JP4177293B2 - 半導体接合ウエハ - Google Patents
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Description
詳しくは、2枚のシリコン基板の接合面を密接させ、所定温度の固着熱処理により両ウエハを加熱して所望の接合強度に貼り合わせた半導体接合ウエハに関する。
このボイドの発生原因としては、先ず、接着されるシリコン基板の表面に付着したパーティクルが起因して接合界面に未接着の隙間を形成すると考えており、その他の原因としては、シリコン基板の表面に吸着している水分や有機物などが固着熱処理によって、熱エネルギーでシリコン表面から脱離してガス化されるために接合界面にボイドが生ずると考えている。
そのため、デバイスが作製される活性層の比抵抗を変化させてしまい、デバイス特性に悪影響を及ぼす可能性があるという問題がある。
従って、密接後の固着熱処理温度は、より低ければ良いが、その場合には前述の熱処理中に発生するボイドを消滅できないという問題があった。
また、前述した900℃以上の高温領域で固着熱処理を施した後に、超音波探傷法を用いてボイドを観察することにより、ボイドが完全に消滅したのを確認できた場合であっても、その接合界面の結晶性評価をX線で行うと、ボイドの外形状に似たリング状の結晶欠陥が検出され、ボイドがリング状結晶欠陥として残存するという問題があった。
このリング状結晶欠陥は、比較的に厚さの薄い2枚のシリコン基板を接合させた場合に、全面的に多く検出されることが解った。
更に、ボンド層を研削研磨した後、表面を選択エッチングして表面の結晶性を評価したところ、X線で観察されたリング状結晶欠陥と同じ欠陥パターン(発生位置・大きさ)が確認され、そのため、このリング状結晶欠陥がデバイス特性に悪影響を及ぼすことも解った。
請求項2記載の発明は、請求項1に記載の発明の目的に加えて、ボイドの発生をより確実に防止することを目的としたものである。
請求項3記載の発明は、請求項1に記載の発明の目的に加えて、リング状結晶欠陥の発生を防止することを目的としたものである。
請求項4記載の発明は、請求項1に記載の発明の目的に加えて、ウエハライフタイムの改善を図って生産性を向上させることを目的としたものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に、前記200℃の低温領域から1.5℃/分以下の昇温速度で少なくとも100℃以上昇温させ、所定の温度で維持した構成を加えたことを特徴とする。
このような構成から生じる発明の作用については、200℃以下の低温状態では、シリコン(Si)の表面に、ウエハを希フッ酸水溶液中に浸漬させることにより一部形成されたSi−F(ほとんどはSi−H)が純水リンスすることで加水分解されてSi−OHに変換され、その結果形成された水酸基(OH)を介した水素結合で接合されている。
200℃より高温では、接合面で脱水縮合が起きてSiと酸素(O)の結合(Si−O−Si)ができて強固な結合となり、更に900℃以上の高温状態で接合面の酸素(O)がシリコン基板に拡散されSi原子同士の直接結合(Si−Si)となる。
更に、密接したシリコン基板同士の固着熱処理を、ドーパント不純物の拡散が生じ難い例えば約200℃の低温領域から開始し、かつ昇温速度を例えば1.5℃/分以下に遅くして少なくとも100℃以上昇温させることにより、それら接合面で脱水縮合が起きてシリコン(Si)と酸素(O)の結合(Si−O−Si)ができて強固な結合となると共に、接合面に吸着された水分や有機物のガス化が緩和されて、ボイドの発生が抑制される。
また、請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に、前記200℃の低温領域から1.0℃/分以下の昇温速度で少なくとも200℃以上昇温させ、所定の温度で維持した構成を加えたことを特徴とする。
請求項4記載の発明は、請求項1記載の発明の構成に、前記200℃の低温領域から1.0℃/分以下の昇温速度で少なくとも200℃以上昇温させ、400℃以上の温度領域では上記1.0℃/分以下の昇温速度より早い昇温速度で更に昇温させて、所定の温度で維持した構成を加えたことを特徴とする。
従って、高温の固着熱処理によりボイドを消滅させるとドーパント不純物が拡散して接合境界により緩やかな遷移領域ができる従来のものに比べ、接合境界により緩やかな遷移領域ができず、デバイスが作製される活性層の比抵抗を変化させないと共に、接合界面にボイドが発生せず、しかも低温でも十分な接合強度を保てる。
