JP4244969B2 - 画素の検査方法および画素の補正方法、並びに処理装置、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、携帯電話およびデジタルカメラ等の撮像機能を有する電子機器の単板式撮像センサなどを構成する複数の画素の検査方法およびその出力電圧の補正方法、並びに欠陥画素処理装置、欠陥画素処理プログラム、欠陥画素処理方法、および前記プログラムを記録した記録媒体に関する。

従来、前記の画素が欠陥画素（画素の変換特性が当該特性についての許容範囲内にない画素をいう。）に該当するか否かの検査は、下記の特許文献１に記載されたように、前記画素と、当該画素と同色な隣接画素との間の信号のレベル差、並びに、前記画素と当該画素と同色な周辺画素と間の信号のレベル差に基づき行われる。また、欠陥画素であると認定された画素の出力信号の補正は、下記の特許文献２に記載されたように、隣接画素の信号および隔離画素の信号を演算処理することにより行われる。
特開平６−３０４２５号 特開平６−２０５３０２号

しかしながら、前者の画素の検査方法では、隣接画素あるいは周辺画素が同色であるということを利用して処理しているために、隣接画素および周辺画素が同色でないときには欠陥画素を検出することができず、また、後者の画素の出力信号の補正方法では、平面上に広がる領域の変化の間隔が長い場合には良いが、隣接画素の出力信号および隔離画素の出力信号の処理如何によっては、画像情報のディテールが消失してしまうなど欠陥画素の出力信号を適切に補正することができないという問題があった。

また、縦横方向の画素変動により正確に画素欠陥の検出を行うとすると、欠陥画素検出のみに用いるラインメモリを付与する必要があり、装置のコストアップや複雑化につながっていた。
そこで、本発明は前記課題を解決するために案出されたものであり、その目的は、被検査画素が欠陥画素であるか否かを容易かつ正確に判断することができる新規な画素の検査方法および画素の出力電圧の補正方法、並びに欠陥画素処理装置、欠陥画素処理プログラム、欠陥画素処理方法、および前記プログラムを記録した記録媒体を提供するものである。

［形態１］前記課題を解決するために、形態１に係る画素の検査方法は、
撮影すべき対象物からの光に含まれる２以上の色のうち第１色の輝度を電圧に変換する複数の第１色画素および第２色の輝度を電圧に変換する複数の第２色画素が隣接画素間で同色にならないように配置されている光電変換素子における、前記複数の第１色画素の１つである被検査画素であり、前記複数の第２色画素のうちの２以上の第２色画素に隣接する前記被検査画素が、欠陥画素であるか否かを検査する画素の検査方法であって、前記被検査画素、および前記２以上の第２色画素の１つである第１の第２色画素に隣接する第１の第１色画素から出力される２つの電圧間での第１の電圧差を検出する第１の検出工程と、前記第１の第２色画素、および前記２以上の第２色画素のうち前記第１の第２色画素以外である第２の第２色画素から出力される２つの電圧間での第２の電圧差を検出する第２の検出工程と、前記第１の電圧差および前記第２の電圧差に基づき、前記被検査画素が欠陥画素であるか否かを判断する判断工程とを含む。

本形態に係る画素の検査方法によれば、前記被検査画素が欠陥画素であるか否かを、前記第１色画素である前記被検査画素の出力電圧と、同色について前記被検査画素に隣接する第１色画素である前記第１の第１色画素の出力電圧との間の第１の電圧差と、前記被検査画素に隣接する一の第２色画素である前記第１の第２色画素の出力電圧と、前記被検査画素に隣接する他の第２色画素である前記第２の第２色画素の出力電圧との間の第２の電圧差とに基づき判断することから、前記被検査画素に隣接する画素が当該被検査画素と同色でない第２色画素であっても、当該被検査画素が欠陥画素であるか否かを判断することができる。

［形態２］また、形態２に係る画素の検査方法は、
前記判断工程は、前記第１の電圧差に基づき、前記被検査画素が欠陥画素である可能性があると推定するとき、前記第２の電圧差に基づき、当該推定の当否を判断する。

［形態３］また、形態３に係る画素の検査方法は、
前記被検査画素、および前記第２の第２色画素に隣接する第３の第１色画素から出力される２つの電圧間での第３の電圧差を検出する第３の検出工程をさらに含み、前記判断工程は、前記被検査画素が欠陥画素であるか否かの判断を、前記第１の電圧差、前記第２の電圧差、および前記第３の電圧差に基づき行う。

［形態４］また、形態４に係る画素の検査方法は、
前記判断工程は、前記第１の電圧差および前記第３の電圧差に基づき、前記被検査画素が欠陥画素である可能性があると推定するとき、前記第２の電圧差に基づき、当該推定の当否を判断する。

［形態５］また、形態５に係る画素の検査方法は、
同色について相互に隣接する第２色画素から出力される電圧間での第３の電圧差を検出することを前記複数の第２色画素について順次行うことにより得られる複数の第３の電圧差に基づき前記光の輝度の分布を推定する推定工程をさらに含み、前記判断工程は、前記被検査画素が欠陥画素であるか否かの判断を、前記推定工程により推定された前記光の輝度の分布を参照して行う。

［形態６］また、形態６に係る画素の出力電圧の補正方法は、
撮影すべき対象物からの光に含まれる色の輝度を電圧に変換する複数の画素を有する光電変換素子において、前記複数の素子が満足すべき変換の性能についての許容範囲を超えて、前記電圧が高い輝度を表すことを理由に欠陥画素であると認定された画素の出力電圧の補正方法であって、前記欠陥画素と認定された画素の出力電圧として、当該画素を挟みまたは囲む２以上の画素が出力する電圧のうち最大の輝度に相当する電圧を付与する工程を含む。

本形態に係る第１の画素の出力電圧の補正方法によれば、出力電圧が前記許容範囲を超えて高い輝度を表すことを理由に欠陥画素であると認定された前記画素の出力電圧として、当該画素を挟みまたは囲む２以上の画素の出力電圧のうち最大電圧を付与することから、前記欠陥画素と認定された画素の出力電圧の補正量を最小限に抑え、これにより、当該画素と前記画素を挟みまたは囲む２以上の画素との間の親和性を向上させることができ、結果的に、当該欠陥画素として認定された画素を目立たないようにすることができる。

［形態７］また、形態７に係る画素の出力電圧の補正方法は、
撮影すべき対象物からの光に含まれる色の輝度を電圧に変換する複数の画素を有する光電変換素子において、前記複数の素子が満足すべき変換の特性についての許容範囲を超えて、前記電圧が低い輝度を表すことを理由に欠陥画素であると認定された画素の出力電圧の補正方法であって、前記欠陥画素と認定された画素の出力電圧として、当該画素を挟みまたは囲む２以上の画素が出力する電圧のうち最小の輝度に相当する電圧を付与する工程を含む。

本形態に係る第２の画素の出力電圧の補正方法によれば、前記した本発明に係る第１の画素の出力電圧の補正方法と同様にして、前記欠陥画素と認定された画素と、当該画素を挟みまたは囲む２以上の画素との親和性を改善することができ、この結果、当該欠陥画素として認定された画素を目立たなくさせることが可能となる。

［形態８］また、形態８に係る欠陥画素処理装置は、
それぞれ受光する光の色が異なる光電変換素子からなる画素を複数備えた単板式撮像センサの欠陥画素を検出する装置であって、前記複数の光電変換素子のなかから所定の被検査画素を特定する被検査画素特定手段と、当該被検査画素特定手段で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第１電圧差検出手段と、前記被検査画素に隣接する異色の参照画素の出力電圧と、当該参照画素と同色であって当該参照画素と隣接する他の参照画素の出力電圧との電圧差を検出する第２電圧差検出手段と、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差と、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差とに基づいて前記被検査画素の欠陥を判定する欠陥判定手段とを備えたことを特徴とするものである。

すなわち、例えば、被検査画素特定手段で特定された被検査画素と同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を第１電圧差検出手段で検出し、その電圧差が所定の閾値以上である場合は、その被検査画素が欠陥画素である可能性が高いから、さらに、その被検査画素に隣接する異色の参照画素と、当該参照画素と同色であって当該参照画素と隣接する参照画素の出力電圧との電圧差を第２電圧差検出手段によって検出し、その電圧差が所定の閾値以下である場合は、その被検査画素が欠陥画素である可能性が極めて高いことから、欠陥判定手段は係る場合は、その被検査画素が欠陥画素であるなどと判定することができる。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かを正確かつ容易に判定することができる。

