JP4215109B2 - Electro-optical device, drive circuit, and electronic device - Google Patents

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本発明は、液晶などの電気光学装置において、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えるとともに表示品位の低下を防止する技術に関する。   The present invention relates to a technique for suppressing a voltage amplitude of a data line with a simple configuration and preventing deterioration of display quality in an electro-optical device such as a liquid crystal.

液晶などの電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素容量(液晶容量)が設けられるが、この画素容量を交流駆動する必要がある場合、データ信号の電圧振幅が正負の両極性となるので、データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路においては、構成素子に電圧振幅に対応した耐圧が要求される。このため、画素容量に並列して蓄積容量を設けるとともに、各行において蓄積容量を共通接続した容量線を、走査線の選択に同期させて2値で駆動することにより、データ信号の電圧振幅を抑える技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2001−83943号公報
In an electro-optical device such as a liquid crystal, a pixel capacitor (liquid crystal capacitor) is provided corresponding to the intersection of a scanning line and a data line. When this pixel capacitor needs to be AC driven, the voltage amplitude of the data signal is positive or negative. Therefore, in the data line driving circuit for supplying a data signal to the data line, a breakdown voltage corresponding to the voltage amplitude is required for the constituent elements. For this reason, a storage capacitor is provided in parallel with the pixel capacitor, and a capacitor line commonly connected to the storage capacitor in each row is driven in binary in synchronization with the selection of the scanning line, thereby suppressing the voltage amplitude of the data signal. A technique has been proposed (see Patent Document 1).
JP 2001-83943 A

ところで、この技術では、容量線を駆動する回路が、走査線を駆動する走査線駆動回路(実質的にはシフトレジスタ)と同等であるので、容量線を駆動するための回路構成が複雑化してしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、データ線の電圧振幅を簡易な構成で抑えることが可能な電気光学装置、その駆動回路および電子機器を提供することにある。
By the way, in this technique, the circuit for driving the capacitance line is equivalent to the scanning line driving circuit (substantially a shift register) for driving the scanning line, so that the circuit configuration for driving the capacitance line is complicated. End up.
SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides an electro-optical device, a driving circuit, and an electronic apparatus that can suppress the voltage amplitude of a data line with a simple configuration. There is to do.

上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動回路は、複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、各々は、一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、前記画素スイッチング素子とコモン電極との間に介挿された画素容量と、前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、を含む画素と、を有する電気光学装置の駆動回路であって、前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第1給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第2給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、を具備することを特徴とする。本発明によれば、簡易な構成により、データ線の電圧振幅を抑えるとともに、表示品位の低下を防止することが可能となる。   In order to achieve the above object, a drive circuit for an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of capacitors provided corresponding to the plurality of scanning lines. Each of the scanning lines of the plurality of rows and the data lines of the plurality of columns is provided corresponding to an intersection, and each of the scanning lines is connected to a data line corresponding to itself and a scanning line corresponding to itself is provided. A pixel switching element that becomes conductive when selected, a pixel capacitor interposed between the pixel switching element and a common electrode, and a capacitor provided corresponding to one end of the pixel capacitor and the scanning line A scanning line driving circuit for selecting the scanning lines in a predetermined order; and a single scanning line, comprising: a pixel including a storage capacitor interposed between the scanning line and a pixel; For the capacitance line provided corresponding to When the inspection line is selected, the first power supply line is selected, and a scanning line that is separated from the one scanning line by a predetermined line and selected after the one scanning line is selected, and then again. The second power supply line is selected until the one scanning line is selected, and the capacitor line driving circuit for applying the voltage of the selected power supply line and the pixel corresponding to the selected scanning line are And a data line driver circuit for supplying a data signal corresponding to a gray scale through a data line. According to the present invention, it is possible to suppress the voltage amplitude of the data line and to prevent the display quality from being lowered with a simple configuration.

ここで、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該一の容量線の電圧が変化するように、前記第1および第2給電線の電圧が設定された構成とするのが好ましく、前記第1給電線の電圧は、異なる2つの電圧が所定の周期で入れ替わり、前記第2給電線の電圧は一定としても良いし、さらには、前記第2給電線の電圧を、前記第1給電線における2つの電圧の中間値としても良い。また、前記第1および第2給電線は、異なる2つの電圧が相補的にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わるようにしても良い。
また、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記容量線駆動回路は、前記容量線の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタを有し、一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、前記第2トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1給電線に接続され、前記第4トランジスタは、ゲート電極が前記第1および第2トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ソース電極が前記第2給電線に接続されて、前記第3および第4トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された構成としても良い。このような構成において、一の容量線に対し、前記第1、第2および第4トランジスタの組を複数有し、当該一の容量線を前記第2給電線に接続する第4トランジスタを、前記複数の組のなかから、所定の順番で切り替えても良い。また、この構成において、前記容量線の各々に対応して補助容量を有し、一の容量線に対応する補助容量は、その一端が前記第4トランジスタのゲート電極に接続され、その他端が、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されてから再び当該一の走査線が選択されるまでの期間において、一定の電位に保たれた構成としても良い。ここで、当該一の容量線に対応する補助容量の他端は、当該一の容量線に対応する走査線に接続した構成としても良い。
一方、本発明に係る電気光学装置の駆動回路において、前記第1給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、奇数行に対応する容量線の第3トランジスタのソース電極は、奇数行用の第1給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第3トランジスタのソース電極は、偶数行用の第1給電線に接続され、異なる2つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第1給電線に印加され、前記異なる2つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第1給電線に印加されるとともに、前記異なる2つの電圧が相補的にかつ所定の周期で入れ替えられる構成としても良い。
なお、本発明は、電気光学装置の駆動回路のみならず、電気光学装置としても、さらには、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。
Here, in the drive circuit of the electro-optical device according to the present invention, when a scanning line separated by a predetermined row from the scanning line corresponding to one capacitance line is selected, the voltage of the one capacitance line changes. The voltage of the first and second power supply lines is preferably set, and the voltage of the first power supply line is switched between two different voltages at a predetermined cycle, and the voltage of the second power supply line is The voltage of the second power supply line may be constant, or the intermediate value of the two voltages of the first power supply line may be used. Further, the first and second power supply lines may be switched such that two different voltages are complementarily and each time the scanning line is selected.
In the drive circuit of the electro-optical device according to the invention, the capacitor line drive circuit includes first to fourth transistors corresponding to each of the capacitor lines, and the first corresponding to one capacitor line. One transistor is connected to a scanning line whose gate electrode is separated from the scanning line corresponding to the one capacitance line by a predetermined number of rows, and a source electrode is an on-voltage power supply line that supplies an on-voltage for turning on the fourth transistor. The second transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one capacitor line, and a source electrode connected to an off-voltage supply line that supplies an off-voltage for turning off the fourth transistor. The third transistor has a gate electrode connected to the scanning line corresponding to the one capacitance line, a source electrode connected to the first power supply line, and the fourth transistor having a gate The pole is commonly connected to the drain electrodes of the first and second transistors, the source electrode is connected to the second feeder, and the drain electrodes of the third and fourth transistors are connected to the one capacitance line. It is good also as a structure. In such a configuration, a plurality of sets of the first, second, and fourth transistors are provided for one capacitor line, and a fourth transistor that connects the one capacitor line to the second feeder line is provided, Switching from a plurality of sets may be performed in a predetermined order. Also, in this configuration, each of the capacitance lines has an auxiliary capacitance, and one end of the auxiliary capacitance corresponding to one capacitance line is connected to the gate electrode of the fourth transistor, and the other end is A configuration in which the potential is kept constant at least in a period from when a scanning line separated by a predetermined row from the scanning line corresponding to the one capacitor line is selected until the one scanning line is selected again may be employed. Here, the other end of the auxiliary capacitor corresponding to the one capacitor line may be connected to the scanning line corresponding to the one capacitor line.
On the other hand, in the drive circuit of the electro-optical device according to the present invention, the first feeder line is divided into an odd row and an even row, and the source electrode of the third transistor of the capacitor line corresponding to the odd row is an odd row. The source electrode of the third transistor of the capacitor line corresponding to the even row is connected to the first feed line for the even row, and one of the two different voltages corresponds to the odd row. The other two voltages are applied to the first power supply line corresponding to the even-numbered row, and the two different voltages are complementarily replaced with each other at a predetermined cycle. It is also good.
The present invention can be conceptualized not only as a drive circuit for an electro-optical device, but also as an electro-optical device, and further as an electronic apparatus having the electro-optical device.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置10は、表示領域100を有し、この表示領域100の周辺に制御回路20、走査線駆動回路140、容量線駆動回路150、データ線駆動回路190が配置した構成となっている。このうち、表示領域100は、画素110が配列する領域であり、本実施形態では、321行の走査線112が行(X)方向に延在する一方、240列のデータ線114が列(Y)方向に延在するように、それぞれ設けられ、このうち、最終321行目以外の1〜320行目の走査線112と1〜240列目のデータ線114との交差に対応して、画素110がそれぞれ配列している。したがって、本実施形態では、321行目の走査線112は、表示領域100の垂直走査(画素110に対する電圧書込のために走査線を順番に選択する動作)には寄与しない。
なお、本実施形態では、画素110が表示領域100において縦320行×横240列でマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
また、1〜320行目の走査線112に対応して、それぞれ容量線132がX方向に延在して設けられている。このため、本実施形態において、容量線132については、ダミーとなる321行目の走査線112を除いた1〜320行分が設けられる。
<First Embodiment>
First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention.
As shown in this figure, the electro-optical device 10 has a display area 100, and a control circuit 20, a scanning line driving circuit 140, a capacitor line driving circuit 150, and a data line driving circuit 190 are arranged around the display area 100. The arrangement is arranged. Among these, the display area 100 is an area where the pixels 110 are arranged. In this embodiment, 321 rows of scanning lines 112 extend in the row (X) direction, while 240 columns of data lines 114 are columns (Y ) Of the pixels corresponding to the intersection of the scanning lines 112 in the 1st to 320th rows other than the final 321st row and the data lines 114 in the 1st to 240th columns. 110 are arranged. Therefore, in the present embodiment, the scanning line 112 in the 321st row does not contribute to the vertical scanning of the display area 100 (operation for sequentially selecting scanning lines for voltage writing to the pixels 110).
In the present embodiment, the pixels 110 are arranged in a matrix of 320 rows × 240 columns in the display region 100, but the present invention is not limited to this arrangement.
In addition, corresponding to the scanning lines 112 in the first to 320th rows, capacitance lines 132 are provided extending in the X direction, respectively. For this reason, in the present embodiment, the capacity lines 132 are provided for 1 to 320 rows excluding the dummy 321st scanning line 112.

ここで、画素110の詳細な構成について説明する。
図2は、画素110の構成を示す図であり、i行及びこれに隣接する(i+1)行と、j列及びこれに隣接する(j+1)列との交差に対応する2×2の計4画素分の構成が示されている。
なお、iは、画素110が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、1以上320以下の整数であり、j、(j+1)は、画素110が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、1以上240以下の整数である。ここで、(i+1)については、画素110が配列する行を一般的に示す場合には、1以上320以下の整数であるが、走査線112の行を説明する場合には、ダミーである321行目を含める必要があるので1以上321以下の整数となる。
Here, a detailed configuration of the pixel 110 will be described.
FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the pixel 110, and 2 × 2 total 4 corresponding to the intersections of the i row and the (i + 1) row adjacent thereto, the j column and the (j + 1) column adjacent thereto. A configuration for pixels is shown.
Note that i is a symbol generally indicating a row in which the pixels 110 are arranged, and is an integer of 1 to 320, and j and (j + 1) generally indicate a column in which the pixels 110 are arranged. The symbol of the case, which is an integer from 1 to 240. Here, (i + 1) is an integer of 1 or more and 320 or less when generally indicating the row in which the pixels 110 are arranged, but is a dummy 321 when describing the row of the scanning line 112. Since it is necessary to include the line, it is an integer between 1 and 321 inclusive.

図2に示されるように、各画素110は、画素スイッチング素子として機能するnチャネル型の薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下単に「TFT」と略称する)116と、画素容量(液晶容量)120と、蓄積容量130とを有する。各画素110については互いに同一構成なので、i行j列に位置するもので代表して説明すると、当該i行j列の画素110において、TFT116のゲート電極はi行目の走査線112に接続される一方、そのソース電極はj列目のデータ線114に接続され、そのドレイン電極は画素容量120の一端たる画素電極118に接続されている。
また、画素容量120の他端はコモン電極108に接続されている。このコモン電極108は、図1に示されるように全ての画素110にわたって共通であり、コモン信号Vcomが供給される。なお、本実施形態においてコモン信号Vcomは、後述するように時間的に電圧LCcomで一定である。
なお、図2において、Yi、Y(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の走査線112に供給される走査信号を示し、また、Ci、C(i+1)は、それぞれi、(i+1)行目の容量線132の電圧を示している。
As shown in FIG. 2, each pixel 110 includes an n-channel thin film transistor (hereinafter simply referred to as “TFT”) 116 that functions as a pixel switching element, a pixel capacitor (liquid crystal capacitor) 120, And a storage capacitor 130. Since each pixel 110 has the same configuration, a description will be given by representatively assuming that the pixel 110 is located in the i row and j column. In the pixel 110 in the i row and j column, the gate electrode of the TFT 116 is connected to the scanning line 112 in the i row. On the other hand, the source electrode is connected to the data line 114 in the j-th column, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 118 that is one end of the pixel capacitor 120.
The other end of the pixel capacitor 120 is connected to the common electrode 108. The common electrode 108 is common to all the pixels 110 as shown in FIG. 1 and is supplied with a common signal Vcom. In the present embodiment, the common signal Vcom is constant at the voltage LCcom in terms of time as will be described later.
In FIG. 2, Yi and Y (i + 1) indicate scanning signals supplied to the i and (i + 1) th scanning lines 112, respectively, and Ci and C (i + 1) indicate i and (i + 1), respectively. ) The voltage of the capacitor line 132 in the row is shown.

表示領域100は、画素電極118が形成された素子基板とコモン電極108が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶105を封止した構成となっている。このため、画素容量120は、画素電極118とコモン電極108とで誘電体の一種である液晶105を挟持したものとなり、画素電極118とコモン電極108との差電圧を保持する構成となっている。この構成において、画素容量120では、その透過光量が当該保持電圧の実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量120において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードに設定されている。   In the display region 100, a pair of substrates, an element substrate on which the pixel electrode 118 is formed and a counter substrate on which the common electrode 108 is formed, are bonded to each other with a certain gap so that the electrode formation surfaces face each other. The liquid crystal 105 is sealed in the gap. For this reason, the pixel capacitor 120 has a configuration in which the liquid crystal 105 which is a kind of dielectric is sandwiched between the pixel electrode 118 and the common electrode 108, and holds a differential voltage between the pixel electrode 118 and the common electrode 108. . In this configuration, in the pixel capacitor 120, the amount of transmitted light changes according to the effective value of the holding voltage. In the present embodiment, for convenience of explanation, if the effective voltage value held in the pixel capacitor 120 is close to zero, the light transmittance is maximized to display white, while the effective voltage value is increased. The normally white mode in which the amount of light decreases and finally the black display with the minimum transmittance is set.

