が悪化するため、受信装置等の測定対象物１でこの変調波を復調したとき、復調波に残留キャリアＣａの影響がでてしまい、測定対象物１の特性を正しく把握できない。
【０００９】
これを解決するためには、直交変調器１３に入力されるキャリア信号Ｃのレベルを低くするか、逆に、直交変調器１３に入力されるベースバンド信号Ｉ、Ｑのレベルを高くして、レベル差α′を大きくすることが考えられる。
【００１０】
しかし、直交変調器１３に入力されるキャリア信号Ｃのレベルを低くすると、直交変調器１３のスイッチング特性の悪化、利得の低下等という問題が発生するのでキャリア信号Ｃのレベルを所定レベル以下にすることはできない。
【００１１】
また、直交変調器１３に入力されるベースバンド信号Ｉ、Ｑのレベルを高くすると、直交変調器１３の非直線性によって発生する相互変調歪み（主に３次の歪み）が増加し、しかも、増幅器１４に入力される信号のレベルも大きくなるので、増幅器１４の非直線性によって発生する相互変調歪み（主に３次の歪み）増加して、この３次の相互変調歪みの増加により、隣接チャネルへの漏洩電力が増加してしまう。
【００１２】
このため、従来の信号発生装置では、直交変調器自体のキャリア抑圧特性を向上させるとともに、直交変調器１３および増幅器１４の非直線性を改善する努力をしていたが、それにも限界があり、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とを高いレベルで両立させることが困難であった。
【００１３】
本発明は、この問題を解決して、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とを高いレベルで両立させることができる信号発生装置を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の信号発生装置は、
ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第２のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えている。
【００１５】
また、本発明の請求項２の信号発生装置は、
ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０′）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記直交変調器と増幅器との間に設けられ、前記直交変調器から出力されるディジタル変調信号のレベルを減衰可変して前記増幅器に入力するための第２のレベル可変手段（２６）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第３のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたきには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段および第３のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段および第２のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第３のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明するが、その詳細を説明する前に、本発明の原理を簡単に説明する。
【００１７】
この種の信号発生装置において、キャリアリーク特性の良さが要求されるのは、受信装置のような測定対象物１の感度特性等を測定する場合であり、その測定対象物１に入力するディジタル変調信号のレベルが−１００ｄＢｍ前後とかなり低く、このように出力レベルが低い場合の測定では相互変調歪み特性はあまり問題にならない。
【００１８】
これに対し、相互変調歪み特性の良さが要求されるのは、増幅器やミキサ等のような測定対象物１のひずみ特性等を測定する場合であり、その測定対象物１に入力するディジタル変調信号のレベルが−１０ｄＢｍ前後とかなり高く、このように出力レベルが高い場合の測定ではキャリアリーク特性があまり問題にならない。
【００１９】
本発明は、キャリアリーク特性の良さが要求されるときの出力レベルは低く相互変調歪み特性は問題にならず、相互変調歪み特性の良さが要求されるときの出力レベルは高くキャリアリーク特性は問題にならないという点に着目したものであり、指定された出力レベル値が低い場合には、相互変調歪み特性が悪化してもキャリアリーク特性が良くなるように装置内部のレベルダイヤグラムを設定し、指定された出力レベル値が高い場合には、キャリアリーク特性が悪化しても相互変調歪み特性がよくなるように装置内部のレベルダイヤグラムを設定することによって、キャリアリーク特定と相互変調歪み特性を高いレベルで両立させている。
【００２０】
図１は、上記原理に基づく本発明の第１の実施形態の信号発生装置２０の構成を示している。
【００２１】
この信号発生装置２０は、前述の信号発生装置１０と同様に、ＯＦＤＭ変調方式のディジタル変調信号を出力端子２０ａから出力するものであり、ベースバンド信号発生器２１から出力されたベースバンド信号Ｉａ、Ｑａを、第１のレベル可変手段としての可変減衰器２２、２３で減衰して直交変調器２４に入力している。
【００２２】
なお、この可変減衰器２２、２３は、ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルが低い場合には、可変利得増幅器や、可変減衰器と増幅器とを直列に接続したものを用いることもできる。
