JP4222076B2

JP4222076B2 - 半田ペースト供給状態の検査方法

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Publication number: JP4222076B2
Application number: JP2003082107A
Authority: JP
Inventors: 猛大坂; 雅洋山田; 充裕土岡
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2023-03-25
Also published as: JP2004289057A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ等の電子部品を実装基板に実装する際に供給される半田ペースト供給状態の検査方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
一般に、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＬＧＡ（Land Grid Array）といった半導体パッケージ（ＰＫＧ）を代表とする部品（電子部品）は、複数の部品電極を有しており、例えば図５の（ａ）の斜視図、図５（ｂ）の側面図に示すように、部品電極２は電子部品１の実装面（下面）１０に複数配列形成されている。それぞれの電子部品１に設けられている部品電極２の数は、ピン数と呼ばれており、現在は、数ピンから数百ピンの部品電極２を有する半導体パッケージがよく使用されている。また、半導体パッケージ等の電子部品１を実装する基板３にも基板面に複数の基板電極４が互いに間隔を介して配列形成されている。基板電極４は部品電極２に対応させて設けられ、これらの電極２，４の数は互いに等しく形成することが一般的である。
【０００３】
上記基板電極４と部品電極２は、以下のようにして半田接合される。つまり、基板電極４上に、印刷法や吐出法等の適宜の方法で半田ペースト５を供給し、この半田ペースト５上に電子部品１を搭載し、リフロー半田付けすることにより複数の部品電極２を対応する基板電極４上に一括半田接続する。前記の如く、部品電極２は電子部品１の実装面１０に形成されているので、半田付けによって部品電極２と基板３上の基板電極４とが接合された後は、半田接合部が隠れてしまうことになるため、接合後に接合部の外観を目視検査することはできない。
【０００４】
そこで、基板３上に供給された半田ペースト５の量的な状態（例えば面積や体積等）を検査しておき、この状態が許容範囲内であるかどうかを判断し、許容範囲内の場合に、後工程で電子部品１を搭載し、半田接合を行っている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
それというのは、半田ペースト５の量が許容範囲を下回ると半田量が少なくなるためにオープン不良が起こり、許容範囲を上回ると半田量が多すぎるためにショート不良が起こるとされているからである。従来は、例えば、半田ペースト５を供給するのに用いられるメタルマスクの開口面積を１００％とした場合に、供給された半田ペースト５の面積が７０％〜１５０％の範囲を許容範囲とするといったように、例えばメタルマスクの開口面積を基準とする等、１つの基準に対してのみ設定される許容範囲を用いて半田ペースト供給状態の良否判定を行っていた。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５―３３２７４６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者が様々な検討を行ったところ、許容範囲内であっても電子部品１をリフロー半田付けするとショート不良やオープン不良が発生することがあったり、許容範囲外であっても良好に半田接合できる場合があったりすることが分かり、例えばメタルマスクの開口面積を基準とする等、１つの基準に対してのみ設定された許容範囲を用いて半田ペースト供給状態の良否判定を行うと、必ずしも適切な判断を行えないということが分かった。
【０００８】
上記判断が適切に行えない場合、例えば半田ペースト５の量が許容範囲内であったからといって電子部品１をリフロー半田付けしても、ショート不良やオープン不良が発生したり、半田ペースト５の量が許容範囲外であってもそのまま良好な半田接合が行える場合があるにもかかわらず、一様に、基板３を廃棄する、あるいは、基板３上の半田ペースト５を拭き取って再度半田ペースト５を供給する等、無駄な費用や手間をかけたりしてしまうといった問題が生じる。
【０００９】