また、i行j列の画素110における蓄積容量130は、一端が画素電極118(TFT116のドレイン電極)に接続されるとともに、他端がi行目の容量線132に接続されている。ここで、画素容量120および蓄積容量130における容量値を、それぞれCpixおよびCsとする。   The storage capacitor 130 in the pixel 110 in the i row and j column has one end connected to the pixel electrode 118 (the drain electrode of the TFT 116) and the other end connected to the i-th capacitor line 132. Here, the capacitance values in the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 are Cpix and Cs, respectively.

説明を再び図1に戻すと、制御回路20は、各種の制御信号を出力して電気光学装置10における各部の制御等をするとともに、第1容量信号Vc1を第1給電線165に、第2容量信号Vc2を第2給電線167に、それぞれ供給する。また、制御回路20は、後述するオン電圧Vonをオン電圧給電線161に供給し、オフ電圧Voffをオフ電圧給電線16
3に供給するほか、コモン信号Vcomをコモン電極108に供給する。
表示領域100の周辺には、上述したように走査線駆動回路140や、容量線駆動回路150、データ線駆動回路190などの周辺回路が設けられている。このうち、走査線駆動回路140は、制御回路20による制御にしたがって、1フレームの期間にわたって走
査信号Y1、Y2、Y3、…、Y320、Y321を、それぞれ1、2、3、…、320、321行目の走査線112に供給するものである。すなわち、走査線駆動回路140は、走査線を1、2、3、…、320、321行目という順番で選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧Vddに相当するHレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧(接地電位Gnd)に相当するLレベルとする。
Returning again to FIG. 1, the control circuit 20 outputs various control signals to control each part in the electro-optical device 10, and the second capacitance signal Vc <b> 1 is supplied to the first power supply line 165. The capacitance signal Vc2 is supplied to the second power supply line 167, respectively. In addition, the control circuit 20 supplies an on-voltage Von, which will be described later, to the on-voltage power supply line 161 and the off-voltage Voff to the off-voltage power supply line 16.
3, and a common signal Vcom is supplied to the common electrode 108.
As described above, peripheral circuits such as the scanning line driving circuit 140, the capacitor line driving circuit 150, and the data line driving circuit 190 are provided around the display region 100. Among these, the scanning line driving circuit 140 sends the scanning signals Y1, Y2, Y3,..., Y320, Y321 to 1, 2, 3,. This is supplied to the scanning line 112 in the row. That is, the scanning line driving circuit 140 selects the scanning lines in the order of the first, second, third,..., 320, and 321st rows, and sets the scanning signal to the selected scanning line to the H level corresponding to the selection voltage Vdd. The scanning signals for the other scanning lines are set to the L level corresponding to the non-selection voltage (ground potential Gnd).

なお、詳細には、走査線駆動回路140は、図4に示されるように、制御回路20から供給されるスタートパルスDyをクロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等に
よって、走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320、Y321を出力する。
また、本実施形態において1フレームの期間とは、図4に示されるように、走査信号Y1がHレベルになってから走査信号Y320がLレベルになるまで有効走査期間Faと、
ダミーの走査信号Y321がHレベルとなってから走査信号Y1が再びHレベルとなるまでの帰線期間Fbとを含む。また、1行の走査線112が選択される期間が水平走査期間
(H)である。
In detail, as shown in FIG. 4, the scanning line driving circuit 140 sequentially shifts the start pulse Dy supplied from the control circuit 20 in accordance with the clock signal Cly, etc., so that the scanning signals Y1, Y2, Y3, Y4,..., Y320, Y321 are output.
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the period of one frame is an effective scanning period Fa from when the scanning signal Y1 becomes H level until the scanning signal Y320 becomes L level,
And a blanking period Fb from when the dummy scanning signal Y321 becomes H level to when the scanning signal Y1 becomes H level again. A period during which one row of scanning lines 112 is selected is a horizontal scanning period (H).

容量線駆動回路150は、本実施形態では、1〜320行目の容量線132に対応して設けられたTFT152、154、156、158の組から構成される。ここで、i行目の容量線132に対応するTFT152、154、156、158について説明すると、当該TFT152(第1トランジスタ)のゲート電極は、i行目の次に選択される(i+1)行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、オン電圧給電線161に接続される。i行目のTFT154(第2トランジスタ)のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、オフ電圧給電線163に接続されるとともに、i行目におけるTFT152および154のドレイン電極同士がi行目のTFT158のゲート電極に接続されている。
一方、i行目のTFT156(第3トランジスタ)のゲート電極は、i行目の走査線112に接続され、そのソース電極は、第1給電線165に接続される。i行目のTFT158(第4トランジスタ)のソース電極は、第2給電線167に接続されるとともに、TFT156、158のドレイン電極同士がi行目の容量線132に接続されている。
ここで、オン電圧給電線161に供給されるオン電圧Vonは、それがTFT158のゲート電極に印加された場合に当該TFT158をオン状態(ソース・ドレイン電極間が導通状態)にさせる電圧であり、例えば電圧Vddである。また、オフ電圧給電線163に供給されるオフ電圧Voffは、それがTFT158のゲート電極に印加された場合に当該T
FT158をオフ状態(ソース・ドレイン電極間が非導通状態)にさせる電圧であり、例えばゼロ電圧(接地電位Gnd)である。
In the present embodiment, the capacitor line driving circuit 150 includes a set of TFTs 152, 154, 156, and 158 provided corresponding to the capacitor lines 132 in the first to 320th rows. Here, the TFTs 152, 154, 156, 158 corresponding to the i-th capacitor line 132 will be described. The gate electrode of the TFT 152 (first transistor) is selected next to the i-th row (i + 1) -th row. The source electrode is connected to the on-voltage power supply line 161. The gate electrode of the i-th TFT 154 (second transistor) is connected to the i-th scanning line 112, the source electrode is connected to the off-voltage power supply line 163, and the TFTs 152 and 154 in the i-th row are connected. The drain electrodes are connected to the gate electrode of the TFT 158 in the i-th row.
On the other hand, the gate electrode of the i-th TFT 156 (third transistor) is connected to the i-th scanning line 112, and the source electrode thereof is connected to the first power supply line 165. The source electrode of the i-th TFT 158 (fourth transistor) is connected to the second feed line 167, and the drain electrodes of the TFTs 156 and 158 are connected to the i-th capacitor line 132.
Here, the on-voltage Von supplied to the on-voltage power supply line 161 is a voltage that, when applied to the gate electrode of the TFT 158, turns the TFT 158 on (the source-drain electrode is conductive). For example, the voltage Vdd. Further, the off-voltage Voff supplied to the off-voltage power supply line 163 corresponds to the T voltage when it is applied to the gate electrode of the TFT 158.
This is a voltage that causes the FT 158 to be in an off state (non-conducting state between the source and drain electrodes), for example, a zero voltage (ground potential Gnd).

データ線駆動回路190は、走査線駆動回路140により選択される走査線112に位置する画素110の階調に応じた電圧であって、極性指示信号Polで指定された極性の電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240を、1、2、3、…、240列目のデータ線114にそれぞれ供給するものである。
ここで、データ線駆動回路190は、縦320行×横240列のマトリクス配列に対応した記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素110の階調値(明るさ)を指定する表示データDaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示デー
タDaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路20によってアドレスとともに変更
後の表示データDaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路190は、選択される走査線112に位置する画素110の表示データDaを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧であって指定された極
性の電圧のデータ信号に変換し、データ線114に供給する動作を、選択される走査線112に位置する1〜240列のそれぞれについて実行する。
The data line driving circuit 190 is a voltage corresponding to the gray level of the pixel 110 located on the scanning line 112 selected by the scanning line driving circuit 140, and has a polarity voltage data signal X1 designated by the polarity instruction signal Pol. , X2, X3,..., X240 are supplied to the data lines 114 in the 1, 2, 3,.
Here, the data line driving circuit 190 has storage areas (not shown) corresponding to a matrix arrangement of 320 rows × 240 columns, and each storage area has a gradation value (brightness) of the corresponding pixel 110. Display data Da for designating the data is stored. The display data Da stored in each storage area is rewritten by the display circuit Da after the change together with the address by the control circuit 20 when the display contents are changed.
The data line driving circuit 190 reads out the display data Da of the pixel 110 located on the selected scanning line 112 from the storage area, and converts it into a data signal having a voltage corresponding to the gradation value and having a specified polarity. The operation of converting and supplying to the data line 114 is executed for each of the 1 to 240 columns positioned on the selected scanning line 112.

ここで、極性指示信号Polは、Hレベルであれば正極性書込を指定し、Lレベルであれ
ば負極性書込を指定する信号であり、図4に示されるように、本実施形態では、1フレームの期間毎に極性反転する。すなわち、本実施形態では、1フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を1フレームの期間毎に反転させた面反転方式とする。このように極性反転する理由は、直流成分の印加による液晶の劣化を防止するためである。
また、本実施形態における書込極性については、画素容量120に対して階調に応じた電圧を保持させる際に、コモン電極108の電圧LCcomよりも画素電極118の電位を
高位側とする場合を正極性といい、低位側とする場合を負極性という。一方、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Gndを基準としている。
Here, the polarity instruction signal Pol is a signal for designating positive polarity writing when it is at the H level, and for designating negative polarity writing when it is at the L level. In this embodiment, as shown in FIG. The polarity is inverted every frame period. That is, in this embodiment, the surface inversion method is used in which all the polarities to be written to the pixels in the period of one frame are the same, and the writing polarity is inverted every period of one frame. The reason for polarity inversion is to prevent deterioration of the liquid crystal due to application of a direct current component.
As for the writing polarity in the present embodiment, when the voltage corresponding to the gradation is held in the pixel capacitor 120, the potential of the pixel electrode 118 is higher than the voltage LCcom of the common electrode 108. It is called positive polarity, and the case of the lower side is called negative polarity. On the other hand, the voltage is based on the ground potential Gnd of the power supply unless otherwise specified.

なお、制御回路20は、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングにおいてラッチパルスLpをデータ線駆動回路190に供給する。上述したように、走査線駆動回
路140は、スタートパルスDyをクロック信号Clyにしたがって順次シフトすること等
によって、走査信号Y1、Y2、Y3、Y4、…、Y320、Y321を出力するので、走査線が選択される期間の開始タイミングは、クロック信号Clyの論理レベルが遷移するタイミングである。したがって、データ線駆動回路190は、例えばラッチパルスLpを
1フレームの期間にわたってカウントし続けることによって何行目の走査線が選択されるのか、および、ラッチパルスLpの供給タイミングによって、その選択の開始タイミング
を知ることができる。
The control circuit 20 supplies the latch pulse Lp to the data line driving circuit 190 at the timing when the logic level of the clock signal Cly changes. As described above, the scanning line driving circuit 140 outputs the scanning signals Y1, Y2, Y3, Y4,..., Y320, Y321 by sequentially shifting the start pulse Dy according to the clock signal Cly. The start timing of the period in which is selected is the timing at which the logic level of the clock signal Cly transitions. Therefore, the data line driving circuit 190 starts the selection depending on, for example, which row scanning line is selected by continuously counting the latch pulse Lp over a period of one frame and the supply timing of the latch pulse Lp. You can know the timing.

なお、本実施形態において、素子基板には、表示領域100における走査線112や、データ線114、TFT116、画素電極118、蓄積容量130に加えて、容量線駆動回路150におけるTFT152、154、156、158、オン電圧給電線161、オフ電圧給電線163、第1給電線165、第2給電線167なども形成される。   In this embodiment, in addition to the scanning lines 112, the data lines 114, the TFTs 116, the pixel electrodes 118, and the storage capacitors 130 in the display region 100, the element substrate includes the TFTs 152, 154, 156 in the capacitor line driving circuit 150. 158, an on-voltage feed line 161, an off-voltage feed line 163, a first feed line 165, a second feed line 167, and the like are also formed.

図3は、このような素子基板のうち、容量線駆動回路150と表示領域100との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、本実施形態では、TFT116、152、154、156、158は、アモルファスシリコン型であって、そのゲート電極が半導体層よりも下側に位置するボトムゲート型である。詳細には、第1導電層となるゲート電極層のパターニングにより、走査線112や、容量線132、TFT158のゲート電極が形成され、その上にゲート絶縁膜(図示省略)が形成され、さらにTFT116、152、154、156、158の半導体層が島状に形成されている。この半導体層の上には、保護層を介して第2導電層となるITO(indium tin oxide)層のパターニングにより、矩形形状の画素電極118が形成され、さらに、第3導電層となるアルミニウムなどの金属層のパターニングによって、TFT116、152、154、156、158のソース電極となるデータ線114、オン電圧給電線161、オフ電圧給電線163、第1給電線165、第2給電線167が形成されるとともに、これらのTFTのドレイン電極が形成されている。
FIG. 3 is a plan view showing a configuration in the vicinity of the boundary between the capacitive line driving circuit 150 and the display region 100 in such an element substrate.
As shown in this figure, in the present embodiment, the TFTs 116, 152, 154, 156, 158 are of the amorphous silicon type and the bottom gate type in which the gate electrode is located below the semiconductor layer. Specifically, the scanning electrode 112, the capacitor line 132, and the gate electrode of the TFT 158 are formed by patterning the gate electrode layer serving as the first conductive layer, a gate insulating film (not shown) is formed thereon, and the TFT 116 is further formed. , 152, 154, 156, and 158 are formed in an island shape. On the semiconductor layer, a rectangular pixel electrode 118 is formed by patterning an ITO (indium tin oxide) layer serving as a second conductive layer via a protective layer, and further aluminum or the like serving as a third conductive layer. By patterning the metal layer, the data line 114, the on-voltage power supply line 161, the off-voltage power supply line 163, the first power supply line 165, and the second power supply line 167 that are the source electrodes of the TFTs 116, 152, 154, 156, and 158 are formed. At the same time, the drain electrodes of these TFTs are formed.

ここで、TFT154、156のゲート電極は、走査線112からそれぞれY(下)方向にT字状に分岐した部分であり、TFT152のゲート電極は、走査線112からY(上)方向にT字状に分岐した部分である。また、蓄積容量130は、画素電極118の下層において幅広となるように形成された容量線132の部分と当該画素電極118とにより上記ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成である。
また、TFT152、154の共通ドレイン電極とTFT158のゲート電極とは、上記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール(図において×印)を介して、電気的な接続が図られている。同様に、TFT156、158の共通ドレイン電極と容量線132とは、コンタクトホール(図において×印)を介して、電気的な接続が図られている。
なお、画素電極118と対向するコモン電極108は、対向基板に形成されるので、素子基板の平面図を示す図3には現れない。
Here, the gate electrodes of the TFTs 154 and 156 are portions branched from the scanning line 112 in the Y (downward) direction in a T shape, and the gate electrode of the TFT 152 is a T shape from the scanning line 112 in the Y (upward) direction. It is the part which branched in the shape. The storage capacitor 130 has a structure in which the gate insulating film is sandwiched between the pixel electrode 118 and a portion of the capacitor line 132 formed so as to be wide in the lower layer of the pixel electrode 118.
In addition, the common drain electrode of the TFTs 152 and 154 and the gate electrode of the TFT 158 are electrically connected via a contact hole (indicated by X in the drawing) penetrating the gate insulating film. Similarly, the common drain electrodes of the TFTs 156 and 158 and the capacitor line 132 are electrically connected via contact holes (indicated by X in the figure).
Note that the common electrode 108 facing the pixel electrode 118 is formed on the counter substrate, and thus does not appear in FIG. 3 showing a plan view of the element substrate.