【００２３】
直交変調器２４は、可変減衰器２２、２３からのベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂをキャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号Ｃによって直交変調して、キャリア信号の周波数に対応するチャネルのディジタル変調信号Ｓａを生成する。
【００２４】
直交変調器２４は、図２に示しているように、２つのミキサ２４ａ、２４ｂ、９０度の移相器２４ｃおよび合成器２４ｄからなり、ベースバンド信号Ｉｂとキャリア信号Ｃとをミキサ２４ａに入力し、ベースバンド信号Ｑｂと移相器２４ｃによって９０度移相されたキャリア信号Ｃ′とをミキサ２４ｂに入力し、両ミキサ２４ａ、２４ｂの出力信号を合成器２４ｄで合成して、ＯＦＤＭ変調方式のディジタル変調信号Ｓａを生成している。
【００２５】
このディジタル変調信号Ｓａは増幅器２７で増幅され、その増幅出力Ｓｂが第２のレベル可変手段としての可変減衰器２８に入力され、この可変減衰器２８で減衰を受けたディジタル変調信号Ｓｃが出力端子２０ａから出力される。
【００２６】
この可変減衰器２８は、前記した可変減衰器２２、２３とともに、後述する制御部３０によってその減衰量が制御される。
【００２７】
出力レベル指定手段２９は、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号のレベルを指定するためのものであり、この指定されたレベル値Ａは制御部３０に出力される。
【００２８】
制御部３０は、例えばマイクロコンピュータによって構成されており、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａに応じて、可変減衰器２２、２３、２８の減衰量Ｇａ、Ｇｂを可変制御する。
【００２９】
この制御部３０は、判定手段３１とレベルダイヤグラム切換手段３２とを有しており、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より高いか否かを判定する。
【００３０】
レベルダイヤグラム切換手段３２は、判定手段３１の判定結果に応じて、装置内部のレベルダイヤグラムを、相互変調歪み特性よりもキャリアリーク特性を優先した状態と、キャリアリーク特性よりも相互変調歪み特性を優先した状態とに切り換えることができる。
【００３１】
即ち、指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より低いと判定されたときには、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルの差が所定以上となるように可変減衰器２２、２３の減衰量を小さく設定するとともに、指定されたレベル値Ａの所定チャネルのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように可変減衰器２８の減衰量を設定し、指定されたレベル値Ａが所定値（または所定範囲）より高いと判定されたときには、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように可変減衰器２２、２３の減衰量を大きく設定するとともに、指定されたレベル値Ａの所定チャネルのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように可変減衰器２８の減衰量を設定する。
【００３２】
次に、この信号発生装置２０の動作を数値を用いて具体的に説明する。
ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルを０ｄＢｍ、キャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号のレベルを１０ｄＢｍ、直交変調器２４のキャリア抑圧比を−７０ｄＢ、直交変調器２４の利得（ベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂのレベルと出力信号Ｓａのレベルの差）を１０ｄＢ、増幅器２７の利得を２０ｄＢとする。
【００３３】
また、直交変調器２４によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−２０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−２０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、増幅器２７によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−１０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−１０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが、−５０ｄＢｍより高いか否かを判定するものとする。
【００３４】
ここで、受信装置等の測定対象物１の感度測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベル値Ａが例えば−１００（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は所定値−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが低いと判定する。
