JP4184745B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
【0002】
本発明は、電気的に書き込みが可能な不揮発性の半導体記憶装置、特にその読み出し動作においてメモリセルに対するドレイン電位を発生する回路に関するものである。
【0003】
【従来の技術】
【0004】
【特許文献1】
特開2000−11668号公報
【特許文献2】
特開平6−215585号公報
【特許文献3】
特開平6−342598号公報
【0005】
図2は、従来の半導体記憶装置の一例を示す構成図である。
この半導体記憶装置は、電気的に書き込みが可能な不揮発性のメモリで、複数のメモリアレイMAk(k=0〜p)を備えている。各メモリアレイMAkは同一構成で、平行に配置された複数のワード線WLi(i=0〜m)と、これに交差して配置されたドレイン線DLj(j=0〜n)を有し、各ドレイン線DLj,DLj+1間には、ソース線SLjが平行に配置されている。
【0006】
各ワード線WLi、ドレイン線DLj及びソース線SLjの交差箇所には、メモリセルMCEi,jが配置され、各ワード線WLi、ドレイン線DLj+1及びソース線SLjの交差箇所には、メモリセルMCOi,jが配置されている。以下の説明において、構成要素を具体的に指定する場合以外は、i,j等の添字は省略する。
【0007】
メモリセルMCE,MCOは、浮遊ゲートを有する電界効果トランジスタ(以下、「FET」という)で構成され、その制御ゲート、ドレイン及びソースは、それぞれ対応するワード線WL、ドレイン線DL及びソース線SLに接続されている。
【0008】
メモリセルMCE,MCOの浮遊ゲートに電荷が存在しないときは、FETの閾値電圧が低くなってオン状態(例えば、記憶内容“1”)となり、電荷が存在すると閾値電圧が上昇してオフ状態(例えば、記憶内容“0”)となる。浮遊ゲートは他の電極から絶縁されているので、例えばワード線WLに高電圧を印加して電荷を蓄積すると、電源を切断してもその記憶内容が保存される。
【0009】
各ドレイン線DLjは、それぞれNチャネルMOSトランジスタ(以下、「NMOS」という)1jを介してドレイン電位MCDに接続されている。偶数番目のNMOS1jのゲートには偶数選択信号SEVが与えられ、奇数番目のNMOS1jのゲートには奇数選択信号SODが与えられ、それぞれオン/オフ制御されるようになっている。
【0010】
また、各ソース線SLjは、メモリアレイ選択信号MASで共通にオン/オフ制御されるNMOS2jを介してビット線BLjに接続されている。ビット線BLjには、各メモリアレイMAのソース線SLjが、それぞれのNMOS2jを介して接続されている。
【0011】
更に、ビット線BL0は、NMOS30を介してデータ線DL0に接続され、ビット線BLnは、NMOS4nを介してデータ線DL1に接続されている。また、ビット線BL1〜BLn−1は、それぞれNMOS31〜3n−1とNMOS41〜4n−1を介して、データ線DL0,DL1に共通接続されている。そして、各NMOS3jとNMOS4j+1は、それぞれビット線選択信号Yjでオン/オフ制御されるようになっている。
【0012】
データ線DL0,DL1は、それぞれセンスアンプ(SA)50,51に接続され、このセンスアンプ50,51から、所定の論理レベルのデータD0,D1が出力されるようになっている。
【0013】
各メモリアレイMAのワード線WLに対する選択信号、偶数選択信号SEV、奇数選択信号SOD、及びメモリアレイ選択信号MASは、図示しないアドレスデコーダから出力されるワード線選択信号XP0〜XPm、メモリアレイ選択信号MAS0〜MASp、及び偶数奇数選択信号YEV,YODに基づいて、対応するメモリアレイ駆動回路MADRから与えられている。また、NMOS3,4に対するビット線選択信号Yは、アドレスデコーダから与えられている。一方、各メモリアレイMAに対するドレイン電位MCDは、ドレイン電位発生回路10から共通に与えられるようになっている。
【0014】
ドレイン電位発生回路10は、チップ選択信号/CE(但し、「/」は反転を意味する)によって、この半導体記憶装置がアクティブ状態にされたときに、各メモリアレイMAの読み出し動作のために、電源電圧VCC(例えば、3V)よりも十分低いドレイン電位MCD(例えば、1.2V)を発生するものである。
【0015】