図3においては、あくまでも一例であり、TFTの型については他の構造、例えばゲート電極の配置でいえばトップゲート型としても良いし、プロセスでいえばポリシリコン型としても良い。また、容量線駆動回路150の素子を表示領域100に造り込むのではなく、ICチップを素子基板側に実装する構成としても良い。
ICチップを素子基板側に実装する場合、走査線駆動回路140、容量線駆動回路150を、データ線駆動回路190とともに半導体チップとしてまとめても良いし、それぞれ別々のチップとしても良い。また、制御回路20については、FPC(flexible printed
circuit)基板等を介して接続しても良いし、半導体チップとして素子基板に実装する構成としても良い。
また、本実施形態を透過型ではなく反射型とする場合には、画素電極118について反射性の導電層をパターニングしたものとしても良いし、別途の反射性金属層を持たせても良い。さらに、透過型および反射型の両者を組み合わせた、いわゆる半透過半反射型としても良い。
FIG. 3 is merely an example, and the TFT type may be another structure, for example, the top gate type in terms of the arrangement of the gate electrodes, or the polysilicon type in terms of the process. Further, instead of building the element of the capacitor line driving circuit 150 in the display region 100, an IC chip may be mounted on the element substrate side.
When the IC chip is mounted on the element substrate side, the scanning line driving circuit 140 and the capacitor line driving circuit 150 may be integrated as a semiconductor chip together with the data line driving circuit 190, or may be separate chips. The control circuit 20 is FPC (flexible printed
circuit) may be connected via a substrate or the like, or may be configured to be mounted on an element substrate as a semiconductor chip.
When the present embodiment is a reflective type instead of a transmissive type, the reflective conductive layer may be patterned for the pixel electrode 118, or a separate reflective metal layer may be provided. Furthermore, a so-called transflective type in which both a transmissive type and a reflective type are combined may be used.

次に、本実施形態に係る電気光学装置10の動作について説明する。
上述したように本実施形態では、面反転方式としている。このため、制御回路20は、極性指示信号Polについて、図4に示されるように、あるフレーム(「nフレーム」と表記している)の期間においてHレベルとして正極性書込を指定し、次の(n+1)フレームの期間においてLレベルとして負極性書込を指定して、以下同様に1フレームの期間毎に書込極性を反転させる。
また、制御回路20は、nフレームにおいて、第1容量信号Vc1および第2容量信号Vc2を互いに同電位とする一方、(n+1)フレームにおいて、第1容量信号Vc1を、第2容量信号Vc2よりも電圧ΔVだけ相対的に上昇させる。このため、図4に示されるように、第2容量信号Vc2が電圧Vslで書込極性に拘わらずに一定であれば、第1容量信号Vc1は、nフレームにおいて同じ電圧Vslであり、(n+1)フレームにおいて電圧VslよりもΔVだけ高い電圧Vshとなる。
Next, the operation of the electro-optical device 10 according to this embodiment will be described.
As described above, in this embodiment, the surface inversion method is used. Therefore, the control circuit 20 designates the positive polarity writing as the H level in the period of a certain frame (denoted as “n frame”) for the polarity instruction signal Pol, as shown in FIG. The negative polarity writing is designated as the L level during the period of (n + 1) frames, and the writing polarity is similarly reversed every frame period thereafter.
Further, the control circuit 20 sets the first capacitance signal Vc1 and the second capacitance signal Vc2 to the same potential in the n frame, while the first capacitance signal Vc1 is set to be higher than the second capacitance signal Vc2 in the (n + 1) frame. The voltage is relatively increased by ΔV. Therefore, as shown in FIG. 4, if the second capacitance signal Vc2 is constant regardless of the writing polarity at the voltage Vs1, the first capacitance signal Vc1 is the same voltage Vsl in the n frames, and (n + 1) ) The voltage Vsh is higher than the voltage Vsl by ΔV in the frame.

さて、nフレームにおいては、走査線駆動回路140によって最初に走査信号Y1がHレベルになる。
一方、走査信号Y1がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力され
ると、データ線駆動回路190は、1行目であって、1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、当該表示データDaで指定された電圧だけ、電圧LCcomを基準に高位側とした電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240に変換し
、それぞれ1、2、3、…、240列のデータ線114に供給する。
これにより例えば、j列目のデータ線114には、1行j列の画素110の表示データDaで指定された電圧だけ電圧LCcomよりも高位側とした正極性電圧がデータ信号Xjとして印加される。
さて、走査信号Y1がHレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1、X2、X3、…、X240が印加される。このため、1行1列〜1行240列の画素容量120には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
一方、走査信号Y1がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、1行目の容量線132に対応するTFT154、156がオンするが、TFT152がオフであるので(走査信号Y2はLレベルであるので)、TFT158のゲート電極にはオフ電圧Voffが
印加されて当該TFT158がオフする結果、当該1行目の容量線132は、第1給電線165に接続された状態となって電圧Vslとなる。このため、1行1列〜1行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
In the n frame, the scanning signal driving circuit 140 first sets the scanning signal Y1 to the H level.
On the other hand, when the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y1 becomes H level, the data line driving circuit 190 displays the pixels in the first row and the columns 1, 2, 3,. The data Da is read and converted into data signals X1, X2, X3,..., X240 having a voltage specified by the display data Da as a high-order side with respect to the voltage LCcom. ..., supplied to the 240 data lines 114.
Thus, for example, a positive voltage that is higher than the voltage LCcom by the voltage specified by the display data Da of the pixel 110 in the first row and j column is applied to the jth data line 114 as the data signal Xj. .
Now, when the scanning signal Y1 becomes the H level, the TFTs 116 in the pixels in the first row and the first column to the first row and the 240th column are turned on. Is done. For this reason, a positive voltage corresponding to each gradation is written in the pixel capacitors 120 in the first row and the first column to the first row and the 240th column.
On the other hand, if the scanning signal Y1 is at the H level, in the capacitor line driving circuit 150, the TFTs 154 and 156 corresponding to the capacitor line 132 in the first row are turned on, but the TFT 152 is off (the scanning signal Y2 is at the L level). Therefore, the off voltage Voff is applied to the gate electrode of the TFT 158 and the TFT 158 is turned off. As a result, the capacitor line 132 in the first row is connected to the first power supply line 165, and the voltage Vsl It becomes. For this reason, the differential voltage between the positive voltage and the voltage Vsl corresponding to each gradation is written in the storage capacitor 130 in the first row and the first column to the first row and the 240th column.

次に走査信号Y1がLレベルになるとともに、走査信号Y2がHレベルになる。
走査信号Y1がLレベルになると、1行1列〜1行240列の画素におけるTFT116がオフする。また、走査信号Y1がLレベル、走査信号Y2がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、1行目の容量線132に対応するTFT154、156がオフし、1行目のTFT152がオンするので、1行目のTFT158のゲート電極にはオン電圧Vonが印加されて当該TFT158がオンする結果、当該1行目の容量線132は、第2給電線167に接続された状態となるが、正極性書込を指定するnフレームにおいて、当該第2給電線167は第1給電線165と同じ電圧Vslであるために電位変動しない。
このため、極性指示信号PolがHレベルあって正極性書込が指示されていれば、走査信号Y2がHレベルになっても、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130においてそれぞれ保持された電圧に変化は生じない。
Next, the scanning signal Y1 becomes L level and the scanning signal Y2 becomes H level.
When the scanning signal Y1 becomes L level, the TFTs 116 in the pixels in the first row and first column to the first row and 240th column are turned off. If the scanning signal Y1 is at the L level and the scanning signal Y2 is at the H level, in the capacitor line driving circuit 150, the TFTs 154 and 156 corresponding to the capacitor line 132 in the first row are turned off and the TFT 152 in the first row is turned on. Therefore, the on-voltage Von is applied to the gate electrode of the TFT 158 in the first row and the TFT 158 is turned on. As a result, the capacitor line 132 in the first row is connected to the second power feed line 167. In the n frame designating positive polarity writing, the second power supply line 167 is at the same voltage Vsl as the first power supply line 165, so that the potential does not fluctuate.
Therefore, if the polarity instruction signal Pol is at the H level and the positive polarity writing is instructed, even if the scanning signal Y2 becomes the H level, the pixel capacitors 120 and the storage capacitors of the first row and the first column to the first row and the 240th column are stored. There is no change in the voltage held at 130.

一方、走査信号Y2がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力され
ると、データ線駆動回路190は、2行目であって1、2、3、…、240列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240を、それぞれ1、2、3、…、240列のデータ線114に供給する。走査信号Y2がHレベルになると、2行1列〜2行240列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号X1、X2、X3、…、X240が印加される結果、1行1列〜1行240列の画素容量120には、それぞれ階調に応じた正極性電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Y2がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、2行目の容量線132に対応するTFT154、156がオンするが、2行目のTFT152がオフであるので(走査信号Y3はLレベルであるので)、2行目のTFT158もオフである。このため、2行目の容量線132は電圧Vslとなるので、2行1列〜2行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
On the other hand, when the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y2 becomes H level, the data line driving circuit 190 is the gray level of the pixels in the second row and the first, second, third,. .., X240 are supplied to the data lines 114 of 1, 2, 3,..., 240 columns, respectively. When the scanning signal Y2 becomes the H level, the TFTs 116 in the pixels of the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 240th column are turned on, so that the data signals X1, X2, X3,. As a result, the positive voltage corresponding to the gradation is written in each of the pixel capacitors 120 in the first row and the first column to the first row and the 240th column.
If the scanning signal Y2 is at the H level, in the capacitor line driving circuit 150, the TFTs 154 and 156 corresponding to the capacitor line 132 in the second row are turned on, but the TFT 152 in the second row is off (scanning signal). Since Y3 is at the L level, the TFT 158 in the second row is also off. For this reason, since the capacitor line 132 in the second row is at the voltage Vsl, the difference voltage between the positive voltage and the voltage Vsl corresponding to the gradation is respectively stored in the storage capacitor 130 in the second row and first column to the second row and 240th column. Will be written.

次に走査信号Y2がLレベルになるとともに、走査信号Y3がHレベルになる。
走査信号Y2がLレベルになると、容量線駆動回路150では、1行目の容量線132に対応するTFT152がオフする。このため、当該1行目の容量線132に対応するTFT158のゲート電極は、電気的にどこにも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、このゲート電極自体に寄生する容量のために、1行目のTFT152がオフする直前の状態であるオン電圧Vonに保たれる。このため、当該1行目の容量線132に対応するTFT158はオン状態を継続するので、当該1行目の容量線132は電圧Vslを維持することになる。なお、この1行目の容量線132が電圧Vslを維持する動作は、走査信号Y1が再びHレベルとなるまで継続することになる。
当該1行目の容量線132は電圧Vslに維持されるため、1行1列〜1行240列の画素容量120および蓄積容量130において保持された電圧は再び走査信号Y1がHレベルとなるまで変化が生じないことになる。結局、1行1列〜1行240列の画素容量120は、それぞれ走査信号Y1がHレベルとなったときに画素電極118に印加されたデータ信号の電圧とコモン電極108の電圧LCcomとの差電圧、すなわち、階調に応じた電
圧を保持し続けることになる。
また、走査信号Y3がHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力され
ると、データ線駆動回路190は、3行目であって1、2、3、…、240列目の画素の階調に応じた正極性電圧のデータ信号X1、X2、X3、…、X240を、それぞれ1、2、3、…、240列のデータ線114に供給し、これにより、3行1列〜3行240列の画素容量120には、それぞれ階調に応じた正極性の電圧が書き込まれることになる。
なお、走査信号Y3がHレベルであれば、容量線駆動回路150では、3行目の容量線132に対応するTFT154、156がオンするが、3行目のTFT152がオフであるので(走査信号Y4はLレベルであるので)、3行目のTFT158もオフする。この
ため、当該3行目の容量線132は電圧Vslとなるので、3行1列〜3行240列の蓄積容量130には、それぞれ階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が書き込まれることになる。
Next, the scanning signal Y2 becomes L level and the scanning signal Y3 becomes H level.
When the scanning signal Y2 becomes L level, in the capacitor line driving circuit 150, the TFT 152 corresponding to the capacitor line 132 in the first row is turned off. For this reason, the gate electrode of the TFT 158 corresponding to the capacitor line 132 in the first row is in a high impedance state that is not electrically connected anywhere, but because of the capacitance parasitic on the gate electrode itself, the first row The on-voltage Von which is the state immediately before the TFT 152 is turned off is maintained. For this reason, since the TFT 158 corresponding to the capacitor line 132 in the first row continues to be in the on state, the capacitor line 132 in the first row maintains the voltage Vsl. Note that the operation in which the capacitor line 132 in the first row maintains the voltage Vsl is continued until the scanning signal Y1 becomes H level again.
Since the capacitor line 132 in the first row is maintained at the voltage Vsl, the voltage held in the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the first row and first column to the first row and 240 columns is again until the scanning signal Y1 becomes the H level. There will be no change. After all, the pixel capacitance 120 in the first row and first column to the first row and 240th column has a difference between the voltage of the data signal applied to the pixel electrode 118 and the voltage LCcom of the common electrode 108 when the scanning signal Y1 becomes H level. The voltage, that is, the voltage corresponding to the gradation is continuously held.
Further, when the latch pulse Lp is output at the timing when the scanning signal Y3 becomes H level, the data line driving circuit 190 is the gradation of the pixels in the third row and in the first, second, third,. .., X240 are supplied to the data lines 114 of 1, 2, 3,..., 240 columns, respectively, whereby 3 rows 1 columns to 3 rows 240 are supplied. A positive voltage corresponding to each gradation is written in the pixel capacitors 120 in the column.
If the scanning signal Y3 is at the H level, in the capacitor line driving circuit 150, the TFTs 154 and 156 corresponding to the capacitor line 132 in the third row are turned on, but the TFT 152 in the third row is turned off (scanning signal). Since Y4 is at L level), the TFT 158 in the third row is also turned off. For this reason, since the capacitor line 132 in the third row has the voltage Vsl, the storage capacitor 130 in the third row and first column to the third row and 240th column has a difference voltage between the positive voltage and the voltage Vsl corresponding to each gradation. Will be written.