本発明は、上記従来の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、半田ペースト供給量が適切かどうかを正確に判断することができ、それにより、電子部品を実装基板上に良好な接合状態で接合可能とする半田ペーストの供給状態の検査方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をもって課題を解決するための手段としている。すなわち、本発明は、電子部品の実装面に複数配列された複数の部品電極を基板の複数の基板電極上に一括半田接続して実装するために、基板上に互いに間隔を介して形成された前記複数の基板電極上にそれぞれ供給される半田ペーストの供給状態を検査する半田ペースト供給状態の検査方法であって、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量を測定して予め定めた算出方法によって半田ペーストの供給量の代表値と半田ペーストの供給量分布とを求め、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量分布の許容範囲の予め与えられているデータに基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲内のときには半田ペースト供給状態を良好と判断し、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲外のときには半田ペースト供給状態を不良と判断することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００１２】
この実施形態例の半田ペースト供給状態の検査方法は、例えば図５に示したように、電子部品１の実装面１０に複数配列された複数の部品電極２を基板３の複数の基板電極４上に一括半田接続して実装するために、基板３上に互いに間隔を介して形成された前記複数の基板電極４上にそれぞれ供給される半田ペースト５の供給状態を検査する方法である。
【００１３】
この実施形態例の特徴は、半田ペースト供給状態の良否を判断するための許容範囲を以下に示す特徴的な範囲に設定したことであり、第１の実施形態例は、図１のグラフに示す領域Ａのように、半田ペースト供給量の代表値（ここでは平均値Ｘ）の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量分布（ここでは偏差Ｘｉ−Ｘ）の許容範囲のデータを予め与えている。第１の実施形態例は、この許容範囲に基づいて半田ペースト５の供給状態を検査する。
【００１４】
図１は、テスト基板とテスト電子部品を用いて求めた実験データであり、テスト電子部品は、４８ピン、つまり、４８個の部品電極２を配列した電子部品１を用いた。このテスト電子部品１はデイジーチェーン構造の半導体パッケージとした。そして、半田ペースト５を基板電極４上に印刷により供給し、この供給に用いられるメタルマスクの基準開口面積に対して、実際に印刷された半田ペースト５の面積を％で求め、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５をＸｉ（ｉは１〜４８）としてその平均値Ｘを代表値とした。この平均値は相加平均（算術平均）値である。また、半田ペースト供給量分布は、偏差（Ｘｉ−Ｘ）とした。
【００１５】
そして、平均値Ｘを横軸に、偏差（Ｘｉ−Ｘ）を縦軸に取り、半田接合（半田接続）が良好の範囲（領域Ａ）を許容範囲とし、図１に示すデータを半田ペースト供給量の平均値Ｘの大きさに応じて変化する偏差Ｘｉ−Ｘの許容範囲のデータに決定して予め与えた。なお、図１は、前記メタルマスクの開口面積を種々変化させることにより半田ペースト５の供給量を変化させ、リフロー半田付けして接合の良否を詳細に調べて得たものであり、図１に示す領域Ｂはショート不良の危険のある領域であり、領域Ｃはオープン不良の危険のある領域である。
【００１６】
本発明者は、様々な検討を行い、図１に示すように、接合が良好な領域は、半田ペースト５の供給量平均値等の代表値に応じて変化するものであることを見いだした。つまり、それぞれの基板電極４上に供給される半田ペースト５が全体的に多い場合（上記平均値が大きい場合）と全体的に少ない場合（上記平均値が小さい場合）とで異なるものであり、基板電極４上に供給される半田ペースト５が多いなら多いなりに、少ないなら少ないなりに、そのばらつきが小さければ、良好な接合量が可能であることを見いだした。
【００１７】
そこで、この第１実施形態例では、従来のように、１つの基準に対して許容範囲を設定するのではなく、半田ペースト５の供給量代表値の変化に応じてその半田ペースト５の供給量分布の許容範囲を図１のように求め、この図１を許容範囲のデータとして予め設定した。
【００１８】
上記のように、第１実施形態例は、図１に示すデータを予め与えた上で、４８ピンの電子部品１の部品電極２を対応する基板電極４上に一括半田接続するためにそれぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量を測定し、予め定めた算出方法（それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量の相加平均を求める方法）によって、半田ペースト５の供給量の代表値である平均値Ｘを求め、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布である偏差をＸｉ−Ｘの式により求める。
【００１９】
そして、図１に示すデータに基づいて、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲内のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲外のときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。
【００２０】