このドレイン電位発生回路10は、チップ選択信号/CEで導通状態が制御されるPチャネルMOSトランジスタ(以下、「PMOS」という)11とNMOS12を有している。PMOS11のソースは電源電圧VCCに接続され、ドレインはノードN1に接続されている。ノードN1にはNMOS12のドレインが接続され、このNMOS12のソースが接地電位GNDに接続されている。
【0016】
更に、ノードN1にはNMOS13のドレインが接続され、このNMOS13のソースとゲートが、それぞれ接地電位GNDとノードN2に接続されている。ノードN2にはNMOS14のソースが接続され、このNMOS14のゲートはノードN1に接続されている。NMOS14のドレインは、ゲートが接地電位GNDに接続されたPMOS15を介して、電源電圧VCCに接続されている。そして、ノードN2からドレイン電位MCDが出力されるようになっている。
【0017】
次に動作を説明する。
【0018】
このような半導体記憶装置において、メモリセルに対する読み出し動作を行う場合、チップ選択信号/CEが“L”されて、アクティブ状態が設定される。これにより、PMOS11とNMOS12は、それぞれオン状態とオフ状態となり、ノードN1は“H”になる。ノードN1が“H”になると、NMOS14はオン状態となり、ノードN2はオン状態のNMOS14とPMOS15を介して電源電圧VCCに接続され、このノードN2の電圧が上昇する。ノードN2の電圧はNMOS13のゲートに帰還され、このNMOS13がオン状態になる。
【0019】
これにより、ノードN1には、電源電圧VCCがPMOS11とNMOS13で分圧された電圧が出力される。ノードN1の電圧は、更にNMOS14のゲートに与えられる。このような帰還ループにより、ノードN2から出力されるドレイン電位MCDは、電源電圧VCCよりも十分低い1.2V程度になる。このため、読み出し動作時に、メモリセルに誤ってデータが書き込まれるというおそれがなくなり、記憶内容が変化せずに保持される。
【0020】
一方、この半導体記憶装置に対する読み出し動作が行われないときには、チップ選択信号/CEが“H”され、スタンバイ状態が設定される。これにより、ドレイン電位発生回路10のPMOS11とNMOS12は、それぞれオフ状態とオン状態となり、ノードN1は接地電位GNDになる。ノードN1が接地電位GNDになると、NMOS14はオフ状態となり、ノードN2はオープン状態となる。この結果、ドレイン電位MCDは出力されず、漏れ抵抗等により実質的に接地電位GNDになる。これにより、各メモリアレイMAにはドレイン電流が流れず、スタンバイ状態における消費電流を削減することができる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
しかしながら、従来の半導体記憶装置では、次のような課題があった。
【0023】
メモリ容量が増加して、メモリアレイやビット線の数が多くなると、ドレイン電位MCDを供給する配線の総延長が長くなり、その配線等の寄生容量による負荷が増大する。このため、チップ選択信号/CEによってスタンバイ状態からアクティブ状態に切り替えられたときに、各メモリアレイMAに供給されるドレイン電位MCDの立ち上がりが遅延し、正常な読み出し動作ができなくなるという課題があった。
【0024】
本発明は、前記従来技術が持っていた課題を解決し、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時に、アクセス遅延が発生しないMCD発生回路を備えた半導体記憶装置を提供するものである。
【0025】
【課題を解決するための手段】
【0026】
前記課題を解決するために、本発明は、読み出し動作時に読み出し対象のメモリセルに印加するドレイン電位を生成する電位発生回路を備えた電気的に書き込みが可能な不揮発性の半導体記憶装置において、前記電位発生回路は、動作許可信号に基づいて出力電位を入力側に帰還して所定の前記ドレイン電位を生成する電位発生手段と、該動作許可信号が与えられたときに一時的に該出力電位の帰還を停止させて該ドレイン電位を上昇させる帰還停止手段を有している。
【0027】
本発明によれば、以上のように半導体記憶装置を構成したので、動作許可信号が与えられたときに、電位発生回路で発生されるドレイン電位が一時的に所定の電位よりも高くなる。これにより、メモリセルに印加されるドレイン電位は、急速に上昇し、アクセス遅延の発生を抑制することができる。
【0038】
【発明の実施の形態】
【0039】
(第1の実施形態)
【0040】
図1は、本発明の第1の実施形態を示す半導体記憶装置の構成図である。
【0041】
この半導体記憶装置は、図2の半導体記憶装置におけるドレイン電位発生回路10に代えて、構成の異なるドレイン電位発生回路10Aを設けている。その他の構成は、図2と同様であり、共通の要素には共通の符号が付されている。
【0042】
この半導体記憶装置は、図2の半導体記憶装置と同様に、電気的に書き込みが可能な不揮発性のメモリで、データを記憶するための複数のメモリアレイMAk(k=0〜p)を備えている。各メモリアレイMAkは同一構成で、例えばメモリアレイMA0に示すように、平行に配置された複数のワード線WLi(i=0〜m)と、これに交差して配置されたドレイン線DLj(j=0〜n)を有している。更に、各ドレイン線DLj,DLj+1間には、ソース線SLjが平行に配置されている。
【0043】
各ワード線WLi、ドレイン線DLj及びソース線SLjの交差箇所には、偶数側のメモリセルMCEi,jが配置され、各ワード線WLi、ドレイン線DLj+1及びソース線SLjの交差箇所には、奇数側のメモリセルMCOi,jが配置されている。
【0044】
メモリセルMCE,MCOは、浮遊ゲートを有するFETで構成され、その制御ゲート、ドレイン及びソースは、それぞれ対応するワード線WL、ドレイン線DL及びソース線SLに接続されている。
【0045】
メモリセルMCE,MCOの浮遊ゲートに電荷が存在しないときは、FETの閾値電圧が低くなってオン状態(例えば、記憶内容“1”)となり、電荷が存在すると閾値電圧が上昇してオフ状態(例えば、記憶内容“0”)となる。浮遊ゲートは他の電極から絶縁されているので、例えばワード線WLに高電圧を印加して電荷を蓄積すると、電源を切断してもその記憶内容が保存されるようになっている。
【0046】
各ドレイン線DLjは、それぞれNMOS1jを介してドレイン電位MCDに接続されている。偶数番目のNMOS1jのゲートには偶数選択信号SEVが与えられ、奇数番目のNMOS1jのゲートには奇数選択信号SODが与えられ、それぞれオン/オフ制御されるようになっている。
【0047】
また、各ソース線SLjは、メモリアレイ選択信号MASで共通にオン/オフ制御されるNMOS2jを介してビット線BLjに接続されている。ビット線BLjには、各メモリアレイMAのソース線SLjが、それぞれのNMOS2jを介して接続されている。
【0048】
更に、ビット線BL0は、NMOS30を介してデータ線DL0に接続され、ビット線BLnは、NMOS4nを介してデータ線DL1に接続されている。また、ビット線BL1〜BLn−1は、それぞれNMOS31〜3n−1とNMOS41〜4n−1を介して、データ線DL0,DL1に共通接続されている。そして、各NMOS3jとNMOS4j+1は、それぞれビット線選択信号Yjでオン/オフ制御されるようになっている。
【0049】
データ線DL0,DL1は、それぞれセンスアンプ50,51に接続され、このセンスアンプ50,51から、所定の論理レベルのデータD0,D1が出力されるようになっている。
【0050】
各メモリアレイMAのワード線WLに対する選択信号、偶数選択信号SEV、奇数選択信号SOD、及びメモリアレイ選択信号MASは、図示しないアドレスデコーダから出力されるワード線選択信号XP0〜XPm、メモリアレイ選択信号MAS0〜MASp、及び偶数奇数選択信号YEV,YODに従って、各メモリアレイ駆動回路MADRから与えられるようになっている。また、NMOS3,4に対するビット線選択信号Yは、アドレスデコーダから与えられるようになっている。
【0051】
一方、各メモリアレイMAに対するドレイン電位MCDは、ドレイン電位発生回路10Aから共通に与えられるようになっている。ドレイン電位発生回路10Aは、チップ選択信号/CEによって、半導体記憶装置がアクティブ状態にされたときに、各メモリアレイMAの読み出し動作のために、電源電圧VCC(例えば、3V)よりも十分低いドレイン電位MCD(例えば、1.2V)を発生するものである。
【0052】
このドレイン電位発生回路10Aは、チップ選択信号/CEで導通状態が制御されるPMOS11とNMOS12を有している。PMOS11のソースは電源電圧VCCに接続され、ドレインはノードN1に接続されている。ノードN1にはNMOS12のドレインが接続され、このNMOS12のソースが接地電位GNDに接続されている。
【0053】
更に、ノードN1にはNMOS13のドレインが接続され、このNMOS13のソースとゲートが、それぞれ接地電位GNDとノードN2に接続されている。ノードN2にはNMOS14のソースが接続され、このNMOS14のゲートはノードN1に接続されている。NMOS14のドレインは、ゲートが接地電位GNDに接続されたPMOS15を介して、電源電圧VCCに接続されている。
