JP4252950B2 - 積層型フィルタ - Google Patents

Description

本発明は、積層型フィルタ、より詳しくは、バリスタ部とインダクタ部とが積層されてなる積層型フィルタに関する。

近年、電子機器は、高速動作のための伝送信号の高周波数化や、省電力化のための低電圧化等が進められている。このような状況下、電子機器においては、優れた信頼性を確保する観点から、ノイズやサージ等を除去する技術がますます重要になってきている。そこで、ノイズ及びサージの両方を一つのチップで除去し得る素子として、バリスタ部及びインダクタ部が積層されてなる積層型フィルタが注目を集めている。

このような積層型フィルタとしては、半導体磁器と磁性材料磁器とを接合し、これを一体焼結して得られた複合機能素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平７−２２０９０６号公報

しかしながら、上述した従来の積層型フィルタでは、バリスタ部とインダクタ部とで素体を構成している材料が異なっているため、焼結時における両者の体積変化の程度が大きく異なり、このため、一体焼結の際に両者の境に応力が発生し易い傾向にあった。そして、これに起因して、バリスタ部とインダクタ部とが剥離し易いという問題があった。

そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、バリスタ部とインダクタ部との剥離が生じ難い積層型フィルタを提供することを目的とする。

本発明者らは、まず、積層型フィルタにおいて、バリスタ部とインダクタ部との剥離を低減するために、インダクタ部を、バリスタ部を構成している素体と同じ材料により形成することを試みた。その結果、一体焼結を行った場合であっても、バリスタ部とインダクタ部との剥離が極めて生じ難くなることが判明した。

ところが、通常バリスタ部の素体を構成している材料は、極めて低抵抗であるという特性を有していることからインダクタの材料としては適しておらず、このような積層型フィルタは、高周波用途への適用が困難なものであった。

そこで、本発明者らは、このような知見に基づいて更に研究を進めた結果、インダクタ部をバリスタ部の構成材料と同じ素体から構成するとともに、かかる素体中に、バリスタ部とは異なる元素を添加物として添加することや、添加物の添加量が異なるようにすることによって、インダクタ部の素体の高抵抗化が図れることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明の積層型フィルタは、導体層及びバリスタ層を備えるバリスタ部と、導体層及びインダクタ層を備えるインダクタ部とが積層されたものであって、バリスタ層は、主成分であるＺｎＯと添加物とからなり、添加物として、Ｐｒ、Ｂｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有しており、インダクタ層は、ＺｎＯを主成分とし、添加物として、ＺｎＯに対して０．０２ｍｏｌ％以上２ｍｏｌ％以下のＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有しており、且つ、Ｐｒ、Ｂｉ及びＣｏを実質的に含有していないことを特徴とする。

このように、本発明に係る積層型フィルタは、バリスタ層及びインダクタ層の素体が同じ材料を主成分としている。よって、これらを一体焼結した場合であっても、焼結時の素体の体積変化率の相違に基づく両層の間に応力等が発生し難い。これにより、バリスタ部とインダクタ部との剥離が大幅に低減されるようになる。

また、インダクタ層を構成している材料、すなわち、主成分としてＺｎＯを含み、添加物としてＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂのうちの少なくとも一種の金属元素を含む材料は、ＺｎＯ単体や、これにＰｒ、Ｂｉ又はＣｏを添加したものと比較して、高抵抗率であるのに加え、低誘電率であるという特性を有している。したがって、かかる材料を含むインダクタ層は、優れたインダクタ特性を有するものとなる。

本発明の積層型フィルタは、表面から内部に拡散されたＬｉを更に含むものであるとより好ましい。これにより、積層型フィルタを構成するバリスタ及びインダクタの各部は、それぞれバリスタ特性及びインダクタ特性に優れるものとなる。その結果、積層型フィルタは、ノイズやサージを吸収する特性に更に優れるようになる。