例えば、半田ペースト供給量代表値である平均値Ｘの検出値が１００％のときは、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布である偏差（Ｘｉ−Ｘ）の検出値が−３０％〜＋５０％のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、上記偏差（Ｘｉ−Ｘ）の検出値が−３０％より小さい、または＋５０％より大きいときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。つまり、上記平均値Ｘの検出値が１００％のときは、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量が７０〜１５０％の範囲内のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、半田ペースト５の供給量が７０％より小さい、または１５０％より大きいときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。
【００２１】
また、半田ペースト供給量代表値である平均値Ｘの検出値が１３０％のときは、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布である偏差（Ｘｉ−Ｘ）の検出値が−５０％〜＋６０％のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断するので、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量が８０〜１９０％の範囲内のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、半田ペースト５の供給量が８０％より小さい、または１９０％より大きいときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。
【００２２】
さらに、半田ペースト供給量代表値である平均値Ｘの検出値が７０％のときは、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量分布である偏差（Ｘｉ−Ｘ）の検出値が−１０％〜＋２０％のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断するので、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量が６０〜９０％の範囲内のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、半田ペースト５の供給量が６０％より小さい、または９０％より大きいときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。
【００２３】
そして、全ての基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給状態が良好であれば、電子部品１の複数の部品電極２を複数の基板電極４上に一括して良好に半田接続することができると判断する。
【００２４】
上記のように、第１実施形態例では、本発明者による前記検討に基づき、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量分布の許容範囲のデータを予め実験により求めて与え（つまり、半田ペースト供給状態の良否判定に用いる許容範囲は半田ペースト供給量の平均値と供給量分布の２つの変数で与えるものであり）、この許容範囲に基づいて半田ペースト５の供給状態を検査するものである。
【００２５】
したがって、第１実施形態例は、半田ペースト５の供給状態の良否を的確に判断することができ、従来のように、半田ペースト供給状態の良否判断を誤って、ショート不良やオープン不良を発生させたり、良好な半田接合が行える場合があるにもかかわらず、基板３を廃棄したり、基板３上の半田ペースト５を拭き取って再度半田ペースト５を供給したりするといった無駄な費用や手間をかけたりすることを抑制することができる。
【００２６】
次に、第２実施形態例について説明する。第２実施形態例は上記第１実施形態例とほぼ同様にして半田ペースト供給状態の検査を行うが、第２実施形態例では、それぞれの基板電極４の基板面からの高さ分布と、それぞれの基板電極４に対応する部品電極２の、電子部品１の実装面１０からの突出高さ分布をそれぞれの対応電極毎に求め、これらの分布測定値に基づいて、半田ペースト供給量の代表値ごとに与えられる半田ペースト供給量分布の許容範囲を、前記分布測定値が大きくなるにつれて狭くなるように補正する。
【００２７】
図１に示したデータは、前記の如く、テスト基板とテスト電子部品を用いて作成したものであるが、実製品の基板３や電子部品１はテスト基板やテスト部品に比べて一般に反り、平坦度（電子部品においてはコプラナリティと呼ぶこともある）が大きく、図２の模式図に示すように、基板電極４の基板面からの高さ分布や部品電極２の実装面１０からの突出高さ（突出長）分布等のばらつきがある。このような分布があると、ショート不良やオープン不良の危険性が増す。
【００２８】
