JP4209424B2 - 情報記憶装置 - Google Patents
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Description
(1)装置そのものが大型であること、
(2)熱電子を放出させるためにヒータおよびヒータ電源が必要であること、
(3)電子線放出のために数千V程度の高電圧が必要であること、
などの点から、コアメモリ、さらに半導体メモリに取って代わられ、今日では全く使用されていない。
冷陰極電子線放出手段と、
上記冷陰極電子線放出手段に対向する平面状の陽極と、
上記陽極の表面あるいは裏面に形成され、上記冷陰極電子線放出手段から放出された電子線の照射に応じて、情報の記憶、または読み出しが行われる記憶媒体と、
を備えた情報記憶装置において、下記の特徴を有する。
図1は、1つの情報記憶セル100を有する情報記憶装置の構成を示す模式図である。図1において、
冷陰極101は、陰極線駆動回路111によってマイナスの電圧が印加されることにより、電子線(電子ビーム)Eを放出するものである。この冷陰極101の具体的な構成については、後に詳述する。なお、冷陰極101に印加される電圧は、直流でもよく、また、サージパルス等によるパルス駆動電圧などでもよい。
冷陰極101としては、例えば、先の尖ったタングステンや、シリコン、ダイアモンドなどを用いたスピント型のもの、カーボンナノチューブを用いたもの、弾道電子放出素子を用いたものなどを適用することができる。特に、カーボンナノチューブや弾道電子放出素子を用いたものを適用する場合には、冷陰極101と加速電極102との間の電位差が10V以下でも電子線Eを容易に発生させることができ、消費電力を大幅に低減することができるうえに、全体構造の大幅な微細化がより容易になる。
加速電極102、収束電極103、および偏向電極104としては、上記のように環状の電極や対向して配置された電極に限らず、円筒状の電極を用いたり、磁束を発生させるコイルを用いたり、また、これらを組み合わせたりしてもよい。さらに、例えば収束電極103を複数設けるなどして、所望の電界がより正確に得られるようにしてもよい。
さらに、収束電極103と、偏向電極104とを兼ねるようにしてもよい(この場合には、電位バランスを調整することで等価的な電子レンズの中心が変位し、電子ビームの焦点位置がX−Y方向に変位すると考えることができる。)。また、さらに、上記のような分割電極301a〜301dに正の電圧を印加することによって、加速電極102と、収束電極103と、偏向電極104とを兼ねるようにしてもよい。すなわち、加速電極102等の各構成要素は必ずしも物理的に分離した個別の構成要素である必要はなく、全体として上記のような機能を果たすように構成されていればよい。
電子線Eを上記のように収束、偏向させるのに代えて、例えば図15に示すように、微少な孔401a(ピンホール)を有する板状の遮蔽板401、または記憶膜105の少なくともいずれか一方を駆動部402によって変位させるようにしてもよい。上記駆動部402は、例えば静電アクチュエータと弾性材などによって構成することができる。また、静電アクチュエータ等を2組使用することにより、2次元方向に駆動することも容易にできる。
上記のような情報記憶セル100を複数備え、同時に書き込み、読み出しをすることができる情報記憶装置について説明する。
各情報記憶セル100は、例えば4つずつが組にされて、4ビットのデータが1ワードとして、同時に書き込み、または読み出しされるようになっている。すなわち、例えば図18に示すように、4つずつの情報記憶セル100(例えばS00〜S03)が組にされて1つのセルグループ501が構成され、さらに、上記のようなセルグループ501が複数(同図の例では4つ)設けられている。
また、加速制御回路112および信号再生回路115は、それぞれ各セルグループ501における対応するビット位置の情報記憶セル100に共通に設けられている。
電子線が記憶膜105における記憶ビットに対応する領域に正確に照射されるように制御される情報記憶装置の例を説明する。
(3) さらに、再度、(1)と同様にして電子線の収束程度を調整する。
101 冷陰極
101a 基部
101b カーボンナノチューブ
102 加速電極
103 収束電極
104 偏向電極
104a・104b 電極板
105 記憶膜
105a 相変化膜
105b 検出電極
105c 陽極
111 陰極線駆動回路
112 加速制御回路
113 収束制御回路
114 偏向制御回路
114a 電位差発生回路
115 信号再生回路
121 基板
121a 穴
201 隔壁
202 膜
203 細孔
204 シリコン微粒子
301 環状電極
301a〜301d 分割電極
302 環状電極
401 遮蔽板
401a 孔
402 駆動部
403 導電体
501 セルグループ
502 アドレスデコーダ
600 サーボセル
611 絶縁膜
611a 細孔
612 陽極
621 入射電流検出回路
622 制御量調整回路
701 セルグループ
Claims (11)
- 冷陰極電子線放出手段と、
上記冷陰極電子線放出手段に対向する平面状の陽極と、
上記陽極の表面あるいは裏面に形成され、上記冷陰極電子線放出手段から放出された電子線の照射に応じて、情報の記憶、または読み出しが行われる記憶媒体と、
微細孔を有し、上記冷陰極電子線放出手段から放出された電子線を収束させて上記微細孔を通過させる電界を形成するように構成されている、板部材を含む遮蔽手段と、
上記遮蔽手段、および上記記憶媒体のうちの少なくとも何れか一方を、他方の表面に沿った方向に移動させるように駆動する駆動手段と、
を備え、
上記記憶媒体における複数の領域に選択的に上記電子線を照射し得るように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項1の情報記憶装置であって、
上記遮蔽手段は、導電性を有する上記板部材、または上記板部材上に設けられた導電部材に電圧が印加されることにより、上記電子線を収束させて上記微細孔を通過させる電界を形成するように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 複数の冷陰極電子線放出手段と、
上記冷陰極電子線放出手段に対向する平面状の陽極と、
上記陽極の表面あるいは裏面に形成され、上記冷陰極電子線放出手段から放出された電子線の照射に応じて、情報の記憶、または読み出しが行われる記憶媒体と、
上記複数の冷陰極電子線放出手段から放出された各電子線をそれぞれ部分的に通過させる遮蔽手段と、
上記遮蔽手段、および上記記憶媒体のうちの少なくとも何れか一方を、他方の表面に沿った方向に、1つの移動方向あたり単一の制御信号に応じて移動させるように駆動する駆動手段と、
を備え、
上記記憶媒体における複数の領域に対して複数ビットの情報が同時に記憶、または読み出しされるように構成されたことを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項3の情報記憶装置であって、
上記遮蔽手段は、上記各電子線に対応した複数の微細孔を有する板部材を含むことを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項3の情報記憶装置であって、
