JP4209766B2 - テラヘルツ電磁波反射測定装置 - Google Patents

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Description

本発明はレーザ光源を使ったテラヘルツ帯コヒーレント電磁波発生照射方法及び装置に関する。
波長可変レーザを用いて誘電体LiNbOや半導体GaP結晶などのテラヘルツ電磁波発生用結晶から周波数可変で単一周波数のコヒーレントテラヘルツを発生させることが可能となり、これらをテラヘルツ光源として、生体分子の同定、食品の検査、ガン細胞の検出、IC部品検査などに役立てることができる。すなわち、生体やがん細胞のテラヘルツ共振周波数にあわせて、検体のテラヘルツ帯画像を得る。このため、テラヘルツ電磁波ビームを局所的に照射し、検体を乗せたステージを移動させることにより画像を得ている。
しかし、店舗内の食品検査や、人体の皮膚、眼球の検査、口内検査などはステージ上の検体を用いての検査ではなく、テラヘルツ波を発生し,受光する携帯可能なプローブを棚の上に置かれている食品に近づけて、あるいは患者の皮膚の患部などに近づけて測定する必要があるがまだこのような携帯可能なテラヘルツ電磁波プローブは知られていない。
従来の画像を得る方法ではポンプ光源として用いるYAGレーザ、信号光源として用いるオプティカルパラメトリックオシレータ(OPO)などは防振台上に置かれたレンズとミラを用いてテラヘルツ電磁波発生用結晶に照射され、二つのレーザの差周波数を有するテラヘルツ電磁波を得ていた。
また、テラヘルツ電磁波発生用結晶としてGaPを使った場合、二つの入射光の間の微小な角度整合部、出力テラヘルツ波の集光用法物面鏡、テラヘルツ電磁波検出用シリコンボロメータなどで構成され数十cm以上の大きさと微妙な光学系からできていたために定盤上に置かなければならず、携帯は困難であった。
本発明はこれらの欠点を除き、携帯可能な、小型かつ堅牢で、人の手によって移動させて計測することをを可能にするテラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置を提供する。
ポンプ光レーザ、信号光レーザはいずれもファイバ結合型にする。波長可変Ybドープファイバレーザ(波長可変範囲1.03μmから1.11μm)はレーザ自体がガラスファイバで構成されており、最適なレーザ光源の一つである。ポンプ光源、信号光源がファイバ結合で無い場合はレンズを使ってファイバに導入する。ポンプ光と信号光は通常偏光方向が互いに垂直である。ファイバ入出力型の偏光ビームコンバイナーを使って2つのファイバ出力を1つのファイバ出力へと変換し、テラヘルツ電磁波発生装置・反射測定装置、すなわちテラヘルツプローブに導入する。ここでビームコンバイナーとは合波器ともいわれる。
すなわち、ポンプ光、信号光はファイバ先端から放出し直径5mm以下の小型レンズで平行ビームに変換される。直径1mm程度の空間平行ビームに変換されたポンプ光と信号光はビーム径に見合う小型のテラヘルツ電磁波発生用結晶に導かれほぼ前方方向にテラヘルツ電磁波を発生する。発生したテラヘルツ電磁波は放物面鏡を使わずに直ちにテーパ型金属導波管に導きプローブ先端からテラヘルツ電磁波を放出する。
金属導波管の代わりに、ポリエチレンやシリコンでできたレンズを使ってもよい。上記の光学コンポネントである、平行ビーム形成用のレンズ、テラヘルツ電磁波発生用結晶、金属導波管はテラヘルツプローブの軸線から20度以内に配置されているためプローブは携帯に適当な細長い形状を有している。これらのコンポネントは通常のマウントを用いず、一個の金属あるいはプラスティック架台に固着してあり、堅牢であり、携帯移動によって位置ずれを生じない。
テラヘルツ電磁波を対象とする検体にテラヘルツ電磁波を照射するにはこのプローブを検体に近づけ、検体からの反射テラヘルツ波をおなじ金属導波管へと導き、ビームスプリッタを介して室温で動作するテラヘルツ波検知器に導き反射波強度を計測する。テラヘルツプローブはファイバ結合でポンプ光源、信号光源に接続されているのでポンプ光源、信号光源に対して自由に動かすことが可能である。
本発明によればテラヘルツ波を発生照射検知する部分、すなわちテラヘルツプローブは自由に動かすことができるので、これを携帯して店舗などで食品類に近づけ、あるいは病院において人の皮膚や眼球、口内患部に近づけて、テラヘルツ波を照射し、その反射波強度をおなじプローブで室温で検出できる。これによって、食品の腐敗や、不純物の添加状態、人体皮膚その他の異常を検出することができる。
発明を実施するための最良の形態、実施例1
図1において、二つのファイバ1,2内をそれぞれ伝送されてきたポンプ光と信号光の互いに直交する偏波方向を持つビームを、ファイバ入出力型偏光ビームコンバイナ3を使って1本のファイバ内ビーム4に結合し、細長いテラヘルツプローブ筐体5の末端にある入力端から導入し、直径5mm以下の小型レンズ6によって直径1mm程度の平行ビー厶に変換される。立体状の偏光子7によって互いに垂直な偏光に分離させ、直角プリズム7、偏光子8によって再び二つのビームを結合する。そのビームをテラヘルツ波発生用GaP結晶10に導入する。GaP結晶においてはポンプ光が1.0μmより長波長の場合微小な角度整合が必要である。二つのビームのなす角はテラヘルツ波周波数に比例的に増大するがいずれにしろ微小であり、3THzで35min.程度である。この微小角度を発生させるために偏光子8を所定の微小角度回転させる。偏光子8を極めて小型の回転ステージに乗せれば任意のテラヘルツ周波数で測定できるが、測定周波数があらかじめ分かつている場合はステージを使わないで固定角度を与えることでもよい。他の光学素子及び結晶は全てプローブ筐体に接着あるいはネジ締めにより固定されており、ミラホルダのような大型とならざるを得ないホルダ類は使用していない。
一方、位相整合されたテラヘルツ波の発生方向は結晶内で10−20度程度であり、周波数に大きく依存しない。この角度は結晶外に出ると屈折率比だけ大きくなるから、40−60度にも達する。その結果、テラヘルツ波用方物面鏡が複数個必要となり、小型化の障害となる、そこで、これを避けるため、結晶の入力面を図1に示したように出力面にたいして10−20度あらかじめ傾け、その方向から結晶に入射すると、テラヘルツ波ビームは出力面に垂直に近い方向に平行に近いビーム状に出射する。これを図1のように金属導波管11で伝送し、先端の細くしたプローブ先端部分12を検体部分17に近づけてテラヘルツ波を照射する。検体から反射した、テラヘルツ波は再びプローブ先端からビームスプリッタ13を介して室温検知素子DTGSに入射する。発生した電気信号は信号線を通って外部に取り出されるがこの部分は図1では省略してある。筐体は長さ10−20cm,幅5cm、高さ1cm程度であり、携帯することが可能である。
テラヘルツ波発生用結晶として複屈折性結晶GaSeを使うと図2のようにポンプ光と信号光、及び発生するテラヘウルツ波は互いに平行となる、この場合、位相整合はGaSe結晶12の複屈折性を利用しておこなわれ、図2ように結晶を垂直入射から傾けることによって行われる。この角度はテラヘルツ周波数によってきまり、最大40度程度である。測定する周波数があらかじめ決まっているときは所定の角度に固定するが周波数をチューニングする必要があるときは小型の回転ステージ上に乗せなければならない。結晶から出たポンプ光と信号光は金属導波管の途中または入り口に設けられたGeやブラックポリエチレンでできた近赤外線フィルタで除去される。出力側の構成は、その他については実施例1と同じである。
実施例2は実施例1よりコンポネントの数が少ないのでより小型であるが、GaPを使った実施例1に比べてGaSeを使うと出力が充分高くない、また、周波数範囲がGaPの場合最大0.3THz−7THzに対して、GaSeの場合0.3THz−5THzと、より狭い範囲になるという欠点があるので目的によって両者を使い分ける。
実施例1の構成を示す図である。 実施例2の構成を示す図である。
符号の説明
1…ポンプ光を伝送するファイバ
2…信号光を伝送するファイバ
3…ビームコンバイナ
4…ポンプ光と信号光を伝送するファイバ
5…テラヘルツプローブ筐体
6…小型レンズ
7、8…キュービック偏光子
9…直角プリズム
10…GaP結晶
11…金属導波管
12…金属導波管テーパ部
13…ビームスプリッタ
14…反射テラヘルツ波ビーム
15…金属導波管
16…検知器
17…検体
18…GaSe結晶
19…近赤外線カットフィルタ

Claims (2)

  1. 互いに偏光方向が垂直の、ファイバ出力形の2つのレーザの出力を合波するファイバ結合形ビームコンバイナーと、前記ビームコンバイナーの出力を一本の空間平行ビームに形成するレンズと、前記平行ビームを偏波方向が互いに垂直な2本の平行ビームに分波する第1の偏光子と、前記2本の平行ビームを所定の角度整合で合波する第2の偏光子と、前記所定の角度整合で合波された平行ビームを入射させるテラヘルツ電磁波発生用GaP結晶と、前記GaP結晶からの出力テラヘルツ電磁波を検体の表面に集光する手段を有し、検体表面にテラヘルツ電磁波が垂直に入射したときに反射テラヘルツ電磁波が入射するように配置された室温テラヘルツ電磁波検知器を備え、携帯して検体の反射強度を測定するテラヘルツ電磁波反射測定装置。
  2. 前記GaP結晶のテラヘルツ電磁波出射面に垂直にテラヘルツ電磁波が放出されるように、前記GaP結晶のテラヘルツ電磁波入射面がテラヘルツ電磁波出射面に対して所定の角度を有していることを特徴とする請求項1に記載のテラヘルツ電磁波反射測定装置
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