【００３５】
また、このような感度特性の測定で要求されるディジタル変調信号のトータルレベルと残留キャリアのレベルの差（以下キャリアリーク比という）は５０ｄＢ以上とする。
【００３６】
なお、トータルレベルと残留キャリアのレベル差を５０ｄＢ以上確保するということは、例えば変調波１０００波のＯＦＤＭ変調において、１つの変調波のレベルがトータルレベルの１／１０００となるので、残留キャリアと重なる１つの変調波とのレベル差を２０ｄＢ以上確保するということを意味している。
【００３７】
また、増幅器やミキサ等の歪み特性の測定に要求されるディジタル変調信号のトータルレベルと相互変調歪みのトータルレベルの差（以下隣接チャネル漏洩比という）は７０ｄＢ以上とする。
【００３８】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、出力端子２０ａから出力される所定チャネルのディジタル変調信号と残留キャリアのレベル差が大きくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００３９】
即ち、図３に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを比較的少ない１０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉ、Ｑの入力レベルを−１０ｄＢｍとする。なお、図３のレベルダイヤグラムおよび以下に述べるレベルダイヤグラムでは、ディジタル変調信号、相互変調歪みおよび残留キャリアをトータルレベルで示している。
【００４０】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは０ｄＢｍ（＝−１０＋１０）となり、この信号に含まれる残留キャリアＣａのレベルは−６０ｄＢｍ（＝１０−７０）となる。
【００４１】
そして、このディジタル変調信号Ｓａは、増幅器２７によって２０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｂが可変減衰器２８に入力される。
【００４２】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｂを１２０ｄＢ〔＝２０−（−１００）〕に設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを、指定されたレベルＡに対応する−１００ｄＢｍにする。
【００４３】
残留キャリアＣａもディジタル変調信号Ｓａと同様に増幅器２７によって−４０ｄＢｍに増幅され、可変減衰器２８で１２０ｄＢの減衰を受けるので、−１６０ｄＢｍに減衰された残留キャリアＣｃが出力端子２０ａから出力されることになり、出力端子２０ａにおけるトータルレベルに対するキャリアリーク比αは６０ｄＢ〔＝−１００−（−１６０）〕、残留キャリアＣｃと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′が３０ｄＢとなり、この測定に要求されるトータルレベルに対するキャリアリーク比５０ｄＢを超えるディジタル変調信号を得ることができる。
【００４４】
なお、図３に示したレベルダイヤグラムのうち、ベースバンド信号発生器２１から増幅器２７の出力までのレベルダイヤグラムは、出力レベル指定手段２９によって指定されるレベル値Ａが−５０（ｄＢｍ）より低い範囲では変化せず、可変減衰器２８の減衰量だけが指定されたレベル値Ａに応じて変化し、この範囲ではトータルレベルに対するキャリアリーク比αは６０ｄＢが確保されている。
【００４５】
このように、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値より低い場合には、レベルダイヤグラム切換手段３２によって、図４に示すように、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルに対して、残留キャリアＣｃのレベルが非常に低くなるので、この残留キャリアＣｃの影響を受けることなく、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定を正確に行うことができる。
【００４６】
なお、図３のようにキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが−２０ｄＢｍより高いので、直交変調器２４の出力には比較的高いレベル（−５０ｄＢｍ）で相互変調歪みＲａが発生し、しかも増幅器２７の入力信号レベルも−１０ｄＢｍより高いので、増幅器２７の出力には、その利得分より高いレベル（−２０ｄＢｍ）の相互変調歪みＲｂが発生し、この相互変調歪みＲｂが可変減衰器２８で減衰されて−１４０ｄＢｍの相互変調歪みＲｃが出力端子２０ａから出力される。
【００４７】
したがって、このレベルダイヤグラムでの隣接チャネル漏洩比βは４０ｄＢ〔＝−１００−（−１４０）〕となる。この相互変調歪みＲｃは、図４に示すように、所定チャネル内だけでなく、この所定チャネルに隣接するチャネルへ漏洩するが、個々の変調波ｍとそれに重なる各歪み成分とのレベル差β′は４０ｄＢ確保されていて変調精度にはほとんど影響しないため、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定への影響はほぼ無視できる。
【００４８】
