JP2000268390A - 光ピックアップ及び光情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラジアル方向に２分割された偏光性位相フィ
ルタによって２つのピークを持つスポットを形成し、隣
接トラックからのクロストーク成分を抽出するクロスト
ーク除去方法において、光ディスクの傾きによって２ピ
ークスポットのスポット形状が非対称になり、クロスト
ークを理想的に除去できなくなる。 【解決手段】 ２分割偏光性位相フィルタ３として液晶
素子などを用い位相変移量可変な偏光性位相フィルタを
用い、光ディスク５の傾きに応じて位相変移量を最適に
制御し、ラジアルチルトマージンを拡大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコヒーレント光源を
応用した、光情報処理装置、光情報記録再生装置に関
し、特に隣接トラックからのクロストーク成分を除去す
るクロストーク除去機能を有する光ディスク再生装置あ
るいは光ディスク記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ディジタルバーサタイルディスク
（以下ＤＶＤと略す）の実用化によって光ディスクの記
憶容量が大幅に拡大され、高画質、長時間の動画情報を
記録できるようになったが、ハイビジョンに代表される
高精細動画放送も実用化の兆しが見られ、さらに大容量
の記憶装置の研究開発が盛んになされている。また、コ
ンパクトディスク（以下ＣＤと略す）やＤＶＤなどの光
ディスクは計算機の外部記憶装置としても広く利用され
ているが、計算機の性能は急速に高性能化しているた
め、情報処理、情報通信の分野においても光ディスクの
高密度化が強く望まれている。

【０００３】光ディスクの容量を拡大するには、より小
さなピットから情報再生することになるが、ピットサイ
ズは情報を読み出す光ピックアップの光源波長と集光レ
ンズの開口数とで決まる光スポットサイズによって限定
される。螺旋状に配列されたトラック上の線方向のピッ
トサイズを限界以下に小さくした際には十分な信号振幅
が得られず、またトラックの間隔を限界以下に小さくし
た際には隣接するトラックからのクロストークが増加し
て正確な信号再生が阻害される。

【０００４】このような読み出しに用いられる光スポッ
トサイズの限界を超えて高密度化を実現する技術とし
て、トラック間隔を狭くしたときに生じるクロストーク
を低減する種々のクロストーク除去方法が提案されてい
る。例えば特開平７−３２０２９５号公報に開示された
方法（以下同軸２ビーム法と称する）では、２つのピー
クを持つサブスポットを生成して、それらピークの位置
を隣接するそれぞれ左右の隣接トラックに一致させ、隣
接トラックからのクロストーク成分を同時に抽出する。
同軸２ビーム法によるクロストーク除去方法の基本原理
を図８を用いて説明する。

【０００５】半導体レーザ１’は例えば紙面に平行な偏
光成分のみを持つ直線偏光を出射する。これが４分の１
波長板２’を通過して紙面に垂直な偏光性分と平行な偏
光成分が生成される。以降紙面に垂直な成分をメインビ
ーム、紙面に平行な偏光性分をサブビームと呼ぶ。偏光
性位相フィルタ３’は一方向の偏光成分にのみ位相変移
を与え、他方の偏光成分には位相変移を与えないという
特徴を持つ。ここでメインビームは偏光性位相フィルタ
で位相変移を与えられず、対物レンズ４’によって集光
された光ディスク５’上の光スポットは通常の回折限界
の集光スポットとなる（メインスポット１０’）。メイ
ンスポット１０’は再生対象トラック１２’上に位置制
御されて対象トラックのピットに応じて強度変調され
る。このとき、トラック間隔を小さくして高密度化され
た光ディスクではメインスポット１０’は隣接トラック
１３’、１４’をも照射し、再生信号中にクロストーク
成分が混入する。

