JP4207690B2

JP4207690B2 - プローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法

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Publication number: JP4207690B2
Application number: JP2003199692A
Authority: JP
Inventors: 良平田村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-07-22
Filing date: 2003-07-22
Publication date: 2009-01-14
Anticipated expiration: 2023-07-22
Also published as: JP2005044825A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハ状態におけるＬＳＩチップの電極端子に探針を接触させて電気的特性を測定するプローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プローバー装置は、ＬＳＩ製造の組立工程前におけるウェハ状態でのチップ領域各々の試験に用いられるものである。プローバー装置にはプローブカードが配備される。プローブカードは、被測定領域であるチップ領域の電極端子（Ａｌパッド、Ａｕバンプ、はんだバンプ等の上面）に対応して接触させる探針（プローブピン、ニードルまたはカンチレバーともいう）を有する。この探針から被測定チップに対し、試験信号または試験パターンを入力する。
【０００３】
プローブカードの探針は、使用し続けると、電極端子表面の削り屑等の異物が探針先端に付着する。そこで、電気的接触状態に接触抵抗増加などの悪影響が及ばないようにするため探針のクリーニングが必要である。従来、探針のクリーニングは、プローバー装置中のプログラム指定によって制御される。例えば、探針先端を研磨部分に押し当てるオーバードライブ量や１回のクリーニング時でのコンタクト回数、研磨部分の移動量などが指定され、所定のクリーニング動作が行われる。
【０００４】
また、従来技術として、探針先端を化学的に研磨するように、研磨溶液槽や洗浄槽、乾燥室などが配備されているプローバー装置の構成も開示されている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−４４７４６号公報（第２−３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
プローブカードの探針先端は、使用が進むにつれ、磨耗と経時変化により高さが揃わなくなる。上記従来の構成ではいずれも、プローブカードの探針先端が磨耗と経時変化によって高さにばらつきが生じてくることに着目していなかった。探針先端の高さばらつきが大きくなると、従来のクリーニングにおける針先の異物除去のみでは、甚だ不十分である。すなわち、被測定領域であるチップ領域の電極端子とのコンタクトの安定性が得られなくなる恐れがあり、検査ミスが懸念される。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、プローブカードの探針の高さばらつきを抑制し、安定した電気的測定を実現するプローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプローバー装置は、半導体ウェハの設置領域、前記半導体ウェハにおける電気的特性検査に関る信号の授受を担う信号伝達機構、及び前記電気的特性検査に利用されるための信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本体を備えたプローバー装置であって、前記信号伝達機構に前記半導体ウェハに対する信号の授受を行う各探針を備えたプローブカードと、前記各探針先端の高さばらつきを自動認識する探針高さ情報取得機構と、前記探針高さ情報取得機構で得られた前記各探針先端の高さばらつきに応じて前記プローブカードの各探針を研磨するクリーニング機構と、を具備したことを特徴とする。
