JP4284259B2 - 半導体記憶装置及び電子機器 - Google Patents
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情報を記憶するためのメモリセルが複数配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに記憶された情報を読み出すためのセンスアンプと、
前記センスアンプにおいて前記メモリセルに記憶されたデータを読み出す際に参照する1つまたは複数のリファレンスセルと
を備え、
前記メモリセル及びリファレンスセルは、共に、
半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けた複合ゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極下に前記複合ゲート絶縁膜を介して配置されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の両側に配置されると共に、前記チャネル領域と逆導電型を有する第1及び第2の拡散領域と
を備え、
前記複合ゲート絶縁膜は、
前記チャネル領域と接する第1の絶縁膜と、
前記ゲート電極と接する第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間にある第3の絶縁膜と
から構成され、
前記第3の絶縁膜は、
前記第1の拡散領域と前記チャネル領域の境界の上方に位置する第1の記憶領域と、
前記第2の拡散領域と前記チャネル領域との境界の上方に位置する第2の記憶領域と
を含み、
前記メモリセルにおいては、前記第1及び第2の記憶領域において夫々独立した情報の記憶及び読出しが可能であり、
前記リファレンスセルにおいては、前記第1及び第2の記憶領域のいずれか1つに記憶された情報のみが参照されることを特徴としている。
前記第1のリファレンスセルにおいて参照される記憶領域は、プログラム状態であって、
前記第2のリファレンスセルにおいて参照される記憶領域は、消去状態にある。
図2は、本発明の半導体記憶装置の実施の形態1を示す。
図3は、本発明の半導体記憶装置の別の実施の形態2を示す。
図4は、本発明の半導体記憶装置の実施の形態3を示す。
上述した半導体記憶装置の応用例として、例えば、図7に示したように、電子機器の一例としての液晶表示装置における液晶パネルの画像調整用の書換え可能な不揮発性メモリが挙げられる。
上述した半導体記憶装置が組み込まれた携帯電子機器の一例である携帯電話を、図8に示す。
2、3、4…絶縁膜
5…P型ウェル領域
6a、6b…拡散領域
7a、7b…記憶領域
8…複合ゲート絶縁膜
22、42、62…センスアンプ
25r、25m、26r1、26r2、26m1、26m2、45m、45r、46r 1〜46r5、46m1〜46m5、64r1、64r2、64m…カラムセレクタ
27m、47m1〜47m4…メモリセル
27ma、47ma、67ma…メモリセルアレイ
27r、47r1〜47r4…リファレンスセル
27ra、47ra、67ra1、67ra2…リファレンスセルアレイ
75…プログラムレベル
76…消去レベル
77…リファレンスレベル
Claims (10)
- 情報を記憶するためのメモリセルが複数配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルに記憶された情報を読み出すためのセンスアンプと、
前記センスアンプにおいて前記メモリセルに記憶されたデータを読み出す際に参照する1つまたは複数のリファレンスセルと
を備え、
前記メモリセル及びリファレンスセルは、共に、
半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けた複合ゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極下に前記複合ゲート絶縁膜を介して配置されたチャネル領域と、
前記チャネル領域の両側に配置されると共に、前記チャネル領域と逆導電型を有する第1及び第2の拡散領域と
を備え、
前記複合ゲート絶縁膜は、
前記チャネル領域と接する第1の絶縁膜と、
前記ゲート電極と接する第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間にある第3の絶縁膜と
から構成され、
前記第3の絶縁膜は、
前記第1の拡散領域と前記チャネル領域の境界の上方に位置する第1の記憶領域と、
前記第2の拡散領域と前記チャネル領域との境界の上方に位置する第2の記憶領域と
を含み、
前記メモリセルにおいては、前記第1及び第2の記憶領域において夫々独立した情報の記憶及び読出しが可能であり、
前記リファレンスセルにおいては、前記第1及び第2の記憶領域のいずれか1つに記憶された情報のみが参照されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記リファレンスセルにおいて参照される前記記憶領域と、前記リファレンスセルにおいて参照される前記記憶領域と反対側に位置する記憶領域とが、共に、プログラム状態と消去状態との中間状態に書き込まれていることを特徴とする請求項1の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスセルは、少なくとも第1及び第2のリファレンスセルを有し、
前記第1のリファレンスセルにおいて参照される記憶領域は、プログラム状態であって、
前記第2のリファレンスセルにおいて参照される記憶領域は、消去状態にあることを特徴とする請求項1の半導体記憶装置。 - 前記第1のリファレンスセルにおいて、前記参照されるプログラム状態である記憶領域と反対側に位置する記憶領域は消去状態であることを特徴とする請求項3の半導体記憶装置。
- 前記第2のリファレンスセルにおいて、前記参照される消去状態である記憶領域と反対側に位置する記憶領域は、プログラム状態であることを特徴とする請求項3の半導体記憶装置。
- 前記センスアンプにおいて、前記メモリセルから供給される電流の2倍と、前記第1及び第2リファレンスセルから供給される電流の和との大小を比較することによって、前記メモリセルの備える記憶領域に記憶された情報を読み出すことを特徴とする請求項3の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルから前記センスアンプに至るまでのカラムセレクタの段数が、前記リファレンスセルから前記センスアンプに至るまでのカラムセレクタの段数と同数であることを特徴とする請求項1の半導体記憶装置。
- 前記メモリセルより構成されるメモリセルアレイと前記リファレンスセルより構成されるリファレンスセルアレイを備え、前記メモリセルアレイと前記リファレンスセルアレイとが共に仮想接地アレイ構造により構成されていることを特徴とする請求項1の半導体記憶装置。
- 前記リファレンスセルアレイにおいて直列に接続されているリファレンスセルの数が、前記メモリセルアレイにおいて直列に接続されているメモリセルの数と同数であることを特徴とする請求項8の半導体記憶装置。
- 請求項1の半導体記憶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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