【０００６】偏光性位相フィルタ３’は左右に２分割さ
れた領域を有し、サブビームは偏光性位相フィルタ３’
によって左右の領域でπの位相変移を与えられる。サブ
ビームが対物レンズ４’で光ディスク５’上に集光され
る際には、図８（ａ）に示したように２つのピークを持
つ光スポット（サブスポット１１’）を形成し、それぞ
れのピークが左右の隣接トラック１３’、１４’上に位
置し、反射光は隣接トラック上のピットに応じて強度変
調される。光ディスク５’からの反射光は偏光ビームス
プリッタ６’でメインビームとサブビームに分離され、
それぞれ光検出器７’、８’で検出されて主に再生対象
トラック１２’上の信号を反映したメイン信号２１’
と、主に隣接トラック１３’、１４’上の信号を反映し
たサブ信号２２’を得る。適切な割合で両信号の差動信
号を電気的に生成することによって、メイン信号２１’
に混入したクロストーク成分を除去した信号を得ること
ができる。

【０００７】図８（ｂ）の偏光性位相フィルタ３’は例
えば図９のようにニオブ酸リチウム基板３０を用いて作
製することができる。ニオブ酸リチウムは複屈折性を持
つ結晶で、光学軸は紙面に垂直な方向を向いている。金
属膜３１を部分装加したニオブ酸リチウムをピロ燐酸な
どの酸に浸すと金属膜を装加しない部分のみプロトン交
換反応が起き、異常光に対する屈折率が上昇、常光に対
する屈折率が減少する。金属膜３１を除去した後、フッ
酸によるウェットエッチを行うと、プロトン交換された
部分のみがエッチングされる。プロトン交換された領域
に入射する常光、異常光の光路長変化量、δｌｏ、δｌ
ｅはそれぞれ、 δｌｏ＝−δｎｏ×ｄｐ−ｎｏ×ｄｅ δｌｅ＝ δｎｅ×ｄｐ−ｎｅ×ｄｅ と表される。ここで、ｎｅ、ｎｏはそれぞれ異常光、常
光に対する屈折率、ｄｐ、ｄｅはそれぞれエッチング後
のプロトン交換部分深さ、エッチング深さを表す。ま
た、δｎｏ、δｎｅはそれぞれプロトン交換による屈折
率の変化量を表し、正の値を取る。左右で常光にのみ
０，πの位相段差を与える偏光性位相フィルタは、入射
光の波長をλ０とすると、 δｌｏ＝−λ０ δｌｅ＝０ とすることで実現できる。ｄｐ、ｄｅの値はプロトン交
換、エッチングの時間を制御することで自由に選ぶこと
ができ、上式より ｄｐ＝ｎｅ×λ０／（δｎｏ×ｎｅ＋δｎｅ×ｎｏ） ｄｅ＝δｎｅ×λ０／（δｎｏ×ｎｅ＋δｎｅ×ｎｏ） なる条件でプロセスを行って偏光性位相フィルタが作製
できることが分かる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図８の光学系を用いて
トラック間隔を小さくした高密度ディスク再生時のジッ
タを計算した例を図１０に示す。光源波長４２５ｎｍ、
対物レンズＮＡ０．６の光ピックアップと、トラックピ
ッチ０．３８６μｍ、最短ピット長０．２６μｍ、ピッ
ト深さλ／４、符号化方式ＥＦＭランダム信号の光ディ
スクを仮定した。１０００Ｔの長さの信号を再生したと
きのＲＦ信号をコンボリューション法を用いて計算し、
タップ間隔２Ｔのトランスバーサルフィルタを経由した
あとのジッタを計算した。図１０はそれぞれ、情報トラ
ックに垂直な方向のディスクと光ピックアップとの傾き
（以降ラジアルチルトと略す）を変化させたときのジッ
タの変化を計算した結果である。ジッタが最小になるよ
う、各点で差動割合を最適化している。