さらに、上記駆動手段による上記遮蔽手段または上記記憶媒体の移動に応じて上記電子線が上記記憶媒体に照射される位置と、所定の基準位置とのずれを検出する照射位置変移検出手段を備え、
上記照射位置変移検出手段の検出結果に応じて、上記駆動手段による電子線の照射位置の制御が行われるように構成されたことを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項5の情報記憶装置であって、
上記照射位置変移検出手段は、上記複数の冷陰極電子線放出手段のうちの少なくとも何れか1つから放出された電子線が上記記憶媒体に照射される位置と、所定の基準位置とのずれを検出するように構成されるとともに、
上記照射位置変移検出手段の検出結果に応じて、他の冷陰極電子線放出手段から放出された電子線に対して、上記駆動手段による電子線の照射位置の制御が行われるように構成されたことを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項3の情報記憶装置であって、
上記複数の冷陰極電子線放出手段のうちの一部から放出される電子線によって、他の冷陰極電子線放出手段から放出される電子線による情報の記憶または読み出しにおけるエラー検出符号およびエラー訂正符号の少なくとも何れか一方の記憶または読み出しが行われるように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記載の情報記憶装置であって、
上記冷陰極電子線放出手段は、隔壁と、電子線が透過可能な膜とで囲まれた隔室内に冷陰極が設けられ、上記隔室の内部が、上記電子線が透過可能な膜と上記陽極との間の空間よりも高い真空度になるように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項8の情報記憶装置であって、
上記電子線が透過可能な膜に所定の電圧が印加されることによって、電子線が加速されるように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記載の情報記憶装置であって、
上記冷陰極電子線放出手段から放出された電子線を電界によって加速する加速手段を備え、
上記加速手段は、それぞれ位相の異なる電圧が印加される複数の電極を備え、移動電界を生じさせることにより、上記電子線を加速するように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。 - 請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記載の情報記憶装置であって、
上記冷陰極電子線放出手段は、複数の電子線放出部を有し、各電子線放出部は、所定の中心からの距離に応じてずれたタイミングで電子線を放出させることにより、放出された電子線を収束させるように構成されていることを特徴とする情報記憶装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003166678 | 2003-06-11 | ||
JP2003166678 | 2003-06-11 | ||
PCT/JP2004/008517 WO2004114314A1 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | 情報記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004114314A1 JPWO2004114314A1 (ja) | 2006-07-27 |
JP4209424B2 true JP4209424B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=33534574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507225A Expired - Fee Related JP4209424B2 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | 情報記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7471542B2 (ja) |
JP (1) | JP4209424B2 (ja) |
CN (1) | CN1745431A (ja) |
WO (1) | WO2004114314A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5673218A (en) | 1996-03-05 | 1997-09-30 | Shepard; Daniel R. | Dual-addressed rectifier storage device |
US6956757B2 (en) * | 2000-06-22 | 2005-10-18 | Contour Semiconductor, Inc. | Low cost high density rectifier matrix memory |
US7667996B2 (en) * | 2006-02-15 | 2010-02-23 | Contour Semiconductor, Inc. | Nano-vacuum-tubes and their application in storage devices |
JP4600426B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2010-12-15 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 |
JP5102476B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 薄型表示装置 |
JPWO2008136188A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | X線撮像デバイス及びx線撮影装置 |
WO2008136798A1 (en) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Contour Semiconductor, Inc. | Nano-vacuum-tubes and their application in storage devices |
US7813157B2 (en) * | 2007-10-29 | 2010-10-12 | Contour Semiconductor, Inc. | Non-linear conductor memory |
US8294351B2 (en) * | 2008-03-04 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Matrix-type cold-cathode electron source device |
US20090225621A1 (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-10 | Shepard Daniel R | Split decoder storage array and methods of forming the same |
