JP4191644B2 - ガス比例制御弁 - Google Patents

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本発明は、例えばガスバーナへのガス供給管に介設され、ガスバーナへのガス供給量を増減制御するガス比例制御弁に関する。
ガスバーナへ供給するガス量を小流量から大流量まで制御する場合、1つの流量制御弁機構で制御しようとすると、大流量時に対応するため弁体を大きくしなければならないので小流量側の制御を安定して正確に行うことが難しくなる。
そこで、小流量領域での制御を行う小流量制御弁機構と大流量領域での制御を行う大流量制御弁機構とを並列に設けると共に、大流量制御弁機構の下流に電磁開閉弁を設け、小流量の流量制御する際にはこの電磁開閉弁を閉弁させて小流量制御弁機構のみで流量制御を行うようにしたガス比例制御弁が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、大流量の流量制御を行う流量制御弁機構と、一定の小流量を流す定流量機構とを設け、流量制御弁機構が閉弁した状態で定流量機構を用いて一定の小流量を確保するようにしたものが知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開昭58−37383号公報(第1図) 特公平7−113432号公報(第2図)
上記特許文献1に記載されたものでは、小流量から大流量に至るまでガスの流量を安定して比例制御することはできるものの、小流量制御弁機構および大流量制御弁機構を開閉するアクチュエータのほかに、大流量制御弁機構の下流に電磁開閉弁を設けなければならず、ガス比例制御弁全体が大型化するという問題が生じる。
これに対して上記特許文献2に記載のものでは電磁開閉弁を用いないので、ガス比例制御弁全体が大型化することはないが、小流量領域での比例制御をすることができず、流量制御弁機構が閉弁したあとは一定の小流量を確保するにすぎない。
そこで本発明は、上記の問題点に鑑み、電磁開閉弁等の別途の機構を用いることなく小流量から大流量に至るまで安定して比例制御することできるガス比例制御弁を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために本発明によるガス比例制御弁は、往復移動自在の可動子を備え、この可動子の往動方向の移動に伴ってガスの流量を増加させる流量制御弁機構を備えたガス比例制御弁において、可動子の移動開始位置からの往動に伴ってガスの流量を小流量領域で増加させる小流量制御弁機構と、可動子の移動に伴ってガスの流量を大流量領域で増加させる少なくとも1つの大流量制御弁機構と、可動子の往動方向への移動量が所定の移動量に達した時点で、小流量制御弁機構の一部が大流量制御弁機構に当接して小流量制御弁機構を通過するガス流を可動子の移動によって停止させる停止手段とを備え、可動子の往動方向への移動量が上記所定の移動量を超えた状態では可動子の往動を小流量制御弁機構を介して大流量制御弁機構に伝達し、大流量制御弁機構によってガス流量を増加させることを特徴とする。
可動子が往動方向への移動を開始すると、最初に小流量制御弁機構が開弁して可動子の移動量に対応してガス流量を比例制御する。可動子の移動量が所定量に達すると、電磁開閉弁等の別途の機構を用いることなく可動子の移動によって小流量制御弁機構に対するガス流が停止される。これにより小流量制御弁機構の機能が停止する。可動子がさらに往動方向へ移動すると、小流量制御弁機構に代わって大流量領域での制御を行う大流量制御機構が開弁するので、ガス流はこの大流量制御弁機構によって引き続き比例制御される。
ところで、上記大流量制御弁機構は可動子によって移動される弁体を備えており、上記小流量制御弁機構は大流量制御弁機構の弁体に取り付けられるように構成すればガス比例制御弁全体をさらに小型化することができる。
なお、上記小流量制御弁機構は可動子によって移動される弁体を備えており、可動子の往動方向への移動量が上記所定の移動量に達した時点で、この弁体がガス流路を閉塞してガス流を停止させる停止手段として機能させてもよい。
上記小流量制御弁機構および大流量制御弁機構は共にダイアフラム式のガバナ機構を備えており、両流量制御弁機構で用いるダイアフラムを一部材で構成することにより部品点数を減少させることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明は、小流量制御弁機構と大流量比例制御弁機構とを備え、さらに可動子の移動によってガス流を停止させる停止手段を有するので、ガス比例制御弁全体の大きさを大型化することなく、小流量から大流量に至るまで正確にかつ安定して比例制御することができる。