【０００９】ＣＤやＤＶＤの再生においては、エラー訂
正の能力を鑑みてジッタの値が１５％以下であれば信号
再生が可能となるが、図１０の水平軸の０点ではジッタ
の値は約６％であり、十分な再生特性が得らることが分
かる。しかし、ラジアルチルトに対するジッタの変化を
見ると、チルト量±０．３度でジッタが１５％に悪化し
ており、チルト量が±０．３度を超えると正常に信号再
生を行うことができなくなる。通常、光ディスクの半径
方向へのたわみは０．３度程度に押さえられているが、
光ピックアップやディスクモータの取り付け角度誤差等
を考慮すると図１０で計算した光ピックアップでは半径
方向のチルトに対して十分なマージンが確保できておら
ず、正常な情報再生を行うためにはラジアルチルトに応
じて光ピックアップ全体あるいは対物レンズの傾きを変
化させるなどの対策が必要になる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の光ピックアップ及び光情報記録再生装置
は、サブビームに与える位相段差量が可変な偏光性位相
フィルタを用いる。

【００１１】

【発明の実施の形態】従来の技術の項で述べたクロスト
ーク除去機能を持つ光ピックアップにおいて光ディスク
が半径方向に傾いた時にジッタが悪化する原因は、傾斜
した光ディスク基材で発生するコマ収差によって情報面
上の光スポットが変形し、再生対象トラックと隣接トラ
ックの情報を正確に読みとることができなくなるためで
ある。特に、隣接トラックを読みとるサブスポットの形
状がラジアルチルトによって大きく変形することを計算
により見いだした。

【００１２】図２は従来の同軸２ビーム法クロストーク
キャンセラを用いた光ピックアップの、ラジアルチルト
がある場合（ａ）とない場合（ｂ）のサブスポットの強
度分布の計算例を示す。横軸はラジアル方向の位置、縦
軸は光強度を示す。図２に示した光強度分布は、対物レ
ンズの瞳面上の電界振幅をフーリエ変換することで求め
た。図２（ａ）に示したようにラジアルチルトがない場
合には２つのピーク高さが揃った対称なサブスポットが
得られているのに対し、ラジアルチルトがある場合には
図２（ｂ）のように、サブスポットの左右のピークの高
さが大きく異なっている。図２（ｂ）のスポットで検出
されるサブ信号には、左右の隣接トラックの信号成分が
非対称に含まれる。左右の隣接トラックの信号が等しく
サブ信号に含まれているときには、適当な割合でメイン
信号からサブ信号を引き算することで、両隣接トラック
からのクロストーク成分を同時に除去することができる
のに対し、両隣接トラックの信号成分が非対称なときに
は、左右のトラックに対する最適な差動演算の割合が異
なり、両隣接トラックからのクロストーク成分を同時に
除去することができなくなる。

【００１３】上述したようなサブスポットの変形を抑制
することができればジッタの悪化を防ぐことができる。
本発明の光ピックアップでは、偏光性位相フィルタの位
相変移量を制御することで、ラジアルチルト量によらず
左右のピークの高さをほぼ一定に保つことができる。

【００１４】図１に本発明の光ピックアップの構成を示
す。図８に示した従来の光ピックアップと同様に半導体
レーザ１から出射された直線偏光を４分の１波長板２に
よって両偏波を生成する。可変偏光性位相フィルタ３は
左右に２分割された液晶素子からなり、一方の偏光成分
にのみ任意の位相変移を与えることができる。ディスク
５表面に生成されるメインスポット１０、サブスポット
１１の形状は従来の光ピックアップと同様であるが、光
ディスク５のラジアルチルト量に応じて偏光性位相フィ
ルタ３の位相段差量を制御し、常に両ピークの大きさが
等しくできることが、従来の光ピックアップと異なる。
光ディスク５からの反射光を検出する光学系は図８に示
した光ピックアップと同様である。

