JP4186295B2 - 光情報記録再生装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコヒーレント光源を応用した、光情報処理装置、光情報記録再生装置に関し、特に隣接トラックからのクロストーク成分を除去するクロストーク除去機能を有する光ディスク再生装置あるいは光ディスク記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ディジタルバーサタイルディスク（以下ＤＶＤと略す）の実用化によって光ディスクの記憶容量が大幅に拡大され、高画質、長時間の動画情報を記録できるようになったが、ハイビジョンに代表される高精細動画放送も実用化の兆しが見られ、さらに大容量の記憶装置の研究開発が盛んになされている。また、コンパクトディスク（以下ＣＤと略す）やＤＶＤなどの光ディスクは計算機の外部記憶装置としても広く利用されているが、計算機の性能は急速に高性能化しているため、情報処理、情報通信の分野においても光ディスクの高密度化が強く望まれている。
【０００３】
光ディスクの容量を拡大するには、より小さなピットから情報再生することになるが、ピットサイズは情報を読み出す光ピックアップの光源波長と集光レンズの開口数とで決まる光スポットサイズによって限定される。螺旋状に配列されたトラック上の線方向のピットサイズを限界以下に小さくした際には十分な信号振幅が得られず、またトラックの間隔を限界以下に小さくした際には隣接するトラックからのクロストークが増加して正確な信号再生が阻害される。
【０００４】
このような読み出しに用いられる光スポットサイズの限界を超えて高密度化を実現する技術として、トラック間隔を狭くしたときに生じるクロストークを低減する種々のクロストーク除去方法が提案されている。例えば特開平７−３２０２９５号公報に開示された方法（以下同軸２ビーム法と称する）では、２つのピークを持つサブスポットを生成して、それらピークの位置を隣接するそれぞれ左右の隣接トラックに一致させ、隣接トラックからのクロストーク成分を同時に抽出する。同軸２ビーム法によるクロストーク除去方法の基本原理を図８を用いて説明する。
【０００５】
半導体レーザ１’は例えば紙面に平行な偏光成分のみを持つ直線偏光を出射する。これが４分の１波長板２’を通過して紙面に垂直な偏光性分と平行な偏光成分が生成される。以降紙面に垂直な成分をメインビーム、紙面に平行な偏光性分をサブビームと呼ぶ。偏光性位相フィルタ３’は一方向の偏光成分にのみ位相変移を与え、他方の偏光成分には位相変移を与えないという特徴を持つ。ここでメインビームは偏光性位相フィルタで位相変移を与えられず、対物レンズ４’によって集光された光ディスク５’上の光スポットは通常の回折限界の集光スポットとなる（メインスポット１０’）。メインスポット１０’は再生対象トラック１２’上に位置制御されて対象トラックのピットに応じて強度変調される。このとき、トラック間隔を小さくして高密度化された光ディスクではメインスポット１０’は隣接トラック１３’、１４’をも照射し、再生信号中にクロストーク成分が混入する。
【０００６】
偏光性位相フィルタ３’は左右に２分割された領域を有し、サブビームは偏光性位相フィルタ３’によって左右の領域でπの位相変移を与えられる。サブビームが対物レンズ４’で光ディスク５’上に集光される際には、図８（ａ）に示したように２つのピークを持つ光スポット（サブスポット１１’）を形成し、それぞれのピークが左右の隣接トラック１３’、１４’上に位置し、反射光は隣接トラック上のピットに応じて強度変調される。光ディスク５’からの反射光は偏光ビームスプリッタ６’でメインビームとサブビームに分離され、それぞれ光検出器７’、８’で検出されて主に再生対象トラック１２’上の信号を反映したメイン信号２１’と、主に隣接トラック１３’、１４’上の信号を反映したサブ信号２２’を得る。適切な割合で両信号の差動信号を電気的に生成することによって、メイン信号２１’に混入したクロストーク成分を除去した信号を得ることができる。
【０００７】
図８（ｂ）の偏光性位相フィルタ３’は例えば図９のようにニオブ酸リチウム基板３０を用いて作製することができる。ニオブ酸リチウムは複屈折性を持つ結晶で、光学軸は紙面に垂直な方向を向いている。金属膜３１を部分装加したニオブ酸リチウムをピロ燐酸などの酸に浸すと金属膜を装加しない部分のみプロトン交換反応が起き、異常光に対する屈折率が上昇、常光に対する屈折率が減少する。金属膜３１を除去した後、フッ酸によるウェットエッチを行うと、プロトン交換された部分のみがエッチングされる。プロトン交換された領域に入射する常光、異常光の光路長変化量、δｌｏ、δｌｅはそれぞれ、