極性指示信号PolがHレベルとなるnフレームの期間では、以下同様な動作が、走査信号Y321がHレベルとなるまで繰り返される。これにより、すべての画素容量120にで、画素電極118に印加されたデータ信号の電圧、すなわち、階調に応じた正極性電圧とコモン電極108の電圧LCcomとの差電圧が保持され、また、すべての蓄積容量13
0には、階調に応じた正極性電圧と電圧Vslとの差電圧が保持されることになる。
In the n-frame period in which the polarity instruction signal Pol is at the H level, the same operation is repeated until the scanning signal Y321 becomes the H level. Thereby, the voltage of the data signal applied to the pixel electrode 118, that is, the difference voltage between the positive voltage corresponding to the gradation and the voltage LCcom of the common electrode 108 is held in all the pixel capacitors 120. All storage capacity 13
At 0, the difference voltage between the positive voltage corresponding to the gradation and the voltage Vsl is held.

次に、制御回路20は、極性信号PolがLレベルとなる(n+1)フレームの動作について説明する。
この(n+1)フレームの動作は、主に次の2点においてnフレームの動作と相違する。すなわち、第1に、制御回路20は、第1容量信号Vc1を、図4に示されるように、電圧VslよりもΔVだけ高い電圧Vshとする点と、第2に、走査信号YiがHレベルになるタイミングにおいてラッチパルスLpが出力されると、データ線駆動回路190は、i行
目であって、1、2、3、…、240列目の画素の表示データDaを読み出す点までnフ
レームと一緒であるが、データ信号X1、X2、X3、…、X240として、当該表示データDaに対応し、かつ、負極性に対応した電圧(この意味については後述する)とする
点とにおいてnフレームの動作と相違する。
そこで、(n+1)フレームにおける動作については、この相違点を中心にして、走査信号YiがHレベルとなったときにi行j列の画素容量120に書き込んだ電圧が、走査信号Y(i+1)がHレベルとなったときにどのように変化するのか、という観点で説明
することにする。
Next, the control circuit 20 will describe the operation of (n + 1) frames in which the polarity signal Pol becomes L level.
The operation of the (n + 1) frame is different from the operation of the n frame mainly in the following two points. That is, first, the control circuit 20 sets the first capacitance signal Vc1 to a voltage Vsh higher by ΔV than the voltage Vsl as shown in FIG. 4, and secondly, the scanning signal Yi is at the H level. When the latch pulse Lp is output at the timing, the data line driving circuit 190 performs n frames until the point at which the display data Da of the pixels in the 1, 2, 3,. However, the data signals X1, X2, X3,..., X240 are n frames in that they correspond to the display data Da and have a voltage corresponding to the negative polarity (this meaning will be described later). The operation is different.
Therefore, with respect to the operation in the (n + 1) frame, the voltage written in the pixel capacitor 120 in the i row and j column when the scanning signal Yi becomes H level is the scanning signal Y (i + 1), centering on this difference. It will be explained from the viewpoint of how it changes when the value becomes H level.

図5は、(n+1)フレームにおけるi行j列の画素容量120の電圧変化を説明するための図である。
まず、走査信号YiがHレベルになると、図5(a)に示されるように、i行j列のTFT116がオンするので、データ信号Xjが画素容量120の一端(画素電極118)と蓄積容量130の一端とにそれぞれ印加される。一方、走査信号YiがHレベルであれば、容量線駆動回路150においてi行目の容量線132に対応するTFT154、156がオンし、TFT152、158がオフするので、i行目の容量線132の電圧Ciは、第1給電線165の電圧Vshとなる。なお、コモン電極108は電圧LCcomで一定で
ある。
したがって、このときのデータ信号Xjの電圧をVjとすれば、i行j列における画素容量120には電圧(Vj−LCcom)が充電され、蓄積容量130には電圧(Vj−Vsh)が充電される。
FIG. 5 is a diagram for explaining a voltage change of the pixel capacitor 120 of i rows and j columns in the (n + 1) frame.
First, when the scanning signal Yi becomes H level, as shown in FIG. 5A, the TFTs 116 in i rows and j columns are turned on, so that the data signal Xj is connected to one end (pixel electrode 118) of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor. The voltage is applied to one end of 130. On the other hand, if the scanning signal Yi is at the H level, the TFTs 154 and 156 corresponding to the i-th capacitor line 132 are turned on and the TFTs 152 and 158 are turned off in the capacitor line driving circuit 150. The voltage Ci becomes the voltage Vsh of the first feeder 165. The common electrode 108 is constant at the voltage LCcom.
Therefore, if the voltage of the data signal Xj at this time is Vj, the pixel capacitor 120 in the i row and j column is charged with the voltage (Vj−LCcom), and the storage capacitor 130 is charged with the voltage (Vj−Vsh). The

次に、走査信号YiがLレベルになると、図5(b)に示されるように、i行j列のTFT116がオフする。また、走査信号YiがLレベルになると、次の走査信号Y(i+1)がHレベルになるので(図5(b)においては(i+1)行を図示省略)、容量線駆動回路150においてi行目の容量線132に対応するTFT154、156がオフし、i行目のTFT152がオンして、i行目のTFT158のゲート電極にオン電圧Vonを印加する。このため、i行目のTFT158がオンするので、i行目の容量線132の電圧Ciは、第2給電線167の電圧Vslとなり、走査信号YiがHレベルであったときと比較すると、電圧ΔVだけ低下する。これに対し、コモン電極108は電圧LCcomで一
定である。したがって、画素容量120に蓄えられた電荷は、蓄積容量130に移動するので、画素電極118の電圧が低下する。
詳細には、画素容量120と蓄積容量130との直列接続において、画素容量120の他端(コモン電極)が電圧一定に保たれたまま、蓄積容量130の他端が電圧ΔVだけ低
下するので、画素電極118の電圧も低下する。
このため、当該直列の接続点である画素電極118の電圧は、
Vj−{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔV
となり、走査信号YiがHレベルであったときのデータ信号の電圧Vjよりも、i行目の容量線132の電圧変化分ΔVに、画素容量120および蓄積容量130の容量比{Cs/(Cs+Cpix)}を乗じた値だけ低下することになる。すなわち、i行目の容量線1
32の電圧CiがΔVだけ低下すると、画素電極118の電圧は、走査信号YiがHレベルであったときのデータ信号の電圧Vjよりも、{Cs/(Cs+Cpix)}・ΔV(=Δ
Vpixとする)だけ低下することになる。ただし、各部の寄生容量は無視している。
Next, when the scanning signal Yi becomes L level, as shown in FIG. 5B, the TFTs 116 in the i rows and j columns are turned off. Further, when the scanning signal Yi becomes the L level, the next scanning signal Y (i + 1) becomes the H level ((i + 1) rows are not shown in FIG. 5B). The TFTs 154 and 156 corresponding to the capacitor line 132 of the eye are turned off, the TFT 152 of the i-th row is turned on, and the on-voltage Von is applied to the gate electrode of the TFT 158 of the i-th row. For this reason, since the TFT 158 in the i-th row is turned on, the voltage Ci of the capacitor line 132 in the i-th row becomes the voltage Vsl of the second power supply line 167, which is a voltage compared to when the scanning signal Yi is at the H level. Decrease by ΔV. On the other hand, the common electrode 108 is constant at the voltage LCcom. Therefore, the charge stored in the pixel capacitor 120 moves to the storage capacitor 130, so that the voltage of the pixel electrode 118 decreases.
Specifically, in the serial connection of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130, the other end (common electrode) of the pixel capacitor 120 is maintained at a constant voltage, and the other end of the storage capacitor 130 is reduced by the voltage ΔV. The voltage of the pixel electrode 118 also decreases.
For this reason, the voltage of the pixel electrode 118 which is the series connection point is
Vj− {Cs / (Cs + Cpix)} · ΔV
Therefore, the capacitance ratio {Cs / (Cs + Cpix) of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 is more than the voltage change ΔV of the capacitor line 132 in the i-th row than the voltage Vj of the data signal when the scanning signal Yi is at the H level. )}. That is, the i-th capacitance line 1
When the voltage Ci of 32 is reduced by ΔV, the voltage of the pixel electrode 118 becomes {Cs / (Cs + Cpix)} · ΔV (= Δ) rather than the voltage Vj of the data signal when the scanning signal Yi is at the H level.
Vpix). However, the parasitic capacitance of each part is ignored.

ここで、走査信号YiがHレベルのときのデータ信号Xjは、画素電極118が電圧ΔVpixだけ低下することを見越した電圧Vjに設定される。すなわち、低下した後の画素
電極118の電圧がコモン電極108の電圧LCcomよりも低位であって両者の差電圧が
i行j列の階調に応じた値となるように設定される。
詳細には、本実施形態では、図7に示されるように、正極性書込となるnフレームにおいて、データ信号が白色wに相当する電圧Vw(+)から黒色bに相当する電圧Vb(+)までの範囲であって、階調が低く(暗く)なるにつれて電圧LCcomよりも高位側の電圧となる
場合に、負極性書込となる(n+1)フレームにおいて画素を白色wするときには電圧Vb(+)とし、画素を黒色bとする場合には電圧Vw(+)となるように設定して、正極性の電圧範囲と同一であって、その階調関係を逆転させた設定とする。第2に、(n+1)フレームにおいてデータ信号の電圧を書き込んだ後に、画素電極118が電圧ΔVpixだけ低下
したとき、当該画素電極118の電圧が負極性の白色に相当する電圧Vw(-)から黒色に相当する電圧Vw(-)までの範囲であって、電圧LCcomを基準にして正極性の電圧と対称と
なるように、容量線132の電圧ΔVの低下分(Vsh−Vsl)を設定する。
これにより、負極性書込を指定する(n+1)フレームにおいて、電圧ΔVpixだけ低
下したときの画素電極118の電圧は、階調に応じた負極性の電圧、すなわち、白色wに相当する電圧Vw(-)から黒色bに相当する電圧Vb(-)までの範囲であって、階調が低く(暗く)なるにつれて電圧LCcomよりも低位側の電圧にシフトする。
なお、図5では、i行j列の画素容量120および蓄積容量130について説明するが、同様な動作は、走査線112および容量線132を兼用するi行について同様に実行される。また、(n+1)フレームにおいては、nフレームと同様に、走査信号Y1、Y2、Y3、…、Y320、Y321が順番にHレベルとなるので、各行における動作は、1、2、3、…、320行の画素についても順番に実行される。
Here, the data signal Xj when the scanning signal Yi is at the H level is set to the voltage Vj in anticipation that the pixel electrode 118 is lowered by the voltage ΔVpix. That is, the voltage of the pixel electrode 118 after being lowered is set to be lower than the voltage LCcom of the common electrode 108, and the difference voltage between the two is set to a value corresponding to the gradation of i rows and j columns.
Specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, in the n frame for positive polarity writing, the data signal has a voltage Vb (+) corresponding to black b from a voltage Vw (+) corresponding to white w. ), And when the voltage becomes higher than the voltage LCcom as the gradation becomes lower (darker), the voltage Vb ( In the case where the pixel is black b, the voltage Vw (+) is set to be the same as the positive voltage range and the gradation relationship is reversed. Second, after the voltage of the data signal is written in the (n + 1) frame, when the pixel electrode 118 is lowered by the voltage ΔVpix, the voltage of the pixel electrode 118 is changed from the voltage Vw (−) corresponding to negative white to black. And a decrease (Vsh−Vsl) of the voltage ΔV of the capacitor line 132 is set so as to be symmetrical to the positive voltage with reference to the voltage LCcom.
As a result, in the (n + 1) frame designating negative polarity writing, the voltage of the pixel electrode 118 when lowered by the voltage ΔVpix is a negative polarity voltage corresponding to the gradation, that is, the voltage Vw ( In the range from-) to the voltage Vb (-) corresponding to black b, the voltage shifts to a voltage lower than the voltage LCcom as the gradation becomes lower (darker).
In FIG. 5, the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 in the i row and j column are described, but the same operation is similarly performed for the i row that also functions as the scanning line 112 and the capacitor line 132. In the (n + 1) frame, as in the n frame, the scanning signals Y1, Y2, Y3,..., Y320, Y321 are sequentially at the H level, so that the operation in each row is 1, 2, 3,. The processing is also performed in order for the 320 rows of pixels.

このように、本実施形態では、負極性書込を指定する(n+1)フレームにおけるデータ線の電圧範囲aは、正極性書込を指定するnフレームと同じであるが、シフト後における画素電極118の電圧が、階調に応じた負極性電圧となる。これにより、本実施形態によれば、データ線駆動回路190を構成する素子の耐圧が狭くて済むだけでなく、容量が寄生するデータ線114における電圧振幅も狭くなるので、その寄生容量により無駄に電力が消費されることもなくなる。
すなわち、コモン電極108が電圧LCcomに保たれるとともに、容量線132の電圧
を、各フレームにわたって一定とした構成において、画素容量120を交流駆動する場合、画素電極118に、あるフレームにおいて階調に応じて正極性の電圧Vw(+)から電圧Vb(+)までの範囲の電圧で書き込んだときには、階調に変化がなければ、次のフレームにおいて負極性に対応した電圧Vw(-)から電圧Vb(-)までの範囲であって、電圧LCcomを基
準に反転させた電圧を書き込まなければならない。このため、コモン電極108の電圧が一定である構成において、容量線132の電圧一定としたとき、データ信号の電圧が図において範囲bにわたるので、データ線駆動回路190を構成する素子の耐圧も範囲bに対応させる必要があるだけでなく、容量が寄生するデータ線114において範囲bで電圧が変化すると、その寄生容量により無駄に電力が消費される、という不都合が発生してしま
うのである。これに対して、本実施形態では、データ線の電圧範囲aは、範囲bに比べておおよそ半減するので、このような不都合が解消されるのである。
As described above, in this embodiment, the voltage range a of the data line in the (n + 1) frame designating the negative polarity write is the same as the n frame designating the positive polarity write, but the pixel electrode 118 after the shift. Is a negative voltage corresponding to the gradation. Thus, according to the present embodiment, not only the withstand voltage of the elements constituting the data line driving circuit 190 is reduced, but also the voltage amplitude in the data line 114 where the capacitance is parasitic is reduced, so that the parasitic capacitance is wasteful. Power is not consumed.
That is, when the pixel capacitor 120 is AC-driven in a configuration in which the common electrode 108 is maintained at the voltage LCcom and the voltage of the capacitor line 132 is constant over each frame, the pixel electrode 118 has a gradation in a certain frame. Accordingly, when writing is performed with a voltage in the range from the positive voltage Vw (+) to the voltage Vb (+), if there is no change in gradation, the voltage from the voltage Vw (−) corresponding to the negative polarity will be applied in the next frame. A voltage up to Vb (−) and inverted with respect to the voltage LCcom must be written. For this reason, in the configuration in which the voltage of the common electrode 108 is constant, when the voltage of the capacitor line 132 is constant, the voltage of the data signal covers the range b in the figure, so that the breakdown voltage of the elements constituting the data line driving circuit 190 is also in the range. In addition to the need to correspond to b, if the voltage changes in the range b in the data line 114 where the capacitance is parasitic, there is a disadvantage that power is wasted due to the parasitic capacitance. On the other hand, in the present embodiment, the voltage range a of the data line is approximately halved compared to the range b, so that such inconvenience is solved.