【００１５】図１の光ピックアップで０．３度のラジア
ルチルトが生じた時のサブスポット１１のラジアル方向
断面形状を図２（ｃ）に示す。図２（ｂ）のように位相
段差量がπで固定されている場合には左右のピークの高
さが異なっていたのに対し、図２（ｃ）では偏光性位相
フィルタの位相段差量を１．１５πにすることで左右の
ピークの高さがほぼ等しいサブスポットが得られてい
る。

【００１６】このようにラジアルチルトの量に応じてサ
ブビームに与える位相段差量を最適化したときのジッタ
の計算例を図３に示す。位相段差をπに固定したときに
はジッタの値が１５％以下の領域は±０．３度にすぎな
かったのに対し、位相段差を最適化したときには±０．
５度の範囲でジッタが１５％以下に押さえられ、光ディ
スクのたわみ、光ピックアップやディスクの取り付け角
度誤差を考慮しても十分なラジアルチルトマージンが得
られている。

【００１７】図１の可変偏光性位相フィルタ３は、例え
ば液晶素子を用いて容易に作成することができる。液晶
素子を用いた可変偏光性位相フィルタの断面構成の一例
を図４に示す。ネマティック液晶分子が２枚の対向する
ガラス基板６０，６１の間に封入されている。ガラス基
板６０、６１上にはそれぞれ透明な制御電極６３，６４
と対向電極６５が装荷され、制御電極に印可される電圧
によって液晶分子６６に任意の電界を印可することがで
きる。制御電極６３、６４、対向電極６５ともに、紙面
に平行な方向に配向処理が行われているいわゆるホモジ
ニアス配向と呼ばれる構成となっている。図４（ａ）
は、対向電極６５と制御電極６３、６４の間に電圧が印
可されないときの様子を表しており、液晶分子６６は電
極の配向方向に添って整列している。液晶分子６６が図
のように整列している場合には、液晶は光学異方性を持
ち、図中液晶分子を表す楕円の長軸方向が液晶の光学軸
方向となる。図４（ａ）の状態では液晶素子６６の右側
半分に入射する光、左側に入射する光とも、紙面に平行
な偏光成分は液晶素子中を異常光として伝搬し、紙面に
垂直な偏光成分は液晶素子中を常光として伝搬する。こ
のため右側、左側に入射する光は両偏波とも位相段差を
感じることなく伝搬する。

【００１８】これに対し図４（ｂ）は、液晶素子の左側
制御電極６３にのみ電圧が印可された場合の液晶分子の
様子を示しており、電極に垂直な方向に印可された電界
方向に添うように液晶分子が配向される。このとき紙面
に平行な偏光成分は、左側半分では常光として伝搬し、
右側半分の領域では異常光として伝搬する。このため、
左右の領域で光の感じる屈折率が異なり、左右で位相段
差が与えられることになる。位相段差量φは、液晶層の
厚さｄ、液晶の常光に対する屈折率ｎｏ、異常光に対す
る屈折率ｎｅを用いて、 φ＝ｄ（ｎｅ−ｎｏ） で表される。また、紙面に垂直な偏光成分は左右の両領
域で常光として伝搬するため位相段差は生じない。

【００１９】以上の説明では、電極間に十分に大きな電
圧が印可されていることを仮定しているが、比較的小さ
な電圧が印可された場合の液晶素子の様子を示したのが
図４（ｃ）である。電極表面の液晶分子は電極表面の配
向処理の影響を強く受けて電極表面に平行に近い角度を
なし、液晶層の中間部分の液晶分子は、印可電界の影響
をより強く受けて電界方向に配向しようとする。結果、
図のように液晶分子は電極表面に対して斜めの角度をな
すことになる。印可電圧が大きい時には液晶分子は電極
に対してより垂直に近い角度に傾斜し、印可電圧が小さ
いときには電極に平行に近い角度を取る。このとき、液
晶の左側半分の領域に入射する紙面に平行な偏光成分は
ｎｅとｎｏの中間の値の屈折率を感じ、左右の領域間の
位相段差φは φ＝α×ｄ（ｎｅ−ｎｏ） となる。ただし、αは印可電圧によって決まる０以上１
以下の定数である。現在市販されている液晶表示デバイ
スと同様の液晶を用いたとき、液晶層厚ｄを１０μｍと
し、数Ｖのオーダーの印可電圧で可視光に対して１波長
分の位相段差を与えることができる。このように、図４
の構成の液晶素子を用い印可電圧を制御することによっ
て、一方の偏光成分にのみ左右の領域間で任意の位相段
差を与えることができる。