【0054】
また、NMOS14のドレインとソースには、NMOS16のドレインとソースがそれぞれ接続され、このNMOS16のゲートが、PMOS17とNMOS18のドレインに接続されている。PMOS17のゲートとソースは、それぞれ接地電位GNDと電源電圧VCCに接続され、NMOS18のゲートとソースは、それぞれノードN2と接地電位GNDに接続されている。そして、ノードN2からドレイン電位MCDが出力されるようになっている。
【0055】
なお、これらのPMOS17とNMOS18のオン抵抗は、PMOS11とNMOS12のオン抵抗に比べて十分大きく設定されている。
【0056】
次に動作を説明する。
【0057】
このような半導体記憶装置において、メモリセルMCに対する読み出し動作が行われないときには、チップ選択信号/CEが“H”され、スタンバイ状態に設定される。これにより、ドレイン電位発生回路10AのPMOS11とNMOS12は、それぞれオフ状態とオン状態となり、ノードN1は接地電位GNDになる。ノードN1が接地電位GNDになると、NMOS14はオフ状態となる。
【0058】
一方、PMOS15,17は常時オン状態となっているので、ノードN3は“H”となり、NMOS16はオン状態となる。これにより、ノードN2はオン状態のNMOS16とPMOS15を介して電源電圧VCCに接続され、このノードN2の電圧が上昇する。ノードN2の電圧はNMOS13,18のゲートに与えられ、これらのNMOS13,18がオン状態になる。
【0059】
これにより、ノードN3には、電源電圧VCCがPMOS17とNMOS18で分圧されて出力される。ノードN3の電圧は、更にNMOS16のゲートに与えられる。このような帰還ループにより、ノードN2から出力されるドレイン電位MCDは、電源電圧VCCよりも十分低い1.2V程度に保持される。このとき、オン状態のPMOS17とNMOS18を通して、電源電圧VCCから接地電位GNDに貫通電流が流れるが、これらのPMOS17とNMOS18のオン抵抗は極めて大きな値に設定されているので、その電流は極めて小さな値である。
【0060】
次に、メモリセルに対する読み出し動作を行うために、チップ選択信号/CEが“L”に設定されてアクティブ状態になると、PMOS11とNMOS12は、それぞれオン状態とオフ状態となる。一方、NMOS13はオン状態のままであり、ノードN1には、電源電圧VCCがPMOS11とNMOS13で分圧されて出力される。ノードN1の電圧は、更にNMOS14のゲートに与えられる。このような帰還ループにより、ノードN2から出力されるドレイン電位MCDは、スタンバイ状態と同様に電源電圧VCCよりも十分低い1.2V程度に保持される。
【0061】
ドレイン電位発生回路10Aで発生されたドレイン電位MCDは、各メモリアレイMAに供給され、メモリアレイ選択信号MASkで選択されたメモリアレイMAkのドレイン線DLを介して、偶数側または奇数側のメモリセルMCのドレインに印加される。更に、選択されたメモリアレイMAk中で、選択信号によって選択されたワード線WLに接続されるメモリセルMCのオン/オフ状態が、ソース線SLを介してビット線BLに出力される。
【0062】
各ビット線BLは、更にビット線選択信号Yによって選択され、データ線DL0,DL1にその状態が出力され、センスアンプ50,51で所定の論理レベルに変換されてデータD0,D1が出力される。
【0063】
以上のように、この第1の本実施形態の半導体記憶装置は、スタンバイ状態においても、アクティブ状態とほぼ同様のドレイン電位MCDを発生するために、NMOS16,18とPMOS17による帰還回路を追加したドレイン電位発生回路10Aを備えている。更に、PMOS17とNMOS18は、大きなオン抵抗のものを用いて、貫通電流の増加を抑えている。これにより、消費電流をほとんど増加させることなく、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時におけるアクセス遅延をなくすことができるという利点がある。
【0064】
(第2の実施形態)
【0065】
図3は、本発明の第2の実施形態を示すドレイン電位発生回路の回路図である。このドレイン電位発生回路10Bは、図2中のドレイン電位発生回路10に代えて設けられるもので、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0066】
このドレイン電位発生回路10Bは、図2中のドレイン電位発生回路10に、NMOS19、PMOS20、及びパルス発生回路21を設けたものである。NMOS19のソースはノードN1に接続され、ドレインはPMOS20を介して電源電圧VCCに接続されている。パルス発生回路21は、チップ選択信号/CEの立ち下がり時に、一定時間だけ“H”になるパルス信号PLSを発生するもので、このパルス信号PLSがNMOS19のゲートに与えられるようになっている。また、PMOS20のゲートは、接地電位GNDに接続されている。その他の構成は、図2中のドレイン電位発生回路10と同様である。
【0067】
図4は、図3の動作を示す信号波形図である。以下、この図4を参照しつつ、図3の動作を説明する。
【0068】
スタンバイ状態では、チップ選択信号/CEは“H”で、パルス発生回路21から出力されるパルス信号PLSは“L”である。従って、PMOS11とNMOS19はオフ状態であり、NMOS12はオン状態である。これにより、ノードN1の信号Sn1は“L”となり、NMOS14はオフ状態となる。そして、ノードN2から出力されるドレイン電位MCDは、近端(ne)及び遠端(fe)とも接地電圧GNDとなる。
【0069】
読み出し動作の開始に伴ってチップ選択信号/CEが立ち下がると、PMOS11とNMOS12は、それぞれオン状態とオフ状態となり、ノードN1の信号Sn1は“H”になる。ノードN1が“H”になると、NMOS14はオン状態となり、ノードN2はオン状態のNMOS14とPMOS15を介して電源電圧VCCに接続されて、このノードN2の電圧が上昇する。ノードN2の電圧はNMOS13のゲートに帰還され、このNMOS13がオン状態になる。これにより、ノードN1には、電源電圧VCCがPMOS11とNMOS13で分圧されて出力される。ノードN1の電圧は、更にNMOS14のゲートに与えられる。
【0070】
これと同時に、チップ選択信号/CEの立ち下がりから一定時間だけ、パルス発生回路21から出力されるパルス信号PLSが“H”になる。これにより、NMOS19がオン状態となり、ノードN2の信号Sn1は電源電圧VCC側に引き上げられ、最大でVCC−Vt(但し、Vtはトランジスタの閾値電圧)まで上昇する。このため、近端のドレイン電位MCDneは最大でVCC−2Vtまで上昇する。一方、遠端のドレイン電位MCDfeはドレイン電位MCDneに遅れて上昇する。
【0071】
チップ選択信号/CEの立ち下がりから一定時間が経過すると、パルス信号PLSは“L”に戻り、NMOS19はオフ状態となる。これによって、このNMOS19による信号Sn1の電位上昇はなくなるが、すでにドレイン電位MCDは一定の電位まで上昇しているので、その電位がそのまま維持される。
【0072】
以上のように、この第2の実施形態によれば、スタンバイ状態からアクティブ状態に変化したときに、一定時間のパルス信号PLSを発生するパルス発生回路21と、このパルス信号PLSによってドレイン電位MCDを電源電圧VCC側に引き上げるNMOS19を有している。これにより、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時に、急速にドレイン電位MCDが立ち上がり、アクセス遅延をなくすことができるという利点がある。
【0073】
(第3の実施形態)
【0074】
図5は、本発明の第3の実施形態を示すドレイン電位発生回路の回路図である。このドレイン電位発生回路10Cは、図2中のドレイン電位発生回路10に代えて設けられるもので、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0075】
このドレイン電位発生回路10Cは、図2中のドレイン電位発生回路10のNMOS13に代えて、直列接続されたNMOS22,23を設けると共に、このNMOS23を制御するためのパルス発生回路21とインバータ24を設けたものである。NMOS22のドレインとゲートは、それぞれノードN1,N2に接続されている。
【0076】
また、パルス発生回路21は、チップ選択信号/CEの立ち下がり時に、一定時間だけ“H”になるパルス信号PLSを発生するもので、このパルス信号PLSがインバータ24で反転され、パルス信号/PLSとしてNMOS23のゲートに与えられるようになっている。その他の構成は、ドレイン電位発生回路10と同様である。
【0077】
図6は、図5の動作を示す信号波形図である。以下、この図6を参照しつつ、図5の動作を説明する。
【0078】
スタンバイ状態では、チップ選択信号/CE、及びパルス信号/PLSは、共に“H”である。従って、PMOS11はオフ状態、NMOS12,23はオン状態であり、ドレイン電位MCDは接地電位GNDとなる。
【0079】