さらに、本実施形態によれば、図6に示されるように、正極性書込を指示するフレームにおいてi行目の容量線132の電圧Ciは、走査信号YiがHレベルになったときに第1給電線165の電圧Vslとなり、その次の走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに第2給電線167の電圧Vslとなる。このため、i行目の容量線132の電圧Ciは、正極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったタイミングでは電圧変化しない。
一方、負極性書込を指示するフレームにおいてi行目の容量線132の電圧Ciは、走査信号YiがHレベルになったときに電圧Vshとなり、その次の走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに第2給電線167の電圧Vslとなる。このため、i行目の容量線132の電圧Ciは、負極性書込を指示するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったタイミングにて電圧ΔVだけ低下する。
本実施形態では、このように1行分の容量線132を駆動するのに、4つのTFT152、154、156、158で足り、さらに、別途の制御信号や制御電圧も不要である。このため、各行に対応した容量線132を駆動する容量線駆動回路150の構成が複雑化を回避することも可能である。
なお、図6は、走査信号と容量線と画素電極との電圧関係を示す図であり、i行j列の画素電極118の電圧変化をPix(i,j)で示している。
Furthermore, according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, in the frame instructing positive polarity writing, the voltage Ci of the capacitance line 132 in the i-th row is the second when the scanning signal Yi becomes H level. The voltage Vsl of the first power supply line 165 becomes the voltage Vsl of the second power supply line 167 when the next scanning signal Y (i + 1) becomes the H level. For this reason, the voltage Ci of the capacitance line 132 in the i-th row does not change at the timing when the scanning signal Y (i + 1) becomes the H level in the frame instructing the positive writing.
On the other hand, in the frame instructing negative polarity writing, the voltage Ci of the capacitor line 132 in the i-th row becomes the voltage Vsh when the scanning signal Yi becomes H level, and the next scanning signal Y (i + 1) becomes H level. Becomes the voltage Vsl of the second feeder 167. For this reason, the voltage Ci of the capacitance line 132 in the i-th row decreases by the voltage ΔV at the timing when the scanning signal Y (i + 1) becomes the H level in the frame instructing negative polarity writing.
In the present embodiment, four TFTs 152, 154, 156, and 158 are sufficient to drive the capacitor line 132 for one row in this way, and no additional control signal or control voltage is required. For this reason, the configuration of the capacitor line driving circuit 150 that drives the capacitor line 132 corresponding to each row can be prevented from becoming complicated.
FIG. 6 is a diagram showing the voltage relationship among the scanning signal, the capacitor line, and the pixel electrode, and the voltage change of the pixel electrode 118 in i row and j column is indicated by Pix (i, j).

くわえて、本実施形態によれば、走査信号Y(i+1)がLレベルに変化した後であっても、i行目の容量線132に対応するTFT158のゲート電極がその寄生容量によってオン電圧Vonに維持されるので、当該TFT158がオンし続ける結果、i行目の容量線132は、ハイ・インピーダンス状態になることなく、第2容量信号Vc2の電圧で安定化する。容量線132は、1〜240列のデータ線114と交差するので、データ信号X1〜X240の電圧変化による影響を受けやすいだけでなく、走査線112とも平行しているので、走査信号の電圧変化による影響も受けやすい。仮に、容量線132が、第2容量信号Vc2の電圧で安定化しない構成であれば、これらの電圧変化の影響を受けて、電圧変動してしまう。容量線132が電圧変動すると、画素容量120に保持される電圧が目標とする階調値に応じた電圧からズレてしまうので、表示品位に悪影響を与えてしまうが、本実施形態によれば、容量線132が電圧変動しないので、このような表示品位に影響をほとんど与えないことになる。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させたが、完全に一致させなくもても、容量線132の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
In addition, according to the present embodiment, even after the scanning signal Y (i + 1) changes to the L level, the gate electrode of the TFT 158 corresponding to the i-th capacitance line 132 is turned on by the parasitic capacitance. Therefore, as a result of the TFT 158 being kept on, the i-th capacitor line 132 is stabilized at the voltage of the second capacitor signal Vc2 without being in a high impedance state. Since the capacitor line 132 intersects with the data lines 114 of 1 to 240 columns, the capacitor line 132 is not only easily affected by the voltage change of the data signals X1 to X240, but is also parallel to the scan line 112, so the voltage change of the scan signal Also susceptible to If the capacitance line 132 is not stabilized by the voltage of the second capacitance signal Vc2, the voltage fluctuates under the influence of these voltage changes. When the voltage of the capacitor line 132 fluctuates, the voltage held in the pixel capacitor 120 is deviated from the voltage corresponding to the target gradation value, which adversely affects the display quality. Since the capacitance line 132 does not fluctuate, such display quality is hardly affected.
In addition, although the voltage range of the data signal when the positive polarity writing is specified and the voltage range of the data signal when the negative polarity writing is specified are matched, The voltage amplitude of the data signal can be suppressed by the voltage change of the capacitor line 132.

なお、この説明では、第2容量信号Vc2を電圧Vslで一定とすることによって、正極性書込を指定するnフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132の電圧を変化させない一方、負極性書込を指定する(n+1)フレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132を電圧ΔVだけ低下させて、走査信号YiがHレベルであったときに書き込んだ画素電極118を電圧ΔVpixだけ低下させたが、これとは反対としても良い。
すなわち、図8に示されるように、第2容量信号を電圧Vshで一定とすることによって、負極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132の電圧を変化させない一方、正極性書込を指定するフレームにおいて走査信号Y(i+1)がHレベルになったときに、i行目の容量線132を電圧ΔVだけ上昇させて、走査信号YiがHレベルであったときに書き込んだ画素電極118を電圧ΔVpixだけ上昇させる構成としても良い。
この構成において、データ信号の電圧関係は、図7(a)および図7(b)を、電圧L
Ccomを基準に反転させるとともに、正極性書込を負極性書込に、負極性書込を正極性書
込に、それぞれ読み替えれば良い。
In this description, by setting the second capacitance signal Vc2 to be constant at the voltage Vsl, when the scanning signal Y (i + 1) becomes H level in the n frame designating the positive writing, the i-th row While the voltage of the capacitor line 132 is not changed, when the scanning signal Y (i + 1) becomes H level in the (n + 1) frame designating negative polarity writing, the capacitor line 132 in the i-th row is lowered by the voltage ΔV. Thus, the pixel electrode 118 written when the scanning signal Yi is at the H level is decreased by the voltage ΔVpix, but this may be reversed.
That is, as shown in FIG. 8, by making the second capacitance signal constant at the voltage Vsh, when the scanning signal Y (i + 1) becomes H level in the frame designating negative polarity writing, i rows While the voltage of the capacitive line 132 of the eye is not changed, when the scanning signal Y (i + 1) becomes the H level in the frame designating the positive writing, the capacitive line 132 of the i-th row is raised by the voltage ΔV. The pixel electrode 118 written when the scanning signal Yi is at the H level may be raised by the voltage ΔVpix.
In this configuration, the voltage relationship of the data signal is as shown in FIG. 7 (a) and FIG.
Inversion is performed with reference to Ccom, and positive writing is replaced with negative writing, and negative writing is replaced with positive writing.

さらに、この説明では、1フレームの期間において画素に書き込む極性をすべて同一とし、この書込極性を1フレームの期間毎に反転させた面反転方式としたが、1行毎に書込極性を反転する走査線(ライン)反転方式としても良い。
走査線反転方式とする場合、極性指示信号Po lは、図9に示されるように、水平走査
期間(H)毎に反転するとともに、隣接するフレーム同士において、同一の走査信号がHレベルとなる(同一の走査線が選択される)期間でみたときにも反転した関係となる。
また、第1容量信号Vc1は、極性指示信号PolがHレベルであるときに電圧Vslとなり、極性指示信号PolがLレベルであるときに電圧Vshとなる。
これにより、図9のnフレームにおいて、奇数(1、3、5、…、319)行の容量線132は、次の偶数(2、4、6、…、320)行の走査線112への走査信号がHレベルになっても電圧変化しないが、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧ΔVだけ低下する。したがって、図9のnフレームにおいて奇数行では図7(a)と同様な正極性書込が実行される一方、偶数行では図7(b)と同様な負極性書込が実行される。
一方、図9の(n+1)フレームにおいて、奇数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧ΔVだけ低下するが、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになっても電圧変化しない。したがって、図9の(n+1)フレームにおいて奇数行では図7(b)と同様な負極性書込が実行される一方、偶数行では図7(a)と同様な正極性書込が実行される。
なお、図9においては、第2容量信号Vc2を電圧Vslとしたが、電圧Vshとして、容量線132の電圧をΔVだけ上昇させる構成としても良い。
Furthermore, in this explanation, the polarity to be written to the pixels in the period of one frame is all the same, and the surface inversion method is used in which the writing polarity is inverted every period of one frame, but the writing polarity is inverted every row. A scanning line (line) inversion method may be used.
When the scanning line inversion method is used, the polarity instruction signal Pol is inverted every horizontal scanning period (H) as shown in FIG. 9, and the same scanning signal becomes H level in adjacent frames. This relationship is also reversed when viewed in the period (the same scanning line is selected).
The first capacitance signal Vc1 becomes the voltage Vsl when the polarity instruction signal Pol is at the H level, and becomes the voltage Vsh when the polarity instruction signal Pol is at the L level.
Accordingly, in the n frame of FIG. 9, the odd-numbered (1, 3, 5,..., 319) rows of capacitor lines 132 are transferred to the next even (2, 4, 6,..., 320) rows of scanning lines 112. Even if the scanning signal becomes H level, the voltage does not change, but the capacitor line 132 in the even-numbered row decreases by the voltage ΔV when the scanning signal to the next odd-numbered scanning line 112 becomes H level. Therefore, in the n frame of FIG. 9, the positive polarity writing similar to that in FIG. 7A is executed in the odd-numbered rows, while the negative polarity writing similar to that in FIG. 7B is executed in the even-numbered rows.
On the other hand, in the (n + 1) frame in FIG. 9, the odd-numbered capacitor lines 132 decrease by the voltage ΔV when the scanning signal to the next even-numbered scanning line 112 becomes H level, The voltage of the capacitor line 132 does not change even when the scanning signal to the next odd-numbered scanning line 112 becomes H level. Therefore, in the (n + 1) frame of FIG. 9, the negative polarity writing similar to FIG. 7B is executed in the odd-numbered rows, while the positive polarity writing similar to FIG. 7A is executed in the even-numbered rows. .
In FIG. 9, the second capacitance signal Vc2 is the voltage Vsl. However, the voltage Vsh may be used to increase the voltage of the capacitance line 132 by ΔV.

また、このように走査線反転方式とする場合に、図10に示されるように、第2容量信号Vc2を電圧LCcomで一定としても良い。
第2容量信号Vc2を電圧LCcomで一定とした場合、図10のnフレームにおいて、奇
数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vslから電圧LCcomに上昇し、偶数行の容量線132は、次の奇数行の走査線
112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vshから電圧LCcomに下降する一
方、(n+1)フレームにおいて、奇数行の容量線132は、次の偶数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vshから電圧LCcomに下降し、偶数行の
容量線132は、次の奇数行の走査線112への走査信号がHレベルになったときに、電圧Vslから電圧LCcomに上昇する。
ここで、電圧Vslから電圧LCcomへの上昇分と、電圧LCcomから電圧Vslへの変化分を等しくΔVとしたとき、図11に示されるように、i行目の画素電極では、走査信号YiがHレベルになったときに書き込んだ電圧を、走査信号Y(i+1)がHレベルになったときにi行目の容量線132を電圧ΔVだけ変化させることによって、電圧ΔVpixだ
けシフトさせる動作が、正極性書込と負極性書込とで1フレームの期間毎に交互に実行される。
Further, when the scanning line inversion method is used in this way, the second capacitance signal Vc2 may be constant at the voltage LCcom as shown in FIG.
When the second capacitance signal Vc2 is constant at the voltage LCcom, in the n frame of FIG. 10, when the scanning signal to the next even-numbered scanning line 112 becomes H level, The voltage Vsl rises to the voltage LCcom, and the capacitance line 132 in the even-numbered row falls from the voltage Vsh to the voltage LCcom when the scanning signal to the next odd-numbered scanning line 112 becomes H level, while (n + 1) ) In the frame, the odd-numbered capacitive lines 132 drop from the voltage Vsh to the voltage LCcom when the scanning signal to the next even-numbered scanning line 112 becomes H level. When the scanning signal to the next odd-numbered scanning line 112 becomes H level, the voltage rises from the voltage Vsl to the voltage LCcom.
Here, when the amount of increase from the voltage Vsl to the voltage LCcom and the amount of change from the voltage LCcom to the voltage Vsl are equally ΔV, as shown in FIG. The operation of shifting the voltage written when the signal becomes H level by the voltage ΔVpix by changing the capacitance line 132 of the i-th row by the voltage ΔV when the scanning signal Y (i + 1) becomes the H level. The positive polarity writing and the negative polarity writing are alternately executed every one frame period.

データ信号は、正極性書込が指定されたときの電圧範囲aに、負極性書込が指定されたときの電圧範囲を一致させれば、図4と同様な効果を奏する。すなわち、図12に示されるように、正極性書込となるnフレームにおいて、電圧範囲aの中心が電圧LCcomに一
致するように設定するとともに、電圧ΔVpixだけ上昇したときに、電圧Vw(+)から電圧
Vb(+)までの範囲にシフトし、電圧ΔVpixだけ下降したときに、電圧Vw(-)から電圧Vb(-)までの範囲にシフトするように電圧ΔV(=Vsh−LCcom=LCcom−Vsl)を設定
すれば良い。ただし、図12における電圧範囲aは、正極性書込が指定される場合、白色w側が低位となり黒色b側が高位となるが、負極性書込が指定される場合、白色w側が高
位となり黒色b側が低位となり、階調の関係が逆転する。
なお、正極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲と、負極性書込が指定されたときのデータ信号の電圧範囲とを一致させなくても、容量線132の電圧変化によりデータ信号の電圧振幅を抑えることはできる。
If the voltage range when the negative polarity writing is designated matches the voltage range a when the positive polarity writing is designated, the data signal has the same effect as FIG. That is, as shown in FIG. 12, when the center of the voltage range a is set to coincide with the voltage LCcom in the n frame for positive polarity writing, and the voltage Vw (+) increases when the voltage ΔVpix increases. To the voltage Vb (+), and when the voltage ΔVpix falls, the voltage ΔV (= Vsh−LCcom = LCcom−) so as to shift to the range from the voltage Vw (−) to the voltage Vb (−). Vsl) may be set. However, in the voltage range a in FIG. 12, when positive polarity writing is specified, the white w side is low and the black b side is high, but when negative polarity writing is specified, the white w side is high and black b The side becomes low, and the relationship of gradation is reversed.
Note that even if the voltage range of the data signal when the positive polarity writing is designated and the voltage range of the data signal when the negative polarity writing is designated do not coincide with each other, the data changes due to the voltage change of the capacitor line 132. The voltage amplitude of the signal can be suppressed.

<第1実施形態の応用例>
上記容量線駆動回路150のi行目において、TFT152、154、156がオンする期間はたかだか水平走査期間(H)であるが、TFT158がオンする期間は、i行目の非選択期間(走査信号YiがLレベルとなる期間)の全域にわたる。このため、TFT158については、TFT152、154、156と比較すると、オン状態となる期間が著しく長いので、トランジスタ特性が変化しやすい環境にある。なお、ここでいうトランジスタ特性の変化とは、スイッチとしてオンするためのゲート電圧(しきい値電圧)が、時間経過とともに高くなることをいう。このため、長期使用するにつれて、TFT158が非選択期間でオンしなくなる、という誤動作の可能性が高くなる。
そこで、このような誤動作の可能性を低く抑えることを目的とした応用例について説明する。
<Application example of the first embodiment>
In the i-th row of the capacitor line driving circuit 150, the period during which the TFTs 152, 154, and 156 are turned on is at most the horizontal scanning period (H), but the period during which the TFT 158 is turned on is the non-selection period (scanning signal in the i-th row). The period over which Yi is at the L level). For this reason, the TFT 158 is in an environment where the transistor characteristics are likely to change because the period during which the TFT 158 is in the on state is significantly longer than that of the TFTs 152, 154, and 156. Note that the change in transistor characteristics here means that the gate voltage (threshold voltage) for turning on as a switch increases with time. For this reason, the possibility of a malfunction that the TFT 158 does not turn on in the non-selection period increases as it is used for a long time.
Therefore, an application example for the purpose of suppressing the possibility of such a malfunction will be described.

図13は、この応用例に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、応用例では、TFT158がTFT158a、158bの2系統に分かれて、交互に用いる構成となっている。
詳細には、応用例に係る容量線駆動回路150では、各行においてa系統とb系統とに分かれており、このうち、a系統は、TFT152a、154a、158aを有し、TFT152aのソース電極が給電線161aに接続され、また、b系統は、TFT152b、154b、158bを有し、TFT152bのソース電極が給電線161bに接続されている。
この応用例において制御回路20は、信号Von-aを給電線161aに、信号Von-bを給電線161bに、それぞれ供給する。この信号Von-a、Von-bの電圧波形の一例としては、例えば図15に示されるように、nフレームにおいて信号Von-aはオン電圧Vonとなり、信号Von-bはオフ電圧Voffとなり、次の(n+1)フレームにおいて信号Von-aはオ
フ電圧Voffとなり、信号Von-bはオン電圧Vonとなる。
FIG. 13 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to this application example.
As shown in this figure, in the application example, the TFT 158 is divided into two systems of TFTs 158a and 158b and is used alternately.
In detail, the capacitor line driving circuit 150 according to the application example is divided into a system and b system in each row. Of these, the system a has TFTs 152a, 154a and 158a, and the source electrode of the TFT 152a is supplied. The b system has TFTs 152b, 154b, and 158b connected to the electric wire 161a, and the source electrode of the TFT 152b is connected to the feeder line 161b.
In this application example, the control circuit 20 supplies the signal Von-a to the power supply line 161a and the signal Von-b to the power supply line 161b. As an example of the voltage waveforms of the signals Von-a and Von-b, as shown in FIG. 15, for example, in the n frame, the signal Von-a becomes the on voltage Von, the signal Von-b becomes the off voltage Voff, In the (n + 1) frame, the signal Von-a becomes the off voltage Voff, and the signal Von-b becomes the on voltage Von.

この応用例において、選択後に容量線132を第2給電線167に接続するのは、信号Von-aがオン電圧VonとなるnフレームではTFT152aであり、信号Von-bがオン電圧Vonとなる(n+1)フレームではTFT152bである。このため、応用例によれば、TFT152a、152bがオンする期間は、第1実施形態と比較して半分になるので、長期使用による誤動作の可能性を低く抑えることが可能となる。
なお、応用例にあっては、第1容量信号Vc1、第2容量信号Vc2、極性指示信号Polとして、図4、図8、図9、図10のいずれも適用可能である。
In this application example, the capacitor line 132 is connected to the second power supply line 167 after selection in the TFT 152a in the n frame where the signal Von-a becomes the on voltage Von, and the signal Von-b becomes the on voltage Von ( In the (n + 1) frame, the TFT 152b. For this reason, according to the application example, the period during which the TFTs 152a and 152b are turned on is halved compared to the first embodiment, so that the possibility of malfunction due to long-term use can be kept low.
In the application example, any of FIGS. 4, 8, 9, and 10 can be applied as the first capacitance signal Vc1, the second capacitance signal Vc2, and the polarity instruction signal Pol.

図14は、応用例において、素子基板のうち、容量線駆動回路150と表示領域100との境界付近の構成を示す平面図であり、上述したように、TFT152とTFT154とTFT158とが、それぞれTFT152a、152bと、TFT154a、154bと、TFT158a、158bとに分かれている。   FIG. 14 is a plan view showing a configuration near the boundary between the capacitive line driving circuit 150 and the display region 100 in the element substrate in the application example. As described above, the TFT 152, the TFT 154, and the TFT 158 are each composed of the TFT 152a. 152b, TFTs 154a and 154b, and TFTs 158a and 158b.

なお、この図において、i行目のTFT154aのゲート電極は、i行目の走査線112からY(下)方向にT字状に分岐した部分であるが、i行目のTFT154bのゲート電極は、i行目のTFT156のゲート電極から枝分かれした部分である。
この応用例では、信号Von-a、Von-bの電圧を1フレームの期間毎に切り替える構成としたが、これに限られない。また、信号Von-a、Von-bの電圧を周期的に切り替える必要はなく、例えば電源オン(オフ)する毎に切り替える構成としても良い。
また、この応用例では、TFT158を2つのTFT158a、158bに分けた構成を示したが、3つ以上として、所定の順番で切り替えながら用いる構成としても良い。
すなわち、応用例の目的は、いずれかのTFT158をオンさせる期間を短くして(オフさせる期間を長くして)、トランジスタ特性の変化を少なくすることであるから、非選択期間において、複数あるTFT158のうち、少なくとも1個以上がオフし、1個以上がオンしている構成であれば良い。
In this figure, the gate electrode of the TFT 154a in the i-th row is a portion branched in a T shape in the Y (downward) direction from the scanning line 112 in the i-th row, but the gate electrode of the TFT 154b in the i-th row is , A portion branched from the gate electrode of the TFT 156 in the i-th row.
In this application example, the voltages of the signals Von-a and Von-b are switched every frame period, but the present invention is not limited to this. Further, it is not necessary to periodically switch the voltages of the signals Von-a and Von-b. For example, a configuration may be adopted in which the voltage is switched each time the power is turned on (off).
Further, in this application example, the configuration in which the TFT 158 is divided into the two TFTs 158a and 158b is shown, but the configuration may be such that three or more are used while being switched in a predetermined order.
That is, the purpose of the application example is to shorten the period during which any one of the TFTs 158 is turned on (longen the period during which the TFTs 158 are turned off) to reduce the change in transistor characteristics. Of these, at least one or more may be off and one or more may be on.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図16は、本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示される構成が第1実施形態(図1参照)と相違する部分は、1〜320行の容量線132に対応して補助容量184が設けられている点にある。そこでこの点について説明すると、i行目の容量線132に対応する補助容量184は、その一端がi行目の容量線132に対応するTFT158のゲート電極に接続され、その他端がi行目の走査線112に接続されている。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 16 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the second embodiment of the invention.
The configuration shown in this figure is different from that of the first embodiment (see FIG. 1) in that auxiliary capacitors 184 are provided corresponding to the capacitor lines 132 of 1 to 320 rows. Therefore, this point will be described. The auxiliary capacitor 184 corresponding to the i-th capacitor line 132 has one end connected to the gate electrode of the TFT 158 corresponding to the i-th capacitor line 132 and the other end connected to the i-th capacitor line 132. It is connected to the scanning line 112.

図17は、第2実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路150と表示領域100との境界付近の構成を示す平面図である。
この図において第1実施形態(図3参照)と相違する部分は、走査線112が、Y(下)方向に向かった幅広部分を有し、この幅広部分と重なるように、第3導電層となる金属層のパターニングした電極部分が設けられている点にある。したがって、補助容量184は、走査線112の幅広部分と、この幅広部分と重なるようにパターニングされた電極部分とにより、ゲート絶縁膜を誘電体として挟持した構成となる。
なお、この電極部分は、TFT158のゲート電極とコンタクトホールを介して接続されている。
FIG. 17 is a plan view showing a configuration in the vicinity of the boundary between the capacitive line driving circuit 150 and the display region 100 in the element substrate in the second embodiment.
In this figure, the part different from the first embodiment (see FIG. 3) is that the scanning line 112 has a wide part facing in the Y (down) direction, and the third conductive layer is overlapped with the wide part. The patterned electrode portion of the metal layer is provided. Therefore, the auxiliary capacitor 184 has a configuration in which the gate insulating film is sandwiched between the wide portion of the scanning line 112 and the electrode portion patterned so as to overlap the wide portion.
This electrode portion is connected to the gate electrode of the TFT 158 via a contact hole.

このように補助容量184を設けると、TFT158のゲート電極を、より安定して保持することができるので、表示品位の低下をさらに抑えることが可能となる。
なお、補助容量184の目的は、i行目でいえば、走査信号Yi、Y(i+1)がいずれもLレベルであっても、i行目の容量線132に対応するTFT158のゲート電極を、寄生容量に頼らなくてもTFT158のオフ直前の状態に維持することであるから、補助容量184の他端を、例えば電位Gndに接地しても良い。
When the auxiliary capacitor 184 is provided in this manner, the gate electrode of the TFT 158 can be held more stably, so that the deterioration of display quality can be further suppressed.
Note that the purpose of the auxiliary capacitor 184 is that in the i-th row, the gate electrode of the TFT 158 corresponding to the i-th capacitor line 132 is used even if the scanning signals Yi and Y (i + 1) are both at the L level. Since the state immediately before the TFT 158 is turned off is maintained without depending on the parasitic capacitance, the other end of the auxiliary capacitor 184 may be grounded to the potential Gnd, for example.

<第3実施形態>
ところで、走査線反転方式とする場合(図9、図10参照)、第1容量信号Vc1を水平走査期間(H)毎に電圧Vsl、Vshで切り替える必要がある。このため、第1容量信号Vc1を供給する第1給電線165に容量が寄生していると、この電圧切り替えにより電力が無駄に消費されてしまうことになる。そこで、この点を解消した第3実施形態について説明する。
<Third Embodiment>
When the scanning line inversion method is used (see FIGS. 9 and 10), the first capacitance signal Vc1 needs to be switched between the voltages Vsl and Vsh every horizontal scanning period (H). For this reason, if a capacitance is parasitic on the first power supply line 165 that supplies the first capacitance signal Vc1, power is wasted due to this voltage switching. A third embodiment that eliminates this point will be described.

図18は、本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示される構成が第1実施形態(図1参照)と相違する部分は、第1に、制御回路20が2種類の第1容量信号を出力する点、および、第2に、容量線駆動回路150において、奇数行の容量線132に対応するTFT156のソース電極が2種類の第1容量信号のうち一方を供給する給電線に接続される一方、偶数行の容量線132に対応するTFT156のソース電極が他方を供給する給電線に接続された点にある。
他については同一であるので、その説明を省略し、以下においては、この相違点を中心に説明することにする。
FIG. 18 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to the third embodiment of the invention. The difference between the configuration shown in this figure and the first embodiment (see FIG. 1) is that, first, the control circuit 20 outputs two types of first capacitance signals, and second, the capacitance lines In the drive circuit 150, the source electrode of the TFT 156 corresponding to the odd-numbered capacitance line 132 is connected to the power supply line that supplies one of the two types of first capacitance signals, while the TFT 156 corresponding to the even-numbered capacitance line 132. The source electrode is connected to a power supply line that supplies the other.
Since the others are the same, the description thereof will be omitted, and in the following, this difference will be mainly described.

詳細には、制御回路20は、第1容量信号Vc1の代わりに、第1容量信号Vc1a、Vc1b
を、それぞれ第1給電線165a、165bに供給する。
ここで、図20に示されるように、第1容量信号Vc1aは、各フレームにわたって電圧
一定であってnフレームにおいて電圧Vslであり、次の(n+1)フレームにおいて電圧Vshに切り替わる。すなわち、第1容量信号Vc1aでは、電圧Vsl、Vshが1フレームの
期間毎に交互に切り替わる。
一方、第1容量信号Vc1bは、第1容量信号Vc1aに対して、電圧Vsl、Vshを入れ替えた関係にある。すなわち、第1容量信号Vc1bは、nフレームにおいて第1容量信号Vc1aが電圧Vslであるときに電圧Vshとなり、(n+1)フレームにおいて第1容量信号Vc1aが電圧Vshであるときに電圧Vslとなる。第2容量信号Vc2は、電圧LCcomで一定である。
そして、容量線駆動回路150において、奇数行の容量線132に対応するTFT156のソース電極は第1給電線165aに接続され、偶数行の容量線132に対応するTFT156のソース電極は第1給電線165bに接続されている。
Specifically, the control circuit 20 uses the first capacitance signals Vc1a and Vc1b instead of the first capacitance signal Vc1.
Are supplied to the first feeders 165a and 165b, respectively.
Here, as shown in FIG. 20, the first capacitance signal Vc1a is constant in voltage over each frame, is the voltage Vsl in the n frame, and switches to the voltage Vsh in the next (n + 1) frame. That is, in the first capacitance signal Vc1a, the voltages Vsl and Vsh are alternately switched every frame period.
On the other hand, the first capacitance signal Vc1b has a relationship in which the voltages Vsl and Vsh are interchanged with respect to the first capacitance signal Vc1a. That is, the first capacitance signal Vc1b becomes the voltage Vsh when the first capacitance signal Vc1a is the voltage Vsl in the n frame, and becomes the voltage Vsl when the first capacitance signal Vc1a is the voltage Vsh in the (n + 1) frame. The second capacitance signal Vc2 is constant at the voltage LCcom.
In the capacitor line driving circuit 150, the source electrode of the TFT 156 corresponding to the odd-numbered capacitor line 132 is connected to the first feeder line 165a, and the source electrode of the TFT 156 corresponding to the even-numbered capacitor line 132 is the first feeder line. 165b.

図19は、第3実施形態において、素子基板のうち、容量線駆動回路150と表示領域100との境界付近の構成を示す平面図である。
この図に示されるように、第2給電線167は、第1給電線165a、165bの間において奇数のi行では第1給電線165b寄りに位置し、偶数の(i+1)行では第1給電線165a寄りに位置するように、行毎に折り返される。
そして、TFT156、158の共通半導体層は、奇数のi行では、X方向に対し第2給電線167から第1給電線165aまでの領域にわたって、偶数の(i+1)行では、X方向に対し第1給電線165bから第2給電線167までの領域にわたって設けられている。このため、奇数のi行目に対応するTFT156、158と、偶数の(i+1)行目に対応するTFT156、158とは互いに逆向きの関係にある。
なお、第3実施形態では、便宜的にiを奇数とし、(i+1)を偶数としている。
FIG. 19 is a plan view showing a configuration near the boundary between the capacitive line driving circuit 150 and the display region 100 in the element substrate in the third embodiment.
As shown in this figure, the second feed line 167 is positioned closer to the first feed line 165b in the odd-numbered i rows between the first feed lines 165a and 165b, and the first feed line in the even-numbered (i + 1) rows. Each line is folded so as to be positioned closer to the electric wire 165a.
The common semiconductor layers of the TFTs 156 and 158 cover the region from the second feed line 167 to the first feed line 165a with respect to the X direction in the odd-numbered i rows, and the number of the common semiconductor layers in the even-numbered (i + 1) rows with respect to the X direction. It is provided over a region from the first power supply line 165b to the second power supply line 167. For this reason, the TFTs 156 and 158 corresponding to the odd-numbered i-th row and the TFTs 156 and 158 corresponding to the even-numbered (i + 1) -th row are in opposite relations to each other.
In the third embodiment, i is an odd number and (i + 1) is an even number for convenience.

第3実施形態ではnフレームにおいて、奇数行目に対応する容量線132は、同じ行の走査信号がHレベルになったときに第1容量信号Vc1aの電圧Vslとなり、次行の走査信
号がHレベルになったときに第2容量信号Vc2の電圧LCcomとなるので、電圧(LCcom−Vsl)だけ上昇する一方、偶数行目に対応する容量線132は、同じ行の走査信号がHレベルになったときに第1容量信号Vc1bの電圧Vshとなり、次行の走査信号がHレベル
になったときに第2容量信号Vc2の電圧LCcomとなるので、電圧(Vsh−LCcom)だけ下降する。
反対に、次の(n+1)フレームでは、奇数行目の容量線132は、次行の走査信号がHレベルになったときに電圧(Vsh−LCcom)だけ下降し、偶数行目の容量線132は
、次行の走査信号がHレベルになったときに電圧(LCcom−Vsl)だけ上昇する。
したがって、第3実施形態では、図9および図10に示した例と同じように各行の容量線132が電圧変化するので、データ信号を図12に示されるような電圧範囲で供給することにより、画素への電圧を走査線反転方式で書き込むことが可能となる。
特に、第3実施形態によれば、第1容量信号Vc1a、Vc1bの2つが必要となるが、この2つの第1容量信号Vc1a、Vc1bの電圧切り替わりは、水平走査期間(H)ではなく、フレームの期間となるので、電圧切り替わりにより寄生容量で無駄に消費される電力を抑えることが可能となる。
In the third embodiment, in the n frame, the capacitance line 132 corresponding to the odd-numbered row becomes the voltage Vsl of the first capacitance signal Vc1a when the scanning signal of the same row becomes H level, and the scanning signal of the next row is H. Since the voltage LCcom of the second capacitance signal Vc2 is reached when the level is reached, the voltage rises by the voltage (LCcom−Vsl), while the scanning signal of the same row is at the H level in the capacitance line 132 corresponding to the even-numbered row. The voltage Vsh of the first capacitance signal Vc1b at this time, and the voltage LCcom of the second capacitance signal Vc2 when the scanning signal of the next row becomes the H level, so that the voltage (Vsh−LCcom) drops.
On the other hand, in the next (n + 1) frame, the capacity line 132 in the odd-numbered row drops by the voltage (Vsh−LCcom) when the scanning signal in the next row becomes H level, and the capacity line 132 in the even-numbered row. Increases by a voltage (LCcom−Vsl) when the scanning signal of the next row becomes H level.
Therefore, in the third embodiment, since the voltage of the capacitor line 132 in each row changes in the same manner as in the examples shown in FIGS. 9 and 10, by supplying the data signal in the voltage range as shown in FIG. The voltage to the pixel can be written by the scanning line inversion method.
In particular, according to the third embodiment, two first capacitance signals Vc1a and Vc1b are required. The voltage switching between the two first capacitance signals Vc1a and Vc1b is not a horizontal scanning period (H) but a frame. Therefore, it is possible to suppress power that is wasted due to parasitic capacitance due to voltage switching.

上述した実施形態では、データ線114に、選択走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を供給する構成としたが、本発明は、これに限られない。例えば、図21に示されるように、選択走査線に位置する画素の階調に応じたパルス幅のデータ信号X1、X2、X3、…、X240を、1、2、3、…、240列目のデータ線に供給する構成としても良い。
この構成では、図21に示されるように、1、2、3、…、240列目のデータ線11
4のそれぞれに対応してスイッチ192が設けられ、各スイッチ192は、それぞれデータ信号X1、X2、X3、…、X240がHレベルである場合(パルスが出力されている期間)にオンする。各スイッチ192の一端は、自身に対応するデータ線114に接続され、他端は、コモン電極108に共通接続されている。
ここで、データ線駆動回路190は、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた(Hレベルの)パルス幅のデータ信号を、そのパルスの始端が走査線の選択開始タイミングとなるように出力する。このため、データ信号Xjは、i行目の走査線112が選択された期間において、i行j列の画素の階調を明るくすべきほどにパルス幅(Hレベル)が走査線の選択開始タイミングから長くなる(ノーマリーホワイトモードの場合)。
また、第1容量信号Vc1は、図22に示されるように、極性指示信号PolがHレベルであって正極性書込が指定されている場合には、走査線の選択開始タイミングにて電圧LCcomから選択終了タイミングにて電圧Vslまで低下する一方、極性指示信号PolがLレベ
ルであって負極性書込が指定されている場合には、走査線の選択開始タイミングに電圧LCcomから選択終了タイミングにて電圧Vshまで上昇するようなランプ信号として制御回
路20から供給される。
In the above-described embodiment, the data line 114 is configured to supply a data signal having a voltage corresponding to the gradation of the pixel located on the selected scanning line. However, the present invention is not limited to this. For example, as shown in FIG. 21, the data signals X1, X2, X3,..., X240 having pulse widths corresponding to the gradations of the pixels located on the selected scanning line are displayed in the first, second, third,. The data line may be supplied to the data line.
In this configuration, as shown in FIG. 21, the data lines 11 in the 1, 2, 3,.
4 are provided corresponding to each of the four, and each switch 192 is turned on when the data signals X1, X2, X3,..., X240 are at the H level (a period in which a pulse is output). One end of each switch 192 is connected to the data line 114 corresponding to itself, and the other end is commonly connected to the common electrode 108.
Here, the data line driving circuit 190 generates a data signal having a pulse width (H level) corresponding to the gradation of the pixel located on the selected scanning line, and the start of the pulse is the scanning line selection start timing. Output as follows. For this reason, the data signal Xj has a pulse width (H level) so that the gradation of the pixels in the i-th row and j-th column should be brightened during the period when the i-th row scanning line 112 is selected. (In case of normally white mode).
Further, as shown in FIG. 22, the first capacitance signal Vc1 has a voltage LCcom at the scanning line selection start timing when the polarity instruction signal Pol is at the H level and the positive polarity writing is designated. When the polarity instruction signal Pol is at the L level and negative polarity writing is specified, the voltage LCcom is changed from the voltage LCcom to the selection end timing. Is supplied from the control circuit 20 as a ramp signal that rises to the voltage Vsh.

i行目の走査線112が選択された期間において、j列目のデータ線114に対応するスイッチ192は、当該i行目の走査線の選択開始タイミングからi行j列の画素の階調に応じた期間だけオンする。このオン期間では、データ線114は、コモン電極108と同じ電圧LCcomとなるので、i行j列の画素容量120には電圧が充電されないが、i
行j列の蓄積容量130の他端である容量線132にはランプ信号が供給されるので、当該蓄積容量130には、ランプ信号の電圧と電圧LCcomとの差電圧が充電される。
当該i行目の走査線の選択開始タイミングからi行j列の画素の階調に応じた期間が経過すると、データ信号Xjのパルス出力が終了してスイッチ192がオフするので、j列目のデータ線114は、電気的にどこにも接続されないハイ・インピーダンス状態となるが、ランプ信号の電圧は変化し続けるので、画素容量120と蓄積容量130との直列接続の接続点である画素電極118は、スイッチ192がオフした時点からランプ信号の電圧変化に追従することになる。
したがって、i行目の走査線の選択終了タイミングでは、i行j列の画素容量120には、スイッチ192のオン期間が長いほど絶対値でみて高くなる電圧が充電されることになる。
次の(i+1)行目の走査線の選択開始タイミングになると、i行目の容量線132は電圧LCcomになるので、走査信号YiがHレベルであったときに正極性書込が指定され
ていれば電圧(LCcom−Vsl)だけ上昇し、負極性書込が指定されていれば電圧(Vsh
−LCcom)だけ下降する。このため、図10で示した例と同様に、画素電極118の電
圧がシフトするので、これにより、画素容量120の保持電圧を、階調に応じた電圧とさせることができる。
In the period when the i-th scanning line 112 is selected, the switch 192 corresponding to the j-th data line 114 changes the gradation of the pixels in the i-th row and j-th column from the selection start timing of the i-th scanning line. Turns on only for a period of time In this ON period, the data line 114 has the same voltage LCcom as that of the common electrode 108, so that the voltage is not charged in the pixel capacitor 120 in the i row and j column.
Since the ramp signal is supplied to the capacitor line 132 which is the other end of the storage capacitor 130 in the row j column, the storage capacitor 130 is charged with a differential voltage between the voltage of the ramp signal and the voltage LCcom.
When a period corresponding to the gray level of the pixel in the i-th row and j-th column elapses from the selection start timing of the scanning line in the i-th row, the pulse output of the data signal Xj ends and the switch 192 is turned off. Although the data line 114 is in a high impedance state that is not electrically connected anywhere, the voltage of the ramp signal continues to change, so the pixel electrode 118 that is a connection point of the pixel capacitor 120 and the storage capacitor 130 connected in series is The voltage change of the ramp signal follows from the time when the switch 192 is turned off.
Therefore, at the selection end timing of the i-th scanning line, the pixel capacitor 120 in the i-th row and j-th column is charged with a voltage that increases as the absolute value of the switch 192 increases.
When the next (i + 1) th scanning line selection start timing comes, the i-th capacitance line 132 becomes the voltage LCcom, so that the positive polarity writing is designated when the scanning signal Yi is at the H level. If the negative polarity writing is specified, the voltage (Vsh
-LCcom). Therefore, similarly to the example shown in FIG. 10, the voltage of the pixel electrode 118 is shifted, so that the holding voltage of the pixel capacitor 120 can be made a voltage corresponding to the gradation.

なお、上述した各実施形態では、容量線駆動回路150において、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極を、次の(i+1)行の走査線112に接続したが、一定の行数m(mは2以上の整数)だけ離間した走査線112に接続する構成であれば足りる。ただし、mが多くなると、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極を、(i+m)行目の走査線112に接続する必要があり、配線が複雑化する。
また、最終の320行目の容量線132に対応するTFT152まで駆動するために、ダミーの走査線112がm行必要となる。ただし、各実施形態のようにmが「1」であれば、帰線期間Fbをなくして、320行目の容量線132に対応するTFT152のゲー
ト電極を、1行目の走査線112に接続する構成とすれば、また、例えばmが「2」であれば、やはり帰線期間Fbをなくして、319、320行目の容量線132に対応するT
FT152のゲート電極を、それぞれ1、2行目の走査線112に接続する構成とすれば、あえてダミーの走査線を設ける必要もない。
さらに、コモン電極108の電圧Vcomを、正極性書込が指定されたときに低位とし、
負極性書込が指定されたときに高位として切り替える構成でも良い。
In each of the embodiments described above, in the capacitor line driving circuit 150, the gate electrode of the TFT 152 corresponding to the i-th capacitor line 132 is connected to the next (i + 1) -th scanning line 112. Any structure that connects to the scanning lines 112 separated by several m (m is an integer of 2 or more) is sufficient. However, when m increases, it is necessary to connect the gate electrode of the TFT 152 corresponding to the capacitance line 132 in the i-th row to the scanning line 112 in the (i + m) -th row, and the wiring becomes complicated.
Further, in order to drive up to the TFT 152 corresponding to the last 320th capacity line 132, m dummy scanning lines 112 are required. However, if m is “1” as in each embodiment, the blanking period Fb is eliminated and the gate electrode of the TFT 152 corresponding to the 320th capacitor line 132 is connected to the first scan line 112. For example, if m is “2”, the return period Fb is also eliminated, and the T corresponding to the capacitance line 132 in the 319th and 320th rows is also obtained.
If the gate electrode of the FT 152 is connected to the scanning lines 112 in the first and second rows, there is no need to provide a dummy scanning line.
Furthermore, the voltage Vcom of the common electrode 108 is set to a low level when the positive polarity writing is designated,
A configuration may be adopted in which high-order switching is performed when negative polarity writing is designated.

また、各実施形態では、画素容量120として画素電極118とコモン電極108とで液晶105を挟持して、液晶にかかる電界方向を基板面垂直方向とした構成としたが、画素電極、絶縁層およびコモン電極とを積層して、液晶にかかる電界方向を基板面水平方向とした構成としても良い。
一方、各実施形態では、垂直走査方向を図1において上から下方向に向かった方向としているので、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極を、(i+1)行目の走査線112に接続したが、垂直走査方向を下から上方向に向かった方向とした場合には、(i−1)行目の走査線112に接続すれば良い。すなわち、i行目の容量線132に対応するTFT152のゲート電極については、i行目の走査線以外の走査線であって、i行目の走査線が選択された後に選択される走査線112に接続される構成であれば良い。
Further, in each embodiment, the liquid crystal 105 is sandwiched between the pixel electrode 118 and the common electrode 108 as the pixel capacitor 120, and the electric field direction applied to the liquid crystal is set to be the direction perpendicular to the substrate surface. A common electrode may be stacked so that the direction of the electric field applied to the liquid crystal is the horizontal direction of the substrate surface.
On the other hand, in each embodiment, since the vertical scanning direction is a direction from the top to the bottom in FIG. 1, the gate electrode of the TFT 152 corresponding to the i-th capacitor line 132 is used as the (i + 1) -th scanning line. In the case where the vertical scanning direction is the direction from the bottom to the top, the connection may be made to the scanning line 112 in the (i-1) th row. That is, the gate electrode of the TFT 152 corresponding to the i-th capacitance line 132 is a scanning line other than the i-th scanning line, and is selected after the i-th scanning line is selected. Any configuration may be used as long as it is connected to.

また、上述した各実施形態では、画素容量120を単位としてみたときに、1フレームの期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、画素容量120を交流駆動するために過ぎないので、その反転周期は2フレームの期間以上の周期であっても良い。
さらに、画素容量120はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の1色(例えばシアン(C))を追加し、これらの4色の画素で1ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
Further, in each of the above-described embodiments, when the pixel capacitor 120 is taken as a unit, the writing polarity is reversed for each frame period, because the pixel capacitor 120 is only for AC driving. The inversion period may be a period of two frames or more.
Furthermore, although the pixel capacitor 120 is in the normally white mode, it may be in a normally black mode in which the pixel capacitor 120 becomes dark when no voltage is applied. In addition, one dot may be formed by three pixels of R (red), G (green), and B (blue), and color display may be performed, and another color (for example, cyan (C)) may be used. In addition, one dot may be configured with these four color pixels to improve the color reproducibility.

上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極108に印加される電圧LCcomとし
ているが、これは、画素110におけるTFT116が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、TFT116のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン(画素電極118)の電位が低下する現象(プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる)が発生する。液晶の劣化を防止するため、画素容量120については交流駆動としなければならないが、コモン電極108への印加電圧LCcomを書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのた
めに、負極性書込による画素容量120の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう(TFT116がnチャネルの場合)。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極108の電圧LCcomとを別々とし、詳細には、書込極性
の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、電圧LCcomよりも高位側に
オフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量130は、直流的には絶縁されているので、第1給電線165と第2給電線167に印加されている電位差だけが上述の関係となっていればよく、例えば電圧LCcomとの電位差は何ボルトであっても構わない。
In the above description, the reference of the writing polarity is the voltage LCcom applied to the common electrode 108. This is a case where the TFT 116 in the pixel 110 functions as an ideal switch. -Due to the parasitic capacitance between the drains, a phenomenon in which the potential of the drain (pixel electrode 118) decreases when the state changes from on to off (referred to as push-down, penetration, field-through, etc.) occurs. In order to prevent the deterioration of the liquid crystal, the pixel capacitor 120 must be AC driven. However, when AC driving is performed with the applied voltage LCcom applied to the common electrode 108 as a reference for the writing polarity, negative writing is performed for pushdown. The effective voltage value of the pixel capacitor 120 is slightly larger than the effective value of the positive polarity writing (when the TFT 116 is n-channel). For this reason, in actuality, the reference voltage of the write polarity and the voltage LCcom of the common electrode 108 are separated, and more specifically, the reference voltage of the write polarity is set to the voltage LCcom so that the influence of pushdown is offset. Alternatively, the offset may be set to a higher position.
Further, since the storage capacitor 130 is insulated in terms of direct current, it is sufficient that only the potential difference applied to the first feeder 165 and the second feeder 167 has the above-described relationship, for example, the voltage LCcom and The potential difference may be any number of volts.

<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置10を表示装置として有する電子機器について説明する。図23は、いずれかの実施形態に係る電気光学装置10を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置10を備えるものである。なお、電気光学装置10のうち、表示領域100に相当する部分の構成要素については外観としては現れない。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus having the electro-optical device 10 according to the above-described embodiment as a display device will be described. FIG. 23 is a diagram illustrating a configuration of a mobile phone 1200 using the electro-optical device 10 according to any of the embodiments.
As shown in this figure, a mobile phone 1200 includes the electro-optical device 10 described above, together with a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206. Note that the components of the electro-optical device 10 corresponding to the display region 100 do not appear as appearance.

なお、電気光学装置10が適用される電子機器としては、図23に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置10が適用可能であることは言うまでもない。
As an electronic apparatus to which the electro-optical device 10 is applied, in addition to the mobile phone shown in FIG. 23, a digital still camera, a notebook personal computer, a liquid crystal television, a viewfinder type (or a monitor direct view type) video recorder. , Car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, and the like. Needless to say, the electro-optical device 10 described above can be applied as a display device of these various electronic devices.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel in the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a boundary between a display area and a capacitive line driving circuit of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 同電気光学装置の負極性書込を示す図である。It is a figure which shows the negative polarity writing of the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の動作を説明するための電圧波形図である。FIG. 6 is a voltage waveform diagram for explaining the operation of the same electro-optical device. 同電気光学装置のデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the data signal and holding voltage of the same electro-optical device. 同電気光学装置の別動作(その1)を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining another operation (part 1) of the electro-optical device. 同電気光学装置の別動作(その2)を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining another operation (part 2) of the same electro-optical device. 同電気光学装置の別動作(その3)を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining another operation (part 3) of the same electro-optical device. 別動作(その3)を説明するための電圧波形図である。It is a voltage waveform diagram for demonstrating another operation | movement (the 3). 別動作(その3)におけるデータ信号と保持電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the data signal and holding voltage in another operation | movement (the 3). 同電気光学装置の応用例を示す図である。It is a figure which shows the application example of the same electro-optical apparatus. 同応用例において表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the boundary of a display area and a capacitive line drive circuit in the application example. 同応用例における信号Von-a、Von-bの波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the waveform of signals Von-a and Von-b in the same application example. 本発明の第2実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a second embodiment of the invention. 同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a boundary between a display area and a capacitive line driving circuit of the electro-optical device. 本発明の第3実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a third embodiment of the invention. 同電気光学装置の表示領域と容量線駆動回路との境の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a boundary between a display area and a capacitive line driving circuit of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 本発明の変形例に係る電気光学装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the electro-optical apparatus which concerns on the modification of this invention. 同変形例に係る電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the operation of the electro-optical device according to the modification. 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the mobile telephone using the electro-optical apparatus which concerns on embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…電気光学装置、20…制御回路、100…表示領域、108…コモン電極、110…画素、112…走査線、114…データ線、116…TFT、120…画素容量、130…蓄積容量、132…容量線、140…走査線駆動回路、150…容量線駆動回路、156、158…TFT、161…オン電圧給電線、163…オフ電圧給電線、165、165a、165b…第1給電線、167…第2給電線、184…補助容量、1200…携帯電話 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electro-optical apparatus, 20 ... Control circuit, 100 ... Display area, 108 ... Common electrode, 110 ... Pixel, 112 ... Scan line, 114 ... Data line, 116 ... TFT, 120 ... Pixel capacity, 130 ... Storage capacity, 132 DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Capacitance line, 140 ... Scanning line drive circuit, 150 ... Capacitance line drive circuit, 156, 158 ... TFT, 161 ... On-voltage feed line, 163 ... Off-voltage feed line, 165, 165a, 165b ... First feed line, 167 ... second feeder, 184 ... auxiliary capacity, 1200 ... mobile phone

Claims (11)

複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
前記画素スイッチング素子とコモン電極との間に介挿された画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
を有する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第1給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第2給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、
前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1給電線に接続され、
前記第4トランジスタは、ゲート電極が前記第1および第2トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ソース電極が前記第2給電線に接続されて、
前記第3および第4トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された
ことを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
Multiple rows of scanning lines;
Multiple columns of data lines;
A plurality of capacitance lines provided corresponding to the plurality of rows of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of rows of scanning lines and the plurality of columns of data lines,
Each is
A pixel switching element that has one end connected to a data line corresponding to itself and is turned on when a scanning line corresponding to the data line is selected;
A pixel capacitor interposed between the pixel switching element and the common electrode;
A storage capacitor interposed between one end of the pixel capacitor and a capacitor line provided corresponding to the scanning line;
A pixel containing
A drive circuit for an electro-optical device having:
A scanning line driving circuit for selecting the scanning lines in a predetermined order;
A scanning line that is selected from the first feeding line when the scanning line is selected with respect to the capacitance line provided corresponding to the scanning line and is separated from the scanning line by a predetermined line. Capacitor lines that select the second power supply line until the one scan line is selected again after the scan line selected after the one scan line is selected, and apply the voltage of the selected power supply line, respectively. A drive circuit;
A data line driving circuit for supplying a data signal corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the selected scanning line via the data line;
Equipped with,
The capacitor line driving circuit includes:
Corresponding to each of the capacitance lines, there are first to fourth transistors,
In the first transistor corresponding to one capacitance line, the gate electrode is connected to a scanning line separated from the scanning line corresponding to the one capacitance line by a predetermined row, and the source electrode is turned on to turn on the fourth transistor. Connected to the on-voltage feeder that feeds the voltage,
The second transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one capacitor line, and a source electrode connected to an off-voltage power supply line that supplies an off-voltage for turning off the fourth transistor,
The third transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one capacitance line, a source electrode connected to the first power supply line,
The fourth transistor has a gate electrode commonly connected to the drain electrodes of the first and second transistors, and a source electrode connected to the second feeder.
A drive circuit for an electro-optical device, wherein drain electrodes of the third and fourth transistors are connected to the one capacitor line .
一の容量線に対し、前記第1、第2および第4トランジスタの組を複数有し、
当該一の容量線を前記第2給電線に接続する第4トランジスタを、前記複数の組のなかから、所定の順番で切り替える
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
A plurality of sets of the first, second and fourth transistors for one capacitance line;
A fourth transistor for connecting the one capacitive line to the second power supply line, the driving circuit for an electro-optical device according to claim 1 from the multiple sets, and switches in a predetermined order.
前記容量線の各々に対応して補助容量を有し、
一の容量線に対応する補助容量は、その一端が前記第4トランジスタのゲート電極に接続され、その他端が、少なくとも当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されてから再び当該一の走査線が選択されるまでの期間において、一定の電位に保たれた
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
Auxiliary capacitance corresponding to each of the capacitance lines,
The auxiliary capacitor corresponding to one capacitor line has one end connected to the gate electrode of the fourth transistor and the other end selected at least from the scan line corresponding to the one capacitor line. 2. The drive circuit for an electro-optical device according to claim 1 , wherein the drive circuit is maintained at a constant potential during a period from when the first scanning line is selected again.
当該一の容量線に対応する補助容量の他端は、当該一の容量線に対応する走査線に接続された
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 3 , wherein the other end of the auxiliary capacitor corresponding to the one capacitance line is connected to a scanning line corresponding to the one capacitance line.
前記第1給電線は、奇数行用と偶数行用とに分かれ、
奇数行に対応する容量線の第3トランジスタのソース電極は、奇数行用の第1給電線に接続され、偶数行に対応する容量線の第3トランジスタのソース電極は、偶数行用の第1給電線に接続され、
異なる2つの電圧のうち一方が奇数行に対応する第1給電線に印加され、前記異なる2つの電圧のうち他方が偶数行に対応する第1給電線に印加されるとともに、前記異なる2つの電圧が相補的にかつ所定の周期で入れ替えられる
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The first feeder line is divided into an odd line and an even line,
The source electrode of the third transistor of the capacitor line corresponding to the odd row is connected to the first feeder line for the odd row, and the source electrode of the third transistor of the capacitor line corresponding to the even row is the first electrode for the even row. Connected to the feeder,
One of the two different voltages is applied to the first feed line corresponding to the odd-numbered row, the other of the two different voltages is applied to the first feed line corresponding to the even-numbered row, and the two different voltages The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1 , wherein the two are replaced in a complementary manner with a predetermined period.
一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線が選択されたときに、当該一の容量線の電圧が変化するように、前記第1および第2給電線の電圧が設定された
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。
The voltages of the first and second feeder lines are set so that the voltage of the one capacitor line changes when a scan line separated from the scan line corresponding to the one capacitor line by a predetermined row is selected. The drive circuit of the electro-optical device according to claim 1.
前記第1給電線の電圧は、異なる2つの電圧が所定の周期で入れ替わり、
前記第2給電線の電圧は一定である
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
As for the voltage of the first power supply line, two different voltages are switched at a predetermined cycle,
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 6 , wherein the voltage of the second feeder line is constant.
前記第2給電線の電圧を、前記第1給電線における2つの電圧の中間値とする
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The drive circuit for the electro-optical device according to claim 7 , wherein the voltage of the second power supply line is an intermediate value of two voltages in the first power supply line.
前記第1および第2給電線は、異なる2つの電圧が相補的にかつ前記走査線の選択毎に入れ替わる
ことを特徴とする請求項に記載の電気光学装置の駆動回路。
The drive circuit of the electro-optical device according to claim 6 , wherein the first and second feeder lines have two different voltages that are complementarily switched every time the scanning line is selected.
複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線に対応して設けられた複数の容量線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、
各々は、
一端が自身に対応するデータ線に接続されるとともに、自身に対応する走査線が選択されたときに導通状態となる画素スイッチング素子と、
前記画素スイッチング素子とコモン電極との間に介挿された画素容量と、
前記画素容量の一端と前記走査線に対応して設けられた容量線との間に介挿された蓄積容量と、
を含む画素と、
前記走査線を所定の順番で選択する走査線駆動回路と、
一の走査線に対応して設けられた容量線に対し、当該一の走査線が選択されたときに第1給電線を選択し、当該一の走査線から所定行離間した走査線であって当該一の走査線の後に選択される走査線が選択されてから、再び当該一の走査線が選択されるまで第2給電線を選択して、それぞれ選択した給電線の電圧を印加する容量線駆動回路と、
選択された走査線に対応する画素に対し、当該画素の階調に対応したデータ信号を、データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記容量線駆動回路は、
前記容量線の各々に対応して、第1乃至第4トランジスタを有し、
一の容量線に対応する前記第1トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線から所定行離間した走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオンさせるためのオン電圧を給電するオン電圧給電線に接続され、
前記第2トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第4トランジスタをオフさせるためのオフ電圧を給電するオフ電圧給電線に接続され、
前記第3トランジスタは、ゲート電極が当該一の容量線に対応する走査線に接続され、ソース電極が前記第1給電線に接続され、
前記第4トランジスタは、ゲート電極が前記第1および第2トランジスタのドレイン電極に共通接続され、ソース電極が前記第2給電線に接続されて、
前記第3および第4トランジスタのドレイン電極が当該一の容量線に接続された
ことを特徴とする電気光学装置。
Multiple rows of scanning lines;
Multiple columns of data lines;
A plurality of capacitance lines provided corresponding to the plurality of rows of scanning lines;
Provided corresponding to the intersection of the plurality of rows of scanning lines and the plurality of columns of data lines,
Each is
A pixel switching element that has one end connected to a data line corresponding to itself and is turned on when a scanning line corresponding to the data line is selected;
A pixel capacitor interposed between the pixel switching element and the common electrode;
A storage capacitor interposed between one end of the pixel capacitor and a capacitor line provided corresponding to the scanning line;
A pixel containing
A scanning line driving circuit for selecting the scanning lines in a predetermined order;
A scanning line that is selected from the first feeding line when the scanning line is selected with respect to the capacitance line provided corresponding to the scanning line and is separated from the scanning line by a predetermined line. Capacitor lines that select the second power supply line until the one scan line is selected again after the scan line selected after the one scan line is selected, and apply the voltage of the selected power supply line, respectively. A drive circuit;
A data line driving circuit for supplying a data signal corresponding to the gradation of the pixel to the pixel corresponding to the selected scanning line via the data line;
Equipped with,
The capacitor line driving circuit includes:
Corresponding to each of the capacitance lines, there are first to fourth transistors,
In the first transistor corresponding to one capacitance line, the gate electrode is connected to a scanning line separated from the scanning line corresponding to the one capacitance line by a predetermined row, and the source electrode is turned on to turn on the fourth transistor. Connected to the on-voltage feeder that feeds the voltage,
The second transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one capacitor line, and a source electrode connected to an off-voltage power supply line that supplies an off-voltage for turning off the fourth transistor,
The third transistor has a gate electrode connected to a scanning line corresponding to the one capacitance line, a source electrode connected to the first power supply line,
The fourth transistor has a gate electrode commonly connected to the drain electrodes of the first and second transistors, and a source electrode connected to the second feeder.
An electro-optical device, wherein drain electrodes of the third and fourth transistors are connected to the one capacitor line .
請求項10に記載の電気光学装置を有する電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 10 .
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