また、増幅器やミキサ等の測定対象物１のひずみ測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベル値Ａが例えば−１０（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが高いと判定する。
【００４９】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、相互変調歪みが少なくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００５０】
即ち、図５に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量を３０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを−３０ｄＢｍとする。
【００５１】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは−２０ｄＢｍ（＝−３０＋１０）となり、相互変調歪みＲａのレベルは例えば−１００ｄＢｍとなる。
【００５２】
このディジタル変調信号Ｓａは増幅器２７によって０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｂが可変減衰器２８に入力される。
【００５３】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量を１０ｄＢ〔＝０−（−１０）〕に設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃのレベルを、指定されたレベルＡに対応する−１０ｄＢｍにする。
【００５４】
ここで、増幅器２７に入力されるディジタル変調信号Ｓａのレベルは−１０ｄＢｍより低いので、増幅器２７による相互変調歪みの増加分はほぼ無視することができ、増幅器２７からは相互変調歪みＲａを２０ｄＢ増幅した−８０ｄＢｍの相互変調歪みＲｂが発生し、この相互変調歪みが可変減衰器２８によって１０ｄＢ減衰され、出力端子２０ａには−９０ｄＢｍの相互変調歪みＲｃが発生することになる。
【００５５】
したがって、出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは８０ｄＢ〔＝−１０−（−９０）〕となり、この測定に要求される隣接チャネル漏洩比７０ｄＢを超えるディジタル変調信号が得られる。
【００５６】
なお、図５に示したレベルダイヤグラムのうち、ベースバンド信号発生器２１から増幅器２７の出力までのレベルダイヤグラムは、出力レベル指定手段２９によって指定されるレベル値Ａが−５０（ｄＢｍ）より高い範囲では変化せず、可変減衰器２８の減衰量だけが指定されたレベル値Ａに応じて変化し、この範囲では、隣接チャネル漏洩比βは８０ｄＢが確保されている。
【００５７】
このように、出力レベル指定手段２９によって指定されたレベル値Ａが所定値より高い場合には、レベルダイヤグラム切換手段３２によって、図６に示すように、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｃの各変調波ｍのレベルと、所定チャネル内および隣接チャネルへ漏洩する相互変調歪みＲｃのレベルとの差β′が８０ｄＢ確保され、この相互変調歪みＲｃの影響を受けることなく、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対する歪み特性の測定を正確に行うことができる。
【００５８】
なお、図５のように相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが−３０ｄＢｍと低いので、出力端子２０ａにおいて、残留キャリアと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′は１０ｄＢと悪化し、図６に示すように比較的大きなレベルの残留キャリアＣｃが発生するが、トータルレベルに対するキャリアリーク比αは４０ｄＢ確保されていて残留キャリアＣｃのレベルはトータルレベルに対して十分小さいので、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対する歪み特性測定のように信号のトータルレベルを問題にする測定では、その影響をほぼ無視できる。
【００５９】
前記信号発生装置２０は、直交変調器２４の前段に設けた可変減衰器２２、２３によって、直交変調器２４および増幅器２７の入力信号レベルを決定していたが、図７に示す信号発生装置２０′のように、直交変調器２４と増幅器２７との間に可変減衰器２６を設け、この可変減衰器２６を可変減衰器２２、２３、２８とともにレベルダイヤグラム切換手段３２によって制御してもよい。
【００６０】
このように増幅器２７の前段に可変減衰器２６を設けることにより、可変減衰器２２、２３を直交変調器２４の入力レベル可変用、可変減衰器２６を増幅器２７の入力レベル可変用にそれぞれ独立に使用することができ、直交変調器２４と増幅器２７のダイナミックレンジにそれぞれ対応したレベル制御を行うことができる。
【００６１】
例えば、前記信号発生装置２０の場合、直交変調器２４に比べて増幅器２７のダイナミックレンジが狭いときには、増幅器２７のダイナミックレンジに制限されて直交変調器２４の入力レベルを上げられずにキャリアリーク比をより大きくできない場合があるが、この信号発生装置２０′のように、増幅器２７の前段に可変減衰器２６を設けることにより、キャリアリーク比をさらに大きくすることができる。
【００６２】
次に、この第２の実施形態の信号発生装置２０′の動作を数値を用いて具体的に説明する。
【００６３】
前記同様に、ベースバンド信号発生器２１から出力されるベースバンド信号Ｉａ、Ｑａのレベルを０ｄＢｍ、キャリア信号発生器２５から出力されるキャリア信号のレベルを１０ｄＢｍ、直交変調器２４のキャリア抑圧比を−７０ｄＢ、直交変調器２４の利得（ベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂのレベルと出力信号Ｓａのレベルの差）を１０ｄＢ、増幅器２７の利得を２０ｄＢとする。
【００６４】
また、直交変調器２４によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−２０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−２０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、増幅器２７によって発生する相互変調歪みは、その入力信号レベルが−１０ｄＢｍより低いときには非常に低く、−１０ｄＢｍを超えると徐々に悪化するものとし、判定手段３１は、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが、−５０ｄＢｍより高いか否かを判定するものとする。
【００６５】
ここで、受信装置等の測定対象物１の感度測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベルＡが例えば−１００（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は所定値−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが低いと判定する。
【００６６】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、キャリアリーク比が大きくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００６７】
即ち、図８に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを０ｄＢｍとする。
【００６８】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは１０ｄＢｍ、残留キャリアＣａのレベルは−６０ｄＢｍとなる。
【００６９】
そして、このディジタル変調信号Ｓａと残留キャリアＣａは、可変減衰器２６に入力されるが、このときレベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２６の減衰量Ｇｂを２０ｄＢに設定して、ディジタル変調信号Ｓａを−１０ｄＢｍ、残留キャリアＣａを−８０ｄＢｍに減衰して増幅器２７に入力する。
【００７０】
可変減衰器２６によって減衰されたディジタル変調信号Ｓｂと残留キャリアＣｂは増幅器２７によってそれぞれ１０ｄＢｍ、−７０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｃ、Ｃｃが可変減衰器２８に入力される。
【００７１】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｃを１１０ｄＢに設定し、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｄのレベルを指定されたレベル値Ａに対応する−１００ｄＢｍにし、出力端子２０ａから出力される残留キャリアＣｄのレベルを−１７０ｄＢｍまで減衰させる。
【００７２】
したがって、出力端子２０ａにおけるトータルレベルに対するキャリアリーク比αは７０ｄＢ、残留キャリアと重なる変調波のレベルに対するキャリアリーク比α′は４０ｄＢとなり、前記した信号発生装置２０′よりもさらに高いキャリアリーク比が得られ、受信装置等の測定対象物１に対する感度測定をより正確に行うことができる。
【００７３】
なお、このようにキャリアリーク特性を優先した図８のレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルをより高くしているので、相互変調歪みＲａがより高いレベル（−３５ｄＢｍ）で発生するが、可変減衰器２７によって増幅器２７の入力信号レベルを−１０ｄＢｍまで下げているので、この増幅器２７自身による相互変調歪みの発生はほぼ無視でき、増幅器２７の出力の相互変調歪みＲｃは−３０ｄＢｍと前記信号発生装置２０の場合より低くすることができ、結局出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは、前記した信号発生装置２０の場合と同じ４０ｄＢとなり、入力レベル増加による相互変調歪みの極端な増加を抑えることができる。
【００７４】
また、増幅器やミキサ等の測定対象物１のひずみ測定等を行うために、出力レベル指定手段２９によってレベルＡが−１０（ｄＢｍ）と指定されると、判定手段３１は−５０（ｄＢｍ）より指定されたレベル値Ａが高い判定する。
【００７５】
そこでレベルダイヤグラム切換手段３２は、相互変調歪みが少なくなり、且つ指定されたレベル値Ａのディジタル変調信号が出力端子２０ａから出力されるように、装置内部のレベルダイヤグラムを設定する。
【００７６】
即ち、図９に示すレベルダイヤグラムのように、可変減衰器２２、２３の減衰量Ｇａを３０ｄＢに設定して、直交変調器２４に対するベースバンド信号Ｉｂ、Ｑｂの入力レベルを−３０ｄＢｍにする。
【００７７】
このとき、直交変調器２４から出力されるディジタル変調信号Ｓａのトータルレベルは−２０ｄＢｍとなり、直交変調器２４の相互変調歪みＲａは前記同様に−１００ｄＢｍとなる。
【００７８】
このディジタル変調信号Ｓａと相互変調歪みＲａは、可変減衰器２６に入力されるが、このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２６の減衰量を０ｄＢに設定して、−２０ｄＢｍのディジタル変調信号Ｓｂと−１００ｄＢｍの残留キャリアＣｂを増幅器２７に入力する。
【００７９】
このディジタル変調信号Ｓｂは、増幅器２７によって０ｄＢｍに増幅され、その増幅出力Ｓｃが可変減衰器２８に入力される。
【００８０】
また、前記したように、増幅器２７の入力信号レベルが−２０ｄＢｍと低いので、増幅器２７自身が発生する相互変調歪みは無視することができ、増幅器２７からは−８０ｄＢｍの相互変調歪みがＲｃが出力され、可変減衰器２８に入力される。
【００８１】
このとき、レベルダイヤグラム切換手段３２は可変減衰器２８の減衰量Ｇｃを１０ｄＢに設定して、出力端子２０ａから出力されるディジタル変調信号Ｓｄのレベルを指定されたレベルＡに対応する−１０ｄＢｍにする。
【００８２】
また、出力端子２０ａから出力される相互変調歪みＲｄは可変減衰器２８の減衰により−９０ｄＢｍとなる。
【００８３】
したがって、出力端子２０ａにおける隣接チャネル漏洩比βは、前記同様に１００ｄＢとなり、この相互変調歪みの影響を受けることなく、増幅器やミキサ等の測定対象物１に対するひずみ特性の測定を正確に行うことができる。
【００８４】
なお、この相互変調歪み特性を優先した図９のレベルダイヤグラムでは、直交変調器２４の入力信号レベルが低いため、残留キャリアＣａ〜Ｃｄのレベルが高いが、トータルレベルに対するキャリアリーク比αは４０ｄＢ確保されており、前記同様に、信号のトータルレベルを問題にする増幅器やミキサ等の測定対象物１に対するひずみ特性の測定への影響はほぼ無視することができる。
【００８５】
なお、前記した信号発生装置２０、２０′では、出力レベル指定手段２９から指定されたレベル値Ａが所定値（−５０ｄＢｍ）より高いか否かを判定手段３１で判定して、装置内のレベルダイヤグラムを可変していたが、例えば−４０〜−６０（ｄＢｍ）の範囲を所定範囲とし、指定されたレベル値Ａがこの所定範囲より低い場合には前記同様にキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラムにし、所定範囲より高い場合には前記同様に相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラムにしてもよい。
【００８６】
この場合、指定されたレベル値Ａが所定範囲内のとき、信号発生装置２０の場合であれば可変減衰器２２、２３の減衰量（または利得）、信号発生装置２０′の場合であれば可変減衰器２２、２３の減衰量（または利得）と可変減衰器２６の２６の減衰量を、キャリアリーク特性を優先したときの値と相互変調歪み特性を優先したときの値の間に設定して、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とがともに比較的良い状態となるように制御すればよい。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の請求項１の信号発生装置は、ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に第１のレベル可変手段を設け、増幅器と出力端子との間に第２のレベル可変手段を設け、出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いか否かを判定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より低いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段の減衰量を設定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段の減衰量を設定している。
【００８８】
このため、受信装置等の感度測定を行うために低い出力レベルが指定された場合には、その感度測定等に適したキャリアリーク特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、増幅器やミキサ等のひずみ測定を行うために高い出力レベルが指定された場合には、その歪み特性等に適した相互変調歪み特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性を高いレベルで両立させることができる。
【００８９】
また、本発明の請求項２の信号発生装置は、ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に第１のレベル可変手段を設け、直交変調器と増幅器との間に第２のレベル可変手段を設け、増幅器と出力端子との間に第３のレベル可変手段を設け、出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いか否かを判定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より低いと判定されたきには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと残留キャリアのレベルとの差が所定以上となるように第１のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第２のレベル可変手段および第３のレベル可変手段を設定し、指定されたレベル値が所定値または所定範囲より高いと判定されたときには、出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルと相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるように、第１のレベル可変手段と第２のレベル可変手段を設定するとともに、指定されたレベル値のディジタル変調信号が出力端子から出力されるように第３のレベル可変手段を設定している。
【００９０】
このため、受信装置等の感度測定を行うために低い出力レベルが指定された場合には、その感度測定等に適したキャリアリーク特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、増幅器やミキサ等のひずみ測定を行うために高い出力レベルが指定された場合には、その歪み特性等に適した相互変調歪み特性が非常に良好なディジタル変調信号を出力することができ、しかも、直交変調器および増幅器の前段にそれぞれ独立したレベル可変手段を設けたので、直交変調器の入力信号レベルを増幅器の特性に制限されずに上げることができ、キャリアリーク特性と相互変調歪み特性とをさらに高いレベルで両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の構成を示すブロック図
【図２】実施形態の要部の構成を示すブロック図
【図３】実施形態のキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラム
【図４】実施形態のキャリアリーク特性を優先した出力信号のスペクトラム
【図５】実施形態の相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラム
【図６】実施形態の相互変調歪み特性を優先した出力信号のスペクトラム
【図７】他の実施の形態の構成を示すブロック図
【図８】図７の実施形態のキャリアリーク特性を優先したレベルダイヤグラム
【図９】図７の実施形態の相互変調歪み特性を優先したレベルダイヤグラム
【図１０】ＯＦＤＭ変調方式の信号のスペクトラム
【図１１】従来装置の構成を示すブロック図
【符号の説明】
１ 測定対象物
２０、２０′ 信号発生装置
２１ ベースバンド信号発生器
２２、２３ 可変減衰器
２４ 直交変調器
２５ キャリア信号発生器
２６ 可変減衰器
２７ 増幅器
２８ 可変減衰器
２９ 出力レベル指定手段
３１ 判定手段
３２ レベルダイヤグラム切換手段
Claims (2)
- ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第２のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上となるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えたことを特徴とする信号発生装置。 - ベースバンド信号発生器（２１）から出力されたベースバンド信号とキャリア信号発生器（２５）から出力されたキャリア信号とを直交変調器（２４）に入力して、前記キャリア信号の周波数に対応する所定チャネルのディジタル変調信号を生成し、該生成したディジタル変調信号を増幅器（２７）によって増幅し、該増幅したディジタル変調信号を出力端子（２０ａ）から出力する信号発生装置（２０′）において、
前記ベースバンド信号発生器と直交変調器との間に設けられ、前記ベースバンド信号のレベルを可変して前記直交変調器に入力させるための第１のレベル可変手段（２２、２３）と、
前記直交変調器と増幅器との間に設けられ、前記直交変調器から出力されるディジタル変調信号のレベルを減衰可変して前記増幅器に入力するための第２のレベル可変手段（２６）と、
前記増幅器と出力端子との間に設けられ、前記増幅器の出力信号のレベルを減衰可変して出力端子から出力させるための第３のレベル可変手段（２８）と、
前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルを指定する出力レベル指定手段（２９）と、
前記出力レベル指定手段によって指定されたレベル値が、所定値または所定範囲より高いか否かを判定する判定手段（３１）と、
前記指定されたレベル値が前記所定値または所定範囲より低いと判定されたきには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる残留キャリアのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第２のレベル可変手段および第３のレベル可変手段を設定し、前記指定されたレベル値が前記所定値または前記所定範囲より高いと判定されたときには、前記出力端子から出力されるディジタル変調信号のレベルとその中に含まれる相互変調歪みのレベルとの差が所定以上になるようにするために前記第１のレベル可変手段および第２のレベル可変手段を設定するとともに、前記指定されたレベル値のディジタル変調信号が前記出力端子から出力されるように前記第３のレベル可変手段を設定するレベルダイヤグラム切換手段（３２）とを備えたことを特徴とする信号発生装置。
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