本発明によれば、バリスタ部とインダクタ部との剥離が生じ難く、また、これらのバリスタ特性及びインダクタ特性が極めて良好な積層型フィルタを提供することが可能となる。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、全図を通じ、同一の要素には同一の符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、説明における上下左右等の位置関係は、いずれも図面の位置関係に基づくものとする。

まず、図１〜３を参照して、積層型フィルタ１０の構造について説明する。

図１は、実施形態の積層型フィルタを示す斜視図である。

積層型フィルタ１０は、素体３の長手方向の両端部に形成された一対の入出力電極５，７と、同じく素体３の側面に形成された一対のグランド電極９，１１とを備えている。なお、素体３の底面は、積層型フィルタ１０が外部基板（図示せず）に実装されたときに、当該外部基板に対向する面である。

図２は、積層型フィルタの素体部分を示す分解斜視図である。

図示されるように、積層型フィルタ１０における素体３は、一対の保護層４１，４２の間に、インダクタ部２０とバリスタ部３０とからなる積層構造が挟まれた構造を有している。

インダクタ部２０は、導体パターン２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ（導体層）がそれぞれ設けられたインダクタ層２１，２２，２３，２４が積層されたものである。各層の導体パターン２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａは、らせん状のコイルパターンの一部を構成するものであり、これらが貫通電極２１ｂ、２２ｂ、２３ｂによって順次接続されることにより、コイルパターンが構成されている。このように、インダクタ部２０は、コイルＬ（図３参照）を含む構造を有している。

導体パターン２１ａは、その端部がインダクタ層２１の端部に引き出されており、これが、コイルパターンにおける一方の端部となる。コイルパターンの当該端部（導体パターン２１ａ）は、素体３の縁部に引き出され、一方の入出力電極７に電気的に接続されることになる。

また、導体パターン２４ａは、その端部がインダクタ層２４の端部に引き出されており、これが、コイルパターンのもう一方の端部となる。コイルパターンの当該端部（導体パターン２４ａ）は、素体３における上記一方の端部と対向している側の縁部に引き出され、他方の入出力電極５に電気的に接続されることになる。

導体パターン２１ａ〜２４ａは、インダクタのコイルパターンの構成材料として用いられる金属材料等から構成されるものである。また、インダクタ部２０を構成する各インダクタ層２１，２２，２３，２４は、ＺｎＯを主成分とするセラミック材料から構成されており、かかるセラミック材料は、添加物としてＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有している。各インダクタ層２１〜２４中におけるこれらの金属元素は、金属単体や酸化物等の種々の形態で存在することができる。

ここで、インダクタ層２１〜２４に含まれる添加物である金属元素の含有量は、当該インダクタ層中のＺｎＯの総モル量に対して、０．０２ｍｏｌ％以上２ｍｏｌ％以下であり、０．２ｍｏｌ％以上１ｍｏｌ％以下であると好ましい。この含有量が０．０２ｍｏｌ％未満である場合及び２ｍｏｌ％を超える場合のいずれにおいても、インダクタ層の抵抗率が不都合なほどに低下する傾向にある。これらの金属元素の含有量は、例えば、誘導結合高周波プラズマ発光分析装置（ＩＰＣ）を用いて測定することができる。

上記構成を有するインダクタ層は、後述するバリスタ層３１，３２に含まれる添加物であるＰｒ、Ｂｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を実質的に含有していないものである。ここで、「実質的に含有していない」状態とは、これらの元素を、インダクタ層２１〜２４を調製する際に原料として意図的に含有させなかった場合の状態をいうものとする。例えば、バリスタ部３０からインダクタ部２０への拡散等によって意図せずにこれらの元素が含まれる場合は、「実質的に含有していない」状態に該当する。なお、インダクタ層２１〜２４は、上述した条件を満たす限り、更なる特性の向上等を目的として、その他の金属元素等を更に含んでいてもよい。

バリスタ部３０は、内部電極３１ａ，３２ａ（導体層）がそれぞれ設けられたバリスタ層３１，３２が積層されてなるものである。内部電極３１ａ，３２ａは、それぞれコンデンサ層３１，３２上に略矩形状に形成されており、これらは、積層方向において略全面が重なり合うように配置されている。ここで、内部電極３１ａは、その一部が、素体３の側面を構成するバリスタ層３１の縁部に引き出されており、これにより入出力電極５と電気的に接続されることとなる。

また、内部電極３２ａは、内部電極３１ａが引き出された縁部と直交している縁部の両側に引き出されており、この引き出し部においてグランド電極９，１１とそれぞれ電気的に接続する。このように、バリスタ部３０においては、内部電極３１ａ，３２ａと、これらの間に配置されたバリスタ層３１とからバリスタＶ（図３参照）が構成されている。

内部電極３１ａ，３２ａは、バリスタの内部電極に通常用いられるＰｄやＡｇ−Ｐｄ合金等からなるものが適用できる。また、バリスタ層３１，３２は、ＺｎＯを主成分とするセラミック材料から構成されており、かかるセラミック材料中には、添加物としてＰｒ、Ｂｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有している。これらの金属元素は、バリスタ層３１，３２において、金属単体や酸化物等の形態で存在することができる。なお、バリスタ層３１，３２は、更なる特性の向上を目的として、上述したもの以外の金属元素等を更に含有していてもよい。

上述したインダクタ部２０におけるインダクタ層２１〜２４及びバリスタ部３０におけるバリスタ層３１，３２は、その内部にＬｉを更に含有するものである。ただし、このＬｉは、原料として各層に添加されたものではなく、後述するような製造方法において、インダクタ部２０及びバリスタ部３０を備える積層体を形成した後に、この積層体の表面にＬｉを含む原料を付着させ、これが拡散することによって添加されたものである。なお、積層型フィルタ１０は、必ずしもＬｉが拡散されたものでなくてもよい。

保護層４１，４２は、それぞれセラミック材料からなる層であり、インダクタ部２０及びバリスタ部３０からなる積層構造を、その積層方向の両側から挟みこむことで、各部２０，３０を保護するものである。この保護層４１，４２の構成材料は特に限定されず、種々のセラミック材料等を適用可能であるが、上述した積層構造との剥離を低減する観点からは、ＺｎＯを主成分として含む材料が好ましい。

図３は、実施形態の積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。上述した構成を有する積層型フィルタ１０は、図３に示されるような等価回路を構成することになる。すなわち、積層型フィルタ１０は、インダクタＬ及びバリスタＶとでＬ型の回路を構成している。

次に、図４を参照して本実施形態の積層型フィルタを製造する方法について説明する。

図４は、実施形態の積層型フィルタを製造する工程を説明するためのフロー図である。

積層型フィルタ１０の製造においては、まず、インダクタ層２１〜２４、及び、バリスタ層３１，３２の原料となるセラミック材料を含むペーストを製造する（ステップＳ１１）。具体的には、まず、インダクタ層形成用のペーストは、主成分であるＺｎＯに対し、添加物であるＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂのうちの少なくとも一種の金属元素を加え、更にこれらにバインダー等を添加して混合することによって調製可能である。ここで、上記金属元素は、例えば、酸化物、シュウ酸塩、炭酸塩等の化合物の形態で添加することができる。また、これらの添加量は、後述するような焼成を行った後の素体３において、金属元素が上述したような所望の含有量となるように調整する。

また、バリスタ層形成用のペーストは、主成分であるＺｎＯに対し、添加物であるＰｒ、Ｂｉ及びＣｏのうちの少なくとも一種の金属元素を、焼成後に所望の含有量となるように加え、これらのバインダー等を添加して混合することにより調製することができる。この場合の金属元素は、例えば、酸化物として添加することができる。

これらのペーストを、プラスチックフィルム等の上にドクターブレード法等により塗布した後に乾燥させ、セラミック材料からなるグリーンシートを形成する。これにより、インダクタ層２１〜２４形成用のグリーンシート（以下、「インダクタシート」という）、及び、バリスタ層３１，３２形成用のグリーンシート（以下、「バリスタシート」という）を、それぞれ所要の枚数ずつ得る。なお、プラスチックフィルム等は、塗布後すぐに各シートから剥離してもよく、後述する積層の直前に剥離してもよい。また、かかる工程においては、これらのシートとともに、上記と同様の方法でＺｎＯを含む保護層４１，４２形成用のグリーンシートを形成する。

次に、インダクタシート又はバリスタシートの上に、導体パターン２１ａ〜２４ａ（インダクタ部２０）又は内部電極３１ａ，３２ａ（バリスタ部３０）を形成するための導体ペーストを、それぞれのシートに対して所望のパターンとなるようにスクリーン印刷する（ステップＳ１２）。これにより、所望のパターンを有する導体ペースト層が設けられた各シートを得る。例えば、導体パターン形成用の導体ペーストとしては、ＰｄやＡｇ−Ｐｄ合金を主成分として含む導体ペーストが挙げられ、内部電極形成用のペーストとしては、ＰｄやＡｇ−Ｐｄ合金を主成分として含む導体ペーストが挙げられる。

続いて、保護層形成用のグリーンシートの上に、内部電極３１ａ及び３２ａにそれぞれ対応する導体ペースト層が設けられたバリスタシートを順次積層する（ステップＳ１３）。続いて、この上に、導体パターン２４ａ、２３ａ、２２ａ及び２１ａにそれぞれ対応する導体ペースト層が設けられたインダクタシートを順次積層する（ステップＳ１４）。さらに、これらの積層構造の上に、保護層形成用のグリーンシートを更に重ね、これらを圧着することにより、素体３の前駆体である積層体を得る。

その後、得られた積層体を、所望のサイズとなるようにチップ単位に切断した後、このチップを、所定温度（例えば、１０００〜１４００℃）で焼成して、素体３を得る（ステップＳ１５）。続いて、得られた素体３の表面からその内部にＬｉを拡散させる。ここでは、まず、得られた素体３の表面にＬｉ化合物を付着させる。Ｌｉ化合物の付着には、密閉回転ポットを用いることができる。Ｌｉ化合物としては、特に限定されないが、熱処理することにより、Ｌｉが素体３の表面から導体パターン２１ａ〜２４ａや内部電極３１ａ，３２ａの近傍にまで拡散できる化合物であり、例えば、Ｌｉの酸化物、水酸化物、塩化物、硝酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩及びシュウ酸塩等が挙げられる。なお、積層型フィルタ１０の製造において、このＬｉ拡散の工程は必ずしも必須ではない。

そして、このＬｉ拡散された素体３の側面に、銀を主成分とするペーストを転写した後に焼き付けた後、更にめっきを施すことによって、入出力電極５，７及びグランド電極９，１１をそれぞれ形成し、積層型フィルタ１０を得る（ステップＳ１６）。めっきは、電気めっきにより行うことができ、例えば、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｇ、又は、ＮｉとＡｇ等を用いることができる。

上記構成を有する積層型フィルタ１０においては、上述の如く、インダクタ部２０及びバリスタ部３０をそれぞれ構成するインダクタ層２１〜２４及びバリスタ層３１，３２が、ともにＺｎＯを主成分とするセラミック材料から形成されている。このため、インダクタ部２０とバリスタ部３０とでは、焼成時に生じる体積変化の差が極めて小さい。したがって、これらを同時に焼成したとしても、両者の間にひずみや応力等が発生し難い。その結果、得られた積層型フィルタ１０は、インダクタ部とバリスタ部とが異なる材料により形成された従来の積層型フィルタと比較して、両者の剥離が極めて生じ難いものとなる。

また、バリスタ層３１，３２は、上述の如く、ＺｎＯを主成分とし、添加物としてＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を所定の含有量含むものである。このような材料は、インダクタの構成材料として十分な程度に高い抵抗率を有している。具体的には、インダクタ材料として好適な１ＭΩを超える抵抗率を有するものとなり易い。このため、インダクタ部２０は、単独では抵抗率の点で特性が不十分であったＺｎＯを主成分として含んでいるにもかかわらず、優れたインダクタ特性を発揮し得るものとなる。

以上、本発明の積層型フィルタ及びその製造方法の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、インダクタ部２０として、コイルＬを含むものを例示したが、これに限定されず、例えば、ストレートライン型の導体パターンが形成されたインダクタ層からなるものであってもよい。具体的には、両端部を結ぶ直線状の導体パターンが設けられたインダクタ層を準備し、この単独層または複数層からなるものをインダクタ部としてもよい。この場合、直線状の導体パターンは、積層型フィルタにおける一対の入出力電極を接続する方向に設ける。このような構成を有するインダクタ部であっても、十分に優れたインダクタ特性を有するものとなる。

さらに、本発明の積層型フィルタは、図３に示すような等価回路やこれと同等の機能を有するものを構成できれば、その積層構造や電極等の形成位置を任意に変化させることができる。すなわち、上述した実施形態ではバリスタ部３０の上にインダクタ部２０が設けられた構造を例示したが、例えば、一対のバリスタ部の間にインダクタ部が挟まれた構造としてもよい。また、バリスタ部３０における内部電極３１ａは、入出力電極５と接続する方向に引き出したが、これとは逆に入出力電極７と接続する方向に引き出してもよい。これらの構造を有する場合であっても、同様の機能を有する積層型フィルタが得られる。

また、上記実施形態では、４層からなるインダクタ部２０及び２層からなるバリスタ部を例示したが、各部の積層数は必ずしもこれに限定されない。すなわち、例えば、導体パターンを備えるインダクタ層を繰り返し積層することで、コイルパターンにおけるターン数を更に増加させてもよい。また、内部電極が設けられたバリスタ層を更に繰り返して積層してもよい。これらの積層数は、所望とする積層型フィルタの特性にあわせて適宜調整することができる。

ところで、積層型フィルタのインダクタ部において導体パターンを積層していると、インダクタ層を構成する材料が高誘電率を有する場合、積層方向に隣り合う導体パターンが結合して、当該導体パターン間に寄生容量が生じることになる。したがって、インダクタ部において導体パターンを積層した構成のものでは、特に、高周波用途への適用が困難な傾向にある。このような観点から、インダクタ層は、その誘電率が低い方が好ましく、具体的には、比誘電率が５０以下であると好ましい。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］

（積層型フィルタの作製）
まず、上述した実施形態において図４を参照して説明した方法に従い、積層型フィルタの各サンプルを製造した。すなわち、まず、ＺｎＯにＰｒ_６Ｏ_１１、Ｃｏ_３Ｏ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｋ_２ＣＯ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３及びＳｉＯ_２を添加したバリスタ層形成用ペーストを準備するとともに、ＺｎＯにＫ_２ＣＯ_３を添加したインダクタ層形成用のペーストを準備した。ここで、インダクタ層形成用のペースト中へのＫ_２ＣＯ_３の添加量は、焼成後のインダクタ層におけるＫの含有量が表１に示す量となるように調整した。なお、表１中、Ｋの含有量は、ＺｎＯに対するモル％で示されている。

続いて、これらのペーストを用いて、バリスタシート及びインダクタシートを製造した。また、これとともに、ＺｎＯのみを含む保護層形成用のグリーンシートを得た。その後、各シート上に、それぞれ図２に示すようなパターンとなるように、スクリーン印刷法により内部電極（バリスタ部）又は導体パターン（インダクタ部）形成用の導体ペーストを塗布した。なお、内部電極形成用のペーストとしては、Ｐｄを主成分として含むものを用い、導体パターン形成用のペーストとしては、同様にＰｄを主成分として含むものを用いた。

次に、導体ペーストが塗布された各シート（バリスタシート及びインダクタシート）を、図２に示す順序で積層し、さらにこれらを一対の保護層形成用のグリーンシートで上下方向から挟んだ後、圧着して素体の前駆体である積層体を得た。こうして得られた積層体を焼成することにより素体を形成させた。そして、この素体に、Ａｇペーストを焼き付けることにより入出力電極及びグランド電極を形成して、図１及び２に示す構造を有する積層型フィルタのサンプルを得た。実施例１においては、Ｋ_２ＣＯ_３の添加量を、ＺｎＯに対するＫの含有量が、０、０．０１、０．０２、０．１、０．２、１、２及び２．５ｍｏｌ％となるように変化させ、これに対応する積層型フィルタを、それぞれサンプル１、２、３、４、５、６、７及び８とした。

なお、この実施例においては、後述するようなインダクタ部の特性評価を行うために、各サンプルの積層型フィルタにおけるインダクタ部中に、積層方向において平行に配置された一対の内部電極を設けた。図５は、インダクタ部に内部電極が設けられた状態の素体の断面構造を模式的に示す図である。図示されるように、各内部電極５０は、それぞれの一方の端部が素体の対向する異なる端面にそれぞれ露出するように設けられており、これらの他方の端部は、積層方向からみて互いに重なり合うように設けられている。また、これらの内部電極は、いずれもコイルを構成する導体パターンとは接しないように設けられている。

（インダクタ部とバリスタ部との間の剥離の評価）
上述した方法により得られたサンプル１〜８の積層型フィルタを観察したところ、いずれも、インダクタ部とバリスタ部との間における剥離は認められなかった。

（インダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定）
サンプル１〜８の積層型フィルタを用い、各サンプルにおけるインダクタ部の比誘電率（ε´）及び抵抗率（１０^６Ωｃｍ）を測定した。各サンプルについて得られた結果を表１に示した。なお、比誘電率及び低効率の測定は以下に示すようにして行った。
すなわち、比誘電率（ε´）は、インピーダンスアナライザ（４２８４Ａ、ヒューレットパッカード社製）を用いて、各サンプルの、１ＭＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件における静電容量（Ｃ）を測定し、得られた結果を、ε´＝Ｃｄ／ε_０Ｓの式に代入することにより算出した。また、低効率（ρ）は、各サンプルに１Ｖの直流電圧を印加した際に流れる電流値から抵抗（Ｒ）を求め、得られた結果を、ρ＝ＲＳ／ｄの式に代入することにより算出した。なお、各式中、ε_０は真空の誘電率、ｄは図５に示した内部電極５０間の距離、Ｓは内部電極５０の重なり面積をそれぞれ示す

［実施例２］

（積層型フィルタの作製）
インダクタ層形成用ペーストに添加する材料として、Ｋ_２ＣＯ_３に代えてＮａ_２ＣＯ_３を用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層型フィルタを得た。なお、実施例２においては、Ｎａの含有量がそれぞれ表２に示すとおりとなるようにした。Ｎａの含有量が、０、０．０１、０．０２、０．１、０．２、１、２及び２．５ｍｏｌ％であるものを、それぞれサンプル９、１０、１１、１２、１３、１４、１５及び１６とした。

（インダクタ部とバリスタ部との間の剥離の評価）
サンプル９〜１６の積層型フィルタを観察したところ、いずれも、インダクタ部とバリスタ部との間における剥離は認められなかった。

（インダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定）
サンプル９〜１６の積層型フィルタを用い、実施例１と同様にしてインダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定を行った。得られた結果を表２に示す。