そこで、第２実施形態例では、まず、基板電極４側と部品電極２側にそれぞれ基準線を設け、この基準面（線）を基準として、それぞれの基板電極４の基板面からの高さ分布αi（ｉ＝１〜４８）とそれぞれの基板電極４に対応する部品電極２の電子部品実装面１０からの突出高さ分布βi（ｉ＝１〜４８）を求め、それぞれの対応電極２，４毎の高さ分布を検出する。これらの高さ分布αi、βiは、部品電極２や基板電極４の高さが基準線より小さい場合（図２ではα2、β2）はマイナスの値となる。そして、第２実施形態例では、αiから求めたσαとβiから求めたσβを用いて対応電極２，４毎の高さ分布は、平均誤差±３√（σα^２＋σβ^２）とする。
【００２９】
この平均誤差は、電子部品１を基板上に実装した後の高さばらつきと等価であるため、図３に示すように、予め与えた許容範囲データにおける線Ｄ_１、Ｄ_２を平均誤差に応じて設定された移動量だけ平行移動して補正線Ｅ_１、Ｅ_２に補正することにより、上記平均誤差が大きくなるにつれて半田ペースト供給量分布の許容範囲を小さくする方向に補正する。この補正により、半田ペースト供給量分布の許容範囲は、領域Ａから領域Ｂ’および領域Ｃ’を除いた領域Ａ’になる。
【００３０】
第２実施形態例は上記第１実施形態例と同様の効果を奏することができ、さらに、上記のように、基板電極４の基板面からの高さ分布や部品電極２の実装面１０からの突出高さ分布を考慮して上記許容範囲を補正するので、半田ペースト供給状態の良否判定をより一層正確に行うことができる。
【００３１】
次に、第３実施形態例について説明する。第３実施形態例は上記第１、第２実施形態例と同様に、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量分布の許容範囲のデータを予め与え、この許容範囲に基づいて半田ペースト５の供給状態を検査するが、テスト基板と４８ピンのテスト電子部品を用いて実験により求める半田ペースト供給量分布の許容範囲のデータを、３次元検査装置により測定した半田ペースト５の体積Ｘｉ（ｉ＝１〜４８）の測定結果に基づいて設定している。なお、半田ペースト供給量の代表値は体積Ｘｉの平均値（相加平均値）Ｘとし、半田ペースト供給量分布は、偏差（Ｘｉ−Ｘ）とし、平均値Ｘを横軸に、偏差（Ｘｉ−Ｘ）を縦軸に取り、半田接合（半田接続）が良好の範囲を許容範囲とするデータを予め与える。
【００３２】
また、第３実施形態例では、第２実施形態例と同様に、それぞれの基板電極４の基板面からの高さ分布αi（ｉ＝１〜４８）とそれぞれの基板電極４に対応する部品電極２の電子部品実装面１０からの突出高さ分布βi（ｉ＝１〜４８）を求め、それぞれの対応電極２，４毎の高さ分布を検出する。第３実施形態例において、対応電極２，４毎の高さ分布は、高さ分布αiと高さ分布βiの組み合わせとする。そして、これらの分布測定値に基づいて、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量の測定値を個々に補正する。
【００３３】
つまり、第３実施形態例では、半田ペースト５の供給量を体積により３次元的に求めており、それぞれの基板電極４上に供給される半田ペースト５の供給量（体積）を３次元検査装置により測定してＸmeas i （ｉ＝１〜４８）とする。そして、高さ分布αiと高さ分布βiの組み合わせを用い、基板電極４の電極面積Ｓ1iと部品電極２の電極面積Ｓ2iを用いて、基板電極側補正量ｆi＝αi×Ｓ1iと、部品電極側補正量ｇi＝βi×Ｓ2iを求める。そして、次式（１）に示すようにして、半田ペースト５の供給量を補正して補正値Ｘｉを求める。
【００３４】
Ｘｉ＝ｆi＋ｇi＋Ｘmeas i＝αi×Ｓ1i＋βi×Ｓ2i＋Ｘmeas i・・・・・（１）
【００３５】
ここで、Ｓ1i、Ｓ2iは電極を基準面へ投影した面積である。そして、この補正値Ｘｉを用いて半田ペースト供給量代表値の検出値である平均値Ｘと半田ペースト供給量分布の検出値である偏差Ｘｉ−Ｘとを求め、その後は、第１実施形態例と同様にして、前記許容範囲に基づいて、半田ペースト供給状態の良否判定を行う。
【００３６】
なお、この第３実施形態例では、部品電極２や基板電極４の反り等のばらつき部分を柱状の体積と見なして、上記のように、基板電極側補正量ｆi＝αi×Ｓ1i、部品電極側補正量ｇi＝βi×Ｓ2iとしたが、部品電極２と基板電極４との接合後の状態を考慮して、部品電極２や基板電極４の反り等のばらつき部分を樽状、円錐台形状、砲台形状と見なして、基板電極側補正量ｆiと部品電極側補正量ｇiを求めてもよい。
【００３７】
第３実施形態例は、上記のように、基板電極４の基板面からの高さ分布や部品電極２の実装面１０からの突出高さ分布を考慮して、それぞれの半田ペースト供給量を補正して半田ペースト供給状態の良否判定を行うので、この良否判定をより一層正確に行うことができる。
【００３８】
次に、第４実施形態例について説明する。第４実施形態例は、図４に示すように、半田ペースト供給量の代表値（ここでは平均値Ｘ）の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量Ｘｉの許容範囲のデータを予め与え、この許容範囲に基づいて半田ペースト５の供給状態を検査するものであり、上記平均値Ｘの求め方は上記第１実施形態例と同様である。
【００３９】
そして、第４実施形態例は、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量の測定値が半田ペースト供給量の平均値の検出値に対応する半田ペースト供給量の許容範囲内のときには半田ペースト供給状態を良好と判断し、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペーストの供給量の測定値が半田ペースト供給量の平均値の検出値に対応する半田ペースト供給量の許容範囲外のときには半田ペースト供給状態を不良と判断する。