図1を参照して、1は本発明によるガス比例制御弁である。このガス比例制御弁1は小流量比例制御弁機構を構成する小弁体2と、大流量比例制御弁機構を構成する大弁体3とを有している。小弁体2は大弁体3の内部に収納されており、大弁体3内に固定された固定板7との間に縮設されたバネ21によって上方に付勢されている。また、大弁体3は底板1Bとの間に縮設されたバネ31によって上方に付勢されている。
このガス比例制御弁1はガス流入口11から流入するガスを比例制御してガス流出口12から流出させるものである。図1に示す状態では、小弁体2および大弁体3は共に上端位置である閉弁位置にあり、従って、ガス流出口12からガスが流出されない状態である。
ガス比例制御弁1の上部にはアクチュエータ4が取り付けられている。このアクチュエータは中央部分に上下方向に往復道自在な可動子41を有しており、この可動子41を囲繞する駆動コイル42に通電されることにより可動子41を下方へ往動させる電磁力が発生し、可動子41は下方へと移動するものである。なお、可動子41を下方へ往動させる電磁力は駆動コイル42に供給されるパルス電力のデューティ比を変化することにより自在に調整することができる。
図2を参照して、駆動コイル42へ通電を開始すると可動子41は下方への往動を開始する。可動子41の下端は小弁体2の上端部21aに当接しており、可動子41を下方へ往動させる電磁力が発生しバネ21の付勢力とガスの1次圧がダイアフラム51を押し上げる力との合力より大きくなると、小弁体2は下方へと移動される。なお、大弁体3を上方へ付勢するバネ31の付勢力はバネ21の付勢力より大きくなるように設定しているので、小弁体2が下方へ移動してもこの状態では大弁体3は下方に移動しない。なお、ガスの1次圧は両ダイアフラム51,52に作用するので、ダイアフラム52の面積がダイアフラム51より大きければ、必ずしもバネ21,31の付勢力がなくても大弁体3は下方に移動することはない。
小弁体2が下方に移動すると小弁体2に環状に取り付けたゴム製の弁パッキン22が、大弁体3の内周に形成した弁座30から離れる。すると、大弁体3に形成した通気口3aを介して大弁体3内に流入したガスが、小弁体2と弁座30との間に生じた隙間を通って弁座30より下方に流れる。
上記固定板7の中央にはガス通路71が形成されているので、小弁体2と弁座30との隙間を通ったガスは小弁体2の下端を回り込み、このガス通路71を通って大弁体3の内部に流れ、さらにガス流出口12から図外のガスバーナへと流出する。小弁体2と弁座30との間の隙間は可動子41の下方への往動移動量に比例して拡がり、その隙間を通過するガス流量も比例して増加する。
小弁体2の位置は可動子41に作用する下方への電磁力とバネ21の付勢力およびダイアフラム51に作用する力の合力とが釣り合う位置で停止する。51はゴムの薄膜からなるダイアフラムであり、ガス流入口11から流入するガスの1次圧が変動し、例えば1次圧が上昇すると、このダイアフラム51が1次圧の圧力上昇を受けて小弁体2を上方へ引き上げるガバナとして機能する。すると、小弁体2と弁座30との隙間が減少してガス流出口12から流出する2次圧が変動せず一定に保たれる。
固定板7の上面には停止手段を構成するパッキン72が取り付けられている。可動子41が図2に示す状態からさらに下方へと往動すると、図3に示すように小弁体2の下端がこのパッキン72に押接される。すると、小弁体2と弁座30との間に隙間が形成されていても、この隙間を通ってガス流出口12へと流れるガス流が停止される。
また、この状態では可動子41の下端は大弁体3の上部に連結されている座金6に当接する。従って、可動子41がさらに下方へ往動すると、小弁体2の下端をパッキン72に当接させたままの状態で、座金6を介して大弁体3を下方へ押し下げることになる。
図4を参照して、大弁体3の外周に取り付けたゴム製の弁パッキン32は閉弁状態では弁座10に当接しているが、大弁体3がバネ31の付勢力とダイアフラム52に作用する押し上げ力とに抗して下方へ押し下げられると、弁パッキン32が弁座10から離れ、大弁体3と弁座10との間に隙間が生じる。するとガス流入口11から流入したガスは、大弁体3と弁座10との間に生じた隙間を通ってガス流出口12へと流れ、ガス流出口12から流出する。このガス流量は大弁体3と弁座10との間の隙間の大きさに比例するので、可動子41の下方への往動移動量が増加するに伴って、大弁体3と弁座10との間を通るガス流量が増加する。
なお、この状態では大弁体3は可動子41に作用する下方への電磁力とバネ31の付勢力およびダイアフラム52に作用する押し上げ力とが釣り合う位置に停止している。そのため、ダイアフラム52がガバナとして機能し、1次圧が変動しても大弁体3と弁座10との間の隙間の大きさが自動的に調節され、2次圧が変動しない。
ところで、上述のように大弁体3の外周にゴム製の弁パッキン32を取り付けたので、大弁体3が弁座10に着座している状態では、弁パッキン32と弁座10との間の気密が確実に保たれる。そのため、小弁体2が開弁している状態で、大弁体3と弁座10との間にガス漏れが生じないので、ダイアフラム51によるガバナ特性が確実に発揮される。
