JP4957169B2 - Electro-optical device, scanning line driving circuit, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, scanning line driving circuit, and electronic apparatus Download PDF

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Description

本発明は、デマルチプレクサを用いて、走査線を駆動する技術に関する。   The present invention relates to a technique for driving a scanning line using a demultiplexer.

液晶などの電気光学装置では、複数行の走査線と複数列のデータ線との交差に対応して画素が設けられる。この画素は、自身に対応する走査線がアクティブレベルになったときに、自身に対応するデータ線の電圧(または電流)に応じた階調となり、当該走査線がノン・アクティブレベルになっても、その階調を維持する構成となっている。したがって、複数行の走査線を所定の順番でアクティブレベルにする一方、当該アクティブレベルとした走査線に位置する画素に対し、階調に応じた電圧(または電流)を、データ線を介して供給することにより、目的とする画像を表示させることができる。   In an electro-optical device such as a liquid crystal, pixels are provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of columns of data lines. This pixel has a gradation corresponding to the voltage (or current) of the data line corresponding to itself when the scanning line corresponding to itself becomes an active level, and even if the scanning line becomes a non-active level. The gradation is maintained. Accordingly, the scanning lines of a plurality of rows are set to the active level in a predetermined order, and a voltage (or current) corresponding to the gradation is supplied to the pixels located on the scanning line having the active level through the data line. By doing so, the target image can be displayed.

ここで、複数行の走査線を所定の順番でアクティブレベルにする回路は、走査線駆動回路と呼ばれ、一般的にはシフトレジスタが用いられる。このような走査線駆動回路については、外付けの集積回路を実装するよりも、画素と同じスイッチング素子で構成した、いわゆる周辺回路内蔵型の方が、プロセスの共用化による製造効率の向上などの面において有利とされる。
ところで、シフトレジスタは、pチャネル型のトランジスタとnチャネル型のトランジスタとを組み合わせた相補型の論理回路(インバータやクロックドインバータ)を有するが、pチャネル型とnチャネル型とで電気的特性が揃わないと、貫通電流が流れてしまうなどの不都合が発生する。
そこで、走査線を複数行(例えば3行)毎にブロック化するとともに、各走査線にスイッチとしてもトランジスタ(TFT)を設けて、これらのブロックを1つずつアドレス信号で選択するとともに、選択した1ブロックにおける複数行の走査線のスイッチを、セレクト信号により順番に1つずつオンさせて、走査線を順番にアクティブレベルとさせる、いわゆるデマルチプレクサ方式が提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2002−169518号公報(特に図1参照)
Here, a circuit that sets the scanning lines of a plurality of rows to an active level in a predetermined order is called a scanning line driving circuit, and a shift register is generally used. With respect to such a scanning line driving circuit, the so-called peripheral circuit built-in type constituted by the same switching element as the pixel, rather than mounting an external integrated circuit, improves the manufacturing efficiency by sharing the process. It is advantageous in terms of the aspect.
By the way, the shift register has a complementary logic circuit (an inverter or a clocked inverter) in which a p-channel transistor and an n-channel transistor are combined. If not, inconveniences such as through current flow occur.
Therefore, the scanning lines are divided into a plurality of rows (for example, 3 rows), and a transistor (TFT) is provided as a switch for each scanning line, and these blocks are selected one by one by an address signal and selected. A so-called demultiplexer method has been proposed in which the switches of a plurality of rows of scanning lines in one block are turned on one by one in order by a select signal, and the scanning lines are sequentially brought to an active level (see, for example, Patent Document 1). .
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-169518 (refer to FIG. 1 in particular)

しかしながら、この技術では、走査線に設けられるトランジスタをオンさせるためには、走査線のアクティブレベルよりも、当該トランジスタのしきい値電圧以上高くした電圧を、ゲート電極に印加しなければならない。したがって、上記技術では、アクティブレベルよりも、さらに高い電圧を別途生成する必要があるために、これらの電圧を生成する電源回路の高耐圧化や、構成の複雑化を招く、という問題が生じる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、デマルチプレクサ方式を用いて走査線を駆動する場合に、アクティブレベルよりも、さらに高い電圧を生成する必要のない電気光学装置、走査線駆動回路および電子機器を提供することにある。
However, in this technique, in order to turn on the transistor provided in the scanning line, a voltage higher than the threshold level of the transistor by the threshold level must be applied to the gate electrode. Therefore, in the above technique, since it is necessary to separately generate voltages higher than the active level, there arises a problem that a high withstand voltage of a power supply circuit that generates these voltages and a complicated configuration are caused.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to generate a voltage higher than the active level when driving a scanning line using a demultiplexer method. An object is to provide an electro-optical device, a scanning line driving circuit, and an electronic apparatus.

上記目的を達成するために、本発明に係る走査線駆動回路にあっては、p(pは2以上の整数)行毎にブロック化された複数行の走査線と、複数列のデータ線と、前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線の論理レベルがアクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調となる画素と、を有する電気光学装置に対し、前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、当該選択した走査線をアクティブレベルとする走査線駆動回路であって、前記走査線駆動回路は、前記複数行の走査線のそれぞれに対応して単位回路を有し、ブロック化されたp行の走査線に対応する単位回路のp個には、当該p行に対応する走査線のそれぞれの選択を示す期間においてアクティブレベルとなる論理信号が共通に供給され、前記各単位回路は、それぞれ第1および第2トランジスタを含み、前記第1トランジスタは、ソース電極に、前記論理信号が供給され、ドレイン電極が、自身に対応する走査線に接続され、前記第2トランジスタは、ゲート電極に、前記論理信号がアクティブレベルとなる前後であって、かつ、当該論理信号がノン・アクティブレベルであるときに、アクティブレベルになり、当該論理信号がノン・アクティブレベルからアクティブレベルに変化するときに、アクティブレベルからノン・アクティブレベルになる第1制御信号が供給され、ソース電極に、当該論理信号がアクティブレベルとなる前において、前記第1制御信号と重複するようにアクティブレベルになる第2制御信号が供給され、ドレイン電極が、前記第1トランジスタのゲート電極に接続されたことを特徴とする。この構成によれば、第1トランジスタのゲート電極の電圧は、アクティブレベルおよびノン・アクティブを用いて自己生成されるので、走査線を駆動するにあたって、アクティブレベルおよびノン・アクティブ以外の電圧を生成する必要をなくすことが可能となる。 In order to achieve the above object, in the scanning line driving circuit according to the present invention, a plurality of scanning lines that are blocked every p (p is an integer of 2 or more) rows, a plurality of columns of data lines, , Provided corresponding to the intersection of the plurality of rows of scanning lines and the plurality of columns of data lines, and according to the data signal supplied to the data lines when the logic level of the scanning lines becomes an active level. A scanning line driving circuit that selects the plurality of rows of scanning lines in a predetermined order and sets the selected scanning lines to an active level with respect to an electro-optical device having a pixel having a predetermined gradation. The scanning line driving circuit has a unit circuit corresponding to each of the plurality of scanning lines, and p unit circuits corresponding to the blocked p rows of scanning lines correspond to the p rows. Active during the period indicating each selection of scan lines A logic signal for level is supplied in common, each unit circuit includes first and second transistors, the first transistor is supplied with the logic signal to the source electrode, and the drain electrode is connected to itself. The second transistor is connected to a corresponding scanning line, and the second transistor becomes active at the gate electrode before and after the logic signal becomes an active level and when the logic signal is at a non-active level. Ri, when the logic signal changes from non-active level to an active level, the first control signal ing the non-active level from the active level is supplied to the source electrode, before the logic signal becomes active level , A second control signal having an active level is provided so as to overlap with the first control signal. In the electrode, characterized in that connected to the gate electrode of the first transistor. According to this configuration, the voltage of the gate electrode of the first transistor is self-generated using the active level and non-active, and therefore, when driving the scanning line, a voltage other than the active level and non-active is generated. It becomes possible to eliminate the necessity.

本発明において、前記第2トランジスタのゲート電極およびドレイン電極間に補助容量を介挿した構成としても良い。本発明において、前記ブロックが互いに異なる複数の走査線に対応して設けられた複数の前記単位回路に、前記第2制御信号が共通に供給される構成としても良い。
なお、本発明は、走査線駆動回路のほか、この走査線駆動回路で駆動される電気光学装置としても、さらには、この電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。ここで、電気光学装置として概念する場合、前記複数行の走査線にそれぞれに対応してスイッチが設けられ、前記スイッチの一端同士は、前記ノン・アクティブレベルに共通接地され、前記スイッチの他端は、自身に対応する走査線に接続され、前記複数行の走査線のいずれもが選択されない期間において一斉にオンする構成としても良い。この構成によれば、走査線が電気的に接続されない状態を短くすることが可能となる。
In the present invention, an auxiliary capacitor may be interposed between the gate electrode and the drain electrode of the second transistor . In the present invention, the second control signal may be commonly supplied to a plurality of the unit circuits provided corresponding to a plurality of scanning lines having different blocks .
The present invention can be conceptualized not only as a scanning line driving circuit but also as an electro-optical device driven by the scanning line driving circuit, and also as an electronic apparatus having the electro-optical device. Here, in the case of a concept as an electro-optical device, a switch is provided corresponding to each of the scanning lines of the plurality of rows, and one end of the switch is commonly grounded to the non-active level, and the other end of the switch May be connected to a scanning line corresponding to itself, and may be turned on all at once during a period in which none of the plurality of scanning lines is selected. According to this configuration, it is possible to shorten the state where the scanning lines are not electrically connected.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る走査線駆動回路を適用した電気光学装置の全体構成を示す図である。
この図に示されるように、この電気光学装置1は、表示パネル10と、制御回路20と、Yドライバ30と、データ線駆動回路50とに大別される。このうち、表示パネル10では、特に図示しないが、素子基板と対向基板とが、互いに電極形成面が対向するように、一定の間隙を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばTN(twisted nematic)型の液晶を封入した構成となっている。
表示パネル10の素子基板には、後述する画素のスイッチング素子とともに単位回路40の構成素子が共通プロセスによって形成されるとともに、半導体チップであるYドライバ30とデータ線駆動回路50とが、COG技術等により実装されている。なお、Yドライバ30や、単位回路40、データ線駆動回路50には、各種の制御信号がFPC(Flexible Printed Circuit)基板等を介して制御回路20から供給される。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an electro-optical device to which the scanning line driving circuit according to the first embodiment is applied.
As shown in this figure, the electro-optical device 1 is roughly divided into a display panel 10, a control circuit 20, a Y driver 30, and a data line driving circuit 50. Among them, in the display panel 10, although not particularly illustrated, the element substrate and the counter substrate are bonded together with a certain gap so that the electrode forming surfaces face each other, and for example, TN (twisted nematic) is put in this gap. ) Type liquid crystal.
On the element substrate of the display panel 10, the constituent elements of the unit circuit 40 are formed by a common process together with the pixel switching elements described later, and the Y driver 30 and the data line driving circuit 50, which are semiconductor chips, include COG technology and the like. It is implemented by. Various control signals are supplied from the control circuit 20 to the Y driver 30, the unit circuit 40, and the data line driving circuit 50 via an FPC (Flexible Printed Circuit) substrate or the like.

