JP4230179B2 - ペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、様々な機能性を有する材料が開発されており、特にペロブスカイト型と呼ばれるABOxの結晶構造を有する酸化物は、超電導材料、強誘電材料、巨大磁気抵抗効果材料などとして注目されている。これらのペロブスカイト型酸化物は、薄膜として積層構造とすることにより、さらに様々な機能性を有するデバイスを生み出すことができる。
【0003】
例えば、ABOx構造のB原子としてCu(銅)を配置した複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導酸化物RA2Cu2Oy(R:希土類金属元素、A:アルカリ土類金属元素)では、2層の123系高温超電導酸化膜の間に数nmの膜厚の常電導層を挟んで超電導接合を作製し、環状の超電導配線の中へこの接合を2個配置することにより、単一磁束量子(SFQ)回路と呼ばれる超高速のスイッチング素子の基本構造を作製することができる。このSFQ回路を組み合わせることにより、半導体では実現が困難とされる超高速レベルの、AD(アナログ−デジタル)コンバータやコンピュータなどのデジタルシステムを構築することができる。
但し、2層の123系高温超電導酸化膜の間には、両層を電気的に絶縁するために数百nmの膜厚の層間絶縁膜が必要である。さらに、超電導回路のインダクタンスを低減させるために、超電導接合とは別に、グランドプレーンと呼ばれる超電導層を配置するため、このグランドプレーン超電導層と超電導接合とを電気的に絶縁するための層間絶縁膜も必要である。
【0004】
しかし、123系高温超電導酸化物は異方的な結晶構造を有しており、この結晶方位が揃わないと良好な超電導特性が得られない。このため、エピタキシャル成長と呼ばれる、結晶方位の揃った薄膜成長が必要である。異なる材料をエピタキシャル成長により積層させる場合、各材料の結晶の大きさ、すなわち格子定数が異なるため、薄膜が柱状成長し易い。すると、その柱状領域の境界部分は不安定な結晶構造となり、上下層から原子が拡散し易いという問題が生じる。特に層間絶縁膜への原子拡散は電気的な絶縁リークの原因になり易い。
【0005】
123系高温超電導酸化膜からの原子拡散を抑制する手段として、以前から種々の方法が試みられている。例えば、特開平11−86647公報には、テープ状の配向制御多結晶中間薄膜上への超電導酸化膜の積層に関して、Y2O3とCeO2の少なくとも1つからなる拡散防止層を配置する方法が示されている。また、特開2002−76457号公報には、123系高温超電導酸化膜上へのペロブスカイト型絶縁膜の積層に関して、その上層の絶縁膜に含まれるアルカリ土類金属元素の酸化物を拡散防止層として配置する方法が示されている。
【0006】
しかし、上記の先行技術のように、下層に含まれない元素で拡散防止層を形成する方法では、下層への原子拡散を防止することは難しい。特に下層が絶縁膜である場合には、下層への原子拡散が絶縁リークの原因となる。
また、特開2002−76457号公報に記載の方法では、単一の拡散防止層を配置するので、片側の層からの拡散しか防止できない。したがって、この方法は、下層が絶縁膜、上層が超電導膜の場合には、絶縁膜への拡散防止には適応できない。
【0007】
ペロブスカイト型酸化物には、アルカリ土類金属元素以外の金属元素も含まれている。2層のペロブスカイト型酸化膜からなる積層膜において、これらの金属元素の拡散防止効果を強めるために、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素の拡散防止層を厚く形成すると、上層ペロブスカイト型酸化膜のエピタキシャル成長が阻害されてしまう。特に、上層ペロブスカイト型酸化膜が超電導層のように結晶方位に敏感な材料の場合には、拡散防止層が上層の品質を劣化させてしまう。
【0008】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、まず、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素の単元素酸化膜により、上層から下層へのアルカリ土類金属元素の拡散を防止する。次に、上層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素の単元素酸化膜により、下層から上層へのアルカリ土類金属元素の拡散を防止する。また、同時に、上層ペロブスカイト型酸化膜のエピタキシャル成長を阻害することなく、2種類の単元素酸化膜の合計膜厚を厚くすることにより、上下層間におけるアルカリ土類金属元素以外の金属元素の拡散を防止する。つまり、本発明は、上下層のペロブスカイト型酸化膜の間における原子拡散を防止し、良質な上層ペロブスカイト型酸化膜を有する酸化物積層膜を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる下層単元素酸化膜と、下層単元素酸化膜に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜と、上層単元素酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜とが順次積層されてなるペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜が提供される。
【0010】