【００２０】以上で説明したように、位相段差を制御可
能な偏光性位相フィルタを用いて、ラジアルチルトマー
ジンの広い同軸２ビームクロストークキャンセラ機能を
有する光ピックアップを構成することができるが、この
光ピックアップを用いて光ディスク再生装置を構成する
場合には、例えばチルト検出手段を用いるのが有用であ
る。その光ディスク再生装置の概略構成図を図５に示
す。ラジアルチルト検出手段７３で検出したラジアルチ
ルト量に応じてあらかじめ設定された可変偏光性位相フ
ィルタの位相段差量を制御することで最適なサブスポッ
トの形状を維持することができ、ラジアルチルトマージ
ンを確保することができる。

【００２１】また、さらに制御精度を高くするために
は、光ディスク７１が挿入されるたびに光ピックアップ
７２を内周から外周にスキャンし、それぞれの位置でラ
ジアルチルト量と、それぞれの位置でのジッタ値が最小
になる位相段差量とを測定しておき、ラジアルチルト量
に応じた最適な位相段差量をメモリ内に保持しておく方
法がある。再生時には検出されたラジアルチルト量に応
じて、メモリ内に保持された最適位相段差量に設定する
ことでジッタを最適に保つことができる。この方式では
ラジアルチルト検出手段の取り付け誤差や、可変偏光性
位相フィルタの駆動電圧ばらつきなどによらず、常に位
相段差量を最適な値に保つことが可能である。

【００２２】また、ラジアルチルト検出手段を用いず、
安価な構成で可変偏光性位相フィルタの位相段差量を最
適に保つことのできる光ディスク再生装置の概略構成を
図６に示す。位相段差制御手段は、位相段差量記憶手段
８０に保持された位相段差量よりわずかに大きい段差量
とわずかに小さい段差量とを交互に発生する。段差量が
わずかに大きいときのジッタの値をジッタ記憶手段７８
ａに保持し、段差量がわずかに小さいときのジッタの値
をジッタ記憶手段７８ｂに保持する。ジッタ比較手段７
９で両ジッタ記憶手段の内容を比較し、ジッタ記憶手段
７８ａのジッタがより小さいときには位相段差量記憶手
段８０の保持内容を大きくし、逆にジッタ記憶手段７８
ｂのジッタがより小さいときには位相段差量記憶手段８
０の保持内容を小さくすることで位相段差量記憶手段８
０に保持される位相段差量と、最適な位相段差量の差を
最小に保つことができる。ジッタの値を検出するには一
定の時間が必要であり、ジッタ検出手段の周波数特性を
高くできないことから、本方式では位相段差量を高速に
最適な値に追従させることはできない。しかしながら、
ラジアルチルトは主にディスク全体の反りに起因するた
め、再生中に大きくラジアルチルト量が変動することは
少なく、図６の構成の光ディスク再生装置にて十分な再
生特性を得ることができる。

【００２３】以上の説明では全て光情報再生装置に関す
る実施例を挙げたが、本発明の光ピックアップ装置は記
録再生可能な光情報処理装置に応用しても大きな効果を
得ることができる。従来の２ビーム方式クロストークキ
ャンセラ光ピックアップではサブビームが２ピーク形状
をしているため、クロストークキャンセラ機能を持たな
い光ピックアップに比べて光ディスク上での光パワが半
径方向に広がってしまい、記録されるマーク幅が大きく
なる可能性があるとともに、光パワがメインスポットと
サブスポットに分散されるために光スポットのピークパ
ワが小さくなる欠点があった。本発明の光情報記録再生
装置はこの欠点を克服するものである。