δｌｏ＝−δｎｏ×ｄｐ−ｎｏ×ｄｅ
δｌｅ＝ δｎｅ×ｄｐ−ｎｅ×ｄｅ
と表される。ここで、ｎｅ、ｎｏはそれぞれ異常光、常光に対する屈折率、ｄｐ、ｄｅはそれぞれエッチング後のプロトン交換部分深さ、エッチング深さを表す。また、δｎｏ、δｎｅはそれぞれプロトン交換による屈折率の変化量を表し、正の値を取る。左右で常光にのみ０，πの位相段差を与える偏光性位相フィルタは、入射光の波長をλ０とすると、
δｌｏ＝−λ０
δｌｅ＝０
とすることで実現できる。ｄｐ、ｄｅの値はプロトン交換、エッチングの時間を制御することで自由に選ぶことができ、上式より
ｄｐ＝ｎｅ×λ０／（δｎｏ×ｎｅ＋δｎｅ×ｎｏ）
ｄｅ＝δｎｅ×λ０／（δｎｏ×ｎｅ＋δｎｅ×ｎｏ）
なる条件でプロセスを行って偏光性位相フィルタが作製できることが分かる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図８の光学系を用いてトラック間隔を小さくした高密度ディスク再生時のジッタを計算した例を図１０に示す。光源波長４２５ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６の光ピックアップと、トラックピッチ０．３８６μｍ、最短ピット長０．２６μｍ、ピット深さλ／４、符号化方式ＥＦＭランダム信号の光ディスクを仮定した。１０００Ｔの長さの信号を再生したときのＲＦ信号をコンボリューション法を用いて計算し、タップ間隔２Ｔのトランスバーサルフィルタを経由したあとのジッタを計算した。図１０はそれぞれ、情報トラックに垂直な方向のディスクと光ピックアップとの傾き（以降ラジアルチルトと略す）を変化させたときのジッタの変化を計算した結果である。ジッタが最小になるよう、各点で差動割合を最適化している。
【０００９】
ＣＤやＤＶＤの再生においては、エラー訂正の能力を鑑みてジッタの値が１５％以下であれば信号再生が可能となるが、図１０の水平軸の０点ではジッタの値は約６％であり、十分な再生特性が得られることが分かる。しかし、ラジアルチルトに対するジッタの変化を見ると、チルト量±０．３度でジッタが１５％に悪化しており、チルト量が±０．３度を超えると正常に信号再生を行うことができなくなる。通常、光ディスクの半径方向へのたわみは０．３度程度に押さえられているが、光ピックアップやディスクモータの取り付け角度誤差等を考慮すると図１０で計算した光ピックアップでは半径方向のチルトに対して十分なマージンが確保できておらず、正常な情報再生を行うためにはラジアルチルトに応じて光ピックアップ全体あるいは対物レンズの傾きを変化させるなどの対策が必要になる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の光ピックアップ及び光情報記録再生装置は、サブビームに与える位相段差量が可変な偏光性位相フィルタを用いる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
従来の技術の項で述べたクロストーク除去機能を持つ光ピックアップにおいて光ディスクが半径方向に傾いた時にジッタが悪化する原因は、傾斜した光ディスク基材で発生するコマ収差によって情報面上の光スポットが変形し、再生対象トラックと隣接トラックの情報を正確に読みとることができなくなるためである。特に、隣接トラックを読みとるサブスポットの形状がラジアルチルトによって大きく変形することを計算により見いだした。
【００１２】
図２は従来の同軸２ビーム法クロストークキャンセラを用いた光ピックアップの、ラジアルチルトがない場合（ａ）とある場合（ｂ）のサブスポットの強度分布の計算例を示す。横軸はラジアル方向の位置、縦軸は光強度を示す。図２に示した光強度分布は、対物レンズの瞳面上の電界振幅をフーリエ変換することで求めた。図２（ａ）に示したようにラジアルチルトがない場合には２つのピークの高さが揃った対称なサブスポットが得られているのに対し、ラジアルチルトがある場合には図２（ｂ）のように、サブスポットの左右のピークの高さが大きく異なっている。図２（ｂ）のスポットで検出されるサブ信号には、左右の隣接トラックの信号成分が非対称に含まれる。左右の隣接トラックの信号が等しくサブ信号に含まれているときには、適当な割合でメイン信号からサブ信号を引き算することで、両隣接トラックからのクロストーク成分を同時に除去することができるのに対し、両隣接トラックの信号成分が非対称なときには、左右のトラックに対する最適な差動演算の割合が異なり、両隣接トラックからのクロストーク成分を同時に除去することができなくなる。