［形態９］また、形態９に係る欠陥画素処理装置は、
形態８に記載の欠陥画素処理装置において、前記欠陥判定手段は、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

すなわち、画像のエッジ部分などでは輝度が急激に変化することから、単に第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えたとしてもその基準のみではその被検査画素を欠陥画素であると判断することは適当でない。そのため、本形態ではさらに第２電圧差検出手段で検出されたその被検査画素近傍の画素の電圧差を考慮し、その電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようにしたものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをより正確に判定することができる。

［形態１０］また、形態１０に係る欠陥画素処理装置は、
形態８に記載の欠陥画素処理装置において、前記被検査画素特定手段で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第３電圧差検出手段を備え、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された電圧差および前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差がいずれも所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第３電圧差検出手段で検出された電圧差および前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差のいずれか一方または両方が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

すなわち、前記形態８および９においては、第１電圧差検出手段と共に第２電圧差検出手段を設け、第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えていた場合には、第２電圧差検出手段で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようにしたのに対し、本形態はさらに第３電圧差検出手段を設け、この第３電圧差検出手段で検出された電圧差をも考慮して前記被検査画素の欠陥を判定するようにしたものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態１１］また、形態１１に係る欠陥画素処理装置は、
形態１０に記載の欠陥画素処理装置において、前記第３電圧差検出手段は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態１２］また、形態１２に係る欠陥画素処理装置は、
形態１１に記載の欠陥画素処理装置において、前記第３電圧差検出手段は、前記第１および第２電圧差検出手段でそれぞれ出力電圧が検出される画素が前記被検査画素と同一のラインに存在するときは、当該ラインとは異なる別のライン上の同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、同一方向だけでなく、これと交差する縦横方向の相関を考慮した欠陥画素判定処理が可能となる。

［形態１３］また、形態１３に係る欠陥画素処理装置は、
形態１２に記載の欠陥画素処理装置において、単板式撮像センサの全画素のうち、Ｎライン単位で各画素の出力電圧を記憶する記憶手段を備え、前記第３電圧差検出手段は、当該記憶手段に記憶された各画素の範囲内で、前記別ライン上の同色の他の隣接画素を選択して当該隣接画素の出力電圧との電圧差を検出するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、例えば、４ライン分の画素データを記憶できる記憶手段（ラインメモリ）があれば、４ライン分の画素をまとめて処理できるため、高速な処理が実現できる。また、一つのラインが終了するごとに、次の４ラインをまとめて記憶することで前記形態１２と同様な欠陥画素判定処理が可能となるため、新規にラインメモリを増やす必要もなくなり、装置のコストアップや複雑化を回避することができる。

［形態１４］また、形態１４に係る欠陥画素処理装置は、
形態１０に記載の欠陥画素処理装置において、前記第３電圧差検出手段は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態１５］また、形態１５に係る欠陥画素処理装置は、
形態８〜１４のいずれかに記載の欠陥画素処理装置において、前記前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正手段を備え、当該出力電圧補正手段は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最大の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。

［形態１６］また、形態１６に係る欠陥画素処理装置は、
形態８〜１４のいずれかに記載の欠陥画素処理装置において、前記前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正装置を備え、当該出力電圧補正装置は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最小の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。

［形態１７］また、形態１７に係る欠陥画素処理プログラムは、
それぞれ受光する光の色が異なる光電変換素子からなる画素を複数備えた単板式撮像センサの欠陥画素を検出するプログラムであって、コンピュータを、前記複数の光電変換素子のなかから所定の被検査画素を特定する被検査画素特定手段と、当該被検査画素特定手段で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第１電圧差検出手段と、前記被検査画素に隣接する異色の参照画素の出力電圧と、当該参照画素と同色であって当該参照画素と隣接する参照画素の出力電圧との電圧差を検出する第２電圧差検出手段と、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差と、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差とに基づいて前記被検査画素の欠陥を判定する欠陥判定手段として機能させることを特徴とするものである。

これによって、形態８と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かを正確かつ容易に判定することができる。
また、本発明装置が組み込まれるデジタルカメラや携帯電話などといった現在市場に出回っているほとんどの電子機器には、中央処理装置（ＣＰＵ）や記憶装置（ＲＡＭ、ＲＯＭ）、入出力装置などからなるコンピュータシステムが備えられており、そのコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができる。従って、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態１８］また、形態１８に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態１７に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記欠陥判定手段は、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態９と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かを正確かつ容易に判定することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態１９］また、形態１９に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態１７に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記被検査画素特定手段で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第３電圧差検出手段を備え、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された電圧差および前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差がいずれも所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第３電圧差検出手段で検出された電圧差および前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差のいずれか一方または両方が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出手段で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１０と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２０］また、形態２０に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態１９に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記第３電圧差検出手段は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１１と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２１］また、形態２１に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態２０に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記第３電圧差検出手段は、前記第１および第２電圧差検出手段でそれぞれ出力電圧が検出される画素が前記被検査画素と同一のライン上に存在するときは、当該ラインとは異なる別のライン上の同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１２と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２２］また、形態２２に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態２１に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、単板式撮像センサの全画素のうち、Ｎライン単位で各画素の出力電圧を記憶する記憶手段を備え、前記第３電圧差検出手段は、当該記憶手段に記憶された各画素の範囲内で、前記別ライン上の同色の他の隣接画素を選択して当該隣接画素の出力電圧との電圧差を検出するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、前記形態１３と同様に、Ｎライン分の画素をまとめて処理できるため、高速な処理が実現できると共に、新規にラインメモリを増やす必要もなくなり、装置のコストアップや複雑化を回避することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２３］また、形態２３に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態２０に記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記第３電圧差検出手段は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定手段は、当該第３電圧差検出手段で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１４と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２４］また、形態２４に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態１７〜２３のいずれかに記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正装置を備え、当該出力電圧補正装置は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最大の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１５と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２５］また、形態２５に係る欠陥画素処理プログラムは、
形態１７〜２３のいずれかに記載の欠陥画素処理プログラムにおいて、前記前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正装置を備え、当該出力電圧補正装置は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最小の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１６と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。
また、形態１７と同様に、デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に標準的に備わっているコンピュータシステムを用いてソフトウェアによって前記各手段を実現することができるため、専用のハードウェアを作成して前記各手段を実現する場合に比べて経済的かつ容易に実現することができる。さらに、プログラムの一部を書き換えることによって機能改変や改良などによるバージョンアップも容易に行うことができる。

［形態２６］また、形態２６に係る欠陥画素処理プログラムは、
前記形態１７〜２５のいずれかに記載の欠陥画素処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
これによって、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ、ＦＤ、半導体チップなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を介して前記形態１７〜２５のいずれかに記載の欠陥画素処理プログラムをユーザなどの需用者に対して容易かつ確実に提供することができる。

［形態２７］また、形態２７に係る欠陥画素処理方法は、
それぞれ受光する光の色が異なる光電変換素子からなる画素を複数備えた単板式撮像センサの欠陥画素を検出する方法であって、前記複数の光電変換素子のなかから所定の被検査画素を特定する被検査画素特定工程と、当該被検査画素特定工程で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第１電圧差検出工程と、前記被検査画素に隣接する異色の参照画素の出力電圧と、当該参照画素と同色であって当該参照画素と隣接する他の参照画素の出力電圧との電圧差を検出する第２電圧差検出工程と、前記第１電圧差検出手段で検出された電圧差と、前記第２電圧差検出工程で検出された電圧差とに基づいて前記被検査画素の欠陥を判定する欠陥判定工程とを備えたことを特徴とするものである。
これによって、形態８と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かを正確かつ容易に判定することができる。

［形態２８］また、形態２８に係る欠陥画素処理方法は、
形態２７に記載の欠陥画素処理方法において、前記欠陥判定工程は、前記第１電圧差検出工程で検出された電圧差が所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第１電圧差検出工程で検出された電圧差が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出工程で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態９と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かを正確かつ容易に判定することができる。

［形態２９］また、形態２９に係る欠陥画素処理方法は、
形態２７に記載の欠陥画素処理方法において、前記被検査画素特定工程で特定された被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第３電圧差検出工程を備え、前記欠陥判定工程は、当該第３電圧差検出工程で検出された電圧差および前記第１電圧差検出工程で検出された電圧差がいずれも所定の閾値を超えないときは前記被検査画素を欠陥画素でないと判定し、前記第３電圧差検出工程で検出された電圧差および前記第１電圧差検出工程で検出された電圧差のいずれか一方または両方が所定の閾値を超えるときは、前記第２電圧差検出工程で検出された電圧差に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態１０と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態３０］また、形態３０に係る欠陥画素処理方法は、
形態２７に記載の欠陥画素処理方法において、前記第３電圧差検出工程は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定工程は、当該第３電圧差検出工程で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態１１と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態３１］また、形態３１に係る欠陥画素処理方法は、
形態３０に記載の欠陥画素処理方法において、前記第３電圧差検出工程は、前記第１および第２電圧差検出工程でそれぞれ出力電圧が検出される画素が前記被検査画素と同一のライン上に存在するときは、当該ラインとは異なる別のライン上の同色の他の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態１２と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態３２］また、形態３２に係る欠陥画素処理方法は、
形態３１に記載の欠陥画素処理方法において、単板式撮像センサの全画素のうち、Ｎライン単位で各画素の出力電圧を記憶する記憶工程を備え、前記第３電圧差検出工程は、当該記憶手段に記憶された各画素の範囲内で、前記別ライン上の同色の他の隣接画素を選択して当該隣接画素の出力電圧との電圧差を検出することを特徴とするものである。
これによって、前記形態１３と同様に、Ｎライン分の画素をまとめて処理できるため、高速な処理が実現できると共に、新規にラインメモリを増やす必要もなくなり、装置のコストアップや複雑化を回避することができる。

［形態３３］また、形態３３に係る欠陥画素処理方法は、
形態３０に記載の欠陥画素処理方法において、前記第３電圧差検出工程は、前記被検査画素の出力電圧と当該被検査画素と同色の他の２つ以上の隣接画素の出力電圧との電圧差をそれぞれ検出し、前記欠陥判定工程は、当該第３電圧差検出工程で検出された複数の電圧差に基づいて輝度の分布を推定し、当該輝度の分布に基づいて前記被検査画素の欠陥を判定するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態１４と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かをさらにより正確に判定することができる。

［形態３４］また、形態３４に係る欠陥画素処理方法は、
形態２８〜３３のいずれかに記載の欠陥画素処理方法において、前記前記欠陥判定工程で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正工程を備え、当該出力電圧補正工程は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最大の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。
これによって、形態１５と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。

［形態３５］また、形態３５に係る欠陥画素処理方法は、
形態２８〜３３のいずれかに記載の欠陥画素処理方法において、前記前記欠陥判定工程で欠陥と判定された前記被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正工程を備え、当該出力電圧補正工程は、当該欠陥画素の出力電圧を、当該欠陥画素を挟みまたは囲む２以上の隣接画素が出力する電圧のうち最小の輝度に相当する出力電圧に補正するようになっていることを特徴とするものである。

これによって、形態１６と同様に被検査画素特定手段で特定された被検査画素が異常な出力電圧を発生する欠陥画素であるか否かの判定を行えるだけでなく、出力電圧補正手段を備えることにより、被検査画素が欠陥画素であると判定した場合にはその出力電圧を妥当な値に補正することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を添付図面を参照しながら詳述する。
図１〜図２２は、本発明の画素の検査方法および画素の出力電圧の補正方法、並びに欠陥画素処理装置、欠陥画素処理プログラム、欠陥画素処理方法、および前記プログラムを記録した記録媒体に関する実施の形態を示したものである。
図１は、本発明に係る欠陥画素処理装置１００の実施の形態を示す機能ブロック図である。

図示するように、この欠陥画素処理装置１００は、単板式撮像センサＳを構成する複数の画素のなかから被検査画素を特定する被検査画素特定手段１０と、この被検査画素特定手段１０で特定された被検査画素の出力電圧とこの被検査画素と同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する第１電圧差検出手段２０と、前記被検査画素に隣接する異色の参照画素と、当該参照画素と同色であってその参照画素と隣接する参照画素の出力電圧との電圧差を検出する第２電圧差検出手段３０と、前記第１電圧差検出手段１０で検出された電圧差と、前記第２電圧差検出手段２０で検出された電圧差とに基づいて前記被検査画素の欠陥を判定する欠陥判定手段４０と、この欠陥判定手段４０で欠陥画素と判断された被検査画素の出力電圧を補正する出力電圧補正手段５０とから主に構成されている。

先ず、被検査画素特定手段１０は、単板式撮像センサＳの受光面に縦横に配置された各画素を順次走査（スキャン）するに際して、原則としてその走査方向のすべての画素を被検査画素として特定するようになっている。例えば、図３に示すように、受光する色が異なる光電変換素子からなる画素Ｐが縦横に配列された単板式撮像センサＳの場合は、左上の画素（Ｒ１１）を始点としてこれより水平（ライン）方向に走査し、そのラインの右端の画素に到達したならば、次にその下のラインに移動し、そのラインの左端の画素（Ｇ２１）を始点としてそのラインを右方向に走査しながら順に被検査画素を特定するようになっている。

次に、第１電圧差検出手段２０は、被検査画素Ｐの出力電圧とこの被検査画素Ｐと同色の隣接画素の出力電圧との電圧差を検出する機能を提供するようになっている。
すなわち、例えば、図３に示すように、被検査画素Ｐが上から３ライン目で左から５列目の赤色の画素「Ｒ３５」であって、これと同色の隣接画素が同ラインで左から３列目の赤色の画素「Ｒ３３」であるとすると、この画素「Ｒ３５」の出力電圧と画素「Ｒ３３」の出力電圧との電圧差を検出してその電圧差を第２電圧差検出手段３０に入力するようになっている。

第２電圧差検出手段３０は、前記被検査画素Ｐに隣接する異色の参照画素と、その参照画素と同色であってその参照画素と隣接する参照画素の出力電圧との電圧差を検出する機能を提供するようになっている。
例えば、図３に示すように、赤色の画素「Ｒ３５」の被検査画素Ｐに隣接する異色の参照画素Ｐが緑色の「Ｇ３４」であって、その画素「Ｇ３４」と隣接する参照画素が、同ラインで左から６列目の緑色の画素「Ｒ３６」であるとすると、これら画素「Ｒ３４」の出力電圧と画素「Ｒ３６」の出力電圧との電圧差を検出してその電圧差を第２電圧差検出手段３０に入力するようになっている。

次に、欠陥判定手段４０は、前記第１電圧差検出手段１０で検出された電圧差と、前記第２電圧差検出手段２０で検出された電圧差とに基づいて前記被検査画素Ｐの欠陥を判定する機能を提供するようになっており、その具体例については、後に後述する。
出力電圧補正手段５０は、この欠陥判定手段４０で欠陥画素と判断された被検査画素の出力電圧を補正する機能を提供するようになっており、その具体例についても、同様に後に後述する。

ここで、この欠陥画素処理装置１００は、前記被検査画素特定手段１０、第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、欠陥判定手段４０、出力電圧補正手段５０などをソフトウェア上で実現するためのコンピュータシステムを備えており、そのハードウェア構成は、図２に示すように、各種制御や演算処理を担う中央演算処理装置であるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）６０と、主記憶装置（Ｍａｉｎ Ｓｔｏｒａｇｅ）を構成するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）６２と、読み出し専用の記憶装置であるＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）６４との間をＰＣＩ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ）バスやＩＳＡ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ）バス等からなる各種内外バス６８で接続すると共に、このバス６８に入出力インタフェース（Ｉ／Ｆ）６６を介して、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）などの外部記憶装置（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｓｔｏｒａｇｅ）７０や、印刷手段２０やＣＲＴ、ＬＣＤモニター等の出力装置７２、操作パネルやマウス、キーボード、スキャナなどの入力装置７４、および図示しない印刷指示装置などと通信するためのネットワークＬなどを接続したものである。

そして、電源を投入すると、ＲＯＭ６４等に記憶されたＢＩＯＳ等のシステムプログラムが、ＲＯＭ６４に予め記憶された各種専用のコンピュータプログラム、あるいは、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）などの記憶媒体を介して、またはインターネットなどの通信ネットワークＬを介して記憶装置７０にインストールされた各種専用のコンピュータプログラムを同じくＲＡＭ６２にロードし、そのＲＡＭ６２にロードされたプログラムに記述された命令に従ってＣＰＵ６０が各種リソースを駆使して所定の制御および演算処理を行うことで前述したような各手段の各機能をソフトウェア上で実現できるようになっている。

次に、このような構成をした欠陥画素処理装置１００を用いた欠陥画素処理に関する処理の実施例を図３および図４、図５などを主に参照しながら説明する。

図３は、実施例１の画素の検査方法により検査する単板式撮像センサＳの一例を示したものである。
実施例１の単板式撮像センサＳは、例えば、携帯電話およびデジタルカメラ等のデジタル形式で撮像する機能を有する電子機器（図示せず）に設けられており、図３に示されるように、それぞれＸＹ平面でマトリクス状に配置された光電変換素子からなる複数の画素Ｐ（「Ｒ１１」、「Ｇ１２」、「Ｒ１３」、…）からなり、各画素Ｐは、当該画素と同色の画素に隣接することなく、換言すれば、異なる色の画素Ｐに隣接して挟まれまたは囲まれて配置されている。

例えば、上から３行（ライン）目で左から４列目の赤色の画素「Ｒ３５」に注目すると、この赤色の画素「Ｒ３５」は、青色の画素「Ｂ２４」、緑色の画素「Ｇ２５」、青色の画素「Ｂ２６」、緑色の画素「Ｇ３４」、緑色の画素「Ｇ３６」、青色の画素Ｂ４４、緑色の画素Ｇ４５、青色の画素Ｂ４６に隣接して挟まれ、または囲まれている。すなわち、この「Ｒ３５」の「３５」は、３行５列に位置する画素であることを意味し、「Ｒ」、「Ｇ」、「Ｂ」は、それぞれ、撮影すべき対象物から受け光に含まれる赤色、緑色、青色の輝度を電圧に変換する画素であることを意味する。

そして、同じ色の各画素間においては、変換すべき色が同一の輝度であれば、同一の電圧を出力する。
例えば、赤色の画素「Ｒ３３」、画素「Ｒ３５」、画素「Ｒ３７」に、光Ｌに含まれ画素「Ｒ３３」、「Ｒ３５」、「Ｒ３７」に入射する赤光「ＬＲ３３」、赤光「ＬＲ３５」、赤光「ＬＲ３７」が同一の輝度を有するときには、画素「Ｒ３３」、「Ｒ３５」、「Ｒ３７」から出力される電圧「ＶＲ３３」、「ＶＲ３５」、「Ｖ３７」は、同一の大きさである。緑色と青色についても、同じ色同士であれば、同様のことがいえる。

以下の説明では、同様にして、例えば、赤光「ＬＲ１１（図示せず）」が画素「１１Ｒ」が入射され、画素「Ｒ１１」は、当該赤光「ＬＲ１１」に対応する電圧「ＶＲ１１（図示せず）」を出力するという関係が、すべて画素について適用されることを前提とする。また、画素から出力される電圧が当該画素が満足すべき許容範囲を超えて大きい輝度（白っぽくなる）を示すような画素を欠陥画素であると認定することを想定する。さらに、説明および理解を容易にすべく、以下の説明では、赤色の画素「Ｒ３５」が、欠陥画素であるか否かを検査すべき検査対象の画素（以下、「被検査画素（Ｐ）」という。）であることを想定する。

図５は、実施例１の画素の検査方法を示す。以下、実施例１の画素の検査方法について図５に沿って説明する。
工程Ｓ１０：先ず、最初の工程Ｓ１０では前述した本発明装置１００の被検査画素特定手段１０によって順次特定された被検査画素が、例えば図３に示すように３行５列目の赤色の画素「Ｒ３５」であるとすると、本発明装置１００の第１電圧差検出手段２０がその被検査画素である赤色の画素「Ｒ３５」が赤光「ＬＲ３５」を受けて出力する電圧「ＶＲ３５」を検出する。同様にして、本発明装置１００の第２電圧差検出手段３０がこの赤色の画素「Ｒ３５」に隣接する参照画素となる緑色の画素「Ｇ３４」が緑光「ＬＧ３４」を受けて出力する電圧「ＶＧ３４」を検出し、さらに前記第１電圧差検出手段２０が緑色の画素「Ｇ３４」に隣接する、３行３列目の赤色の画素「Ｒ３３」、換言すれば、赤色について赤色の画素「Ｒ３５」に隣接する（以下、「次隣接する」という。）赤色の画素「Ｒ３３」から出力される電圧「ＶＲ３３」を検出し、さらに、前記第２電圧差検出手段２０がこの赤色の画素「Ｒ３５」に次隣接する緑色の画素「Ｇ３６」から出力される電圧「ＶＧ３６」を検出する。つまり、第１電圧差検出手段２０が赤色の画素「Ｒ３３」と「Ｒ３５」の電圧を、第２電圧差検出手段３０が緑色の画素「Ｇ３４」と「Ｇ３６」の電圧を、それぞれ検出する。

工程Ｓ１１：次に、次工程Ｓ１１では、これら第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０がそれぞれ次隣接する画素の出力電圧間の電圧差を算出し、より具体的には、赤色については、電圧「ＶＲ３３」および電圧「ＶＲ３５」間の電圧差「ＶＤ（３３−３５）」を検出し、緑色については、電圧「ＶＧ３４」および電圧「ＶＧ３６」間の電圧差「ＶＤ（３４−３６）」を算出する。

工程Ｓ１２：次に、工程Ｓ１２では、本発明装置１００の欠陥判定手段４０が赤色についての電圧差「ＶＤ（３３−３５）」が所定の閾値電圧「Ｖｔｈ１（実験および試作等の経験により得られる妥当な値）」より大きいか否かを判断する。大きいと判断しないときには、工程Ｓ１３に進み、大きいと判断するときには、工程Ｓ１４に進む。
工程Ｓ１３：画素「Ｒ３５」を欠陥画素でないと認定する。

工程Ｓ１４：電圧差「ＶＤ（３４−３６）」が所定の閾値「Ｖｔｈ２（閾値Ｖｔｈ１と同様に、経験的に得られる妥当な値）」より小さいか否かを判断する。小さいと判断しないときには、工程Ｓ１５に進み、小さいと判断するときには、工程Ｓ１６に進む。
工程Ｓ１５：画素「Ｒ３５」を欠陥画素でないと認定する。
工程Ｓ１６：画素「Ｇ３５」を欠陥画素であると認定する。

上述したように、実施例１の画素の検査方法では、被検査画素である赤色の画素「Ｒ３５」の出力電圧「ＶＲ３５」および次隣接する赤色の画素「Ｒ３３」の出力電圧「ＶＲ３３」の出力電圧「ＶＲ３３」間の電圧差「ＶＤ（３３−３５）」が所定の閾値「Ｖｔｈ１」より大きい場合であって、換言すれば、赤色の画素「Ｒ３５」が、次隣接する赤色の画素「Ｒ３３」との比較により欠陥画素である可能性があると推定される場合であって、被検査画素である画素「Ｒ３５」を挟むように隣接する緑色の画素「Ｇ３４」の出力電圧「ＶＧ３４」および緑色の画素「Ｇ３６」の出力電圧「ＶＧ３６」間の電圧差「ＶＤ（３４−３６）」が所定の閾値「Ｖｔｈ２」より小さいとき、換言すれば、緑色の画素「Ｇ３４」および緑色の画素「Ｇ３６」の近傍で輝度の変化がほとんどないと予想されるとき、画素「Ｒ３５」を欠陥画素であると認定することから、赤色の被検査画素「Ｒ３５」に隣接する緑色の画素「Ｇ３４」および緑色の画素「Ｇ３６」が被検査画素「Ｒ３５」と同色でなくても、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かを判断することができる。

〈変形例１〉
前記したような、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かを横方向（Ｘ方向）に並ぶ一の組の画素「Ｒ３３」、「Ｇ３４」、「Ｒ３５」、「Ｇ３６」を用いて判断することに代えて、図６に示されるように、横方向（Ｘ方向）に並ぶ他の組の画素「Ｇ３４」、「Ｒ３５」、「Ｇ３６」、「Ｒ３７」を用いることによっても同様に判断することができ、また、図７に示されるように、縦方向（Ｙ方向）に並ぶ画素「Ｒ１５」、「Ｇ２５」、「Ｒ３５」、「Ｇ４５」を用いることによっても同様に判断することができ、さらに、図８に示されるように、横方向（Ｘ方向）および縦方向（Ｙ方向）に代えて、斜め方向に並ぶ画素、例えば、画素「Ｒ１３」、「Ｂ２４」、「Ｒ３５」、「Ｂ４６」を用いることによっても同様に判断することができる。

〈変形例２〉
前記したように、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かの判断を、赤色についての電圧差「ＶＤ（３３−３５）」が所定の閾値「Ｖｔｈ１」より大きいか否か、および緑色についての電圧差「ＶＤ（３４−３６）」が所定の閾値「Ｖｔｈ２」より小さいか否かに基づくことに加えて、図９に示されるように、被検査画素「Ｒ３５」の出力電圧「ＶＲ３５」、および次隣接する画素「Ｒ３７」の出力電圧「ＶＲ３７」間の電圧差「ＶＤ（３５−３７）」が前記所定の閾値電圧「Ｖｔｈ１」より大きいか否かに基づくことにより、換言すれば、赤色についての電圧差「ＶＤ（３３−３５）」＞「閾値電圧Ｖｔｈ１」および赤色についての「電圧差ＶＤ（３５−３７）」＞「閾値電圧Ｖｔｈ１」という２つの式に基づき被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素である可能性があることを推定し、当該推定の下に、緑色についての電圧差「ＶＤ（３４−３６）」＜「Ｖｔｈ２」に基づき、前記推定の当否を確認することにより、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるとの判定の正確さを向上させることが可能となる。
前記処理では、例えば、電圧差「ＶＤ（３３−３５）」＞「Ｖｔｈ１」と電圧差「ＶＤ（３５−３７）」＞「Ｖｔｈ１」の両方を満たす場合、被検査画素「Ｒ３５」は周辺とは異なる輝度を持つことになる。この場合、赤色については欠陥があると推定されることになる。

〈変形例３〉
前記したような、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かの判断に、横方向（Ｘ方向）に配列された画素「Ｒ３３」〜「Ｇ３６」を用いることに加えて、図１０に示されるように、例えば、縦方向（Ｙ方向）に配列された画素「Ｒ１５」、「Ｇ２５」、「Ｒ３５」、「Ｇ４５」を用いることにより、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かの判断をより的確に行うことができ、例えば、画素「Ｒ３３」〜「Ｇ３６」に基づき被検査画素「Ｒ３５」を欠陥画素であると予想した場合であっても、画素「Ｒ１５」〜「Ｇ４５」に基づき画素「Ｒ１５」、「Ｒ３５」に入射される赤光「ＬＲ１５」、「ＬＲ３５」の輝度が概ね同一であると予想されるときには、すなわち、画素「Ｒ３５」が次隣接画素「Ｒ１５」との比較から正常な画素であると予想されるときには、被検査画素「Ｒ３５」を欠陥画素であると結論付けることができる。

同様にして、図１１に示されるように、被検査画素「Ｒ３５」と、例えば、縦方向（Ｙ方向）のラインまたは斜め方向のラインに次隣接する画素「Ｒ１３」、「Ｒ１５」、「Ｒ１７」のうちの少なくとも１つの画素との出力電圧間の電圧差、例えば、被検査画素「Ｒ３５」の出力電圧「ＶＲ３５」と次隣接画素「Ｒ１３」の出力電圧「ＶＲ１３」との間の電圧差「ＶＤ（１３−３５）」を参酌することにより、前記の図１０に示された変形例３と概ね同様な効果を得ることができると共に、前記の変形例３に比して、画素を記憶させておくべきメモリ領域のサイズを４行分から３行分へ低減することができる。

ここで、図１１に示したような検査方法にあっては、少なくとも４行分のラインメモリさえ存在すれば、一度の読み込みによってその４行分すべての画素の検査を行うことが可能となる。
図１２は、このように４行分のラインメモリを用いて図１１に示したような検査方法を実施するためのフローを示したものである。なお、ここでは、被検査画素と同一ライン上に存在する画素については省略し、別ラインに存在する参照画素データのみについて注目して説明する。

工程Ｓ２０、Ｓ２１：先ず、最初の工程Ｓ２０において、被検査画素が存在する４つのラインのうち最初のライン番号（Ｌ Ｎｏ＝１）をセットしてから次の工程Ｓ２１で被検査画素を特定する。
工程Ｓ２２：次の工程Ｓ２２では、前工程Ｓ２１で特定された被検査画素の色を検出し、検出された色が「Ｒ」または「Ｂ」のときは、工程Ｓ２３側に、また、検出された色が「Ｇ」のときは、工程Ｓ２４側にそれぞれ移行する。

工程Ｓ２３：工程Ｓ２３では、「Ｒ」または「Ｂ」の被検査画素のライン番号を判定し、判定されたそのライン番号に応じて参照する３つの同色の画素を特定する。
例えば、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝１」または「Ｌ Ｎｏ＝２」、すなわち、上から１行目または２行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ＋２、ｘ−２）と、（ｙ＋２、ｘ）と、（ｙ＋２、ｘ＋２）の３つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

また、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝３」または「Ｌ Ｎｏ＝４」、すなわち、上から３行目または４行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ−２、ｘ−２）と、（ｙ−２、ｘ）と、（ｙ−２、ｘ＋２）の３つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を同じく前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

工程２４：一方、工程２４では、「Ｇ」の被検査画素のライン番号を判定し、判定されたそのライン番号に応じて参照する３つまたは５つの緑色の画素を特定する。すなわち、図３などに示したように、通常の単板式撮像センサＳにあっては、人間の視覚特性上敏感に認識される「Ｇ」の画素が多く、「Ｒ」と「Ｂ」の画素の合計数の２倍の数となっており、被検査画素に対してこれを囲むようにそれぞれ斜め方向に１つずつ存在している。

従って、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝１」、すなわち、上から１行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ＋１、ｘ−１）と、（ｙ＋１、ｘ＋１）と、（ｙ＋２、ｘ）の３つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

また、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝２」、すなわち、上から２行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ−１、ｘ−１）と、（ｙ−１、ｘ＋１）と、（ｙ＋１、ｘ−１）と、（ｙ＋１、ｘ＋１）と、（ｙ＋２、ｘ）の５つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

また、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝３」、すなわち、上から３行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ−１、ｘ−１）と、（ｙ−１、ｘ＋１）と、（ｙ−２、ｘ）と、（ｙ＋１、ｘ−１）と、（ｙ＋１、ｘ＋１）の５つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

また、被検査画素のライン番号が「Ｌ Ｎｏ＝４」、すなわち、上から４行目のときは、図１３の太枠で示した被検査画素Ｐの位置（ｙ、ｘ）に対して、（ｙ−１、ｘ−１）と、（ｙ−１、ｘ＋１）と、（ｙ−２、ｘ）の３つの画素Ｐをそれぞれ隣接する参照画素として特定し、それらの参照画素を前記第１電圧差検出手段２０、第２電圧差検出手段３０、第３電圧差検出手段（図示せず）、欠陥画素判定手段４０にセットする。

図１５は、この工程Ｓ２１〜工程２３の処理の具体例を図示したものである。
例えば、同図（Ａ）に示すように、被検査画素Ｐが１行目の赤色の画素「Ｒ１０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、これより下方の３行目の赤色の画素「Ｒ３１」と、「Ｒ３０」と、「Ｒ３２」となり、また、同図（Ｂ）に示すように、被検査画素Ｐが２行目の赤色の画素「Ｒ２０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、これより下方の４行目の赤色の画素「Ｒ４１」と、「Ｒ４０」と、「Ｒ４２」となる。また、同図（Ｃ）に示すように、被検査画素Ｐが３行目の赤色の画素「Ｒ３０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、反対にこれより上方の１行目の赤色の画素「Ｒ１１」と、「Ｒ１０」と、「Ｒ１２」となり、また、同図（Ｄ）に示すように、被検査画素Ｐが４行目の赤色の画素「Ｒ４０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、同じくこれより上方の２行目の赤色の画素「Ｒ２１」と、「Ｒ２０」と、「Ｒ２２」となる。

また、図１６は、この工程Ｓ２１〜工程２４の処理の具体例を図示したものである。
例えば、同図（Ａ）に示すように、被検査画素Ｐが１行目の緑色の画素「Ｇ１０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、これより下方の２行目および３行目の３つの緑色の画素「Ｇ２１」と、「Ｇ３０」と、「Ｇ２２」となり、また、同図（Ｂ）に示すように、被検査画素Ｐが２行目の緑色の画素「Ｇ２０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、１行目と３行目と４行目の緑色の画素「Ｇ１１」と、「Ｇ１２」と、「Ｇ３１」と、「Ｇ３２」と、「Ｇ４０」の５つの画素となる。また、同図（Ｃ）に示すように、被検査画素Ｐが３行目の緑色の画素「Ｇ３０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、１行目、２行目および４行目の緑色の画素「Ｇ１０」と、「Ｇ２１」と、「Ｇ２２」と、「Ｇ３０」と、「Ｇ４１」と、「Ｇ４２」の５つとなり、また、同図（Ｄ）に示すように、被検査画素Ｐが４行目の緑色の画素「Ｇ４０」であったとすると、この被検査画素Ｐに対する参照画素は、２行目および３行目の緑色の画素「Ｇ２０」と、「Ｇ３１」と、「Ｇ３２」となる。

工程Ｓ２５：次に、工程２５では、このようにして順次特定された被検査画素Ｐおよびその参照画素の出力電圧に基づいて前述した例のようにしてその被検査画素Ｐが欠陥画素であるか否かを判定する。
なお、このとき、被検査画素Ｐが緑色の画素の場合は、１行目および４行目の場合には参照画素が３つになるのに対し、２行目および３行目の場合には参照画素が５つになるため、より正確に欠陥画素であるか否かを判定することが可能となるがその分判定処理が多くなる。そのため、このように緑色の画素が２行目および３行目の場合にも、図１７に示すように１行目および４行目と同様に参照画素を３つに限定すれば、より高速に欠陥画素であるか否かを判定することが可能となる。

工程Ｓ２６：次の工程Ｓ２６では、このよう欠陥画素判定が行われた被検査画素が最後のライン番号、すなわち、４行目（Ｌ Ｎｏ＝４）のラインであるか否かを判断し、４行目のラインではないと判断したとき（Ｎｏ）は、工程Ｓ２８側に移行し、反対に４行目のラインであると判断したとき（Ｙｅｓ）は、工程Ｓ２７側に移行する。
工程Ｓ２８：工程Ｓ２８では、図１４の矢印Ｂに示すように被検査画素Ｐの対象ラインを１行下げてから先の工程Ｓ２２に戻り、その対象ライン上のすべての被検査画素Ｐに対して同様な処理を繰り返す。

工程Ｓ２７：工程Ｓ２７では、前の工程Ｓ２６で処理が終了したと判断した４行目のラインが、検査対象となる単板式撮像センサＳの全ラインにおける最終ラインに達したかどうか、すなわち、すべてのラインについて前述したような欠陥画素判定処理が終了したか否かを判断し、終了したと判断したとき（Ｙｅｓ）は、処理を終了することになるが、終了していないと判断したとき（Ｎｏ）は、工程Ｓ２９側に移行する。

工程Ｓ２９：工程Ｓ２９では、図１４の矢印Ａに示すように、対象処理ラインを１行下に移動して最初の工程Ｓ２０に戻って同様な処理を繰り返す。
これによって、前述したように少なくとも４行分のラインメモリさえ存在すれば、一度の読み込みによってその４行分すべての画素の検査を効率良く行うことが可能となる。さらに、後段の処理で４行分の画素データを用いて、例えば、中央の１ラインデータを生成するような処理になっている場合、必ず４ラインのラインメモリは必要になる。この場合、欠陥画素補正のために新規にラインメモリを設けることなく、縦横の相関を利用した欠陥画素の検出が可能になる。

また、前記したような、被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かを判断を、電圧差「ＶＤ（３３−３５）」が閾値電圧「Ｖｔｈ１」より大きいか否か、および電圧差「ＶＤ（３４−３６）」が閾値電圧「Ｖｔｈ２」より小さいか否かに基づくことに加えて、被検査画素「Ｒ３５」の出力電圧「ＶＲ３５」と、次隣接する画素である「Ｒ１３」、「Ｒ１５」、「Ｒ１７」、「Ｒ３３」、「Ｒ３７」、「Ｒ５３」、「Ｒ５５」、「Ｒ５７」の出力電圧「ＶＲ１３」、「ＶＲ１５」、…との間の電圧差「ＶＤ（１３−３５）」、「ＶＤ（１５−３５）」、…に基づくことにより、例えば、図１８に示されるように、画素「Ｒ１５」、「Ｇ２５」、「Ｒ３５」、「Ｇ４５」、「Ｒ５５」についての赤光「ＬＲ１５」、緑光「ＬＧ２５」、赤光「ＬＲ３５」、緑光「ＬＧ４５」、赤光「ＬＲ５５」の輝度が、他の画素「Ｒ１３」、「Ｇ１４」、「Ｇ１６」、「Ｒ１７」、…についての赤光および緑光「ＬＲ１３」、「Ｇ１４」、「Ｇ１６」、「Ｒ１７」、…の輝度より高いと判断されるときには、すなわち、画素「Ｒ１５」〜「Ｒ５５」が高輝度領域にあり、その他の画素「Ｒ１５」、「Ｇ２５」、…が低輝度領域にあると判断されるときには、被検査画素「Ｒ３５」が大きい電圧を出力する原因が前記の高輝度であると推定されることから、被検査画素「Ｒ３５」を欠陥画素であると判断しないと結論付けることができる。

〈変形例４〉
前記したような、画素「Ｒ３３」〜「Ｇ３６」を用いることに加えて、図１９に示されるように、被検査画素「Ｒ３５」と異なる色である「Ｇ３２」、「Ｇ３４」、「Ｇ３６」、「Ｇ３８」、…について、２つの画素の出力電圧間の電圧差を順次算出し、より具体的には、画素「Ｇ３２」、「Ｇ３４」の出力電圧間の電圧「ＶＤ（３２−３４）」、画素「Ｇ３４」、「Ｇ３６」の出力電圧間の電圧差「ＶＤ（３３−３６）」、画素「Ｇ３６」、「Ｇ３８」の出力電圧間の電圧差「ＶＤ（３６−３８）」、…のように順次算出し、当該算出された複数の電圧差「ＶＤ（３２−３４）」等に基づき前記光Ｌの輝度の分布を推定する。より具体的には、電圧差「ＶＤ（３２−３４）」、電圧差「ＶＤ（３４−３６）」、電圧差「ＶＤ（３６−３８）」、…のすべてが所定の閾値「Ｖｔｈ２」より小さいときには、前記光「Ｌ」の輝度分布が均一であると推定し、他方で、そうでないときには、前記光「Ｌ」の輝度分布が不均一であると推定し、前記被検査画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるか否かを判断するときに前記推定の結果を参酌することにより、当該判断の精度を向上させることが可能となる。これにより、例えば、画素「Ｒ３５」に入射される赤光「ＬＲ３５」の輝度のみが高く、その周辺の画素「Ｇ３４」、「Ｇ３６」、…に入射される緑色「ＬＧ３４」、「ＬＧ３６」等の輝度が低いときであっても、被検査画素である画素「Ｒ３５」を欠陥画素であると誤判断することを回避することができる。

〈変形例５〉
電圧差「ＶＤ（３３−３５）」等の電圧差を基準にして画素「Ｒ３５」が欠陥画素であるかを検査することにより、当該画素「Ｒ３５」が、後述されるような“白っぽくなる欠陥画素”または“黒っぽくなる欠陥画素”であるかを問わず、欠陥画素であるか否かを判断することができるという前記の実施例における前記検査に代えて、例えば、統計的な事情により画素「Ｒ３５」の周辺の画素の輝度が低くしかも画素「Ｒ３５」の輝度が高い場合に、前記画素「Ｒ３５」が“白っぽくなる画素”であるか否かを判断すれば足りるときには、画素「Ｒ３５」の出力電圧と、その周辺の画素、例えば、画素「Ｒ３３」の出力電圧との間の電圧差「ＶＤ（３５−３３）」が閾値「Ｖｔｈ１」より大きいとき、前記画素「Ｒ３５」が“白っぽくなる欠陥画素”であると判断することが可能であり、これにより、前記した実施例での検査に比して、検査の工程数を簡略化することができる。