表示パネル10は表示領域100を有する。この表示領域100には、本実施形態では、240行の走査線112が行(X)方向に延在するように設けられ、また、320列のデータ線114が列(Y)方向に延在するように、かつ、各走査線112と互いに電気的な絶縁を保つように設けられている。本実施形態では、240行の走査線112が3行毎にブロック化されている。このため、走査線ブロック数は「80」となる。   The display panel 10 has a display area 100. In the present embodiment, 240 display lines 112 are provided in the display area 100 so as to extend in the row (X) direction, and 320 data lines 114 extend in the column (Y) direction. In addition, each scanning line 112 is provided so as to be electrically insulated from each other. In the present embodiment, 240 scanning lines 112 are divided into blocks every three rows. Therefore, the number of scanning line blocks is “80”.

画素110は、240行の走査線112と320列のデータ線114との交差部に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素110が表示領域100において縦240行×横320列でマトリクス状に配列することになる。
便宜的に、表示領域における行(ブロック)を一般化して説明するために、1以上80以下の整数mを用いると、図1において上から数えて(3m−2)行目、(3m−1)行目および(3m)行目の走査線112はいずれもm番目の走査線ブロックに属することになる。
The pixels 110 are arranged corresponding to the intersections of the 240 rows of scanning lines 112 and the 320 columns of data lines 114, respectively. Therefore, in the present embodiment, the pixels 110 are arranged in a matrix of 240 rows × 320 columns in the display area 100.
For convenience, in order to generalize and describe the rows (blocks) in the display area, if an integer m of 1 to 80 is used, the (3m-2) th row (3m-1) from the top in FIG. The scanning lines 112 in the) th and (3m) th lines belong to the mth scanning line block.

ここで、説明の便宜上、画素110の構成について説明する。図2は、画素110の構成を示す図であり、m番目の走査線ブロックに属する(3m−2)行目、(3m−1)行目および(3m)行目の走査線112と、ある列、および、これに隣接する列との交差に対応する3×2の計6画素分の構成が示されている。   Here, for convenience of description, the configuration of the pixel 110 will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the pixel 110, and includes the (3m-2) th, (3m-1) th, and (3m) th scanning lines 112 belonging to the mth scanning line block. A configuration of a total of 6 pixels of 3 × 2 corresponding to the intersection of a column and a column adjacent to the column is shown.

図2に示されるように、各画素110は、画素のスイッチング素子であるnチャネル型薄膜トランジスタ(thin film transistor:以下単に「TFT」と略称する)116と、画素容量(液晶容量)120と、蓄積容量130とを有する。各画素110については、互いに同一構成である。このため、1つの画素に着目すると、当該着目画素110において、TFT116のゲート電極は、自身に対応する走査線112に接続される一方、そのソース電極は自身に対応するデータ線114に接続され、そのドレイン電極は画素容量120の一端たる画素電極118と、蓄積容量130の一端とにそれぞれ接続されている。
画素容量120の他端はコモン電極108である。このコモン電極108は、図1に示されるように全ての画素110にわたって共通であり、本実施形態では、時間的に一定の電圧LCcomに保たれている。
一方、蓄積容量130の他端は容量線132である。この容量線132は、図1において図示省略されているが、例えばコモン電極108と同じ電圧LCcomに保たれている。なお、容量線132は、電圧LCco m以外に保たれる構成であっても良い。
As shown in FIG. 2, each pixel 110 includes an n-channel thin film transistor (hereinafter simply referred to as “TFT”) 116, a pixel capacitor (liquid crystal capacitor) 120, and a storage. And a capacitor 130. Each pixel 110 has the same configuration. Therefore, when focusing on one pixel, in the target pixel 110, the gate electrode of the TFT 116 is connected to the scanning line 112 corresponding to itself, while the source electrode is connected to the data line 114 corresponding to itself, The drain electrode is connected to the pixel electrode 118 that is one end of the pixel capacitor 120 and one end of the storage capacitor 130.
The other end of the pixel capacitor 120 is a common electrode 108. The common electrode 108 is common to all the pixels 110 as shown in FIG. 1, and is maintained at a constant voltage LCcom with respect to time in this embodiment.
On the other hand, the other end of the storage capacitor 130 is a capacitor line 132. Although not shown in FIG. 1, the capacitor line 132 is maintained at the same voltage LCcom as the common electrode 108, for example. Note that the capacitor line 132 may be configured to be maintained at a voltage other than the voltage LCcom.

表示領域100は、画素電極118が形成された素子基板とコモン電極108が形成された対向基板との一対の基板同士を、電極形成面が互いに対向するように一定の間隙を保って貼り合わせるとともに、この間隙に液晶105を封止した構成となっている。このため、画素容量120は、画素電極118とコモン電極108とで誘電体の一種である液晶105を挟持したものとなって、画素電極118とコモン電極108との差電圧を保持する構成となっている。この構成において、画素容量120の透過光量は、当該保持電圧の実効値に応じて変化する。なお、本実施形態では説明の便宜上、画素容量120において保持される電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小の黒色表示になるノーマリーホワイトモードであるとする。   In the display region 100, a pair of substrates, an element substrate on which the pixel electrode 118 is formed and a counter substrate on which the common electrode 108 is formed, are bonded to each other with a certain gap so that the electrode formation surfaces face each other. The liquid crystal 105 is sealed in the gap. For this reason, the pixel capacitor 120 has a structure in which the liquid crystal 105 which is a kind of dielectric is sandwiched between the pixel electrode 118 and the common electrode 108 and holds a differential voltage between the pixel electrode 118 and the common electrode 108. ing. In this configuration, the amount of light transmitted through the pixel capacitor 120 changes according to the effective value of the holding voltage. In the present embodiment, for convenience of explanation, if the effective voltage value held in the pixel capacitor 120 is close to zero, the light transmittance is maximized to display white, while the effective voltage value is increased. Assume that it is a normally white mode in which the amount of light decreases and finally the black display with the minimum transmittance is achieved.

図1において、Yドライバ30は、制御回路20による制御にしたがって走査線ブロックの1、2、3、…、80番目に属する3行の走査線を順番に選択するためのアドレス信号(論理信号)Ad -1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80を、生成するものである。ここで、説明便宜のために、m番目の走査線ブロックに対応して供給されるアドレス信号をAd-mと表記する。   In FIG. 1, the Y driver 30 is an address signal (logic signal) for sequentially selecting three scanning lines belonging to the first, second, third,..., 80th scanning line blocks in accordance with control by the control circuit 20. Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80 are generated. Here, for convenience of explanation, an address signal supplied corresponding to the mth scanning line block is denoted as Ad-m.

本実施形態において、走査線駆動回路は、1〜240行目の各走査線112に一対一に対応するように設けられた単位回路40の集合体である。各単位回路40の出力端は、自身に対応する走査線112に接続されている。このため、1、2、3、…、240行目に対応する単位回路40は、1、2、3、…、240行目の走査線112に走査信号G1、G2、G3、…、G240をそれぞれ供給する。
ここで、m番目の走査線ブロックに属する(3m−2)行目、(3m−1)行目および(3m)行目の走査線112に対応する3つの単位回路40の入力端には、当該走査線ブロックに対応して出力されたアドレス信号Ad-mが共通に供給される。例えば、80番目の走査線ブロックに属する238行目、239行目および240行目の走査線112に対応する3つの単位回路40の入力端には、アドレス信号Ad-80が共通に供給される。
In the present embodiment, the scanning line driving circuit is an aggregate of unit circuits 40 provided so as to correspond to the scanning lines 112 in the 1st to 240th rows on a one-to-one basis. The output terminal of each unit circuit 40 is connected to the scanning line 112 corresponding to itself. For this reason, the unit circuit 40 corresponding to the 1st, 2nd, 3rd,..., 240th rows sends the scanning signals G1, G2, G3,. Supply each.
Here, at the input ends of the three unit circuits 40 corresponding to the (3m-2) th, (3m-1) th and (3m) th scanning lines 112 belonging to the mth scanning line block, The address signal Ad-m output corresponding to the scanning line block is supplied in common. For example, the address signal Ad-80 is commonly supplied to the input ends of the three unit circuits 40 corresponding to the scanning lines 112 in the 238th, 239th, and 240th rows belonging to the 80th scanning line block. .