【００１３】
上述したようなサブスポットの変形を抑制することができればジッタの悪化を防ぐことができる。本発明の光ピックアップでは、偏光性位相フィルタの位相変移量を制御することで、ラジアルチルト量によらず左右のピークの高さをほぼ一定に保つことができる。
【００１４】
図１に本発明の光ピックアップの構成を示す。図８に示した従来の光ピックアップと同様に半導体レーザ１から出射された直線偏光を４分の１波長板２によって両偏波を生成する。可変偏光性位相フィルタ３は左右に２分割された液晶素子からなり、一方の偏光成分にのみ任意の位相変移を与えることができる。ディスク５表面に生成されるメインスポット１０、サブスポット１１の形状は従来の光ピックアップと同様であるが、光ディスク５のラジアルチルト量に応じて偏光性位相フィルタ３の位相段差量を制御し、常に両ピークの大きさが等しくできることが、従来の光ピックアップと異なる。光ディスク５からの反射光を検出する光学系は図８に示した光ピックアップと同様である。
【００１５】
図１の光ピックアップで０．３度のラジアルチルトが生じた時のサブスポット１１のラジアル方向断面形状を図２（ｃ）に示す。図２（ｂ）のように位相段差量がπで固定されている場合には左右のピークの高さが異なっていたのに対し、図２（ｃ）では偏光性位相フィルタの位相段差量を１．１５πにすることで左右のピークの高さがほぼ等しいサブスポットが得られている。
【００１６】
このようにラジアルチルトの量に応じてサブビームに与える位相段差量を最適化したときのジッタの計算例を図３に示す。位相段差をπに固定したときにはジッタの値が１５％以下の領域は±０．３度にすぎなかったのに対し、位相段差を最適化したときには±０．５度の範囲でジッタが１５％以下に押さえられ、光ディスクのたわみ、光ピックアップやディスクの取り付け角度誤差を考慮しても十分なラジアルチルトマージンが得られている。
【００１７】
図１の可変偏光性位相フィルタ３は、例えば液晶素子を用いて容易に作成することができる。液晶素子を用いた可変偏光性位相フィルタの断面構成の一例を図４に示す。ネマティック液晶分子が２枚の対向するガラス基板６０，６１の間に封入されている。ガラス基板６０、６１上にはそれぞれ透明な制御電極６３，６４と対向電極６５が装荷され、制御電極に印可される電圧によって液晶分子６６に任意の電界を印可することができる。制御電極６３、６４、対向電極６５ともに、紙面に平行な方向に配向処理が行われているいわゆるホモジニアス配向と呼ばれる構成となっている。図４（ａ）は、対向電極６５と制御電極６３、６４の間に電圧が印可されないときの様子を表しており、液晶分子６６は電極の配向方向に添って整列している。液晶分子６６が図のように整列している場合には、液晶は光学異方性を持ち、図中液晶分子を表す楕円の長軸方向が液晶の光学軸方向となる。図４（ａ）の状態では液晶素子６６の右側半分に入射する光、左側に入射する光とも、紙面に平行な偏光成分は液晶素子中を異常光として伝搬し、紙面に垂直な偏光成分は液晶素子中を常光として伝搬する。このため右側、左側に入射する光は両偏波とも位相段差を感じることなく伝搬する。
【００１８】
これに対し図４（ｂ）は、液晶素子の左側制御電極６３にのみ電圧が印可された場合の液晶分子の様子を示しており、電極に垂直な方向に印可された電界方向に添うように液晶分子が配向される。このとき紙面に平行な偏光成分は、左側半分では常光として伝搬し、右側半分の領域では異常光として伝搬する。このため、左右の領域で光の感じる屈折率が異なり、左右で位相段差が与えられることになる。位相段差量φは、液晶層の厚さｄ、液晶の常光に対する屈折率ｎｏ、異常光に対する屈折率ｎｅを用いて、
φ＝ｄ（ｎｅ−ｎｏ）
で表される。また、紙面に垂直な偏光成分は左右の両領域で常光として伝搬するため位相段差は生じない。
【００１９】
以上の説明では、電極間に十分に大きな電圧が印可されていることを仮定しているが、比較的小さな電圧が印可された場合の液晶素子の様子を示したのが図４（ｃ）である。電極表面の液晶分子は電極表面の配向処理の影響を強く受けて電極表面に平行に近い角度をなし、液晶層の中間部分の液晶分子は、印可電界の影響をより強く受けて電界方向に配向しようとする。結果、図のように液晶分子は電極表面に対して斜めの角度をなすことになる。印可電圧が大きい時には液晶分子は電極に対してより垂直に近い角度に傾斜し、印可電圧が小さいときには電極に平行に近い角度を取る。このとき、液晶の左側半分の領域に入射する紙面に平行な偏光成分はｎｅとｎｏの中間の値の屈折率を感じ、左右の領域間の位相段差φは