また、本発明によれば、下層ペロブスカイト型酸化膜の下に、アルカリ土類金属元素と銅元素を含む複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜が、直接または下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されてなる上記のペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜が提供される。
【0011】
さらに、本発明によれば、上層ペロブスカイト型酸化膜の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜が、直接または絶縁膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されてなる上記のペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明のペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜(以下、「酸化物積層膜」と略称する)は、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含むペロブスカイト型酸化膜の積層膜であり、下層ペロブスカイト型酸化膜、下層単元素酸化膜、上層単元素酸化膜および上層ペロブスカイト型酸化膜から構成される。
【0013】
本発明のアルカリ土類金属元素と金属元素とを含むペロブスカイト型酸化膜はABOxの一般式で示される。
ここで、Aはアルカリ土類金属元素であり、例えば、Mg、Ca、Sr、Baなどの1種または2種以上が挙げられる。つまり、Aサイトの元素はアルカリ土類金属元素であるが、その一部が他のアルカリ土類金属元素で置換された化合物も含まれる。
【0014】
Bは金属元素であり、例えば、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Hg、Tl、Pb、Biなどの金属元素、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luなどの希土類元素の1種または2種以上が挙げられる。つまり、Bサイトの金属元素は、その一部の元素が他の金属元素で置換された化合物も含まれる。特に、123系高温超電導体は、BサイトとしてCuと希土類元素R(La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)を含んだRACuOyの一般式で示される化合物である。
また、xは、アルカリ土類金属元素Aの原子価と金属元素Bの原子価との合計と、ペロブスカイト型酸化膜ABOxの酸化還元状態から決定される酸素の原子数である。
【0015】
下層ペロブスカイト型酸化膜としては、例えば、Sr2AlTaO6、SrTiO3、LaAlO3、NdGaO3などの絶縁膜などが挙げられる。
下層ペロブスカイト型酸化膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、得ようとする積層膜に対して期待する機能、効果を発揮させ得る膜厚になるように適宜設定することができる。例えば、下層ペロブスカイト型酸化膜を123系高温超電導接合回路の層間絶縁膜として適用する場合には、0.1〜0.5μm程度の膜厚が挙げられる。
【0016】
上層ペロブスカイト型酸化膜としては、例えば、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの、複合ペロブスカイト型と呼ばれる123系高温超電導膜などが挙げられる。
上層ペロブスカイト型酸化膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、得ようとする積層膜に対して期待する機能、効果を発揮させ得る膜厚になるように適宜設定することができる。例えば、上層ペロブスカイト型酸化膜を123系高温超電導接合の超電導電極として適用する場合には、0.1〜0.5μm程度の膜厚が挙げられる。
【0017】
本発明の下層単元素酸化物は、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなり、上述のABOxの一般式で示されるペロブスカイト型酸化膜に対し、AOの一般式で示される。
また、本発明の上層単元素酸化物は、下層単元素酸化物に含まれず、かつ上層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなり、上述のABOxの一般式で示されるペロブスカイト型酸化膜に対し、AOの一般式で示される。
【0018】
ここで、Aはアルカリ土類金属元素であり、例えば、Mg、Ca、Sr、Baなどの1種のみが挙げられる。つまり、Aサイトの元素はアルカリ土類金属元素であるが、その一部が他のアルカリ土類金属元素で置換された化合物も含まれる。例えば、ペロブスカイト型酸化膜をSr2AlTaO6、SrTiO3などの絶縁膜とする場合には、それらに含まれるアルカリ土類金属元素はSrであり、その単元素酸化膜はSrOである。また、ペロブスカイト型酸化膜をYBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜とする場合には、それらに含まれるアルカリ土類金属元素はBaであり、その単元素酸化膜はBaOである。
【0019】