すべての単位回路40には、クロック信号(第1制御信号)Clkが共通に供給される。 一方、m番目の走査線ブロックに属する3行の単位回路には、それぞれ異なるセレクト信号(第2制御信号)が供給される。詳細には、(3m−2)行目に対応する単位回路40にはセレクト信号Sel-1が、(3m−1)行目に対応する単位回路40にはセレクト信号Sel-2が、(3m)行目に対応する単位回路40にはセレクト信号Sel-3が、それぞれ供給される。換言すれば、1つの走査線ブロックについてみれば、3行の単位回路においては、上から順番に、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3が供給される構成となっている。ここで、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3について、nを用いて一般的に表す場合、Sel-nと表記する。なお、nは、1、2、3のいずれかである。
セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3およびクロック信号Clkは、それぞれ制御回路20から出力される。
All the unit circuits 40 are commonly supplied with a clock signal (first control signal) Clk. On the other hand, different select signals (second control signals) are supplied to the three rows of unit circuits belonging to the m-th scanning line block. Specifically, the select signal Sel-1 is supplied to the unit circuit 40 corresponding to the (3m-2) th row, and the select signal Sel-2 is supplied to the unit circuit 40 corresponding to the (3m-1) th row (3m-2). ) A select signal Sel-3 is supplied to each unit circuit 40 corresponding to the row. In other words, in the case of one scanning line block, in the unit circuits of three rows, the selection signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3 are supplied in order from the top. Here, when the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3 are generally expressed using n, they are expressed as Sel-n. Note that n is one of 1, 2, and 3.
The select signals Sel-1, Sel-2, Sel-3 and the clock signal Clk are output from the control circuit 20, respectively.

ここで、アドレス信号Ad-mや、セレクト信号Sel-n、クロック信号Clkについて図4を参照して説明する。
この図に示されるように、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80は、それぞれパルス幅がHであるパルスが3ショット連続するパルス列であり、パルス列の始端から終端までが互いに重複しないように順番に出力される。
セレクト信号Sel-1は、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80の各パルス列のそれぞれにおいて、最初の1ショット目が出力される直前であって、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80がすべてLレベルである期間に出力されるパルスである。セレクト信号Sel-2は、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80の各パルス列のそれぞれにおいて、1ショット目と2ショット目との間に出力されるパルスである。セレクト信号Sel-3は、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80の各パルス列のそれぞれにおいて、2ショット目と3ショット目との間に出力されるパルスである。
本実施形態では、セレクト信号Sel-1の立ち下がりと、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80における1ショット目のパルスの立ち上がりとは一致するように生成される。同様に、セレクト信号Sel-2の立ち下がりと、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80における2ショット目のパルスの立ち上がりとは一致するように生成され、セレクト信号Sel-3の立ち下がりと、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80における3ショット目のパルスの立ち上がりとは一致するように生成される。
クロック信号Clkは、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3においていずれかのパルスが出力されるタイミングにおいて出力される。すなわち、クロック信号Clkは、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3の論理和に相当する信号である。
Here, the address signal Ad-m, the select signal Sel-n, and the clock signal Clk will be described with reference to FIG.
As shown in this figure, the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80 are pulse trains in which three pulses each having a pulse width of H are continuous, and from the start of the pulse train. Outputs are made in order so as not to overlap each other.
The select signal Sel-1 is the address signal Ad immediately before the first shot is output in each pulse train of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80. −1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80 are pulses that are output during a period in which all are at the L level. The select signal Sel-2 is a pulse output between the first shot and the second shot in each pulse train of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80. . The select signal Sel-3 is a pulse output between the second shot and the third shot in each pulse train of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3, ..., Ad-80. .
In the present embodiment, the falling edge of the select signal Sel-1 is generated so as to coincide with the rising edge of the first shot pulse in the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,. The Similarly, the fall of the select signal Sel-2 and the rise of the second shot pulse in the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,. The falling edge of the signal Sel-3 and the rising edge of the third shot pulse in the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,.
The clock signal Clk is output at the timing when any one of the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3 is output. That is, the clock signal Clk is a signal corresponding to the logical sum of the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3.

データ線駆動回路50は、アクティブレベルのHレベルとなった走査線112に位置する画素110の階調に応じた電圧のデータ信号d1、d2、d3、…、d320を、1、2、3、…、320列目のデータ線114にそれぞれ供給するものである。
ここで、データ線駆動回路50は、縦240行×横320列のマトリクス配列に対応した記憶領域(図示省略)を有し、各記憶領域には、それぞれに対応する画素110の階調値(明るさ)を指定する表示データDaが記憶される。各記憶領域に記憶される表示データDaは、表示内容に変更が生じた場合に、制御回路20によってアドレスとともに変更後の表示データDaが供給されて書き換えられる。
データ線駆動回路50は、Hレベルとなる走査線112に位置する画素110の表示データDaを記憶領域から読み出すとともに、当該階調値に応じた電圧のデータ信号に変換してデータ線114に供給する動作を、当該走査線112に位置する1〜320列のそれぞれについて実行する。
The data line driving circuit 50 outputs data signals d1, d2, d3,..., D320 of voltages corresponding to the gradations of the pixels 110 located on the scanning line 112 that has become the active level of H level 1, 2, 3, ..., supplied to the data lines 114 in the 320th column.
Here, the data line driving circuit 50 has a storage area (not shown) corresponding to a matrix arrangement of 240 rows × 320 columns, and each storage area has a gradation value (pixel value) of the corresponding pixel 110. Display data Da for designating (brightness) is stored. The display data Da stored in each storage area is rewritten by the display circuit Da after the change together with the address by the control circuit 20 when the display contents are changed.
The data line driving circuit 50 reads the display data Da of the pixels 110 located on the scanning line 112 that is at the H level from the storage area, converts the data into a data signal having a voltage corresponding to the gradation value, and supplies the data signal to the data line 114. This operation is executed for each of the 1st to 320th columns positioned on the scanning line 112.

なお、Hレベルとなる走査線112が何行目であるのか、また、いかなるタイミングで走査線112がHレベルとなるかについては、後述するように制御回路20によるYドライバ30への制御(アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80)、および、単位回路40への制御(セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3)で決定される。
このため、データ線駆動回路50は、例えば制御回路20から制御内容の通知を受けることによって、どの行の表示データDaを読み出すべきなのか、また、どのタイミングでデータ信号d1、d2、d3、…、d320を出力すべきなのかを、知ることができる。
また、ここでいう階調値に応じた電圧とは、コモン電極108に印加される電圧LCcomよりも高位側である正極性と、低位側である負極性との2通りが存在し、データ線駆動回路50は、同一の画素について例えば1フレームの期間毎に正極性と負極性とで交互に切り替える。なお、書込極性については電圧LCcomを基準とするが、電圧については、特に説明のない限り、電源の接地電位Gndを基準とし、論理レベルのLレベルを当該接地電位Gndとし、論理レベルのHレベルを電圧Vddとする。
Note that the number of rows of the scanning line 112 that is at the H level and the timing at which the scanning line 112 is at the H level are controlled by the control circuit 20 to the Y driver 30 (addresses) as described later. , Ad-80) and control to the unit circuit 40 (select signals Sel-1, Sel-2, Sel-3).
For this reason, the data line driving circuit 50 receives the notification of the control contents from the control circuit 20, for example, which row of the display data Da should be read out, and at what timing the data signals d1, d2, d3,. , D320 should be output.
The voltage corresponding to the gradation value here has two types of positive polarity on the higher side than the voltage LCcom applied to the common electrode 108 and negative polarity on the lower side, and the data line For example, the drive circuit 50 switches alternately between positive polarity and negative polarity for each frame period for the same pixel. Note that the write polarity is based on the voltage LCcom, but unless otherwise specified, the voltage is based on the ground potential Gnd of the power source, the L level of the logic level is the ground potential Gnd, and the logic level H The level is set to voltage Vdd.

次に、本発明の特徴部分である単位回路40について説明する。
1〜240行目の走査線112に対応する単位回路40は、構成的には互いに同一であるが、供給されるアドレス信号とセレクト信号とは、対応する走査線112が何番目の走査線ブロックに属するのか、その走査線ブロックにおいて何行目であるかによって異なる。ここで、上述したように、mは、走査線ブロックの番目を示し、nは、各走査線ブロックに属する3行の走査線の行目を示すので、m番目の走査線ブロックに属する3行の走査線のうち、n行目の走査線112は、表示パネル10における1〜240行目のうち、{3(m−1)+n}行目となり、この走査線に対応する単位回路には、アドレス信号Ad-mおよびセレクト信号Sel-nが供給される、と言い表すことができる。
Next, the unit circuit 40 which is a characteristic part of the present invention will be described.
The unit circuits 40 corresponding to the scanning lines 112 in the 1st to 240th rows are structurally identical to each other, but the scanning line 112 corresponding to the address line and select signal supplied is the scanning line block. Depending on the number of rows in the scanning line block. Here, as described above, m indicates the number of the scanning line block, and n indicates the row of the three scanning lines belonging to each scanning line block. Therefore, the three lines belonging to the mth scanning line block. Among these scanning lines, the n-th scanning line 112 is the {3 (m−1) + n} row among the 1st to 240th rows in the display panel 10, and the unit circuit corresponding to this scanning line includes It can be expressed that the address signal Ad-m and the select signal Sel-n are supplied.