【００４０】
例えば半田ペースト供給量代表値である平均値Ｘの検出値が１３０％のときは、それぞれの基板電極４上に供給された半田ペースト５の供給量が８０〜１９０％の範囲内のときには半田ペースト５の供給状態を良好と判断し、半田ペースト５の供給量が８０％より小さい、または１９０％より大きいときには半田ペースト５の供給状態を不良と判断する。
【００４１】
第４実施形態例は上記方法により半田ペースト供給状態の良否判定を行うものであり、第１実施形態例と同様の効果を奏することができる。
【００４２】
なお、この発明は第１〜第４の各実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば半田ペースト供給量の代表値は半田ペースト供給量の平均値としたが、平均値の代わりに、中央値（メジアン）や最頻値を半田ペースト供給量の代表値としてもよい。また、第１〜第４の各実施形態例では、平均値を相加平均としたが、調和平均としてもよいし、荷重平均としてもよい。荷重平均を代表値とする場合、例えば、基板電極４の配設位置によって、基板３の端の方は荷重を大きくし、中央部は荷重を小さくしてもよいし、メタルマスクの開口面積が大きいものほど荷重を大きくしてもよく、適宜の荷重設定を行うことができる。
【００４３】
また、上記第１〜第３の各実施形態例では、半田ペースト供給量分布はそれぞれの基板電極４上に供給された半田ペーストの供給量から上記平均値を差し引いた偏差としたが、偏差の代わりに、偏差の２乗、標準偏差、分散、最小値と最大値の差等の分布を表す値を用いてもよい。
【００４４】
さらに、上記第４実施形態例のように、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量の許容範囲のデータを予め与えて半田ペースト供給状態の良否判定を行う場合も、上記第２、第３実施形態例のように、基板電極４の基板面からの高さ分布や部品電極２の実装面１０からの突出高さ分布を考慮して、上記許容範囲を補正して半田ペースト供給状態の良否判定を行ったり、それぞれの半田ペースト供給量を補正した補正値を用いて半田ペースト供給状態の良否判定を行ったりしてもよい。このような補正を行うと、第４実施形態例においても、半田ペースト供給状態の良否判定をより一層正確に行うことができる。
【００４５】
さらに、第１〜第４の各実施形態例では、半田ペースト供給状態の検査方法に適用される許容範囲データをグラフデータとしたが、許容範囲データは半田ペースト供給量の代表値毎に許容範囲を設定したテーブルデータとしてもよい。
【００４６】
さらに、測定する半田ペースト供給量は、上記第１、第２、第４実施形態例のように、メタルマスクの開口面積を基準とした面積としてもよいし、第３実施形態例のように、体積としてもよく、適宜設定されるものである。
【００４７】
さらに、第１〜第４の各実施形態例では、４８ピンの電子部品１の部品電極２を対応する基板電極４上に半田接続により実装する例を述べたが、本発明の半田ペースト供給状態の検査方法は、半田接続する部品電極２の数や基板電極４の数が特に限定されるものでなく、適宜設定されるものであり、電子部品１の種類も、ＢＧＡであってもＬＧＡであってもよい。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する、半田ペースト供給量分布または半田ペースト供給量の許容範囲を予め与え、この許容範囲に基づいて半田ペースト供給状態の良否判定を行うものであるから、半田ペーストの供給状態の良否を的確に判断することができる。したがって、本発明によれば、従来のように、半田ペースト供給状態の良否判断を誤って、ショート不良やオープン不良を発生させたり、良好な半田接合が行える場合があるにもかかわらず、基板を廃棄したり、基板上の半田ペーストを拭き取って再度半田ペーストを供給したりするといった無駄な費用や手間をかけたりすることを抑制することができる。
【００４９】
また、本発明において、半田ペースト供給量の代表値を半田ペースト供給量の平均値としたり、半田ペースト供給量分布をそれぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量から上記平均値を差し引いた偏差としたりすることにより、半田ペースト供給量の代表値や分布を容易に求めることができ、かつ、半田ペースト供給状態の良否判定用として、半田ペースト供給量の代表値や分布を的確に得ることができる。
【００５０】
さらに、本発明において、それぞれの基板電極の基板面からの高さ分布とそれぞれの基板電極に対応する部品電極の電子部品実装面からの突出高さ分布を求めて、それぞれの対応電極毎の高さ分布を検出し、この高さ分布検出値に基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量の測定値を個々に補正したり、半田ペースト供給量の代表値ごとに与えられる半田ペースト供給量の許容範囲または半田ペースト供給量分布の許容範囲を補正したりするものにおいては、上記高さ分布を考慮して半田ペースト供給状態の良否判定を行えるので、この良否判定をより一層正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態例の半田ペースト供給状態の検査方法に適用される許容範囲データを示すグラフである。