単元素酸化膜の膜厚は、特に限定されるものではないが、下層ペロブスカイト型酸化膜および上層ペロブスカイト型酸化膜間で、両層に含まれる元素の拡散を防止できる程度の膜厚が必要である。その膜厚は厚いほうが拡散防止層としての効果は高く、少なくとも2nm以上の膜厚を必要とする。特に、上層ペロブスカイト型酸化膜の作製温度が高いほど、また作製時間が長いほど、高温に長時間曝されるために、原子拡散は促進されてしまうので、厚い単元素酸化膜を必要とする。しかし、一般に単元素酸化物はペロブスカイト型酸化物と整合する格子定数を有することが少なく、上層ペロブスカイト型酸化膜のエピタキシャル成長を阻害しないためには、これら単元素酸化膜の膜厚は、薄いほうがよい。そこで、単元素酸化膜の膜厚は、上下層のペロブスカイト型酸化膜の膜厚によって決められる。例えば、ペロブスカイト型酸化膜の膜厚が200〜300nmの場合、単元素酸化膜の膜厚は2〜10nm程度が好ましく、5nm程度がより好ましい。
【0020】
したがって、下層ペロブスカイト型酸化膜としてSr2AlTaO6などの絶縁膜、上層ペロブスカイト型酸化膜としてYBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜を用いた場合には、本発明による酸化物積層膜の構造は、YBa2Cu3O7- δ/BaO/SrO/Sr2AlTaO6となる。なお、上下層のペロブスカイト型酸化膜には、それぞれ異なるアルカリ土類金属元素が含まれる必要があるが、2種以上のアルカリ土類金属元素を含む場合には1種のみが異なっていればよく、すべてのアルカリ土類金属元素が上層と下層とで異なっている必要はない。
【0021】
以上のことから、本発明の酸化物積層膜を構成する各層をそれらの関係に基づいて一般式で示すと、次のようになる。
下層ペロブスカイト型酸化膜:ABOx
下層単元素酸化膜:AO
上層単元素酸化膜:A'O(A≠A')
上層ペロブスカイト型酸化膜:A'B'Ox'
【0022】
下層ペロブスカイト型酸化膜は、通常、下地膜上に形成される。下地膜としては、特に限定されるものではなく、本発明の酸化物積層膜の用途により、最適な材料、形状、厚みなどを適宜選択して使用することができる。下地膜は、基板であってもよく、例えば、サファイア基板、石英基板、SrTiO3、MgO、NdGaO3、(LaAlO3)0.3・(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7などの絶縁性単結晶基板、シリコン、ゲルマニウム、GaAsなどの半導体または化合物半導体基板、Pt、Irなどの金属基板などが挙げられる。これらの中でも、MgO、(LaAlO3)0.3・(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7のような、低誘電率の絶縁性単結晶基板が適当である。
また、下地膜は、上記の基板上に形成された、例えば、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜であってもよい。
【0023】
下層ペロブスカイト型酸化膜は、公知の方法、例えば、真空蒸着法、レーザ蒸着法、スパッタ法、液相エピタキシー法、ゾルゲル法、MOCVD(有機金属化学気相成長)法、LSMCD(liquid source misted chemical deposition)法などによって形成することができる。
下層単元素酸化膜、上層単元素酸化膜および上層ペロブスカイト型酸化膜は、公知の方法、例えば、上記と同様の方法により形成することができる。これら酸化膜は、連続的に形成することがより好ましい。
【0024】
以下に、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。
図1は、実施の形態1および2の酸化物積層膜の概略断面図である。
この酸化物積層膜は、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜102の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜102に含まれるアルカリ土類金属元素からなる下層単元素酸化膜103と、下層単元素酸化膜103に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜104と、上層単元素酸化膜104に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜105とが順次積層されている。図中、101は、下地膜である。
【0025】
下地膜101は、MgO、(LaAlO3)0.3・(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7のような絶縁性単結晶基板、または前記の絶縁性単結晶基板上に形成された、例えば、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜である。下地膜101が絶縁性単結晶基板の場合には、実施の形態1の酸化物積層膜となり、下地膜101が123系高温超電導膜の場合には、実施の形態2の酸化物積層膜となる。
【0026】
下層ペロブスカイト型酸化膜102は、例えば、Sr2AlTaO6のような絶縁膜であり、それに対応する下層単元素酸化膜103は、SrOである。
上層単元素酸化膜104は、例えば、BaOのような単元素酸化膜であり、それに対応する上層ペロブスカイト型酸化膜105は、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜である。
なお、単元素酸化膜104となるBaOはCやHなどと結合し易く、このような結合体は層間における金属元素の拡散防止効果を低下させる可能性があるが、この効果が阻害されない程度の量の結合体がBaOに置換されていてもよい。