［実施例３］

（積層型フィルタの作製）
インダクタ層形成用ペーストに添加する材料として、Ｋ_２ＣＯ_３に代えてＲｂ_２ＣＯ_３を用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層型フィルタを得た。なお、実施例３においては、Ｒｂの含有量が表３に示すとおりとなるようにした。Ｒｂの含有量が、０、０．０１、０．０２、０．１、０．２、１、２及び２．５ｍｏｌ％であるものを、それぞれサンプル１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３及び２４とした。

（インダクタ部とバリスタ部との間の剥離の評価）
サンプル１７〜２４の積層型フィルタを観察したところ、いずれも、インダクタ部とバリスタ部との間における剥離は認められなかった。

（インダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定）
サンプル１７〜２４の積層型フィルタを用い、実施例１と同様にしてインダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定を行った。得られた結果を表３に示す。

［実施例４］

（積層型フィルタの作製）
インダクタ層形成用ペーストに添加する材料として、Ｋ_２ＣＯ_３に代えてＣｓ_２ＣＯ_３を用いたこと以外は、実施例１と同様にして積層型フィルタを得た。なお、実施例４においては、Ｃｓの含有量が表４に示すとおりとなるようにした。Ｃｓの含有量が、０、０．０１、０．０２、０．１、０．２、１、２及び２．５ｍｏｌ％であるものを、それぞれサンプル２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１及び３２とした。

（インダクタ部とバリスタ部との間の剥離の評価）
サンプル２５〜３２の積層型フィルタを観察したところ、いずれも、インダクタ部とバリスタ部との間における剥離は認められなかった。

（インダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定）
サンプル２５〜３２の積層型フィルタを用い、実施例１と同様にしてインダクタ部の比誘電率及び抵抗率の測定を行った。得られた結果を表４に示す。

実施例１〜４に示されるように、ＺｎＯを主成分とし、添加物としてＫ、Ｎａ、Ｃｓ又はＲｂを含むインダクタ層を有する積層型フィルタにおいては、ＺｎＯを主成分として含むバリスタ部と、インダクタ部との剥離が極めて生じ難いことが確認された。また、いずれの積層型フィルタにおけるインダクタ部も、比誘電率が１００を下回り、また、抵抗率が１ＭΩを超えることから、インダクタとして十分に実用可能であることが確認された。

実施形態の積層型フィルタを示す斜視図である。 積層型フィルタの素体部分を示す分解斜視図である。 実施形態の積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。 実施形態の積層型フィルタを製造する工程を説明するためのフロー図である。 図５は、インダクタ部に内部電極が設けられた状態の素体の断面構造を模式的に示す図である。

符号の説明

３…素体、５，７…入出力電極、１０…積層型フィルタ、９，１１…グランド電極、２０…インダクタ部、２１，２２，２３，２４…インダクタ層、２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ…導体パターン、２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ…貫通電極、３０…バリスタ部、３１，３２…バリスタ層、３１ａ，３２ａ…内部電極、４１，４２…保護層、Ｌ…コンデンサ、Ｖ…バリスタ。

Claims (2)

1. 導体層及びバリスタ層を備えるバリスタ部と、導体層及びインダクタ層を備えるインダクタ部と、が積層された積層型フィルタであって、
   前記バリスタ層は、ＺｎＯを主成分とし、添加物として、Ｐｒ、Ｂｉ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有しており、
   前記インダクタ層は、主成分であるＺｎＯと添加物とからなり、前記添加物として、前記ＺｎＯに対して０．０２ｍｏｌ％以上２ｍｏｌ％以下のＫ、Ｎａ、Ｃｓ及びＲｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含有しており、且つ、Ｐｒ、Ｂｉ及びＣｏを実質的に含有していない、
   ことを特徴とする積層型フィルタ。
2. 表面から内部に拡散されたＬｉを更に含むことを特徴とする請求項１記載の積層型フィルタ。
   

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