その結果として後工程の接合ウエハの加工プロセス、及びデバイスプロセスにおける接合界面でのハガレ・ワレ・カケなどの不良品の発生を低減できデバイスチップの低コスト化が実現できることは元より、最終製品であるデバイスの電気特性に悪影響を与えず高品質のデバイスチップが製造可能となる。
従って、ボイドの発生をより確実に防止できる。
従って、リング状結晶欠陥の発生を防止できる。
従って、ウエハライフタイム(WLT)の改善を図って生産性の向上を期待できる。
詳しくは、これら2枚のシリコン基板1,2として、先ずベースウエハとボンドウエハの接合面1a,2aを鏡面研磨し、図1(a)に示す如く、これら接合面1a,2aに形成されている自然酸化膜を、例えば1.5重量%程度のフッ酸(HF)水溶液3に約4分間浸漬して除去する。
このように処理された両ウエハ1,2の接合面1a,2aを、図1(b)に示す如く、清浄な雰囲気下で密接させる。
この時、密接させる様子を赤外線透過影像法によって未接着部分(ボイド)が無いことを確認しながら貼り合せる。
なお図中、符号4は固着熱処理により形成された酸化膜である。
以下、本発明の各実施例を図面に基づいて説明する。
ただし、300℃より高い温度の場合は、300℃から昇温速度をやや速い3.5℃/分に上げて所定温度まで昇温させる2段のシーケンスで実施した。
このように実施例1A〜Hの固着熱処理条件で処理することにより、ボイドの発生が抑制されたことが判る。
引っ張り強度は、エポキシコーティングされたスタッドの接着強度(700Kg/cm2程度)が基準となる。
従って、コーティングスタッドが両ウエハ1,2の接合面1a,2aから剥がれれば、接合界面5の強度は接着剤の強度以上であることを示し、同時にその剥がれた時の強度が計測される。
更に図中、符号6は引っ張り試験用スタッドであり、符号7はエポキシ接着剤である。
また図中、符号8は平面研削面であり、符号2bはボンド層であり、符号2cは鏡面研磨面である。
なお、比較例1A〜Fの固着熱処理温度が300℃〜800℃のウエハは、ボイドが発生するため引っ張り試験を省略した。
ただし、400℃以上の温度領域では、上記昇温速度より早い例えば10℃/分に上げて所定の温度まで更に昇温させる2段のシーケンスで実施した。
その結果、実施例2と比較例2は共にボイドの発生が皆無であった。
その結果、比較例2で行った熱処理条件の場合には、接合界面の全体に多数のリング状結晶欠陥が生じているのに対し、実施例2で行った熱処理条件の場合には、接合界面にリング状結晶欠陥が皆無に極めて近い状態であった。
このように実施例2の固着熱処理条件で処理することにより、リング状結晶欠陥が無くなったことが判る。特に薄いウエハを接合した場合においてもリング状結晶欠陥の発生を著しく低減できた。
このように実施例2の固着熱処理条件で処理することにより、リーク電流の値が小さくなって特性が良くなると共に、面内バラツキも小さくなって特性が良好である。
2 シリコン基板(ボンドウエハ) 2a 接合面
2b ボンド層 2c 鏡面研磨面
3 フッ酸水溶液 4 酸化膜
5 接合界面 6 引っ張り試験用スタッド
7 エポキシ接着剤 8 平面研削面
Claims (4)
- 2枚のシリコン基板(1,2)の接合面(1a,2a)を密接させ、所定温度の固着熱処理によりシリコン基板(1,2)を加熱して所望の接合強度に貼り合わせた半導体接合ウエハにおいて、
前記固着熱処理が、シリコン基板(1,2)の密接した接合面(1a,2a)同士を、200℃の低温領域から1.5℃/分以下の昇温速度で少なくとも100℃以上昇温させて、接合面(1a,2a)に吸着された水分や有機物のガス化を緩和したことを特徴とする半導体接合ウエハ。 - 前記200℃の低温領域から1.5℃/分以下の昇温速度で少なくとも100℃以上昇温させ、所定の温度で維持した請求項1記載の半導体接合ウエハ。
- 前記200℃の低温領域から1.0℃/分以下の昇温速度で少なくとも200℃以上昇温させ、所定の温度で維持した請求項1記載の半導体接合ウエハ。
- 前記200℃の低温領域から1.0℃/分以下の昇温速度で少なくとも200℃以上昇温させ、400℃以上の温度領域では上記1.0℃/分以下の昇温速度より早い昇温速度で更に昇温させて、所定の温度で維持した請求項1記載の半導体接合ウエハ。
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