【0027】
実施の形態2の酸化物積層膜は、以下の方法により形成することができる。
まず、上記の絶縁性単結晶基板(図示せず)上に、公知の方法、例えば、液相エピタキシー法によりYBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)を成長させ、表面研磨を施し、10μm程度の膜厚の123系高温超電導膜からなる下地膜101を形成する。
【0028】
次に、下地膜101上に、公知の方法、例えば、MOCVD法により、膜厚300nm程度の絶縁膜Sr2AlTaO6からなる下層ペロブスカイト型酸化膜102を積層する。
さらに、下層ペロブスカイト型酸化膜102上に、公知の方法、例えば、MOCVD法により、膜厚5nm程度のSrOからなる下層単元素酸化膜103および膜厚5nm程度のBaOからなる上層単元素酸化膜104を順次積層する。
【0029】
上記の一連のMOCVD法による薄膜成長においては、有機金属原料として、例えば、Sr(C11H19O2)2、Ba(C11H19O2)2、TaAl(O−iC3H7)8を気化させ、基板温度800℃、全圧10hPa、酸素分圧1hPaで化学反応させることにより、Sr2AlTaO6、SrOおよびBaOを成長させることができる。ここで、Sr2AlTaO6を成長させる場合には、Sr(C11H19O2)2とTaAl(O−iC3H7)8とをモル比2:1で混合したガスを、SrOを成長させる場合には、Sr(C11H19O2)2ガスを、BaOを成長させる場合には、Ba(C11H19O2)2ガスを供給することにより、同一の成膜炉で連続的に成膜することができる。
【0030】
次に、上層単元素酸化膜104の上に、公知の方法、例えば、スパッタ法により、膜厚200nm程度のYBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)からなる上層ペロブスカイト型酸化膜105を積層する。ここで、例えば、スパッタターゲットとしてはYBa2Cu3O7- δ単結晶を用い、成膜温度740℃、全圧16Pa、酸素分圧1.6Paの条件で成膜することができる。
【0031】
上記の方法により作製する酸化物積層膜において絶縁膜となる下層ペロブスカイト型酸化膜102のSr2AlTaO6の絶縁特性を評価した。評価用の試料として、直径300μmの複数の平行平板キャパシタを作製し、下地膜101と上層ペロブスカイト型酸化膜105の両超電導膜の間に50mVの交流電圧を印加し、周波数(Hz)−コンダクタンス(Ω-1)特性を測定した。得られた結果を図2に示す。
【0032】
図2(a)は、下層単元素酸化膜103と上層単元素酸化膜104とを有さないキャパシタの絶縁特性を示す図であり、電気抵抗(コンダクタンスの逆数)が1MΩ(106Ω)以上で絶縁特性が良好なキャパシタは、約77%(全30個中23個)である。
これに対して、図2(b)は、下層単元素酸化膜103として膜厚5nmのSrOと上層単元素酸化膜104として膜厚5nmのBaOとを有するキャパシタの絶縁特性を示す図であり、電気抵抗が1MΩ以上で絶縁特性が良好なキャパシタは100%(全30個中30個)であり、絶縁膜のリークがなかった。このような絶縁特性の改善は、拡散防止層(下層単元素酸化膜103と上層単元素酸化膜104)の存在により、超電導膜(上層ペロブスカイト型酸化膜105)から絶縁膜(下層ペロブスカイト型酸化膜102)への原子拡散が防止された効果である。
【0033】
また、上記の評価用の試料を用いて、絶縁膜の周波数(Hz)−比誘電率特性を測定した。得られた結果を図3に示す。
図3(a)および(b)は、それぞれ単元素酸化膜を有さないキャパシタ、および下層単元素酸化膜103と上層単元素酸化膜104とを有するキャパシタの比誘電率特性を示す図であり、絶縁膜(下層ペロブスカイト型酸化膜102)の誘電率については、拡散防止層(下層単元素酸化膜103と上層単元素酸化膜104)の有無による差異は見られなかった。
【0034】
次に、上層ペロブスカイト型酸化膜105のYBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)の超電導特性を評価した。評価用の試料を幅50μm、長さ150μmの長方形のブリッジ型に加工し、4端子法による抵抗率の温度変化、すなわち絶対温度(K)−電気抵抗率(μΩcm)特性を測定した。得られた結果を図4に示す。
【0035】
図4における「△」は膜厚5nmのSrOのみからなる拡散防止層を有する場合を示し、「▲」は膜厚5nmのSrOと膜厚5nmのBaOとからなる拡散防止層(合計膜厚10nm)を有する場合を示す。常電導状態から超電導状態への転移温度は、共に約85Kと高い値を得た。また、温度4Kにおける超電導状態から電圧状態へ転移する臨界電流密度も、約3×107A/cm2と高い値を得た。これらのことから、BaOからなる上層単元素酸化膜を積層させても、上層ペロブスカイト型酸化膜の品質を劣化させることなしに、拡散防止層の合計膜厚を増加できることがわかる。
【0036】
上記の評価結果から、下層ペロブスカイト型酸化膜として絶縁膜のSr2AlTaO6、2種類のアルカリ土類金属元素の上層/下層単元素酸化膜としてBaO/SrO、上層ペロブスカイト型酸化膜として123系高温超電導膜のYBa2Cu3O7- δを積層した本発明の酸化物積層膜は、原子拡散の防止により下層ペロブスカイト型酸化膜の絶縁特性が向上し、かつ上層ペロブスカイト型酸化膜の超電導特性が良好であることが確認できた。
【0037】