【図２】部品電極と基準電極の高さ分布を説明するための説明図である。
【図３】第２実施形態例の半田ペースト供給状態の検査方法に適用される許容範囲データを示すグラフである。
【図４】第４実施形態例の半田ペースト供給状態の検査方法に適用される許容範囲データを示すグラフである。
【図５】電子部品の実装面に複数配列された複数の部品電極を基板の複数の基板電極上に一括半田接続して実装する方法を説明する図である。
【符号の説明】
１電子部品
２部品電極
３基板
４基板電極
５半田ペースト
１０実装面

Claims

電子部品の実装面に複数配列された複数の部品電極を基板の複数の基板電極上に一括半田接続して実装するために、基板上に互いに間隔を介して形成された前記複数の基板電極上にそれぞれ供給される半田ペーストの供給状態を検査する半田ペースト供給状態の検査方法であって、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量を測定して予め定めた算出方法によって半田ペーストの供給量の代表値と半田ペーストの供給量分布とを求め、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量分布の許容範囲の予め与えられているデータに基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲内のときには半田ペースト供給状態を良好と判断し、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量分布の検出値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量分布の許容範囲外のときには半田ペースト供給状態を不良と判断することを特徴とする半田ペースト供給状態の検査方法。
電子部品の実装面に複数配列された複数の部品電極を基板の複数の基板電極上に一括半田接続して実装するために、基板上に互いに間隔を介して形成された前記複数の基板電極上にそれぞれ供給される半田ペーストの供給状態を検査する半田ペースト供給状態の検査方法であって、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量を測定して予め定めた算出方法によって半田ペーストの供給量の代表値を求め、半田ペースト供給量の代表値の大きさに応じて変化する半田ペースト供給量の許容範囲の予め与えられているデータに基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量の測定値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量の許容範囲内のときには半田ペースト供給状態を良好と判断し、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量の測定値が前記半田ペースト供給量代表値の検出値に対応する半田ペースト供給量の許容範囲外のときには半田ペースト供給状態を不良と判断することを特徴とする半田ペースト供給状態の検査方法。
半田ペースト供給量の代表値は半田ペースト供給量の平均値とし、半田ペースト供給量分布はそれぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量から上記平均値を差し引いた偏差としたことを特徴とする請求項１記載の半田ペースト供給状態の検査方法。
それぞれの基板電極の基板面からの高さ分布とそれぞれの基板電極に対応する部品電極の電子部品実装面からの突出高さ分布を求めて、それぞれの対応電極毎の高さ分布を検出し、この高さ分布検出値に基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量の測定値を個々に補正し、該補正値を用いて半田ペースト供給量代表値の検出値と半田ペースト供給量分布の検出値とを求めることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半田ペースト供給状態の検査方法。
半田ペースト供給量の代表値は半田ペースト供給量の平均値としたことを特徴とする請求項２記載の半田ペースト供給状態の検査方法。
それぞれの基板電極の基板面からの高さ分布とそれぞれの基板電極に対応する部品電極の電子部品実装面からの突出高さ分布を求めて、それぞれの対応電極毎の高さ分布を検出し、この高さ分布検出値に基づいて、それぞれの基板電極上に供給された半田ペーストの供給量の測定値を個々に補正し、該補正値を用いて半田ペースト供給量代表値の検出値を求めることを特徴とする請求項２または請求項５記載の半田ペースト供給状態の検査方法。
それぞれの基板電極の基板面からの高さ分布とそれぞれの基板電極に対応する部品電極の電子部品実装面からの突出高さ分布を求めて、それぞれの対応電極毎の高さ分布を検出し、この高さ分布検出値に基づいて、半田ペースト供給量の代表値ごとに与えられる半田ペースト供給量の許容範囲または半田ペースト供給量分布の許容範囲を前記高さ分布検出値が大きくなるにつれて狭くなるように補正することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３または請求項５記載の半田ペースト供給状態の検査方法。