φ＝α×ｄ（ｎｅ−ｎｏ）
となる。ただし、αは印可電圧によって決まる０以上１以下の定数である。現在市販されている液晶表示デバイスと同様の液晶を用いたとき、液晶層厚ｄを１０μｍとし、数Ｖのオーダーの印可電圧で可視光に対して１波長分の位相段差を与えることができる。このように、図４の構成の液晶素子を用い印可電圧を制御することによって、一方の偏光成分にのみ左右の領域間で任意の位相段差を与えることができる。
【００２０】
以上で説明したように、位相段差を制御可能な偏光性位相フィルタを用いて、ラジアルチルトマージンの広い同軸２ビームクロストークキャンセラ機能を有する光ピックアップを構成することができるが、この光ピックアップを用いて光ディスク再生装置を構成する場合には、例えばチルト検出手段を用いるのが有用である。その光ディスク再生装置の概略構成図を図５に示す。ラジアルチルト検出手段７３で検出したラジアルチルト量に応じてあらかじめ設定された可変偏光性位相フィルタの位相段差量を制御することで最適なサブスポットの形状を維持することができ、ラジアルチルトマージンを確保することができる。
【００２１】
また、さらに制御精度を高くするためには、光ディスク７１が挿入されるたびに光ピックアップ７２を内周から外周にスキャンし、それぞれの位置でラジアルチルト量と、それぞれの位置でのジッタ値が最小になる位相段差量とを測定しておき、ラジアルチルト量に応じた最適な位相段差量をメモリ内に保持しておく方法がある。再生時には検出されたラジアルチルト量に応じて、メモリ内に保持された最適位相段差量に設定することでジッタを最適に保つことができる。この方式ではラジアルチルト検出手段の取り付け誤差や、可変偏光性位相フィルタの駆動電圧ばらつきなどによらず、常に位相段差量を最適な値に保つことが可能である。
【００２２】
また、ラジアルチルト検出手段を用いず、安価な構成で可変偏光性位相フィルタの位相段差量を最適に保つことのできる光ディスク再生装置の概略構成を図６に示す。位相段差制御手段は、位相段差量記憶手段８０に保持された位相段差量よりわずかに大きい段差量とわずかに小さい段差量とを交互に発生する。段差量がわずかに大きいときのジッタの値をジッタ記憶手段７８ａに保持し、段差量がわずかに小さいときのジッタの値をジッタ記憶手段７８ｂに保持する。ジッタ比較手段７９で両ジッタ記憶手段の内容を比較し、ジッタ記憶手段７８ａのジッタがより小さいときには位相段差量記憶手段８０の保持内容を大きくし、逆にジッタ記憶手段７８ｂのジッタがより小さいときには位相段差量記憶手段８０の保持内容を小さくすることで位相段差量記憶手段８０に保持される位相段差量と、最適な位相段差量の差を最小に保つことができる。ジッタの値を検出するには一定の時間が必要であり、ジッタ検出手段の周波数特性を高くできないことから、本方式では位相段差量を高速に最適な値に追従させることはできない。しかしながら、ラジアルチルトは主にディスク全体の反りに起因するため、再生中に大きくラジアルチルト量が変動することは少なく、図６の構成の光ディスク再生装置にて十分な再生特性を得ることができる。
【００２３】
以上の説明では全て光情報再生装置に関する実施例を挙げたが、本発明の光ピックアップ装置は記録再生可能な光情報処理装置に応用しても大きな効果を得ることができる。従来の２ビーム方式クロストークキャンセラ光ピックアップではサブビームが２ピーク形状をしているため、クロストークキャンセラ機能を持たない光ピックアップに比べて光ディスク上での光パワが半径方向に広がってしまい、記録されるマーク幅が大きくなる可能性があるとともに、光パワがメインスポットとサブスポットに分散されるために光スポットのピークパワが小さくなる欠点があった。本発明の光情報記録再生装置はこの欠点を克服するものである。
【００２４】