図5は、実施の形態3の酸化物積層膜の概略断面図である。
この酸化物積層膜は、下層ペロブスカイト型酸化膜の下に、アルカリ土類金属元素と銅元素を含む複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜が、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されている。
【0038】
具体的には、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜503の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜503に含まれるアルカリ土類金属の下層単元素酸化膜504と、下層単元素酸化膜504に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜505と、上層単元素酸化膜505に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜506とが順次積層されてなり、下層ペロブスカイト型酸化膜503の下に、アルカリ土類金属元素と銅元素を含む複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜501が、下層ペロブスカイト型酸化膜503に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜502を介して積層されている。
【0039】
下層ペロブスカイト型酸化膜503は、例えば、Sr2AlTaO6のような絶縁膜であり、それに対応する単元素酸化膜502および下層単元素酸化膜504は、SrOである。
上層単元素酸化膜505は、例えば、BaOのような単元素酸化膜であり、それに対応する上層ペロブスカイト型酸化膜506は、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜である。
123系高温超電導膜501は、YBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜である。
【0040】
図6は、実施の形態4の酸化物積層膜の概略断面図である。
この酸化物積層膜は、上層ペロブスカイト型酸化膜の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜が積層されている。
【0041】
具体的には、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜602の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜602に含まれるアルカリ土類金属の下層単元素酸化膜603と、下層単元素酸化膜603に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜604と、上層単元素酸化膜604に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜605とが順次積層されてなり、上層ペロブスカイト型酸化膜605の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜606が積層されている。図中、601は、例えばYBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜からなる下地膜である。
【0042】
下層ペロブスカイト型酸化膜602および下層単元素酸化膜603、ならびに上層単元素酸化膜604および上層ペロブスカイト型酸化膜605は、例えば、実施の形態3と同様のものが挙げられる。
絶縁膜606は、例えば、Sr2AlTaO6のような絶縁膜である。
【0043】
図7は、実施の形態5の酸化物積層膜の概略断面図である。
この酸化物積層膜は、上層ペロブスカイト型酸化膜の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜が、絶縁膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されている。
【0044】
具体的には、アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜702の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜702に含まれるアルカリ土類金属の下層単元素酸化膜703と、下層単元素酸化膜703に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜704と、上層単元素酸化膜704に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜705とが順次積層されてなり、上層ペロブスカイト型酸化膜704の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜707が、絶縁膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜706を介して積層されている。図中、701は、例えばYBa2Cu3O7- δ、NdBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)などの123系高温超電導膜からなる下地膜である。
【0045】