図3は、この{3(m−1)+n}行目の走査線112に対応する単位回路40の構成を示す図である。
この図に示されるように、単位回路40は、2つのTFT42、44を含む。このうち、TFT42(第1トランジスタ)のソース電極は、アドレス信号Ad-mが供給される入力端Inに接続され、そのドレイン電極は、{3(m−1)+n}行目の走査線112の一端である出力端Outに接続されている。
TFT44(第2トランジスタ)のゲート電極には、クロック信号Clkが供給され、ソース電極には、セレクト信号Sel-nが供給され、そのドレイン電極は、TFT42のゲート電極に接続されている。
また、C1は、TFT42においてソース・ゲート電極間に寄生する容量であり、同様に、容量C2は、TFT44においてソース・ゲート電極間に寄生する容量である。補助容量Caは、TFT44においてソース・ゲート電極間に介挿された容量である。したがって、TFT44におけるソース・ゲート電極間には、容量C2、Caが並列接続された構成となっている。TFT42、44は、画素110におけるTFT116と共通プロセスによって形成され、また、補助容量は、例えばゲート絶縁膜を、TFTのゲート電極と配線層とで挟持することによって構成される。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the unit circuit 40 corresponding to the scanning line 112 in the {3 (m−1) + n} row.
As shown in this figure, the unit circuit 40 includes two TFTs 42 and 44. Among these, the source electrode of the TFT 42 (first transistor) is connected to the input terminal In to which the address signal Ad-m is supplied, and the drain electrode thereof is the scanning line 112 in the {3 (m−1) + n} row. Is connected to an output end Out which is one end of the.
A clock signal Clk is supplied to the gate electrode of the TFT 44 (second transistor), a select signal Sel-n is supplied to the source electrode, and its drain electrode is connected to the gate electrode of the TFT 42.
C1 is a capacitance parasitic between the source and gate electrodes in the TFT 42, and similarly, the capacitance C2 is a capacitance parasitic between the source and gate electrodes in the TFT 44. The auxiliary capacitor Ca is a capacitor inserted between the source and gate electrodes in the TFT 44. Therefore, the capacitors C2 and Ca are connected in parallel between the source and gate electrodes of the TFT 44. The TFTs 42 and 44 are formed by a common process with the TFT 116 in the pixel 110, and the auxiliary capacitance is configured by, for example, sandwiching a gate insulating film between the gate electrode of the TFT and the wiring layer.

{3(m−1)+n}行目の走査線112に対応する単位回路40では、図5(図4)に示されるように、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号Clkが期間SにわたってHレベルになり、この後、両信号がLレベルに立ち下がるとともに、アドレス信号Ad-mがHレベルに立ち上がるが、この立ち上がりから期間Hが経過すると、アドレス信号Ad-mがLレベルに立ち下がる。セレクト信号Sel-nがLレベルの状態で、クロック信号Clkが期間SにわたってHレベルになる状態が2回経ると、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号Clkが再び期間SにわたってHレベルになる。   In the unit circuit 40 corresponding to the scanning line 112 in the {3 (m−1) + n} row, as shown in FIG. 5 (FIG. 4), the select signal Sel-n and the clock signal Clk are at the H level over the period S. Thereafter, both signals fall to the L level and the address signal Ad-m rises to the H level. When the period H elapses from this rise, the address signal Ad-m falls to the L level. If the state in which the select signal Sel-n is in the L level and the clock signal Clk is in the H level for the period S passes twice, the select signal Sel-n and the clock signal Clk are in the H level for the period S again.

このようなセレクト信号Sel-n、クロック信号Clkおよびアドレス信号Ad-mの出力において、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号ClkがHレベルになると、{3(m−1)+n}行目の走査線112に対応する単位回路40では、TFT44のゲート電極は、Hレベルに相当する電圧Vd dになるので、ソース・ドレイン電極間が導通(オン)状態になる。
一方、アドレス信号Ad-mは、Lレベルであるので、TFT42のゲート電極Vgは、容量C1を充電しながら、セレクト信号Sel-nのHレベルである電圧VddからTFT44のオン抵抗による電圧降下分を減じた電圧Vaに、上昇しながら達することになる。
この電圧VaによってTFT42もオンするので、出力端Outは入力端Inと導通状態になる。このため、アドレス信号Ad-mのLレベルが、そのまま走査信号G[3(m−1)+n]となる。
When the select signal Sel-n and the clock signal Clk attain the H level in the output of the select signal Sel-n, the clock signal Clk, and the address signal Ad-m, scanning of the {3 (m−1) + n} row. In the unit circuit 40 corresponding to the line 112, the gate electrode of the TFT 44 has a voltage Vdd corresponding to the H level, so that the source and drain electrodes are in a conductive (ON) state.
On the other hand, since the address signal Ad-m is at the L level, the gate electrode Vg of the TFT 42 is charged by the voltage drop due to the ON resistance of the TFT 44 from the voltage Vdd at the H level of the select signal Sel-n while charging the capacitor C1. The voltage Va is decreased while increasing.
Since the TFT 42 is also turned on by this voltage Va, the output terminal Out becomes conductive with the input terminal In. Therefore, the L level of the address signal Ad-m becomes the scanning signal G [3 (m−1) + n] as it is.

次に、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号ClkがLレベルに立ち下がる一方でアドレス信号Ad-mがHレベルに立ち上がると、TFT44のソース・ドレイン電極間が非導通(オフ)状態になる。したがって、TFT42のゲート電極は、電気的にどの部分にも接続されないハイ・インピーダンス状態になるが、電圧Vddを充電した容量C1の他端である入力端Inが、アドレス信号Ad-mがHレベルに相当する電圧Vddに持ち上がるため、容量C1の一端であるTFT42のゲート電極Vgも、直前の電圧Vaから電圧Vddを加えた電圧(Va+Vdd)に上昇する。
このため、TFT42は、引き続きオン状態になるので、アドレス信号Ad-mのHレベルが、そのまま走査信号G[3(m−1)+n]として現れる。
Next, when the select signal Sel-n and the clock signal Clk fall to the L level while the address signal Ad-m rises to the H level, the source / drain electrodes of the TFT 44 become non-conductive (off). Therefore, the gate electrode of the TFT 42 is in a high impedance state which is not electrically connected to any part, but the input terminal In which is the other end of the capacitor C1 charged with the voltage Vdd is at the H level of the address signal Ad-m. Therefore, the gate electrode Vg of the TFT 42, which is one end of the capacitor C1, also rises to the voltage (Va + Vdd) obtained by adding the voltage Vdd to the voltage Va immediately before the voltage Vdd.
For this reason, since the TFT 42 is continuously turned on, the H level of the address signal Ad-m appears as it is as the scanning signal G [3 (m−1) + n].

続いて、アドレス信号Ad-mがLレベルに立ち下がる。このため、容量C1の他端である入力端InもLレベルに下がるので、TFT42のゲート電極Vgは、電圧Vaに戻る。したがって、TFT42は、引き続きオン状態にあるので、アドレス信号Ad-mのLレベルが、そのまま走査信号G[3(m−1)+n]として現れる。   Subsequently, the address signal Ad-m falls to the L level. For this reason, since the input terminal In which is the other end of the capacitor C1 also falls to the L level, the gate electrode Vg of the TFT 42 returns to the voltage Va. Therefore, since the TFT 42 is still in the ON state, the L level of the address signal Ad-m appears as it is as the scanning signal G [3 (m−1) + n].

セレクト信号Sel-nおよびアドレス信号Ad-mがLレベルの状態で、クロック信号ClkがHレベルになると、TFT44がオン状態になる。このため、ゲート電極Vgがセレクト信号Sel-nのLレベルになるので、TFT42はオフする。これにより、出力端Outは、ハイ・インピーダンス状態になるが、走査線112に寄生する種々の容量により、走査信号G[3(m−1)+n]は、図5において破線で示されるように直前のLレベルに維持される。
一方、アドレス信号Ad-mもLレベルであるので、容量C1の両端が同レベルになり、これにより、充電された電圧がゼロにリセットされる。このため、以降アドレス信号Ad-mのレベルが、{3(m−1)+n}行目に対応する単位回路40のTFT42のオンオフに直接影響を及ぼすことはないはずである(この点については後述する)。
When the select signal Sel-n and the address signal Ad-m are at the L level and the clock signal Clk is at the H level, the TFT 44 is turned on. For this reason, since the gate electrode Vg becomes L level of the select signal Sel-n, the TFT 42 is turned off. As a result, the output terminal Out is in a high impedance state, but the scanning signal G [3 (m−1) + n] is indicated by a broken line in FIG. 5 due to various capacitances parasitic on the scanning line 112. It is maintained at the previous L level.
On the other hand, since the address signal Ad-m is also at the L level, both ends of the capacitor C1 are at the same level, whereby the charged voltage is reset to zero. Therefore, the level of the address signal Ad-m should not directly affect the on / off state of the TFT 42 of the unit circuit 40 corresponding to the {3 (m−1) + n} row. Will be described later).