【００２４】本発明の光情報記録再生装置の概略構成を
図７に示す。システム制御手段８５は、情報再生時に
は、半導体レーザの発光光量を小さくし、かつ図５や図
６に示した情報再生装置と同様に可変偏光性位相フィル
タの位相段差量をクロストークキャンセラが最適に動作
するように制御する。また情報記録時には半導体レーザ
の発光光量を大にし、かつ可変偏光性位相フィルタの位
相段差を０にする。可変偏光性位相フィルタの位相段差
量が０のときには、両偏波とも光ディスク上で回折限界
の集光スポットを形成するので、通常の光ピックアップ
と比較してパワーロスのない光学系が実現される。

【００２５】

【発明の効果】本発明によって、ラジアルチルトマージ
ンの広い同軸２ビーム方式クロストークキャンセラ光ピ
ックアップ及び光情報再生装置を実現することができ
る。また記録時の光パワーロスの少ない光情報記録再生
装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ピックアップ光学系の概略構成図

【図２】ラジアルチルトがあるときとないときのサブス
ポット形状のラジアル方向断面を表す図

【図３】本発明の光ピックアップのラジアルチルトマー
ジンを表す図

【図４】可変偏光性位相フィルタの一例の断面構成図

【図５】ラジアルチルト検出手段を用いた本発明の光情
報再生装置の一実施例の概略構成図

【図６】位相段差量追従式の本発明の光情報再生装置の
一実施例の概略構成図

【図７】本発明の光情報記録再生装置の一実施例の概略
構成図

【図８】従来の２ビーム法クロストークキャンセラ光ピ
ックアップ光学系の概略構成図

【図９】従来の偏光性位相フィルタの作製プロセスフロ
ーチャート

【図１０】従来の２ビーム法クロストークキャンセラ光
ピックアップのラジアルチルトマージンを表す図

【符号の説明】

１，１’ 半導体レーザ ２，２’ ４分のＩ波長板 ３ 可変偏光性位相フィルタ ３’ 偏向性位相フィルタ ４，４’ 対物レンズ ５，５’ 光ディスク ６，６’ 偏光ビームスプリッタ ７，７’ 光検出器 ８，８’ 光検出器 １０，１０’ メインスポット １１，１１’ サブスポット １２，１２’ 再生対象トラック １３，１３’ 隣接トラック １４，１４’ 隣接トラック ２１，２１’ メイン信号 ２２，２２’ サブ信号 ２３，２３’ 差動演算回路 ３０ ニオブ酸リチウム基板 ３１ 金属膜 ５０，５１，５２ サブスポット強度分布 ６０，６１ ガラス基板 ６３ 左側制御電極 ６４ 右側制御電極 ６５ 対向電極 ６６ 液晶分子 ７１ 光ディスク ７２ 光ピックアップ ７３ ラジアルチルト検出手段 ７４ 位相段差制御手段 ７５ 光ディスク ７６ 光ピックアップ ７７ ジッタ検出手段 ７８ａ，７８ｂ ジッタ記憶手段 ７９ ジッタ比較手段 ８０ 位相段差量記憶手段 ８１ 位相段差量制御手段 ８２ 光ディスク ８３ 光ピックアップ ８４ 半導体レーザ駆動装置 ８５ 可変偏光性位相フィルタ制御装置 ８６ システム制御装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水内 公典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山本 和久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB02 BB05 CC04 DD03 EE12 FF45 KK13 5D119 AA14 BA01 BB01 BB04 EB12 EC13 EC44 JA63 KA04