下層ペロブスカイト型酸化膜702および下層単元素酸化膜703、ならびに上層単元素酸化膜704および上層ペロブスカイト型酸化膜505は、例えば、実施の形態3と同様のものが挙げられる。
絶縁膜707は、例えば、Sr2AlTaO6のような絶縁膜であり、それに対応する単元素酸化膜706は、SrOである。
【0046】
本発明の酸化物積層膜は、例えば、ゼロ電気抵抗、マイスナー効果、磁束量子化などを有する超電導材料;自発分極、高誘電率、圧電効果などを有する強誘電材料;絶縁体−金属相転移などを有する巨大磁気抵抗効果材料などとして使用することができる。具体的には、積層膜として用いることによって、メモリ素子、圧電素子、赤外線センサ素子などに使用することができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、下層ペロブスカイト型酸化膜の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素の単元素酸化膜を配置することにより、上層から下層へのアルカリ土類金属元素の拡散を防止することができる。また、同時に、上層ペロブスカイト型酸化膜の下に、上層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素の単元素酸化膜を配置することにより、上層ペロブスカイト型酸化膜の成長を阻害せずに、2種類の単元素酸化膜の合計膜厚を厚くし、上下のペロブスカイト型酸化層間におけるアルカリ土類金属元素以外の金属元素の拡散を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1および2の酸化物積層膜の概略断面図である。
【図2】実施の形態で用いた酸化物積層膜における下層ペロブスカイト酸化膜Sr2AlTaO6の絶縁特性を示す図である。
【図3】実施の形態で用いた酸化物積層膜における下層ペロブスカイト酸化膜Sr2AlTaO6の比誘電率を示す図である。
【図4】実施の形態で用いた酸化物積層膜における上層ペロブスカイト型酸化膜YBa2Cu3O7- δ(0<δ<1)の電気抵抗の温度変化を示す図である。
【図5】実施の形態3の酸化物積層膜の概略断面図である。
【図6】実施の形態4の酸化物積層膜の概略断面図である。
【図7】実施の形態5の酸化物積層膜の概略断面図である。
【符号の説明】
101、601、701 下地膜
102、503、602、702 下層ペロブスカイト型酸化膜
103、504、603、703 下層単元素酸化膜
104、505、604、704 上層単元素酸化膜
105、506、605、705 上層ペロブスカイト型酸化膜
501 123系高温超電導膜
502、706 単元素酸化膜
606、707 絶縁膜
Claims (9)
- アルカリ土類金属元素と金属元素とを含む下層ペロブスカイト型酸化膜の上に、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる下層単元素酸化膜と、下層単元素酸化膜に含まれないアルカリ土類金属元素からなる上層単元素酸化膜と、上層単元素酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素と金属元素とを含む上層ペロブスカイト型酸化膜とが順次積層されてなるペロブスカイト型酸化膜を含む酸化物積層膜。
- 下層単元素酸化膜および上層単元素酸化膜が、2nm以上の膜厚を有する請求項1に記載の酸化物積層膜。
- 上層単元素酸化膜が、Baを含む酸化膜である請求項1または2に記載の酸化物積層膜。
- 下層ペロブスカイト型酸化膜が、絶縁膜である請求項1〜3のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
- 上層ペロブスカイト型酸化膜が、金属元素サイトに銅元素を配置する複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜である請求項1〜4のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
- 下層ペロブスカイト型酸化膜の下に、アルカリ土類金属元素と銅元素を含む複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜が積層されてなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
- 下層ペロブスカイト型酸化膜の下に、アルカリ土類金属元素と銅元素を含む複合ペロブスカイト構造の123系高温超電導膜が、下層ペロブスカイト型酸化膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されてなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
- 上層ペロブスカイト型酸化膜の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜が積層されてなる請求項1〜5のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
- 上層ペロブスカイト型酸化膜の上に、アルカリ土類金属元素と金属元素を含むペロブスカイト型酸化膜からなる絶縁膜が、前記上層ペロブスカイト型酸化膜の上の絶縁膜に含まれるアルカリ土類金属元素からなる単元素酸化膜を介して積層されてなる請求項1〜5のいずれか1つに記載の酸化物積層膜。
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