ところで、小流量制御弁機構でガバナ機能を発揮するダイアフラム51と大流量制御弁機構用のダイアフラム52とは、図5に示すように、ダイアフラム体5として両者を一体に形成した。
図6を参照して、同図において、Sは可動子41の往動に伴って小弁体2と弁座30との隙間を通過するガス流量の変化を示しており、Lは大弁体3と弁座10との隙間を通過するガス流量の変化を示している。
可動子41が移動開始位置から往動を開始すると、曲線Sに沿ってガス流量が増加する。ポイントP1に到達すると可動子41の位置を一気に往動させ、曲線L上のポイントP2に移動させる。すなわち、この時点で小弁体2がパッキン72に当接し、ガスが大弁体3と弁座10との間を通る状態に切り替えられる。
ガス流量を増加させる場合には、さらに可動子41を往動させるが、ガス流量を減少させる場合にはポイントP2を通過してポイントP3までは大弁体3と弁座10との間を通してガスを供給し、それ以上ガス流量を減少させる際には、可動子41を一気に引き上げてポイントP4に移行させるようにした。このように、小流量制御弁機構と大流量制御弁機構との間での切り替えにヒステリシスを設けたので、切り替え時でのチャタリングの発生が防止される。
ところで、上記の形態では小弁体2と大弁体3との2つの弁体を用いて、各々が制御する流量領域を小流量領域と大流量領域との2つに分けたが、3つ以上の領域に分けて1つの弁体が制御する流量領域をさらに細分化してもよい。例えば、図7に示すように、小流量領域から大流量領域にかけて、順次第1弁体81,第2弁体82,第3弁体83,第4弁体84が開弁するように構成して、各弁体が担当する流量領域を4つに細分化することができる。なお、この図7に示した構成も例示であり、3つの流量領域に分けてもよく、あるいは5つ以上の流量領域に、さらに細分化することも可能である。
また、上述のアクチュエータ4では磁性体からなる可動子41を用いたが、図8に示すようなリニアアクチュエータを用いてもよい。このものでは、コアとなる磁性体からなる可動子9に所定の間隔を設けてN極91とS極92とを設けると共に、これらN極91とS極92とに対向する磁極94,95とこの磁極94,95を励磁する電磁コイル93とを備えている。そして、図示の状態で磁極94をS極に励磁し、磁極95をN極に励磁する方向に電流を電磁コイル93に通電することにより可動子9を下方へ付勢することができる。
なお、本発明は上記した形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を加えてもかまわない。
本発明の一実施の形態の構成を示す図 小弁体の詳細を示す図 停止手段の作動状態を示す図 大弁体の開弁状態を示す図 ダイアフラム体の構成を示す図 流量変化を示すグラフ 他の弁体の構成を示す図 アクチュエータの他の構成を示す図
符号の説明
1 ガス比例制御弁
2 小弁体
3 大弁体
5 ダイアフラム体
10 弁座
11 ガス流入口
12 ガス流出口
21 バネ
30 弁座
41 可動子
51 ダイアフラム
52 ダイアフラム
72 パッキン

Claims (4)

  1. 往復移動自在の可動子を備え、この可動子の往動方向の移動に伴ってガスの流量を増加させる流量制御弁機構を備えたガス比例制御弁において、可動子の移動開始位置からの往動に伴ってガスの流量を小流量領域で増加させる小流量制御弁機構と、可動子の移動に伴ってガスの流量を大流量領域で増加させる少なくとも1つの大流量制御弁機構と、可動子の往動方向への移動量が所定の移動量に達した時点で、小流量制御弁機構の一部が大流量制御弁機構に当接して小流量制御弁機構を通過するガス流を可動子の移動によって停止させる停止手段とを備え、可動子の往動方向への移動量が上記所定の移動量を超えた状態では可動子の往動を小流量制御弁機構を介して大流量制御弁機構に伝達し、大流量制御弁機構によってガス流量を増加させることを特徴とするガス比例制御弁。
  2. 上記大流量制御弁機構は可動子によって移動される弁体を備えており、上記小流量制御弁機構は大流量制御弁機構の弁体に取り付けられていることを特徴とする請求項1記載のガス比例制御弁。
  3. 上記小流量制御弁機構は可動子によって移動される弁体を備えており、可動子の往動方向への移動量が上記所定の移動量に達した時点で、この弁体がガス流路を閉塞してガス流を停止させる停止手段として機能することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のガス比例制御弁。
  4. 上記小流量制御弁機構および大流量制御弁機構は共にダイアフラム式のガバナ機構を備えており、両流量制御弁機構で用いるダイアフラムを一部材で構成したことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のガス比例制御弁。
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