本発明の光情報記録再生装置の概略構成を図７に示す。システム制御手段８５は、情報再生時には、半導体レーザの発光光量を小さくし、かつ図５や図６に示した情報再生装置と同様に可変偏光性位相フィルタの位相段差量をクロストークキャンセラが最適に動作するように制御する。また情報記録時には半導体レーザの発光光量を大にし、かつ可変偏光性位相フィルタの位相段差を０にする。可変偏光性位相フィルタの位相段差量が０のときには、両偏波とも光ディスク上で回折限界の集光スポットを形成するので、従来の光ピックアップと比較してパワーロスのない光学系が実現される。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によって、ラジアルチルトマージンの広い同軸２ビーム方式クロストークキャンセラ光ピックアップ及び光情報再生装置を実現することができる。また記録時の光パワーロスの少ない光情報記録再生装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ピックアップ光学系の概略構成図
【図２】ラジアルチルトがあるときとないときのサブスポット形状のラジアル方向断面を表す図
【図３】本発明の光ピックアップのラジアルチルトマージンを表す図
【図４】可変偏光性位相フィルタの一例の断面構成図
【図５】ラジアルチルト検出手段を用いた本発明の光情報再生装置の一実施例の概略構成図
【図６】位相段差量追従式の本発明の光情報再生装置の一実施例の概略構成図
【図７】本発明の光情報記録再生装置の一実施例の概略構成図
【図８】従来の２ビーム法クロストークキャンセラ光ピックアップ光学系の概略構成図
【図９】従来の偏光性位相フィルタの作製プロセスフローチャート
【図１０】従来の２ビーム法クロストークキャンセラ光ピックアップのラジアルチルトマージンを表す図
【符号の説明】
１，１’ 半導体レーザ
２，２’ ４分のＩ波長板
３ 可変偏光性位相フィルタ
３’ 偏向性位相フィルタ
４，４’ 対物レンズ
５，５’ 光ディスク
６，６’ 偏光ビームスプリッタ
７，７’ 光検出器
８，８’ 光検出器
１０，１０’ メインスポット
１１，１１’ サブスポット
１２，１２’ 再生対象トラック
１３，１３’ 隣接トラック
１４，１４’ 隣接トラック
２１，２１’ メイン信号
２２，２２’ サブ信号
２３，２３’ 差動演算回路
３０ ニオブ酸リチウム基板
３１ 金属膜
５０，５１，５２ サブスポット強度分布
６０，６１ ガラス基板
６３ 左側制御電極
６４ 右側制御電極
６５ 対向電極
６６ 液晶分子
７１ 光ディスク
７２ 光ピックアップ
７３ ラジアルチルト検出手段
７４ 位相段差制御手段
７５ 光ディスク
７６ 光ピックアップ
７７ ジッタ検出手段
７８ａ，７８ｂ ジッタ記憶手段
７９ ジッタ比較手段
８０ 位相段差量記憶手段
８１ 位相段差量制御手段
８２ 光ディスク
８３ 光ピックアップ
８４ 半導体レーザ駆動装置
８５ 可変偏光性位相フィルタ制御装置
８６ システム制御装置

Claims (5)

1. コヒーレント光源と、前記コヒーレント光源からの光を情報担体上に集光する集光光学系と、前記コヒーレント光源からの光の第１の偏光成分にのみ任意量の位相変移を与える可変偏光性位相フィルタと、前記情報担体からの反射光を前記第１の偏光成分と他の第２の偏光成分に分離する偏光分離手段と、前記情報担体からの反射光の第１の偏光成分を検出する第１の光検出器と、前記情報担体からの反射光の第２の偏光成分を検出する第２の光検出器とを少なくとも有し、前記可変偏光性位相フィルタは前記情報担体上の情報トラックと平行な方向に少なくとも２分割されて第１第２の領域をもち、前記第１第２の領域でそれぞれ独立に位相変移量が与えられる光ピックアップと、
   前記情報担体の傾きを検出するチルト検出手段と、前記チルト検出手段の出力に応じて前記可変偏光性位相フィルタの位相量を変化させる位相量制御手段を少なくとも有することを特徴とする光情報記録再生装置。
2. コヒーレント光源と、前記コヒーレント光源からの光を情報担体上に集光する集光光学系と、前記コヒーレント光源からの光の第１の偏光成分にのみ任意量の位相変移を与える可変偏光性位相フィルタと、前記情報担体からの反射光を前記第１の偏光成分と他の第２の偏光成分に分離する偏光分離手段と、前記情報担体からの反射光の第１の偏光成分を検出する第１の光検出器と、前記情報担体からの反射光の第２の偏光成分を検出する第２の光検出器とを少なくとも有し、前記可変偏光性位相フィルタは前記情報担体上の情報トラックと平行な方向に少なくとも２分割されて第１第２の領域をもち、前記第１第２の領域でそれぞれ独立に位相変移量が与えられる光ピックアップと、前記第１の光検出器の出力と前記第２の光検出器の出力を一定の割合で減算してＲＦ信号を得る減算手段と、前記ＲＦ信号のジッタを検出するジッタ検出手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を記憶する位相変移量記憶手