ところで、m番目の走査線ブロックに属する3行の走査線112を順番にHレベルとした後においては、1フレームの期間Fが経過するまで、アドレス信号Ad-mはLレベルを維持するが、セレクト信号Sel-nについては、他の走査線ブロックに属する3行の走査線112を順番に選択するために、期間U毎にHレベルとなる。クロック信号Clkは、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3の論理和であるような性格を有するので、期間U/3毎に、いずれかのセレクト信号とともにHレベルとなる。
ここで、アドレス信号Ad-mがLレベルである場合に、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号ClkがHレベルになると、TFT42のゲート電極がHレベルになるので、出力端Outはアドレス信号Lレベルに確定する。このため、出力端Outは、ハイ・インピーダンス状態になった後、期間Uの周期で定期的にLレベルにリフレッシュされるので、ノイズ等や各種の寄生容量による電圧変化が抑制されることになる。
なお、アドレス信号Ad-mがLレベルである場合に、ゲート電極VgがHレベルになって当該TFT42がオンすると、容量C1に電圧Vaが充電される(TFT42がオンになる)ことになるが、クロック信号ClkだけがHレベルになることによって、当該充電電圧がゼロにリセットされる。
By the way, after the three scanning lines 112 belonging to the mth scanning line block are sequentially set to the H level, the address signal Ad-m maintains the L level until the period F of one frame elapses. The select signal Sel-n becomes H level for each period U in order to sequentially select the three scanning lines 112 belonging to other scanning line blocks. Since the clock signal Clk has such a characteristic that it is the logical sum of the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3, it becomes the H level together with any one of the select signals every period U / 3.
Here, when the address signal Ad-m is at the L level and the select signal Sel-n and the clock signal Clk are at the H level, the gate electrode of the TFT 42 is at the H level, so that the output terminal Out is at the address signal L level. To confirm. For this reason, since the output terminal Out is in a high impedance state and periodically refreshed to the L level in the period U, voltage changes due to noise and various parasitic capacitances are suppressed. .
When the address signal Ad-m is at the L level and the gate electrode Vg is at the H level and the TFT 42 is turned on, the voltage Va is charged to the capacitor C1 (TFT 42 is turned on). When only the clock signal Clk becomes H level, the charging voltage is reset to zero.

ここでは、一般的に、{3(m−1)+n}行目に対応する単位回路40について説明したが、mについて1〜80、nについて1、2、3であるから、図4に示されるようなアドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80に対し、同図に示されるようにセレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3が出力されると、走査信号G1、G2、G3、…、G240は、それぞれ自身に対応したアドレス信号における3つのパルス列のうち、走査線ブロックの行目に対応するパルスを、そのLレベル区間を含むように抜き出したものとなる。
さらに、走査信号のLレベルに相当する期間では、一時的に出力端Outがハイ・インピーダンス状態になるため電圧不確定に陥りやすいが、本実施形態では、期間U毎に電位GndのLレベルに定期的にリフレッシュされるので、実際には、Lレベルでほぼ安定することになる。
図4において各走査信号のLレベルである期間のうち、細線は、ハイ・インピーダンス状態であるがために、走査線の寄生容量等により不安定ながらもLレベルを保持している期間を示し、太線は、リフレッシュによるLレベルに確定している期間を示している。
Here, in general, the unit circuit 40 corresponding to the {3 (m−1) + n} row has been described. However, since m is 1 to 80 and n is 1, 2, and 3, it is shown in FIG. In response to the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80, select signals Sel-1, Sel-2, Sel-3 are output as shown in FIG. Scan signals G1, G2, G3,..., G240 are extracted from the three pulse trains in the address signals corresponding to the scan signals G1, G2, G3,. It will be a thing.
Further, in the period corresponding to the L level of the scanning signal, the output terminal Out temporarily becomes a high impedance state, so that the voltage is likely to be uncertain. However, in this embodiment, the potential Gnd is changed to the L level for each period U. Since it is periodically refreshed, in practice, it is almost stable at the L level.
In FIG. 4, among the periods when the scanning signal is at the L level, the thin line indicates a period in which the thin line is held at the L level although it is unstable due to the parasitic capacitance of the scanning line because it is in a high impedance state. A thick line indicates a period in which the L level is established by refresh.

このように{3(m−1)+n}行目に対応する単位回路40では、当該行の走査線112をHレベルにする前に、TFT42をオンさせることによって、Lレベルのアドレス信号Ad-mをそのまま走査信号G[G3(m−1)+n]にするとともに、容量C1に電圧Vaを充電させ、この後、アドレス信号Ad-mをHレベルに変化させたときに、TFT42のゲート電圧を電圧Vaに当該変化分を上乗せすることによりTFT42を引き続きオンさせて、Hレベルのアドレス信号Ad-mを走査信号G[G3(m−1)+n]として出力する構成となっている。
このため、デマルチプレクサを構成するTFT42のゲート電圧については、論理レベルであるHおよびLレベルを用いて自己生成するので、走査線をHレベルにするときにTFT42のゲート電極に印加すべきオン電圧としてHレベルよりもTFT42のしきい値電圧以上高くした電圧を別途生成する必要がなくなる。したがって、走査線を駆動するにあたって、Lレベルに相当する電位Gndのほかには、Hレベルに相当する電圧Vddのみを生成すれば良いので、電源回路の構成素子を高耐圧化する必要がなくなって、構成の簡易化を図ることが可能となる。
As described above, in the unit circuit 40 corresponding to the {3 (m−1) + n} row, the TFT 42 is turned on before the scanning line 112 of the row is set to the H level, thereby the L level address signal Ad−. When m is used as it is as the scanning signal G [G3 (m-1) + n], the voltage Va is charged in the capacitor C1, and then the address signal Ad-m is changed to the H level. Is added to the voltage Va to continuously turn on the TFT 42, and the H-level address signal Ad-m is output as the scanning signal G [G3 (m-1) + n].
For this reason, the gate voltage of the TFT 42 constituting the demultiplexer is self-generated using the logic levels of H and L, so that the ON voltage to be applied to the gate electrode of the TFT 42 when the scanning line is set to the H level. As a result, it becomes unnecessary to separately generate a voltage higher than the H level by the threshold voltage of the TFT. Therefore, when driving the scanning line, it is only necessary to generate the voltage Vdd corresponding to the H level in addition to the potential Gnd corresponding to the L level, so that it is not necessary to increase the breakdown voltage of the constituent elements of the power supply circuit. Thus, the configuration can be simplified.

ここで、TFT44のソース・ドレイン電極間において、寄生容量C2に加えて補助容量Caを積極的に設けている理由は、次の通りである。すなわち、補助容量Caを設けない場合に、セレクト信号Sel-nがLレベルである状態にあってアドレス信号Ad-mがLからHレベルに立ち上がったときに、容量C1、C2や他の容量等の影響により、TFT42のゲート電極電圧が、アドレス信号Ad-mの電圧変化方向である上昇方向に変化し、これにより、TFT42のオフ抵抗が無視できない程度に小さくなる状態(半オン状態)になってしまう可能性があるためである。TFT42が半オン状態になると、出力端Outである走査線がLレベルから上昇し、画素におけるTFT116のオフリークを増大させてしまう。
この半オン状態を防止するために、本実施形態では、アドレス信号Ad-mの立ち上がりタイミングにおいてクロック信号Clkが立ち下がるように設定するとともに、容量C2に加えて補助容量Caを並列化することによりTFT44のゲート・ドレイン電極間の容量を増やし、この増やした容量を介したクロック信号Clkの立ち下がりによって、TFT42のゲート電極の電圧上昇を打ち消すようにしている。
なお、補助容量Caについては、種々の条件によって一概にはいえないものの、300〜500fF(ファムト・ファラッド)程度が望ましい。
Here, the reason why the auxiliary capacitance Ca is positively provided in addition to the parasitic capacitance C2 between the source and drain electrodes of the TFT 44 is as follows. That is, when the auxiliary capacitor Ca is not provided, when the select signal Sel-n is at the L level and the address signal Ad-m rises from the L level to the H level, the capacitors C1, C2, other capacitors, etc. As a result, the gate electrode voltage of the TFT 42 changes in the rising direction, which is the voltage change direction of the address signal Ad-m, and thus the off-resistance of the TFT 42 becomes so small that it cannot be ignored (half-on state). This is because there is a possibility of being lost. When the TFT 42 is in a half-on state, the scanning line that is the output end Out rises from the L level, and the off-leak of the TFT 116 in the pixel increases.
In order to prevent this half-on state, in the present embodiment, the clock signal Clk is set to fall at the rising timing of the address signal Ad-m, and the auxiliary capacitor Ca is parallelized in addition to the capacitor C2. The capacitance between the gate electrode and the drain electrode of the TFT 44 is increased, and the rise in the voltage of the gate electrode of the TFT 42 is canceled by the fall of the clock signal Clk via the increased capacitance.
The auxiliary capacitance Ca is preferably about 300 to 500 fF (Famto Farad), although it cannot be said unconditionally depending on various conditions.

