JP4283087B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
また、素子側面に半田付けができることにより素子の傾きが自己矯正でき、従来の下面電極構造で問題となっていた受光量の変化による出力特性のばらつきを抑えることが可能となる。更に下面、側面の電極構造を問わず、メタルマスクやリフトオフ法を用いた金属電極の形成方法により、従来の印刷工程数を半減以下にすることができ、大幅な工程数削減が可能となる。
この様に実装された素子は個々の材料の強度および密着性が大変優れており、非常に強い実装強度を示すようになる。
1.0PaのAr雰囲気下でRF出力1.0kWの放電にて1.5μmの成膜を行った。ITO、Ni両者とも円柱状の成膜治具を回転させて成膜を行い、ガラス端面の膜厚制御を行った。
102、302、502 非晶質シリコン半導体層
103、303 コンタクトホール
104、304、503 金属電極(正極)
105、305、504 金属電極(負極)
201、306、505 封止樹脂
202 予備半田
401 スパッタリング電極(カソード)
402 スパッタリングターゲット
403 放電空間
404 短冊状切断基板
405 スパッタリング電極(アノード)
506、702、803 半田
507、703 金属ランド
508、704、802 回路基板
602 透明導電膜
603 p型非晶質シリコン半導体層
604 i型非晶質シリコン半導体層
605 n型非晶質半導体層
606 導電性樹脂(一次電極)
607 封止樹脂
608 導電性樹脂(二次電極)
609 受光面
701、801 下面電極素子(可視光センサ)
705 側面電極素子(チップコンデンサ)
706 側面電極
804 破断面
805 対垂直入射光受光領域(傾き無し)
806 対垂直入射光受光領域(傾き有り)
Claims (9)
- ガラス基板上に、p型シリコン膜と、i型シリコン膜と、n型シリコン膜とがこの順に積層された半導体層を有し、
前記n型シリコン膜は、前記n型シリコン膜上に形成された第1の電極と電気的に接続され、
前記p型シリコン膜は、前記p型シリコン膜と前記i型シリコン膜と前記n型シリコン膜とに形成された開口部において、第2の電極と電気的に接続され、
前記開口部の側面はテーパー状であることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1において、
前記開口部は複数設けられていることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1の電極と前記第2の電極は同時に形成されることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の電極と前記第2の電極は、前記半導体層と接触する内層部が酸化物系導電材料から成り、外層部が半田と合金形成が可能な金属材料で形成されている積層構造を有することを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の電極と前記第2の電極は、前記半導体層と接触する内層部が酸化物系導電材料から成り、外層部が半田と合金形成が可能な金属材料で形成されている積層構造を有し、前記ガラス基板の端面まで連続して形成されていることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の電極と前記第2の電極は、前記半導体層とオーム接触を示し、かつ半田と合金形成が可能な金属材料の単層構造で形成されていることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項4または請求項5において、
前記外層部がNi、Cu、Zn、Pd、Ag、Sn、Pt、Auから選ばれた一元素、又は前記元素を50%以上含む合金材料で形成されており、膜厚が0.1μm〜50μmの範囲であることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項4、請求項5または請求項7において、
前記内層部がITO、SnO2、ZnOから選ばれた一種又は複数種の酸化物系導電材料で形成されていることを特徴とする光電変換素子。 - 請求項6において、
前記第1の電極と前記第2の電極がNi、Pd、Pt、Auから選ばれた一元素、又は前記元素を50%以上含む合金材料で形成されており、膜厚が0.1μm〜50μmの範囲であることを特徴とする光電変換素子。
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