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を一定量増減させる位相変移量増減手段と、前記位相変移量増減手段によって位相変移量を増加させたときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶する第１のジッタ記憶手段と、前記位相変移量増減手段によって位相変移量を減少させたときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶する第２のジッタ記憶手段と、前記第１のジッタ記憶手段と前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容を比較するジッタ比較手段とを少なくとも有し、前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには前記位相変移量記憶手段の位相変移量を増加させ、前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには前記位相変移量記憶手段の位相変移量を減少させることを特徴とする光情報記録再生装置。
3. 前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以上の時は前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を０にすることを特徴とした請求項１記載の光情報記録再生装置。
4. コヒーレント光源と、前記コヒーレント光源からの光を情報担体上に集光する集光光学系と、前記コヒーレント光源からの光の第１の偏光成分にのみ任意量の位相変移を与える可変偏光性位相フィルタと、前記情報担体からの反射光を前記第１の偏光成分と他の第２の偏光成分に分離する偏光分離手段と、前記情報担体からの反射光の第１の偏光成分を検出する第１の光検出器と、前記情報担体からの反射光の第２の偏光成分を検出する第２の光検出器とを少なくとも有し、前記可変偏光性位相フィルタは前記情報担体上の情報トラックと平行な方向に少なくとも２分割されて第１第２の領域をもち、前記第１第２の領域でそれぞれ独立に位相変移量が与えられる光ピックアップと、前記第１の光検出器の出力と前記第２の光検出器の出力を一定の割合で減算してＲＦ信号を得る減算手段と、前記ＲＦ信号のジッタを検出するジッタ検出手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を記憶する位相変移量記憶手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を増減させる位相変移量増減手段と、前記位相変移量増減手段によって位相変移量を増加させたときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶する第１のジッタ記憶手段と、前記位相変移量増減手段によって位相変移量を減少させたときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶する第２のジッタ記憶手段と、前記第１のジッタ記憶手段と前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容を比較するジッタ比較手段とを少なくとも有し、
   前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以下でありかつ前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには前記位相変移量記憶手段の位相変移量を増加させ、
   前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以下でありかつ前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには前記位相変移量記憶手段の位相変移量を減少させ、
   前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以上の時は、前記位相変移量記憶手段の位相変移量を０にすることを特徴とする光情報記録再生装置。
5. 前記光ピックアップは、前記偏光性位相フィルタが液晶素子からなることを特徴とした請求項１から４のいずれか一項に記載の光情報記録再生装置。

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