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コヒーレント光源と、前記コヒーレント
   光源からの光を情報担体上に集光する集光光学系と、前
   記コヒーレント光源からの光の第１の偏光成分にのみ任
   意量の位相変移を与える可変偏光性位相フィルタと、前
   記情報担体からの反射光を前記第１の偏光成分と他の第
   ２の偏光成分に分離する偏光分離手段と、前記情報担体
   からの反射光の第１の偏光成分を検出する第１の光検出
   器と、前記情報担体からの反射光の第２の偏光成分を検
   出する第２の光検出器とを少なくとも有し、前記可変偏
   光性位相フィルタは前記情報担体上の情報トラックと平
   行な方向に少なくとも２分割されて第１第２の領域をも
   ち、前記第１第２の領域でそれぞれ独立に位相変移量が
   与えられることを特徴とする光ピックアップ。
2. 【請求項２】 前記偏光性位相フィルタが液晶素子から
   なることを特徴とした請求項１記載の光ピックアップ。
3. 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２記載の光ピッ
   クアップと、前記情報担体の傾きを検出するチルト検出
   手段と、前記チルト検出手段の出力に応じて前記可変偏
   光性位相フィルタの位相量を変化させる位相量制御手段
   を少なくとも有することを特徴とする光情報記録再生装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１あるいは請求項２記載の光ピッ
   クアップと、前記第１の光検出器の出力と前記第２の光
   検出器の出力を一定の割合で減算してＲＦ信号を得る減
   算手段と、前記ＲＦ信号のジッタを検出するジッタ検出
   手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を記
   憶する位相変移量記憶手段と、前記可変偏光性位相フィ
   ルタの位相変移量を一定量増減させる位相変移量増減手
   段と、前記位相変移量増減手段によって位相変移量を増
   加させたときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶す
   る第１のジッタ記憶手段と、前記位相変移量増減手段に
   よって位相変移量を減少させたときの前記ジッタ検出手
   段の出力信号を記憶する第２のジッタ記憶手段と、前記
   第１のジッタ記憶手段と前記第２のジッタ記憶手段の記
   憶内容を比較するジッタ比較手段とを少なくとも有し、
   前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第２のジッ
   タ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには
   前記位相変移量記憶手段の位相変移量を増加させ、前記
   第２のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第１のジッタ記
   憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すときには前記
   位相変移量記憶手段の位相変移量を減少させることを特
   徴とする光情報記録再生装置。
5. 【請求項５】 前記コヒーレント光源の平均光出力が一
   定値以上の時は前記可変偏光性位相フィルタの位相変移
   量を０にすることを特徴とした請求項３記載の光情報記
   録再生装置。
6. 【請求項６】 請求項１あるいは請求項２記載の光ピッ
   クアップと、前記第１の光検出器の出力と前記第２の光
   検出器の出力を一定の割合で減算してＲＦ信号を得る減
   算手段と、前記ＲＦ信号のジッタを検出するジッタ検出
   手段と、前記可変偏光性位相フィルタの位相変移量を記
   憶する位相変移量記憶手段と、前記可変偏光性位相フィ
   ルタの位相変移量を増減させる位相変移量増減手段と、
   前記位相変移量増減手段によって位相変移量を増加させ
   たときの前記ジッタ検出手段の出力信号を記憶する第１
   のジッタ記憶手段と、前記位相変移量増減手段によって
   位相変移量を減少させたときの前記ジッタ検出手段の出
   力信号を記憶する第２のジッタ記憶手段と、前記第１の
   ジッタ記憶手段と前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容
   を比較するジッタ比較手段とを少なくとも有し、 前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以下であり
   かつ前記第１のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第２の
   ジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すとき
   には前記位相変移量記憶手段の位相変移量を増加させ、 前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以下であり
   かつ前記第２のジッタ記憶手段の記憶内容が前記第１の
   ジッタ記憶手段の記憶内容より小さなジッタを示すとき
   には前記位相変移量記憶手段の位相変移量を減少させ、 前記コヒーレント光源の平均光出力が一定値以上の時
   は、前記位相変移量記憶手段の位相変移量を０にするこ
   とを特徴とする光情報記録再生装置。