なお、電気光学装置の動作について簡単に説明すると、あるフレームの最初においては走査信号G1がHレベルになる。走査信号G1がHレベルになると、データ線駆動回路50は、1行目であって1、2、3、…、320列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、読み出した表示データDaで指定された電圧だけ、電圧LCcomを基準に高位または低位の電圧に変換し、データ信号d1、d2、d3、…、d320として、それぞれ1、2、3、…、320列のデータ線114に供給する。
一方、走査信号G1がHレベルになると、1行1列〜1行320列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号d1、d2、d3、…、d320が印加される。このため、1行1列〜1行320列の画素容量120には、データ信号d1〜d320と電圧LCcomとの差電圧が書き込まれる。
走査信号G2がHレベルになる直前において、走査信号G1がLレベルになり、これにより、1行1列〜1行320列の画素におけるTFT116がオフするが、画素容量120に書き込まれた電圧は、その容量性とともに並列接続された蓄積容量130に保持されるので、1行1列〜1行320列の画素容量120は、書き込まれた電圧に応じた階調を維持することになる。
The operation of the electro-optical device will be briefly described. At the beginning of a certain frame, the scanning signal G1 becomes H level. When the scanning signal G1 becomes H level, the data line driving circuit 50 reads out the display data Da of the pixels in the first row and the first, second, third,..., 320th column, and designates it by the read display data Da. The converted voltage is converted into a high or low voltage with reference to the voltage LCcom and supplied as data signals d1, d2, d3,..., D320 to the data lines 114 of 1, 2, 3,. .
On the other hand, when the scanning signal G1 becomes the H level, the TFTs 116 in the pixels in the first row and the first column to the first row and the 320th column are turned on, so that the data signals d1, d2, d3,. Is done. For this reason, the differential voltage between the data signals d1 to d320 and the voltage LCcom is written into the pixel capacitor 120 in the first row and first column to the first row and 320 columns.
Immediately before the scanning signal G2 becomes H level, the scanning signal G1 becomes L level, thereby turning off the TFTs 116 in the pixels of the first row and the first column to the first row and the 320th column, but the voltage written in the pixel capacitor 120 is The pixel capacitors 120 in the 1st row and 1st column to the 1st row and 320th column maintain the gradation corresponding to the written voltage because they are held in the storage capacitor 130 connected in parallel with the capacity.

次に、走査信号G2がHレベルになる。走査信号G2がHレベルになると、データ線駆動回路50は、2行目であって1、2、3、…、320列目の画素の表示データDaを読み出すとともに、読み出した表示データDaで指定された電圧だけ、電圧LCcomを基準に高位または低位の電圧に変換し、データ信号d1、d2、d3、…、d320として、それぞれ1、2、3、…、320列のデータ線114に供給する。
一方、走査信号G2がHレベルになると、2行1列〜2行320列の画素におけるTFT116がオンするので、これらの画素電極118には、データ信号d1、d2、d3、…、d320が印加される。このため、2行1列〜2行320列の画素容量120には、データ信号d1〜d320と電圧LCcomとの差電圧が書き込まれる。
Next, the scanning signal G2 becomes H level. When the scanning signal G2 becomes H level, the data line driving circuit 50 reads the display data Da of the pixels in the second row and the columns 1, 2, 3,. The converted voltage is converted into a high or low voltage with reference to the voltage LCcom and supplied as data signals d1, d2, d3,..., D320 to the data lines 114 of 1, 2, 3,. .
On the other hand, when the scanning signal G2 becomes the H level, the TFTs 116 in the pixels of the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 320th column are turned on, so that the data signals d1, d2, d3,. Is done. For this reason, the differential voltage between the data signals d1 to d320 and the voltage LCcom is written into the pixel capacitor 120 in the 2nd row and the 1st column to the 2nd row and the 320th column.

以下同様にして、データ信号を介した電圧の書き込みが、走査信号G3、G4、…、G240がHレベルになるまで繰り返され、これによりすべての画素に対して、階調値に応じた電圧が書き込まれる。なお、次のフレームでも同様にして電圧の書き込みが、書込極性を反転した状態で実行される。すなわち、ある画素について着目したときに、あるフレームにおいて階調値に応じた電圧が、電圧LCcomよりも高位または低位の一方の極性であったならば、次のフレームでは、電圧LCcomよりも高位または低位の他方の極性とされる。このような極性反転によって、液晶105に直流成分が印加されることが回避されて、劣化が防止される。
なお、図6は、{3(m−1)+n}行における、ある列の画素電極118の電圧について、走査信号G[3(m−1)+n]との関係において示す図である。この図においては、走査信号G[3(m−1)+n]がHレベルになったときに、電圧LCcomに対して当該画素に対する階調値に応じた分だけ高位または低位の電圧(図において↑または↓で示されている)のデータ信号が当該列目のデータ線114に供給されて、当該画素電極118に書き込まれている様子を示している。また、走査信号G[3(m−1)+n]においては、Lレベルは安定化されているものとしている。
Similarly, the writing of the voltage via the data signal is repeated until the scanning signals G3, G4,..., G240 become the H level, whereby the voltage corresponding to the gradation value is applied to all the pixels. Written. In the next frame, the voltage writing is executed in the same manner with the writing polarity reversed. That is, when attention is paid to a certain pixel, if the voltage corresponding to the gradation value is higher or lower than the voltage LCcom in a certain frame, it is higher or lower than the voltage LCcom in the next frame. The other lower polarity is assumed. By such polarity reversal, application of a direct current component to the liquid crystal 105 is avoided, and deterioration is prevented.
FIG. 6 is a diagram illustrating the voltage of the pixel electrode 118 in a certain column in the {3 (m−1) + n} row in relation to the scanning signal G [3 (m−1) + n]. In this figure, when the scanning signal G [3 (m−1) + n] becomes H level, the voltage LCcom is higher or lower than the voltage LCcom by the amount corresponding to the gradation value for the pixel (in the figure). A data signal (shown by ↑ or ↓) is supplied to the data line 114 in the column and written to the pixel electrode 118. In the scanning signal G [3 (m−1) + n], the L level is assumed to be stabilized.

<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る走査線駆動回路について説明する。図7は、この走査線駆動回路を適用した電気光学装置の全体構成を示す図である。
図7に示されるように、第2実施形態において、走査線駆動回路を構成する単位回路40に供給される信号は、第1実施形態(図1参照)におけるセレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3およびクロック信号Clkが入れ替わった関係にある。各単位回路40は、構成的には図3と同一であるが、図3の括弧書で示されるように、m番目の走査線ブロックに属する3行の走査線のうち、n行目に対応する単位回路40にあっては、TFT44のゲート電極に、第1制御信号としてのセレクト信号Sel-nが供給され、TFT44のソース電極に、第2制御信号としてのクロック信号Clkが供給される。
Second Embodiment
Next, a scanning line driving circuit according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating an overall configuration of an electro-optical device to which the scanning line driving circuit is applied.
As shown in FIG. 7, in the second embodiment, the signals supplied to the unit circuits 40 constituting the scanning line driving circuit are the select signals Sel-1, Sel-2 in the first embodiment (see FIG. 1). , Sel-3 and the clock signal Clk are interchanged. Each unit circuit 40 is structurally the same as in FIG. 3, but corresponds to the nth row among the three scanning lines belonging to the mth scanning line block, as shown in parentheses in FIG. In the unit circuit 40, the select signal Sel-n as the first control signal is supplied to the gate electrode of the TFT 44, and the clock signal Clk as the second control signal is supplied to the source electrode of the TFT 44.

図8は、第2実施形態のアドレス信号Ad-mや、セレクト信号Sel-n、クロック信号Clkの波形を示す。この図及び図9に示されるように、アドレス信号Ad-1〜Ad-80は、第1実施形態と同じである。
ただし、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3には、第1実施形態と相違している。すなわち、図8に示されるように、セレクト信号Sel-1は、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80の各パルス列のそれぞれにおいて最初の1ショット目が出力される直前であって、アドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80がすべてLレベルである期間に出力される第1パルスを含む点においては、第1実施形態と共通であるが、第2実施形態では、さらに、アドレス信号における最初の1ショット目が出力された後から次の2ショット目が出力されるまでであって、アドレス信号およびクロック信号ClkがLレベルである期間に出力される第2パルスを含む。
同様に、セレクト信号Sel-2は、第1実施形態のパルスに加えて、アドレス信号における2ショット目が出力された後から次の3ショット目が出力されるまでであって、アドレス信号およびクロック信号ClkがLレベルである期間に出力される第2パルスを含み、セレクト信号Sel-3は、第1実施形態のパルスに加えて、アドレス信号における3ショット目が出力された後から次のアドレス信号の1ショット目が出力されるまでであって、アドレス信号およびクロック信号ClkがLレベルである期間に出力される第2パルスを含む。
このため、第2実施形態において、クロック信号Clkは、第1実施形態と同じであるが、セレクト信号Sel-1、Sel-2、Sel-3の論理和ではない。
FIG. 8 shows waveforms of the address signal Ad-m, the select signal Sel-n, and the clock signal Clk according to the second embodiment. As shown in this figure and FIG. 9, the address signals Ad-1 to Ad-80 are the same as those in the first embodiment.
However, the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3 are different from the first embodiment. That is, as shown in FIG. 8, the first shot of the select signal Sel-1 is output in each of the pulse trains of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,. , Ad-80 includes the first pulse that is output during a period in which all of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80 are at the L level. Although common, in the second embodiment, after the first shot of the address signal is output until the next second shot is output, the address signal and the clock signal Clk are at the L level. The second pulse output during a certain period is included.
Similarly, the select signal Sel-2 is from the output of the second shot of the address signal to the output of the next third shot in addition to the pulses of the first embodiment. The select signal Sel-3 includes the second pulse output during a period in which the signal Clk is at the L level, and the select signal Sel-3 includes the next address after the third shot in the address signal is output in addition to the pulse of the first embodiment. This includes a second pulse that is output until the first shot of the signal is output and the address signal and the clock signal Clk are at the L level.
For this reason, in the second embodiment, the clock signal Clk is the same as in the first embodiment, but is not the logical sum of the select signals Sel-1, Sel-2, and Sel-3.