読み出し動作の開始に伴ってチップ選択信号/CEが立ち下がると、PMOS11とNMOS12は、それぞれオン状態とオフ状態となり、これと同時に、チップ選択信号/CEの立ち下がりから一定時間だけ、パルス信号/PLSが“L”になる。これにより、NMOS23がオフ状態となって、NMOS22による帰還動作が停止され、ノードN1の信号Sn1は電源電圧VCCまで上昇する。これにより、ノードN2に出力されるドレイン電位MCDは、VCC−Vtとなる。
【0080】
チップ選択信号/CEの立ち下がりから一定時間が経過すると、パルス信号/PLSは“H”に戻り、NMOS23はオン状態となる。これにより、ドレイン電位発生回路10Cは、図2中のドレイン電位発生回路10と同様の回路となり、NMOS22による帰還動作が開始され、ドレイン電位MCDは、VCC−Vtから所定の電位に変化する。
【0081】
以上のように、この第3の実施形態によれば、スタンバイ状態からアクティブ状態に変化したときに、一定時間のパルス信号/PLSを発生するパルス発生回路21と、このパルス信号/PLSによってノードN1を接地電位GNDから切り離し、ドレイン電位MCDを電源電圧VCC側に引き上げるNMOS23を有している。これにより、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時に、急速にドレイン電位MCDが立ち上がり、アクセス遅延をなくすことができるという利点がある。
【0082】
(第4の実施形態)
【0083】
図7は、本発明の第4の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。このメモリアレイMAAk(但し、k=0〜p)は、図2中の各メモリアレイMA0〜MApに代えて設けられるもので、図2中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【0084】
このメモリアレイMAAkは、ドレイン電位発生回路10から供給されるドレイン電位MCDを、スイッチ用のNMOS31k,32kを介して、各ドレイン線DL0〜DLnに与えるように構成したものである。
【0085】
NMOS31k,32kは並列に接続され、入力側にドレイン電位MCDが与えられ、それぞれ偶数選択信号SEVkと奇数選択信号SODkによってオン/オフ制御されるようになっている。また、NMOS31k,32kの出力側は、NMOS10〜1nを介して、各ドレイン線DL0〜DLnに接続されている。その他の構成は、図2と同様である。
【0086】
このようなメモリアレイMAAを備えた半導体記憶装置では、選択されたメモリアレイMMAkのNMOS31k,32kがオン状態となり、選択されていないメモリセルアレイMMAj(但し、j≠k)のNMOS31j,32jは、すべてオフ状態となる。これにより、ドレイン電位発生回路10の負荷の寄生容量が減少し、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時に、ドレイン電位MCDが正常に立ち上がる。
【0087】
以上のように、この第4の実施形態によれば、各メモリアレイMAAは、選択されたときにのみ、ドレイン電位MCDの供給を受けるためのスイッチ用のNMOS31,32を有している。これにより、選択されていないメモリアレイMAAは、ドレイン電位発生回路10の負荷側から切り離されるので、このドレイン電位発生回路10の負荷の寄生容量を減少させることができる。従って、スタンバイ状態からアクティブ状態への切り替え時に、ドレイン電位MCDが正常に立ち上がり、アクセス遅延をなくすことができるという利点がある。
【0088】
(第5の実施形態)
【0089】
図8は、本発明の第5の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。このメモリアレイMABk(但し、k=0〜p)は、図2中のメモリアレイMA0〜MApに代えて設けられるものである。
【0090】
このメモリアレイMABkでは、図7のメモリアレイMAAkのスイッチ用のNMOS31k,32kに代えて、スイッチ用のNMOS33kを設け、このNMOS33kをメモリアレイ選択信号MASkでオン/オフ制御するようにしている。その他の構成は図7と同様である。
【0091】
このメモリアレイMABkは、図7のメモリアレイMAAkよりもスイッチ用のNMOSの数が少ないので、第4の実施形態の効果に加えて、回路規模を小さくすることができるという効果がある。
【0092】
(第6の実施形態)
【0093】
図9は、本発明の第6の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。このメモリアレイMACk(但し、k=0〜p)は、専用のドレイン電位発生回路10Ekを備えたもので、図2中の各メモリアレイMA0〜MApに代えて設けられるものである。これに伴い、図2中のドレイン電位発生回路10は削除される。
【0094】
このメモリアレイMACkにおけるメモリセルの回路構成は、図2中のメモリアレイMA0〜MApと同様である。
【0095】
一方、ドレイン電位発生回路10Ekは、図2中のドレイン電位発生回路10に、否定的論理和ゲート(以下、「NAND」という)25を追加したものである。即ち、NAND25によってチップ選択信号CEと、このメモリアレイMACkに対するメモリアレイ選択信号MASkの否定的論理和をとり、これをチップ選択信号/CEとしてドレイン電位発生回路10を制御するようにしたものである。
【0096】
これにより、選択されたメモリアレイMACkのドレイン電位発生回路10Ekのみが作動し、このドレイン電位発生回路10Ekで発生されたドレイン電位MCDkが、このメモリアレイMACkに供給される。
【0097】
以上のように、この第6の実施形態によれば、各メモリアレイMACkは、それぞれ専用のドレイン電位発生回路10Ekを有している。これにより、半導体記憶装置を適切な記憶容量のメモリアレイに分割することにより、全体の記憶容量に影響されず、適切なドレイン電位MCDを発生することが可能になり、アクセス遅延をなくすことができるという利点がある。
【0098】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。この変形例としては、例えば、次のようなものがある。
【0099】
(a) ドレイン電位発生回路10A〜10Dの構成は、図示したものに限定されない。読み出し動作時に、誤った書き込みを行わないような、適切なドレイン電位MCDを生成することができる構成であれば良い。
【0100】
(b) 図1の半導体記憶装置は、複数のメモリアレイMAを有しているが、1つのメモリアレイで構成されたものにも同様に適用可能である。
【0101】
(c) 図1、及び図7〜図9のメモリアレイMAは、偶数側のメモリセルMCEと奇数側のメモリセルMCOに分けて構成しているが、このような構成に限定されない。
【0102】
【発明の効果】
【0103】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、電位発生回路は、動作許可信号が与えられたときに、一時的に所定の電位よりも高いドレイン電位を発生するように構成されている。これにより、読み出し動作の開始時に、メモリセルに印加されるドレイン電位が急速に上昇し、アクセス遅延の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す半導体記憶装置の構成図である。
【図2】従来の半導体記憶装置の一例を示す構成図である。
【図3】本発明の第2の実施形態を示すドレイン電位発生回路の回路図である。
【図4】図3の動作を示す信号波形図である。
【図5】本発明の第3の実施形態を示すドレイン電位発生回路の回路図である。
【図6】図5の動作を示す信号波形図である。
【図7】本発明の第4の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。
【図8】本発明の第5の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。
【図9】本発明の第6の実施形態を示すメモリアレイの回路図である。
【符号の説明】
MA メモリセル
10 ドレイン電位発生回路
11,15,17,20 PMOS
12〜14,16,18,19,22,23 NMOS
21 パルス発生回路
25 NAND
31〜33 スイッチ(NMOS)
Claims (1)
- 読み出し動作時に読み出し対象のメモリセルに印加するドレイン電位を生成する電位発生回路を備えた電気的に書き込みが可能な不揮発性の半導体記憶装置において、
前記電位発生回路は、動作許可信号に基づいて出力電位を入力側に帰還して所定の前記ドレイン電位を生成する電位発生手段と、該動作許可信号が与えられたときに一時的に該出力電位の帰還を停止させて該ドレイン電位を上昇させる帰還停止手段とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
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