【０００９】
上記本発明に係るプローバー装置によれば、探針高さ情報取得機構での高さばらつきの情報を利用して、各探針先端の高さばらつきを抑制し、探針先端の高さを揃える方向に研磨を進めていくことができる。これにより、各探針が接触領域に接触する方向に力が加わっても、ばらつきの少ない略均一な針圧が確保される。
【００１０】
なお、上記本発明に係るプローバー装置において、探針高さ情報取得のより好ましい実施態様として次のような特徴を有する。
前記探針高さ情報取得機構は、前記各探針先端への電気的接触が利用されることを特徴とする。
あるいは、前記探針高さ情報取得機構は、移動または昇降可能なプレートを含み、前記各探針先端を前記プレートに接触させることによる電気信号が利用されることを特徴とする。
【００１１】
また、上記いずれかの本発明に係るプローバー装置において、前記クリーニング機構は、移動または昇降可能な研磨シートを含み、前記各探針先端が前記研磨シートに先に触れる順に強くまたは長時間押し当てられることを特徴とする。
あるいは、上記いずれかの本発明に係るプローバー装置において、前記探針高さ情報取得機構は、移動または昇降可能な支持台に配されたプレートを含み、前記各探針先端を前記プレートに接触させることによる電気信号が利用され、前記クリーニング機構は、前記支持台に配された研磨シートを含み、前記各探針先端が前記研磨シートに先に触れる順に強くまたは長時間押し当てられることを特徴とする。
上記のようないずれかの特徴により、高さの突出している探針の先端から順に研磨され針先の減りが大きくなる。これにより、探針先端の高さばらつきを小さくする。
【００１２】
本発明に係るプローバー装置の探針高さ調整方法は、半導体ウェハの設置領域、前記半導体ウェハにおける電気的特性検査に関る信号の授受を担い、前記半導体ウェハの電極端子に電気的に接続する各探針を配したプローブカードを含む信号伝達機構、及び前記電気的特性検査に利用されるための信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本体を備えたプローバー装置に関し、前記各探針先端の高さばらつきを自動認識する第１工程と、前記第１工程で得られた前記各探針先端の高さばらつき状況に応じて前記各探針先端の高さを揃えるように研磨する第２工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１３】
上記本発明に係るプローバー装置の探針高さ調整方法によれば、第１工程、第１工程を経て各探針先端の高さばらつきが抑制される。これにより、各探針が接触領域に接触する方向に力が加わっても、ばらつきの少ない略均一な針圧が確保される。
【００１４】
なお、上記本発明に係るプローバー装置の探針高さ調整方法において、より好ましい実施態様として次のような特徴を有する。
前記第１工程は、昇降がほぼ水平に保たれるプレートに前記各探針先端全部が非接触となっている状態から、前記各探針先端のうち最初に前記プレートに接触する探針と最後に前記プレートに接触する探針を特定し、前記第２工程は、最後に前記プレートに接触した探針の高さに合わせて前記各探針を研磨することを特徴とする。
あるいは、前記第１工程は、昇降がほぼ水平に保たれるプレートに前記各探針先端全部が接触している状態から、前記各探針先端のうち最初に前記プレートから離れる探針と最後に前記プレートから離れる探針を特定し、前記第２工程は、最後に前記プレートから離れた探針の高さに合わせて前記各探針を研磨することを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの設置領域、前記半導体ウェハにおける電気的特性検査に関る信号の授受を担い、前記半導体ウェハの電極端子に電気的に接続する各探針を配したプローブカードを含む信号伝達機構、及び前記電気的特性検査に利用されるための信号の生成、解析に関係するテストシステムが構築されたテスター本体を備えたプローバー装置を用いてプローブ試験を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記各探針先端の高さばらつきを自動認識し、前記各探針先端の高さばらつき状況に応じて前記各探針先端の高さを揃えるように研磨し、前記各探針と前記半導体ウェハの電極端子とを導通可能な状態にすることにより前記プローブ試験を行う工程を具備したことを特徴とする。
【００１６】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、プローブ試験の精度が向上する。半導体装置に高信頼性が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施形態に係るプローバー装置の要部を示す構成図である。プローバー１０内には半導体ウェハＷａｆを載置する移動制御ステージ１１及びプローブカード１２、信号中継用の回路基材１３が配備されている。プローバー１０は移動制御ステージ１１の設定温度を制御している。移動制御ステージ１１によるウェハＷａｆの移動制御により、プローブカード１２はウェハＷａｆの被測定領域であるＬＳＩチップと対向する。プローブカード１２は信号の授受を行う各探針を備えている。これにより、プローブカード１２は、各探針をＬＳＩチップ上の所定領域、例えば電極端子に接触させ、試験信号または試験パターンを入力し、また、結果としての出力信号を得る。
【００１８】
プローバー１０に送られるＬＳＩチップへの信号（試験信号または試験パターン）は、テスター１５本体からテストヘッド１４を介して伝達される。プローバー１０とテストヘッド１４は、図示しない開閉機構で電気的接続／開放がなされるようになっている。すなわち、テストヘッド１４は、プローバー１０上部の回路基材１３に設けられた信号伝達用の端子（図示せず）に接触、開放させるようになっている。
【００１９】
プローバー１０によって得られるＬＳＩチップからの信号結果は、テストヘッド１４を介してテスター１５本体へ伝達される。テスター１５は、期待値と比較して被測定対象のＬＳＩチップにおける機能の良否を判定する。また、入出力信号、電源部分の電圧、電流などのアナログ値等の測定、解析をする。このようなウェハプロービング試験によって良品として選別されたＬＳＩチップのみが組立工程へと回される。
【００２０】
この実施形態では、移動制御ステージ１１の近傍に探針高さ情報取得機構１６とクリーニング機構１７が設けられている。探針高さ情報取得機構１６やクリーニング機構１７それぞれの主要部は、移動制御ステージ１１の機能を利用してプローブカード１２の各探針と対向することが可能であり、それぞれの役割を果たす。
【００２１】
探針高さ情報取得機構１６は、プローブカード１２の各探針先端の高さばらつきを自動認識する。例えば、各探針先端のレベル高低差が最大となる２つの探針を特定することができる。クリーニング機構１７は、探針の異物除去のためのクリーニングの他、探針高さ情報取得機構１６で得られた各探針先端の高さばらつきに応じてプローブカード１２の各探針を研磨する。例えば、研磨シートが配備され、各探針先端が研磨シートに先に触れる順に強くまたは長時間押し当てられ研磨される。すなわち、一番高い位置の探針先端のレベルに合わせるように研磨が進み、ばらつきを小さくする方向に制御する。
【００２２】
図２は、図１中の探針高さ情報取得機構１６の要部を示す構成図であり、（ａ）〜（ｃ）それぞれは探針高さのばらつき状況を検査する一連の動作を例示している。探針高さ情報取得機構１６は、水平を保ちつつ昇降可能な導電性プレート、例えばＡｕプレート１６１を有する。Ａｕプレート１６１は基準電位（例えば接地電位）に接続される。探針高さ情報取得機構１６は、プローバー１０からプローブカード１２の各探針に供給される信号によって、各探針について、Ａｕプレート１６１に接触している状態、非接触の状態を電気的に検知できるようになっている。
【００２３】
図２中において、プローブカード１２は探針先端正面外観を示している。各探針Ｐは、例えば伸長元が４層（Ｌ１〜４）に規則正しく配列されている。探針線材径（母材径）より接触領域のピッチが小さい場合の一般に知られている工夫である。各探針Ｐはこの各層（Ｌ１〜４）からの伸長に応じた曲げ部を有し、通常、探針先端の高さが揃っている。各探針Ｐは、被測定対象のＬＳＩチップの各接触領域（パッド、バンプ等）に接触されるが、使用が進むにつれ、その針先の摩耗と経時変化によって高さばらつきが生じてくる。（図２（ａ））。
【００２４】
そこで、プローブカード１２は、探針の異物除去を主目的としたクリーニングの他に、別途定期的に探針高さ情報取得機構１６側に移行し、各探針先端の高さばらつきを検査する。図２（ａ）に示すように、Ａｕプレート１６１に各探針Ｐの先端全部が非接触となっている状態から、徐々にＡｕプレート１６１を上昇させる。図２（ｂ）に示すように、各探針Ｐの先端のうち最初にＡｕプレート１６１に接触する探針Ｐ１を検出する。さらに、Ａｕプレート１６１を上昇させ、最後に接触する探針Ｐ２を検出する（図２（ｃ））。
【００２５】
プローバー１０は、Ａｕプレート１６１における探針Ｐ１の検出位置Ｈ１、探針Ｐ２の検出位置Ｈ２を記憶する。また、検出位置Ｈ１からＨ２までのＡｕプレート１６１の上昇距離Ｄを記憶する。次に、プローブカード１２は、クリーニング機構１７によるクリーニング（研磨）工程に移行され、上記のような各探針先端の高さばらつきの情報に基いて、各探針先端のクリーニング（研磨）が実施される。
【００２６】
図３（ａ），（ｂ）は、図１中のクリーニング機構１７の要部を示す構成図であり、各探針先端の高さばらつきを小さくする研磨方法の一例を示している。図３（ａ）において、クリーニング機構１７は、移動または昇降可能な研磨台１７１及びその上の研磨シート１７２を有する。研磨シート１７２は例えばセラミック等を含んで構成される。研磨台１７１は回転動作制御または水平移動制御、その他様々考えられ限定されないが、探針先端に対し、Ｘ，Ｙ四方各方向からの均等な研磨が理想的である。クリーニング機構１７は、プローブカード１２の探針の異物除去を主目的とした通常のクリーニングにも利用され得る。
【００２７】
研磨台１７１は、探針高さ情報取得機構１６からの情報を基に、研磨シート１７２が最初に触れる探針Ｐ１からさらに上昇し探針Ｐ２の検出位置Ｈ２に対応する位置に合わせられる。すなわち、探針Ｐ２が研磨シート１７２に対する針圧がほとんどない、触れるか触れないかの位置に設定され、各探針が所定時間研磨される。また、研磨台１７１は研磨シート１７２が最初に触れる探針Ｐ１からすでに研磨を始めていてもよい。上昇距離Ｄに対応して研磨台１７１を徐々に上昇させ研磨を継続していくことも考えられる。いずれにしても、プローブカード１２の各探針先端が研磨シート１７２に先に触れる順に強くまたは長時間押し当てられ、各探針先端の高さばらつきが小さくなるように研磨される（図３（ｂ））。
【００２８】
なお、上記クリーニング機構１７による所定時間の研磨の後、再び探針高さ情報取得機構１６に移行し、各探針先端の高さばらつきを検査するようにしてもよい。予め、プローブカード１２の各探針先端の高さばらつきにおける許容範囲を決めておくことも十分考えられる。
図４は、本発明の一実施形態に係るプローバー装置の探針高さ調整方法を含む処理の流れ図である。プローブカード１２の探針の異物除去を主目的とした通常のクリーニングの処理Ｓ１とは別に、設定時期になると探針高さ調整を行う。すなわち、上記したような探針高さ情報取得機構１６とクリーニング機構１７により、プローブカード１２の各探針先端の高さばらつきを許容範囲内に追い込むくり返し制御を行う（処理Ｓ２）。くり返し処理が過ぎるようなら処理Ｓ２は中断される。つまり探針先端の高さばらつき検査の連続検査回数が所定値を過ぎると研磨シートや探針の異常、各機構の異常等が考えられ、各種交換、調整等詳細なメンテナンスが必要となる（処理Ｓ３）。これにより、探針高さ調整の信頼性がより向上する。
【００２９】
上記実施形態に係るプローバー装置及びその探針高さ調整方法によれば、高信頼性の探針高さ調整方法が実現できる。すなわち、探針高さ情報取得機構１６での高さばらつきの情報を利用する。これにより、クリーニング機構１７により各探針先端の高さばらつきを抑制し、探針先端の高さを揃える方向に研磨を進めていくことができる。従って、クリーニング機構１７を経た後は、各探針がＬＳＩチップの電極端子に接触する方向に力が加わっても、ばらつきの少ない略均一な針圧が確保される。この結果、安定した電気的測定が可能となりプローブ試験の精度が向上する。このようなプローバー装置を用いてプローブ試験を行う工程を有する半導体装置の製造方法であれば、検査ミスが低減し、半導体装置に高信頼性が得られる。
【００３０】
また、上記した実施形態では、探針高さ情報取得機構１６のＡｕプレート１６１とクリーニング機構１７の研磨台１７１はそれぞれ個々のユニットで構成されていたが、一つの台に混在させることも考えられる。以下、変形例を示す。
図５は、図１中の探針高さ情報取得機構１６及びクリーニング機構１７の要部を示す他の構成図であり、研磨台１７３の一部領域上にＡｕプレート１６３が設けられ、研磨台１７３の一部領域上に研磨シート１７４を配している。探針先端の高さばらつき状況を検査し、クリーニング（研磨）により探針先端の高さばらつきを小さくする研磨方法は、前述の説明に準ずる。
【００３１】
上記構成での工夫は、昇降の環境を共通とすることで、探針高さ情報取得機構１６及びクリーニング機構１７の各目的の精度向上が図れる。研磨台１７３は回転台を想定したものであるが、中央部をＡｕプレート１６３とし、その周辺部を研磨シート１７４としたことで、遠心力によって研磨屑や異物がＡｕプレート１６３上に付着するのを抑制することができる。昇降のメカニズムも含め全体構造も縮小される。
【００３２】
また、前記図２で示した、図１中の探針高さ情報取得機構１６における、探針高さのばらつき状況を検査する一連の動作も、逆に考えることもできる。以下、変形例を示す。
図６は、図１中の探針高さ情報取得機構１６の要部を示す構成図であり、（ａ）〜（ｃ）それぞれは探針高さのばらつき状況を検査する一連の動作を例示している。図中各構成は前記図２での説明と同様であるので、同一の符号を付す。
図６（ａ）に示すように、Ａｕプレート１６１に各探針Ｐの先端全部が接触している状態から、徐々にＡｕプレート１６１を下降させる。図６（ｂ）に示すように、各探針Ｐの先端のうち最初にＡｕプレート１６１から離れる探針Ｐ２を検出する。さらに、Ａｕプレート１６１を下降させ、最後に離れる探針Ｐ１を検出する（図６（ｃ））。
【００３３】
プローバー１０は、Ａｕプレート１６１における探針Ｐ１の検出位置Ｈ１、探針Ｐ２の検出位置Ｈ２を記憶する。また、検出位置Ｈ１からＨ２までのＡｕプレート１６１の下降距離Ｄを記憶する。次に、プローブカード１２は、クリーニング機構１７によるクリーニング（研磨）工程に移行され、上記のような各探針先端の高さばらつきの情報を基に各探針先端のクリーニング（研磨）が実施される。
【００３４】
以上説明したように本発明によれば、探針高さ情報取得機構での高さばらつきの情報を利用し、クリーニング機構において各探針先端の高さを揃えるようその制御を反映させる。従って、クリーニング機構を経た後は、各探針がＬＳＩチップの電極端子に接触する方向に力が加わっても、ばらつきの少ない略均一な針圧が確保される。よって、安定した電気的測定が可能となりプローブ試験の精度が向上する。また、このようなプローバー装置を用いてプローブ試験を行う工程を有する半導体装置の製造方法であれば、検査ミスが低減し、半導体装置に高信頼性が得られる。この結果、プローブカードの探針の高さばらつきを抑制し、安定した電気的測定を実現するプローバー装置及びその探針高さ調整方法、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係るプローバー装置の要部を示す構成図。
【図２】図１中の探針高さ情報取得機構の要部を示す構成図。
【図３】図１中のクリーニング機構の要部を示す構成図。
【図４】プローバー装置の探針高さ調整方法を含む処理の流れ図。
【図５】図１中の探針高さ情報取得機構及びクリーニング機構の要部を示す他の構成図。
【図６】図２とは別の方法を示す図１中の探針高さ情報取得機構の要部を示す構成図。
【符号の説明】
１０…プローバー、１１…移動制御ステージ、１２…プローブカード、１３…回路機材、１４…テストヘッド、１５…テスター、１６…探針高さ情報取得機構、１６１，１６３…Ａｕプレート、１７…クリーニング機構、１７１，１７３…研磨台、１７２，１７４…研磨シート、Ｐ，Ｐ１，Ｐ２…探針、Ｓ１〜Ｓ３…処理ステップ、Ｗａｆ…半導体ウェハ。

Claims

半導体ウェハにおけるチップの電気的特性を検査するプローバー装置であって、
前記チップの電極端子に接触させる各探針を備えたプローブカードと、
前記半導体ウェハを載置して移動させる移動制御ステージと、
前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを自動認識する探針高さ情報取得機構と、
前記探針高さ情報取得機構で得られた前記各探針先端の摩耗による高さばらつきに応じて前記プローブカードの各探針を研磨することにより摩耗による高さばらつきを小さくする研磨機構と、
前記探針高さ情報取得機構が中央部に配置され、且つ前記研磨機構が周辺部に配置された前記中央部を回転中心として回転する回転台と、
を具備し、
前記探針高さ情報取得機構及び前記研磨機構は前記移動制御ステージによって移動されることを特徴とするプローバー装置。
前記探針高さ情報取得機構は、前記各探針先端への電気的接触が利用されることを特徴とする請求項１記載のプローバー装置。
前記探針高さ情報取得機構は、移動または昇降可能なプレートを含み、前記各探針先端を前記プレートに接触させることによる電気信号が利用されることを特徴とする請求項１記載のプローバー装置。
前記研磨機構は、移動または昇降可能な研磨シートを含むことを特徴とする請求項１〜３いずれか一つに記載のプローバー装置。
前記探針高さ情報取得機構は、移動または昇降可能な支持台に配されたプレートを含み、前記各探針先端を前記プレートに接触させることによる電気信号が利用され、前記研磨機構は、前記支持台に配された研磨シートを含むことを特徴とする請求項１〜３いずれか一つに記載のプローバー装置。
半導体ウェハにおけるチップの電気的特性を、各探針を備えたプローブカードによって検査するプローバー装置の探針高さ調整方法であって、
前記半導体ウェハを移動制御ステージに載置し、前記チップの電極端子に前記各探針に接触させて前記チップの電気的特性を検査し、前記移動制御ステージによって探針高さ情報取得機構を移動させることにより前記探針高さ情報取得機構を前記各探針に対向させ、前記探針高さ情報取得機構によって前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを自動認識する第１工程と、
前記移動制御ステージによって摩耗による高さばらつきを小さくする研磨機構を移動させることにより前記研磨機構を前記各探針に対向させ、前記第１工程で得られた前記各探針先端の摩耗による高さばらつき状況に応じて前記各探針先端の高さを揃えるように前記研磨機構によって前記各探針先端を研磨する第２工程と、
を具備し、
前記探針高さ情報取得機構は回転台の中央部に配置されており、前記研磨機構は前記回転台の周辺部に配置されており、前記回転台は前記中央部を回転中心として回転するものであることを特徴とするプローバー装置の探針高さ調整方法。
半導体ウェハにおけるチップの電気的特性を、各探針を備えたプローブカードによって検査するプローバー装置の探針高さ調整方法であって、
前記半導体ウェハを移動制御ステージに載置し、前記チップの電極端子に前記各探針に接触させて前記チップの電気的特性を検査し、前記移動制御ステージによって探針高さ情報取得機構を移動させることにより前記探針高さ情報取得機構を前記各探針に対向させ、前記探針高さ情報取得機構によって前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを自動認識する第１工程と、
前記移動制御ステージによって研磨シートを備えた摩耗による高さばらつきを小さくする研磨機構を移動させることにより前記研磨シートを前記各探針に対向させ、前記第１工程で得られた前記各探針先端の摩耗による高さばらつきの情報を用いて、前記各探針先端が前記研磨シートに先に触れる順に強くまたは長時間押し当てることにより、前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを小さくするように前記各探針先端を研磨する第２工程と、
を具備し、
前記探針高さ情報取得機構は回転台の中央部に配置されており、前記研磨シートを備えた前記研磨機構は前記回転台の周辺部に配置されており、前記回転台は前記中央部を回転中心として回転するものであることを特徴とするプローバー装置の探針高さ調整方法。
前記探針高さ情報取得機構は昇降が水平に保たれるプレートを有しており、
前記第１工程は、前記プレートに前記各探針先端全部が非接触となっている状態から、前記各探針先端のうち最初に前記プレートに接触する探針と最後に前記プレートに接触する探針を特定し、
前記第２工程は、最後に前記プレートに接触した探針の高さに合わせて前記各探針を研磨することを特徴とする請求項６又は７記載のプローバー装置の探針高さ調整方法。
前記探針高さ情報取得機構は昇降が水平に保たれるプレートを有しており、
前記第１工程は、前記プレートに前記各探針先端全部が接触している状態から、前記各探針先端のうち最初に前記プレートから離れる探針と最後に前記プレートから離れる探針を特定し、
前記第２工程は、最後に前記プレートから離れた探針の高さに合わせて前記各探針を研磨することを特徴とする請求項６又は７記載のプローバー装置の探針高さ調整方法。
半導体ウェハにおけるチップの電気的特性を、各探針を備えたプローブカードによって検査するプローバー装置を用いてプローブ試験を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハを移動制御ステージに載置し、前記チップの電極端子に前記各探針に接触させて前記チップの電気的特性を検査し、前記移動制御ステージによって探針高さ情報取得機構を移動させることにより前記探針高さ情報取得機構を前記各探針に対向させ、前記探針高さ情報取得機構によって前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを自動認識し、
前記移動制御ステージによって摩耗による高さばらつきを小さくする研磨機構を移動させることにより前記研磨機構を前記各探針に対向させ、前記各探針先端の摩耗による高さばらつき状況に応じて前記各探針先端の高さを揃えるように前記研磨機構によって前記各探針先端を研磨し、
前記移動制御ステージによって前記半導体ウェハを前記各探針に対向させ、前記各探針と前記チップの電極端子とを導通可能な状態にすることにより前記プローブ試験を行う工程を具備し、
前記探針高さ情報取得機構は回転台の中央部に配置されており、前記研磨機構は前記回転台の周辺部に配置されており、前記回転台は前記中央部を回転中心として回転するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
半導体ウェハにおけるチップの電気的特性を、各探針を備えたプローブカードによって検査するプローバー装置を用いてプローブ試験を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェハを移動制御ステージに載置し、前記チップの電極端子に前記各探針に接触させて前記チップの電気的特性を検査し、前記移動制御ステージによって探針高さ情報取得機構を移動させることにより前記探針高さ情報取得機構を前記各探針に対向させ、前記探針高さ情報取得機構によって前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを自動認識し、
前記移動制御ステージによって研磨シートを備えた摩耗による高さばらつきを小さくする研磨機構を移動させることにより前記研磨シートを前記各探針に対向させ、前記各探針先端の摩耗による高さばらつきの情報を用いて、前記各探針先端が前記研磨シートに先に触れる順に強くまたは長時間押し当てることにより、前記各探針先端の摩耗による高さばらつきを小さくするように前記各探針先端を研磨し、
前記移動制御ステージによって前記半導体ウェハを前記各探針に対向させ、前記各探針と前記チップの電極端子とを導通可能な状態にすることにより前記プローブ試験を行う工程を具備し、
前記探針高さ情報取得機構は回転台の中央部に配置されており、前記研磨シートを備えた前記研磨機構は前記回転台の周辺部に配置されており、前記回転台は前記中央部を回転中心として回転するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。