第2実施形態においても、{3(m−1)+n}行目に対応する単位回路40では、図9に示されるように、当該行の走査線112をHレベルにする前に、セレクト信号Sel-nおよびクロック信号ClkがHレベルになることによって、Lレベルのアドレス信号Ad-mをそのまま走査信号G[G3(m−1)+n]にするとともに、容量C1に電圧Vaを充電させ、この後、アドレス信号Ad-mをHレベルに変化させたときに、TFT42のゲート電圧を電圧Vaに当該変化分を上乗せすることによりTFT42を引き続きオンさせて、Hレベルのアドレス信号Ad-mを走査信号G[G3(m−1)+n]として出力する構成となっている。その後、アドレス信号Ad-mがLレベルになると、セレクト信号Sel-nの第2パルスによって、電圧Vaがゼロにリセットされ、走査信号G[G3(m−1)+n]としてLレベルを維持する構成となっている。
したがって、第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、TFT42のゲート電圧については、論理レベルであるHおよびLレベルを用いて自己生成するので、電源回路の構成素子を高耐圧化する必要がなくなって、構成の簡易化を図ることが可能となる。
Also in the second embodiment, in the unit circuit 40 corresponding to the {3 (m−1) + n} row, as shown in FIG. 9, before the scanning line 112 of the row is set to the H level, the select signal When Sel-n and the clock signal Clk become H level, the L-level address signal Ad-m is used as it is as the scanning signal G [G3 (m-1) + n], and the capacitor Va is charged with the voltage Va. Thereafter, when the address signal Ad-m is changed to the H level, the TFT 42 is continuously turned on by adding the change amount to the gate voltage of the TFT 42 to the voltage Va, so that the address signal Ad-m of the H level is supplied. The scanning signal G [G3 (m−1) + n] is output. Thereafter, when the address signal Ad-m becomes L level, the voltage Va is reset to zero by the second pulse of the select signal Sel-n, and the L level is maintained as the scanning signal G [G3 (m−1) + n]. It has a configuration.
Accordingly, also in the second embodiment, as in the first embodiment, the gate voltage of the TFT 42 is self-generated using the logic levels H and L, so that the breakdown voltage of the constituent elements of the power supply circuit is increased. This eliminates the necessity and simplifies the configuration.

ところで、上述した第1および第2実施形態において、各走査線112は、HからLレベルに変化した後、期間U(3行分の走査線がHレベルになる期間)毎にLレベルに定期的にリフレッシュされるが、このリフレッシュの周期は短いほどよい。
このため、例えば図10に示されるように、各走査線112にそれぞれTFT140(スイッチ)を設けた構成としても良い。ここで、各TFT140のソース電極は、Lレベルである電位Gndに共通接地され、ドレイン電極が走査線112にそれぞれ接続され、ゲート電極には、信号Setが共通に供給される。このため、信号SetがHレベルになったときに、全走査線112がLレベルに確定することになる。
ここで、信号Setとしては、いずれかのアドレス信号Ad-1、Ad-2、Ad-3、…、Ad-80がHレベルにならない期間、すなわち、すべてのアドレス信号がLレベルとなる期間においてHレベルとなる信号であれば良く、例えば上述したクロック信号Clkをそのまま用いることができる。
By the way, in the first and second embodiments described above, after each scanning line 112 changes from H to L level, the scanning line 112 is periodically set to L level every period U (a period during which scanning lines for three rows are at H level). Although refreshing is performed periodically, the shorter the refresh cycle, the better.
For this reason, for example, as shown in FIG. 10, each scanning line 112 may be provided with a TFT 140 (switch). Here, the source electrode of each TFT 140 is commonly grounded to the potential Gnd which is L level, the drain electrode is connected to the scanning line 112, and the signal Set is commonly supplied to the gate electrode. For this reason, when the signal Set becomes H level, all the scanning lines 112 are fixed at L level.
Here, the signal Set is a period in which any one of the address signals Ad-1, Ad-2, Ad-3,..., Ad-80 is not at the H level, that is, a period in which all the address signals are at the L level. Any signal can be used as long as it is at the H level, and for example, the clock signal Clk described above can be used as it is.

このような構成によれば、図11に示されるように、各走査線112は、Lレベルに確定する間隔が短くなるので、ハイ・インピーダンス状態が長く継続することによる電圧不安定状態が低減されるとともに、走査線112同士におけるLレベルの均質化が図られる。
ハイ・インピーダンス状態における電圧変動により走査線112同士の電圧が相違してしまうと、行毎に、画素におけるTFT116のオフリークによる影響が異なり、行方向における表示のムラとなって現れるが、この構成によれば、図4と場合と比較して、Lレベルの確定周期が短く、かつ、全走査線112について共通なので、表示のムラが現れにくいのである。
According to such a configuration, as shown in FIG. 11, each scanning line 112 has an interval for determining the L level to be short, so that a voltage unstable state due to a long continuous high impedance state is reduced. At the same time, L level homogenization between the scanning lines 112 is achieved.
If the voltage between the scanning lines 112 is different due to voltage fluctuation in the high impedance state, the influence of the off-leak of the TFT 116 in the pixel is different for each row and appears as uneven display in the row direction. Therefore, as compared with FIG. 4 and the case, since the L-level determination cycle is short and common to all the scanning lines 112, display unevenness hardly occurs.

なお、実施形態においては、走査線ブロックを構成する走査線の行数pを「3」として説明したが、「2」でも良いし、「4」以上の整数としても良い。また、実施形態においては、TFT116をnチャネル型としたため、アクティブレベルをHレベルとし、ノン・アクティブレベルをLレベルとして説明したが、TFT116をpチャネル型にした場合、アクティブレベルはLレベルになり、ノン・アクティブレベルをHレベルになる。TFT116をpチャネル型にする場合には、負論理とすれば良いので、その構成については別段説明を要しないであろう。   In the embodiment, the number p of scanning lines constituting the scanning line block has been described as “3”, but may be “2” or an integer greater than or equal to “4”. In the embodiment, since the TFT 116 is an n-channel type, the active level is an H level and the non-active level is an L level. However, when the TFT 116 is a p-channel type, the active level is an L level. The non-active level becomes H level. When the TFT 116 is a p-channel type, it may be negative logic, so that the configuration thereof will not be required.

また、上述した各実施形態では、画素容量120を単位としてみたときに、1フレームの期間毎に書込極性を反転したが、その理由は、画素容量120を交流駆動するために過ぎないので、その反転は2フレーム以上の期間毎に実行しても良い。
さらに、画素容量120はノーマリーホワイトモードとしたが、電圧無印加状態において暗い状態となるノーマリーブラックモードとしても良い。また、R(赤)、G(緑)、B(青)の3画素で1ドットを構成して、カラー表示を行うとしても良いし、さらに、別の1色(例えばシアン(C))を追加し、これらの4色の画素で1ドットを構成して、色再現性を向上させる構成としても良い。
In each of the above-described embodiments, when the pixel capacitor 120 is taken as a unit, the writing polarity is inverted every frame period, because the pixel capacitor 120 is only for AC driving. The inversion may be performed every period of two frames or more.
Furthermore, although the pixel capacitor 120 is in the normally white mode, it may be in a normally black mode in which the pixel capacitor 120 becomes dark when no voltage is applied. In addition, one dot may be formed by three pixels of R (red), G (green), and B (blue), and color display may be performed, and another color (for example, cyan (C)) may be used. In addition, one dot may be configured with these four color pixels to improve the color reproducibility.

上述した説明では、書込極性の基準をコモン電極108の電圧としているが、これは、画素110におけるTFT116が理想的なスイッチとして機能する場合であり、実際には、TFT116のゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン電極(画素電極118)の電位が低下する現象(プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどと呼ばれる)が発生する。液晶の劣化を防止するため、画素容量120については交流駆動としなければならないが、コモン電極108への印加電圧を書込極性の基準として交流駆動すると、プッシュダウンのために、負極性書込による画素容量120の電圧実効値が、正極性書込による実効値よりも若干大きくなってしまう(TFT116がnチャネルの場合)。このため、実際には、書込極性の基準電圧とコモン電極108の電圧とを分け、詳細には、書込極性の基準電圧を、プッシュダウンの影響が相殺されるように、コモン電極の電圧よりも高位側にオフセットして設定するようにしても良い。
さらに、蓄積容量130の他端は一定ではなく、正極性書込時に低位側とし、その後、高位側に切り替え、極性書込時に高位側とし、その後、低位側に切り替えるような構成としても良い。
In the above description, the reference of the writing polarity is the voltage of the common electrode 108. This is a case where the TFT 116 in the pixel 110 functions as an ideal switch. Due to the parasitic capacitance, a phenomenon in which the potential of the drain electrode (pixel electrode 118) decreases when the state changes from on to off (referred to as push-down, punch-through, or field-through) occurs. In order to prevent the deterioration of the liquid crystal, the pixel capacitor 120 must be AC driven. However, when AC driving is performed using the voltage applied to the common electrode 108 as a reference for the writing polarity, negative writing is used for pushdown. The effective voltage value of the pixel capacitor 120 is slightly larger than the effective value by the positive polarity writing (in the case where the TFT 116 is an n-channel). Therefore, in practice, the reference voltage of the write polarity is divided from the voltage of the common electrode 108. Specifically, the reference voltage of the write polarity is changed to the voltage of the common electrode so that the influence of pushdown is offset. Alternatively, the offset may be set to a higher position.
Furthermore, the other end of the storage capacitor 130 is not constant, and may be configured such that it is switched to the lower side during positive polarity writing, then switched to the higher level, switched to the higher level during polarity writing, and then switched to the lower side.

<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として有する電子機器について説明する。図12は、実施形態に係る電気光学装置1を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置1を備えるものである。なお、電気光学装置1のうち、表示領域100に相当する部分以外の構成要素については外観としては現れない。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus having the electro-optical device 1 according to the above-described embodiment as a display device will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a mobile phone 1200 using the electro-optical device 1 according to the embodiment.
As shown in this figure, a cellular phone 1200 includes the electro-optical device 1 described above, together with a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206. Note that components of the electro-optical device 1 other than the portion corresponding to the display region 100 do not appear as an appearance.

なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図12に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(またはモニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置1が適用可能であることは言うまでもない。   As an electronic apparatus to which the electro-optical device 1 is applied, in addition to the mobile phone shown in FIG. 12, a digital still camera, a notebook personal computer, a liquid crystal television, a viewfinder type (or monitor direct view type) video recorder. , Car navigation devices, pagers, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, and the like. Needless to say, the above-described electro-optical device 1 is applicable as a display device of these various electronic devices.

第1実施形態に係る走査線駆動回路を用いた電気光学装置を示す図である。1 is a diagram illustrating an electro-optical device using a scanning line driving circuit according to a first embodiment. FIG. 同電気光学装置における画素の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel in the same electro-optical apparatus. 同走査線駆動回路における単位回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the unit circuit in the scanning line drive circuit. 同走査線駆動回路の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the scanning line drive circuit. 同単位回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the unit circuit. 同電気光学装置の動作を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an operation of the electro-optical device. 第2実施形態に係る走査線駆動回路を用いた電気光学装置を示す図である。It is a figure which shows the electro-optical apparatus using the scanning line drive circuit which concerns on 2nd Embodiment. 同走査線駆動回路の動作を示す図である。It is a figure which shows operation | movement of the scanning line drive circuit. 同単位回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the unit circuit. 同電気光学装置の応用例を示す図である。It is a figure which shows the application example of the same electro-optical apparatus. 同応用例に係る走査線駆動回路の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the scanning-line drive circuit which concerns on the same application example. 実施形態に係る電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the mobile telephone using the electro-optical apparatus which concerns on embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学装置、10…表示パネル、20…制御回路、30…Yドライバ、40…単位回路、42、44…TFT、50…データ線駆動回路、100…表示領域、108…コモン電極、110…画素、112…走査線、114…データ線、116…TFT、120…画素容量、140…TFT、1200…携帯電話 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical apparatus, 10 ... Display panel, 20 ... Control circuit, 30 ... Y driver, 40 ... Unit circuit, 42, 44 ... TFT, 50 ... Data line drive circuit, 100 ... Display area, 108 ... Common electrode, 110 ... Pixel, 112 ... Scanning line, 114 ... Data line, 116 ... TFT, 120 ... Pixel capacity, 140 ... TFT, 1200 ... Mobile phone

Claims (6)

p(pは2以上の整数)行毎にブロック化された複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線の論理レベルがアクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調となる画素と、
を有する電気光学装置に対し、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、当該選択した走査線をアクティブレベルとする走査線駆動回路であって、
前記走査線駆動回路は、前記複数行の走査線のそれぞれに対応して単位回路を有し、
ブロック化されたp行の走査線に対応する単位回路のp個には、当該p行に対応する走査線のそれぞれの選択を示す期間においてアクティブレベルとなる論理信号が共通に供給され、
前記各単位回路は、それぞれ第1および第2トランジスタを含み、
前記第1トランジスタは、
ソース電極に、前記論理信号が供給され、ドレイン電極が、自身に対応する走査線に接続され、
前記第2トランジスタは、
ゲート電極に、前記論理信号がアクティブレベルとなる前後であって、かつ、当該論理信号がノン・アクティブレベルであるときに、アクティブレベルになり、当該論理信号がノン・アクティブレベルからアクティブレベルに変化するときに、アクティブレベルからノン・アクティブレベルになる第1制御信号が供給され、
ソース電極に、当該論理信号がアクティブレベルとなる前において、前記第1制御信号と重複するようにアクティブレベルになる第2制御信号が供給され、
ドレイン電極が、前記第1トランジスタのゲート電極に接続された
ことを特徴とする走査線駆動回路。
a plurality of scanning lines blocked for each p (p is an integer of 2 or more) rows;
Multiple columns of data lines;
Provided corresponding to the intersections of the plurality of rows of scanning lines and the plurality of columns of data lines, and according to the data signal supplied to the data lines when the logic level of the scanning lines becomes an active level. A pixel for gradation,
For an electro-optical device having
A scanning line driving circuit that selects the plurality of scanning lines in a predetermined order and sets the selected scanning lines to an active level;
The scanning line driving circuit has a unit circuit corresponding to each of the scanning lines of the plurality of rows,
The p unit circuits corresponding to the blocked p rows of scanning lines are commonly supplied with a logic signal that becomes an active level in a period indicating selection of the scanning lines corresponding to the p rows,
Each of the unit circuits includes first and second transistors,
The first transistor includes:
The logic signal is supplied to the source electrode, the drain electrode is connected to the scanning line corresponding to itself,
The second transistor is
A gate electrode, a back and forth the logic signal becomes active level and, when the logical signal is non-active level, becomes active level, the active level the logic signal from the non-active level when changing the first control signal ing from the active level to the non-active level is supplied,
Before the logic signal becomes active level, the source electrode is supplied with a second control signal that becomes active level so as to overlap with the first control signal,
A drain electrode is connected to a gate electrode of the first transistor. A scanning line driving circuit, wherein:
前記第2トランジスタのゲート電極およびドレイン電極間に補助容量を介挿した
ことを特徴とする請求項1に記載の走査線駆動回路。
The scanning line driving circuit according to claim 1, wherein an auxiliary capacitor is interposed between the gate electrode and the drain electrode of the second transistor.
前記ブロックが互いに異なる複数の走査線に対応して設けられた複数の前記単位回路に、前記第2制御信号が共通に供給される
ことを特徴とする請求項1に記載の走査線駆動回路。
2. The scanning line driving circuit according to claim 1 , wherein the second control signal is commonly supplied to a plurality of the unit circuits provided corresponding to a plurality of scanning lines having different blocks .
p(pは2以上の整数)行毎にブロック化された複数行の走査線と、
複数列のデータ線と、
前記複数行の走査線と前記複数列のデータ線との交差に対応して設けられ、前記走査線の論理レベルがアクティブレベルとなったときに、前記データ線に供給されたデータ信号に応じた階調となる画素と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択して、当該選択した走査線をアクティブレベルとする走査線駆動回路と、
前記アクティブレベルとされた走査線に対応する画素の階調に応じたデータ信号を、前記データ線を介して供給するデータ線駆動回路と、
を具備し、
前記走査線駆動回路は、
前記複数行の走査線のそれぞれに対応して単位回路を有し、
ブロック化されたp行の走査線に対応する単位回路のp個には、当該p行に対応する走査線のそれぞれの選択を示す期間においてアクティブレベルとなる論理信号が共通に供給されて、
前記各単位回路は、それぞれ第1および第2トランジスタを含み、
前記第1トランジスタは、
ソース電極に、前記論理信号が供給され、
ドレイン電極が、自身に対応する走査線に接続され、
前記第2トランジスタは、
ゲート電極に、前記論理信号がアクティブレベルとなる前後であって、かつ、当該論理信号がノン・アクティブレベルであるときに、アクティブレベルになり、当該論理信号がノン・アクティブレベルからアクティブレベルに変化するときに、アクティブレベルからノン・アクティブレベルになる第1制御信号が供給され、
ソース電極に、当該論理信号がアクティブレベルとなる前において、前記第1制御信号と重複するようにアクティブレベルになる第2制御信号が供給され、
ドレイン電極が、前記第1トランジスタのゲート電極に接続された
ことを特徴とする電気光学装置。
a plurality of scanning lines blocked for each p (p is an integer of 2 or more) rows;
Multiple columns of data lines;
Provided corresponding to the intersections of the plurality of rows of scanning lines and the plurality of columns of data lines, and according to the data signal supplied to the data lines when the logic level of the scanning lines becomes an active level. A pixel for gradation,
A scanning line driving circuit for selecting the plurality of scanning lines in a predetermined order and setting the selected scanning lines to an active level;
A data line driving circuit for supplying a data signal corresponding to a gradation of a pixel corresponding to the scanning line having the active level through the data line;
Comprising
The scanning line driving circuit includes:
A unit circuit corresponding to each of the plurality of rows of scanning lines;
The p unit circuits corresponding to the blocked p rows of scanning lines are commonly supplied with a logic signal that becomes an active level during a period indicating the selection of the scanning lines corresponding to the p rows.
Each of the unit circuits includes first and second transistors,
The first transistor includes:
The logic signal is supplied to the source electrode,
The drain electrode is connected to the scanning line corresponding to itself,
The second transistor is
A gate electrode, a back and forth the logic signal becomes active level and, when the logical signal is non-active level, becomes active level, the active level the logic signal from the non-active level when changing the first control signal ing from the active level to the non-active level is supplied,
Before the logic signal becomes active level, the source electrode is supplied with a second control signal that becomes active level so as to overlap with the first control signal,
An electro-optical device, wherein a drain electrode is connected to a gate electrode of the first transistor.
前記複数行の走査線のそれぞれに対応してスイッチが設けられ、
前記スイッチの一端同士は、前記ノン・アクティブレベルに共通接地され、
前記スイッチの他端は、自身に対応する走査線に接続され、
前記複数行の走査線のいずれもが選択されない期間において一斉にオンする
ことを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
A switch is provided corresponding to each of the plurality of rows of scanning lines,
One end of the switch is commonly grounded to the non-active level,
The other end of the switch is connected to a scanning line corresponding to itself,
The electro-optical device according to claim 4, wherein the electro-optical device is turned on all at once in a period in which none of the plurality of scanning lines is selected.
請求項4または5に記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 4.
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