〈変形例６〉
電圧差「ＶＤ（３３−３５）」等の電圧差を画一的な（固定的な）閾値「Ｖｔｈ１」と比較したり、また、電圧「ＶＤ（３４−３６）」のような電圧差を画一的な閾値「Ｖｔｈ２」と比較したりする前記の実施例における当該画一的な閾値「Ｖｔｈ１」、「Ｖｔｈ２」について、例えば、閾値「Ｖｔｈ１」を固定とすることなく、画素「Ｒ３５」の画素の入力光「ＬＧ３５」と出力電圧「ＶＲ３５」と間での入出力関係に概ね正の相関を以って異なる値を取り得る閾値「ＶｔｈＸ（図示せず）」を用いることにより、前記入力出力関係における、例えば、入力光「Ｌ」が小さい（出力電圧「Ｖ」が小さい）領域では、相対的に小さい閾値「ＶｔｈＸ１」を用いた検査を行い、他方で、入力光「Ｌ」が大きさ（出力電圧「Ｖ」が大きい）領域では、相対的に大きい閾値「ＶｔｈＸｎ（ｎは、任意の整数）」を用いた検査を行うことにより、例えば、入力光「Ｌ」が大きく出力電圧「Ｖ」も大きい後者の領域において、本来であれば正常な画素であると判断されるべき画素が、欠陥画素であると誤って判断されるという可能性を低減することが可能となる。

実施例２の画素の補正方法について説明する。
実施例２の画素の補正方法は、図１に示された単板式撮像センサＳと同様な図２０に図示された単板式撮像センサＳについて、例えば実施例１の画素の検査方法を通じて、画素の変換特性が、当該画素に要求される仕様の許容範囲内にない（画素からの出力電圧が許容範囲を超えて大きい輝度（白っぽくなる）を示す））として欠陥画素であると認められた被検査画素を補正する。

実施例２の画素の補正方法では、具体的には、本発明装置１００の欠陥判定手段４０によって欠陥画素であると認定された画素の出力電圧を本発明装置１００の出力電圧補正手段５０によって補正する。例えば、赤色の画素「Ｒ３５」が欠陥画素と判定された場合は、実施例１に図示されたような赤光「ＬＲ３５」を受けて画素「Ｒ３５」が出力する電圧「ＶＲ３５」として、図２０に示されるように、欠陥画素「Ｒ３５」に次隣接する画素「Ｒ１３」、「Ｒ１５」、「Ｒ１７」、「Ｒ３３」、「Ｒ３７」、「Ｒ５３」、「Ｒ５５」、「Ｒ５７」の出力電圧「ＶＲ１３」、「ＶＲ１５」、…、「ＶＲ５７」のうち最も高い輝度（最も真っ白に近い）を表す電圧を付与する。

より具体的には、出力電圧「ＶＲ１７」が最も高い輝度を表すことを想定すると、欠陥画素である画素「Ｒ３５」から出力される電圧「ＶＲ３５」を用いずに、当該電圧「ＶＲ３５」の代わりに、前記出力電圧「ＶＲ１７」を用いる。
このように、欠陥画素「Ｒ３５」が本来であれば出力する輝度に相当する電圧「ＶＲ３５」に代えて、次隣接の画素「Ｒ１３〜Ｒ５７」の出力電圧「ＶＲ１３」〜「ＶＲ５７」のうち最も高い輝度に相当する電圧、すなわち、欠陥画素「Ｒ３５」の本来的な出力電圧に最も近い電圧（補正量が最も小さい電圧）を欠陥画素「Ｒ３５」の出力電圧であるとして用いることから、欠陥画素「Ｒ３５」の存在を目立ち難くすることが可能である。

前記と同様にして、画素の出力電圧が許容範囲を超えて小さい（黒っぽくなる）であることを理由に欠陥画素であると認定された画素の出力電圧に代えて、当該画素に次隣接する複数の出力電圧のうち最も低い輝度（最も真っ黒に近い）を表す電圧を用いることにより、前記したと同様な効果を得ることができる。
前記した、同色の画素が次隣接する、換言すれば、同色の画素が相互に隣接しない単板式撮像センサＳにおける欠陥画素に代えて、同色の画素が相互に隣接するような光電変換素子における欠陥画素についても、前記したと同様な出力電圧の補正を施すことにより、前記と同様な効果を得ることができる。

また、前述した本発明の欠陥画素処理装置１００や欠陥画素処理方法などを実現するための、各手段および各工程はパソコンなどの汎用コンピュータの他、デジタルカメラなどの画像処理用のコンピュータシステムを用いてソフトウェア上で実現することが可能であり、そのコンピュータプログラムは、予め半導体ＲＯＭに記憶させた状態で製品中に組み込んだり、インターネットなどのネットワークを介して配信する他、図２１に示すようにＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭ、ＦＤなどのコンピュータ読み取り可能な記録媒体Ｒを介することによって所望するユーザなどに対して容易に提供することが可能となる。

本発明に係る欠陥画素処理装置の実施の一形態を示すブロック図である。 本発明装置をソフトウェアで実現するためのハードウェア構成図である。 実施例１の光電変換素子を示す図。 実施例１の画素に入射する光を示す図。 実施例１の画素の検査方法を示す図。 変形例１の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その１）。 変形例１の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その２）。 変形例１の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その３）。 変形例２の画素の検査方法で用いる画素を示す図。 変形例３の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その１）。 変形例３の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その２）。 変形例３の画素の検査方法を４つのラインメモリを用いて処理する流れの一例を示したものである。 被検査画素とその近傍の画素との位置関係を示した図である。 ラインの移動方向と処理の移行方向を示す図である。 図１２の工程Ｓ２１〜工程２３の処理の具体例を示す説明図である。 図１２の工程Ｓ２１〜工程２４の処理の具体例を示す説明図である。 図１２の工程Ｓ２１〜工程２４の処理の他の具体例を示す説明図である。 変形例３の画素の検査方法で用いる画素を示す図（その３）。 変形例４の画素の検査方法で用いる画素を示す図。 実施例２の光電変換素子を示す図。 本発明に係る欠陥画素処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例を示す図である。

符号の説明

１００…欠陥画素処理装置、１０…被検査画素特定手段、２０…第１電圧差検出手段、３０…第２電圧差検出手段、４０…欠陥判定手段、５０…出力電圧補正手段、６０…ＣＰＵ、６２…ＲＡＭ、６４…ＲＯＭ、６６…インタフェース、７０…記憶装置、７２…出力装置、７４…入力装置、Ｓ…単板式撮像センサ、Ｒ（…３３、３５…）…赤色の画素、Ｂ（…２４、２６…）…青色の画素、Ｇ（…３４、３６…）…緑色の画素、Ｐ…被検査画素、Ｒ…記録媒体。

Claims (17)

1. 光電変換素子に含まれる画素を検査する画素の検査方法であって、
   前記光電変換素子が撮影すべき対象物からの光に含まれる２以上の色のうち第１色の輝度を電圧に変換する複数の第１色画素と第２色の輝度を電圧に変換する複数の第２色画素とを有し、前記複数の第１色画素が第１の第１色画素と第２の第１色画素とを含み、前記複数の第２色画素が第１の第２色画素と第２の第２色画素とを含み、前記第１の第１色画素と前記第１の第２色画素と前記第２の第１色画素と前記第２の第２色画素とが第１方向に並び、前記第１の第１色画素に前記第１の第２色画素が隣接し、前記第１の第２色画素に前記第２の第１色画素が隣接し、前記第２の第１色画素に前記第２の第２色画素が隣接するものであり、
   前記第１の第１色画素と前記第２の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第１の電圧差を検出する第１の検出工程と、
   前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素から出力される２つの電圧間での第２の電圧差を検出する第２の検出工程と、
   前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断する判断工程とを含むことを特徴とする画素の検査方法。
2. 請求項１に記載の画素の検査方法において、
   前記判断工程が、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きいか否かを判断する第１判断工程と、前記第１判断工程の結果、前記第１の電圧差が前記第１の閾値より大きいと判断した場合、前記第２の電圧差が第２の閾値より大きいか否かを判断し、前記第２の電圧差が前記第２の閾値より大きいと判断した場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断する第２判断工程と、を含むことを特徴とする画素の検査方法。
3. 請求項１または２に記載の画素の検査方法において、
   前記複数の第１色画素が第３の第１色画素を含み、前記第３の第１色画素と前記第２の第２色画素とが前記第１方向に並び、前記第３の第１色画素が前記第２の第２色画素に隣接するものであり、
   前記第２の第１色画素と前記第３の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第３の電圧差を検出する第３の検出工程を含み、
   前記判断工程において、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さく、さらに前記第３の電圧差が第３の閾値より大きい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断するものである、ことを特徴とする画素の検査方法。
4. 請求項１または２に記載の画素の検査方法において、
   前記複数の第１色画素が第３の第１色画素を含み、前記複数の第２色画素が第３の第２色画素を含み、前記第２の第１色画素と前記第３の第１色画素と前記第３の第２色画素とが第２方向に並び、前記第３の第２色画素が前記第２の第１色画素に隣接し、前記第３の第１色画素が前記第３の第２色画素に隣接するものであり、
   前記第２の第１色画素と前記第３の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第３の電圧差を検出する第３の検出工程を含み、
   前記判断工程において、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さく、さらに前記第３の電圧差が第３の閾値より小さい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断するものである、ことを特徴とする画素の検査方法。
5. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の画素の検査方法において、
   前記第１方向に並ぶ前記複数の第２色画素のうち互いに隣りに位置する２つの第２色画素から出力される２つの電圧間での電圧差を検出し、検出された複数の電圧差に基づき前記光の輝度の分布が均一であるか不均一であるかを推定する推定工程をさらに含み、
   前記判断工程は、前記第２の第１色画素が欠陥画素であるか否かの判断を、前記推定工程による前記光の輝度の分布の推定結果を参照して行うことを特徴とする画素の検査方法。
6. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の画素の検査方法を用いて前記第２の第１色画素の欠陥を検出する工程と、
   前記第２の第１色画素から出力される電圧に前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素とから出力される電圧のうち最大の輝度に相当する電圧を付与する工程と、を含むことを特徴とする画素の補正方法。
7. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の画素の検査方法を用いて前記第２の第１色画素の欠陥を検出する工程と、
   前記第２の第１色画素から出力される電圧に前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素とから出力される電圧のうち最小の輝度に相当する電圧を付与する工程と、を含むことを特徴とする画素の補正方法。
8. 光電変換素子に含まれる画素を検査する処理装置であって、
   前記光電変換素子が撮影すべき対象物からの光に含まれる２以上の色のうち第１色の輝度を電圧に変換する複数の第１色画素と第２色の輝度を電圧に変換する複数の第２色画素とを有し、前記複数の第１色画素が第１の第１色画素と第２の第１色画素とを含み、前記複数の第２色画素が第１の第２色画素と第２の第２色画素とを含み、前記第１の第１色画素と前記第１の第２色画素と前記第２の第１色画素と前記第２の第２色画素とが第１方向に並び、前記第１の第１色画素に前記第１の第２色画素が隣接し、前記第１の第２色画素に前記第２の第１色画素が隣接し、前記第２の第１色画素に前記第２の第２色画素が隣接するものであり、
   前記複数の第１色画素のなかから前記第２の第１色画素を特定する被検査画素特定手段と、
   前記第１の第１色画素と前記第２の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第１の電圧差を検出する第１電圧差検出手段と、
   前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素から出力される２つの電圧間での第２の電圧差を検出する第２電圧差検出手段と、
   前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断する欠陥判定手段と、を備えたことを特徴とする処理装置。
9. 請求項８に記載の処理装置において、
   前記欠陥判定手段が、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きいか否かを判断し、前記第１の電圧差が前記第１の閾値より大きいと判断した場合、前記第２の電圧差が第２の閾値より大きいか否かを判断し、前記第２の電圧差が前記第２の閾値より大きいと判断した場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断するものである、ことを特徴とする処理装置。
10. 請求項８または９に記載の処理装置において、
    前記欠陥判定手段が、複数の検出電圧差に基づき前記光の輝度の分布を推定し、前記第２の第１色画素が欠陥画素であるか否かの判断を、前記光の輝度の分布を参照して行うものであり、
    前記複数の検出電圧差が前記第１方向に並ぶ前記複数の第１色画素のうち互いに隣りに位置する２つの第１色画素から出力される２つの電圧間での電圧差を検出したものである、ことを特徴とする処理装置。
11. 請求項８または９に記載の処理装置において、
    前記欠陥判定手段が、複数の検出電圧差に基づき前記光の輝度の分布が均一であるか不均一であるかを推定し、前記第２の第１色画素が欠陥画素であるか否かの判断を、前記光の輝度の分布の推定結果を参照して行うものであり、
    前記複数の検出電圧差が前記第１方向に並ぶ前記複数の第２色画素のうち互いに隣りに位置する２つの第２色画素から出力される２つの電圧間での電圧差を検出したものである、ことを特徴とする処理装置。
12. 請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の処理装置において、
    前記複数の第１色画素が第３の第１色画素を含み、前記第３の第１色画素と前記第２の第２色画素とが前記第１方向に並び、前記第３の第１色画素が前記第２の第２色画素に隣接するものであり、
    前記第２の第１色画素と前記第３の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第３の電圧差を検出する第３電圧差検出手段を含み、
    前記欠陥判定手段が、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さく、さらに前記第３の電圧差が第３の閾値より大きい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断するものである、ことを特徴とする処理装置。
13. 請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の処理装置において、
    前記複数の第１色画素が第３の第１色画素を含み、前記複数の第２色画素が第３の第２色画素を含み、前記被検査画素と前記第３の第１色画素と前記第３の第２色画素とが第２方向に並び、前記第３の第２色画素が前記被検査画素に隣接し、前記第３の第１色画素が前記第３の第２色画素に隣接するものであり、
    前記第２の第１色画素と前記第３の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第３の電圧差を検出する第３電圧差検出手段を含み、
    前記欠陥判定手段が、前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さく、さらに前記第３の電圧差が第３の閾値より大きい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断するものである、ことを特徴とする処理装置。
14. 請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の処理装置において、
    前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記第２の第１色画素の出力電圧を補正する出力電圧補正手段を含み、
    前記出力電圧補正手段が前記第２の第１色画素から出力される電圧に前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素とから出力される電圧のうち最大の輝度に相当する電圧を付与するものである、ことを特徴とする処理装置。
15. 請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の処理装置において、
    前記欠陥判定手段で欠陥と判定された前記第２の第１色画素の出力電圧を補正する出力電圧補正手段を含み、
    前記出力電圧補正手段が前記第２の第１色画素から出力される電圧に前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素とから出力される電圧のうち最小の輝度に相当する電圧を付与するものである、ことを特徴とする処理装置。
16. 光電変換素子に含まれる画素をコンピュータに検査させるプログラムであって、
    前記光電変換素子が撮影すべき対象物からの光に含まれる２以上の色のうち第１色の輝度を電圧に変換する複数の第１色画素と第２色の輝度を電圧に変換する複数の第２色画素とを有し、前記複数の第１色画素が第１の第１色画素と第２の第１色画素とを含み、前記複数の第２色画素が第１の第２色画素と第２の第２色画素とを含み、前記第１の第１色画素と前記第１の第２色画素と前記第２の第１色画素と前記第２の第２色画素とが第１方向に並び、前記第１の第１色画素に前記第１の第２色画素が隣接し、前記第１の第２色画素に前記第２の第１色画素が隣接し、前記第２の第１色画素に前記第２の第２色画素が隣接するものであり、
    前記コンピュータを、
    前記複数の第１色画素のなかから前記第２の第１色画素を特定する被検査画素特定手段と、
    前記第１の第１色画素と前記第２の第１色画素とから出力される２つの電圧間での第１の電圧差を検出する第１電圧差検出手段と、
    前記第１の第２色画素と前記第２の第２色画素から出力される２つの電圧間での第２の電圧差を検出する第２電圧差検出手段と、
    前記第１の電圧差が第１の閾値より大きく、前記第２の電圧差が第２の閾値より小さい場合、前記第２の第１色画素が欠陥画素であると判断する欠陥判定手段と、として機能させることを特徴とするプログラム。
17. 前記請求項１６に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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