WO2009149061A2 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Contour Semiconductor, Inc. | Diode decoder array with non-sequential layout and methods of forming the same |
US8325556B2 (en) * | 2008-10-07 | 2012-12-04 | Contour Semiconductor, Inc. | Sequencing decoder circuit |
AU2012230714B2 (en) | 2011-03-23 | 2016-12-08 | Mespilus Inc. | Polarized electrode for flow-through capacitive deionization |
US11200956B2 (en) * | 2020-04-23 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Read level calibration in memory devices using embedded servo cells |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE493642A (ja) | 1949-01-31 | |||
US3723978A (en) | 1971-03-01 | 1973-03-27 | Minnesota Mining & Mfg | Beam addressable memory apparatus |
JPS4726040U (ja) | 1971-04-07 | 1972-11-24 | ||
US4142132A (en) | 1977-07-05 | 1979-02-27 | Control Data Corporation | Method and means for dynamic correction of electrostatic deflector for electron beam tube |
JPS56137578A (en) | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Hitachi Ltd | Manufacture for recording medium for semiconductor |
JPS5755591A (en) | 1980-09-19 | 1982-04-02 | Hitachi Ltd | Information recording method |
JPS57130354A (en) | 1981-02-04 | 1982-08-12 | Toshiba Corp | Electronic optical bodytube |
JPH0766575B2 (ja) * | 1986-02-17 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | 電子ビームによる情報再生装置 |
JP2601713B2 (ja) | 1988-01-19 | 1997-04-16 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 表示装置 |
US5077553A (en) | 1988-01-19 | 1991-12-31 | Tektronix, Inc. | Apparatus for and methods of addressing data storage elements |
JP2773350B2 (ja) | 1990-02-01 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 電子線記憶方法および電子線記憶素子とその製造方法 |
JP2924604B2 (ja) | 1993-10-14 | 1999-07-26 | 富士電機株式会社 | 記憶装置 |
JPH10149778A (ja) | 1996-09-17 | 1998-06-02 | Toshiba Corp | 微小冷陰極管とその駆動方法 |
JPH10247383A (ja) | 1997-11-06 | 1998-09-14 | Nec Corp | 電子線記憶方法 |
TW497278B (en) | 2000-03-24 | 2002-08-01 | Japan Science & Tech Corp | Method for generating trajectory electron, trajectory electron solid state semiconductor element |
US6738336B2 (en) * | 2001-05-16 | 2004-05-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage device |
US7068582B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-06-27 | The Regents Of The University Of California | Read head for ultra-high-density information storage media and method for making the same |
-
2004
- 2004-06-10 US US10/533,582 patent/US7471542B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 WO PCT/JP2004/008517 patent/WO2004114314A1/ja active Application Filing
- 2004-06-10 JP JP2005507225A patent/JP4209424B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 CN CN200480003374.3A patent/CN1745431A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004114314A1 (ja) | 2004-12-29 |
JPWO2004114314A1 (ja) | 2006-07-27 |
CN1745431A (zh) | 2006-03-08 |
US7471542B2 (en) | 2008-12-30 |
US20060072427A1 (en) | 2006-04-06 |
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JPH0158619B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080930 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |