JP4173138B2 - 初期状態への復旧機能を有する記憶制御装置、記憶装置の制御方法、およびプログラム - Google Patents

Description

本発明は、コンピュータ等における記憶技術、記録技術に関する。

本発明は、固定磁気ディスク装置、または不揮発性の半導体記憶装置等の記憶装置を持つパーソナルコンピュータ等の情報機器に適用される。このような情報機器は、記憶装置に予めオペレーティングシステムやアプリケーションソフトウェア等のコンピュータプログラムを記録して販売される。これらの情報機器は、例えば使用中のトラブル等により工場出荷時の初期状態に戻す機能を必要とされる。
ＦＩＧ．１に、パーソナルコンピュータ等の情報機器が有する固定磁気ディスク装置等の記憶装置の記憶構成を示す。このような情報機器の記憶装置には、ＦＩＧ．１の７００のように、工場出荷時に予めオペレーティングシステムやアプリケーションソフトウェア等のコンピュータプログラムが記録され、販売される。また、このような情報機器では、上記コンピュータプログラムに設定データが付加され、初期データ７０２として固定磁気ディスク上の一部の領域に格納されている。
この初期データ７０２の内部には書き換え可能なプログラムや設定データが混在している。したがって、ユーザがプログラムを使用したり新しいプログラムに更新するに伴い、ＦＩＧ．１の７１０のように初期状態から書き換えられる領域と初期状態のままの領域とが混在することになる。
このような初期データについて、例えば使用中のトラブル等により工場出荷時の初期状態に戻したい場合がある。この初期データを保存する方法としては初期データ領域を単純に書き込み不可能にする方式が考えられる。しかし、このような固定磁気ディスク等の書き込みを不可能にする方法を実際に適用することはできない。プログラムの更新や設定データの更新ができなくなるためである。
従来の技術では、このような固定磁気ディスクを使用中の状態から初期状態に復帰させるために、初期データのコピーをＣＤ−ＲＯＭ等の別の記録媒体に保存しておいてコピーする方式が提案されていた。また、日本の実願平１０−６８６４、特開２０００−１８１７７２等に示されるように、磁気ディスク上の保護された領域に初期データのコピーを置き、復元用のソフトウェアにより、その初期データを所定領域にコピーすることにより初期状態へ復帰する機能が提供されていた。
また、フラッシュメモリ等の不揮発性の半導体記憶装置における従来の技術として、日本の特開昭６３−２２８３２３、特開平５−２１６６５４号公報がある。この特開昭６３−２２８３２３号公報の方式では、記憶領域が初期データ領域、マップ領域および変更データ領域に区分されている。書き込み時は初期データに対する変更部分のアドレスをマップ領域に、変更データを変更データ領域に書き込み、読み出し時には一度初期データをすべて読み出した後に、マップ領域と変更データを順次読み出して初期データを上書きする。
また、特開平５−２１６６５４号公報は、フラッシュメモリを２個使用することにより常に片方のフラッシュメモリに古いプログラムを保存し、フラッシュメモリの書き換え時に起動プログラムが失われるのを防ぐ技術を開示する。
上記従来の技術のようにＣＤ−ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の初期データ保存元からコピーしたり、記憶装置上の別の領域から他の領域コピーする方式では、初期状態に戻す作業のため数分から数十分等の長時間を要する。そして、その作業の間、ユーザはコンピュータを使用できない。
また、特開昭６３−２２８３２３号公報の方式では、一度初期データを読み出した後に、変更データを読み出し、初期データを修正する構成となっており、高速性に対する配慮が十分でない。

本発明はこのような従来の技術の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、コンピュータを出荷時の初期状態に復帰させるために要する時間を可能な限り短縮することにある。
本発明は上記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明は、初期データを記憶する初期データ記憶領域と前記初期データに対応付けられる更新データを記憶する更新データ記憶領域と上記初期データ記憶領域または上記更新データ記憶領域のいずれかを読み出し対象に指定するアドレス変換情報を記憶する指定領域とを含む、そのような記憶装置を制御する記憶制御装置であり、
上記更新データ記憶領域にデータを書き込む書込部と、
初期時点においては初期データ記憶領域を読み出す情報が設定されている指定領域を、上記更新データ記憶領域への書き込みが発生したときに、更新データ記憶領域を読み出す設定に書き換える書換部と、
上記指定領域の情報を初期データを読み出す設定に書き換える初期化部と、
データの読み出しにおいて初期データ記憶領域と更新データ記憶領域のどちらを読み出すかを選択する選択部と、
上記選択部の選択にしたがい、更新データ記憶領域または初期データ記憶領域を読み出す読出部と、を備えるものである。
初期データとは、上記記憶装置または上記記憶装置を含むシステムが例えば工場から出荷されるときに格納されるデータ、コンピュータプログラムまたはその双方である。また、更新データとは、例えば、上記データ、コンピュータプログラム等を追加または変更するデータである。この更新データは、初期データに対応する記憶領域に格納される。初期データに対応する記憶領域とは、例えば、初期データの記憶領域から所定の処理により一意に確定できる記憶領域をいう。
この記憶制御装置は、初期の時点においては初期データ記憶領域を読み出す情報が設定されている指定領域を、上記更新データ記憶領域への書き込みが発生した時点で、更新データ記憶領域を読み出す情報に書き換える。そして、この記憶制御装置は、データの読み出しにおいて初期データ記憶領域と更新データ記憶領域のどちらを読み出すかを選択し、その選択にしたがい、更新データ記憶領域または初期データ記憶領域を読み出す。
このため、本発明によれば、初期データ記憶領域を維持した状態で、初期データと更新データとを組み合わせたデータを保存できる。また、初期データと更新データとを組み合わせたデータを読み出すための読み出し時間の増加は、上記指定領域のデータ読み出し時間の範囲に低減できる。
そして、この記憶制御装置は、上記指定領域の情報を初期データを読み出す設定に書き換える初期化部を備えるので、指定領域への書き込み時間で記憶装置を初期化できる。
好ましくは、上記記憶装置は、初期データ記憶領域と更新データ記憶領域とを所定の記憶単位毎に交互に配置して記憶し、
上記読出部は、交互に配置された初期データ記憶領域のデータと更新データ記憶領域のデータの少なくともいずれかを読み出すようにしてもよい。
好ましくは、上記記憶管理装置は、上記初期データ記憶領域と更新データ記憶領域とを同一の論理アドレスに対応付ける論理アドレス管理部をさらに備えてもよい。
好ましくは、上記記憶装置はディスク型記憶装置であり、上記所定の記憶単位はそのディスクの１以上のトラックであってもよい。これにより、例えば、そのディスクの対のトラックが連続的に読み出されるので、ディスクのシークに伴うアクセス時間を低減できる。
好ましくは、上記記憶装置は、上記初期データ記憶領域、更新データ記憶領域、または指定領域のいずれか１以上を不揮発性の半導体メモリ上に有するものでもよい。
また、本発明は、コンピュータその他の装置、機械等が上記いずれかの処理を実行する方法であってもよい。また、本発明は、コンピュータその他の装置、機械等に、以上のいずれかの機能、ステップ、または処理を実現させるプログラムであってもよい。また、本発明は、そのようなプログラムをコンピュータその他の装置、機械等が読み取り可能な記録媒体に記録したものでもよい。

ＦＩＧ．１は、書き換え可能なプログラムとデータが混在した固定磁気ディスク装置上のデータ格納例であり、
ＦＩＧ．２は、第１実施形態に係る固定磁気ディスク装置の構成例であり、
ＦＩＧ．３は、従来の初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の例であり、
ＦＩＧ．４は、従来の初期状態復帰機能により初期状態に復帰させる、復帰動作の例であり、
ＦＩＧ．５は、第１実施形態に係る情報機器のデータ格納形式の例であり、
ＦＩＧ．６は、論理アドレス→トラック番号変換回路の切り替え動作を示すフローチャートであり、
ＦＩＧ．７は、アドレス変換情報の格納形式の例であり、
ＦＩＧ．８は、初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の変形例１であり、
ＦＩＧ．９は、初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の変形例２であり、
ＦＩＧ．１０は、固定磁気ディスク装置の変形例であり、
ＦＩＧ．１１は、フラッシュメモリ等を含む情報機器において、初期状態復帰機能のためのデータ格納形式の例であり、
ＦＩＧ．１２は、フラッシュメモリを２個使用した場合のデータ格納形式の例であり、
ＦＩＧ．１３は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換情報格納形式の例であり、
ＦＩＧ．１４は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換方法の例（初期状態）であり、
ＦＩＧ．１５は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換方法の例（書き込み動作１）であり、
ＦＩＧ．１６は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換方法の例（書き込み動作２）であり、
ＦＩＧ．１７は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換方法の例（使用中の状態）である。

以下、図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を説明する。
《第１実施形態》
以下、本発明の第１実施形態に係る情報機器をＦＩＧ．２からＦＩＧ．１０の図面に基づいて説明する。
＜機能概要＞
本情報機器は、固定磁気ディスク装置を有する情報機器である。この固定磁気ディスク装置には、オペレーティングシステム（以下、ＯＳという）、各種のアプリケーションプログラムおよび工場出荷時に設定された初期データが格納されている。
従来の情報機器では、このような初期データは、所定の領域に一旦コピーされ、元の初期データを保存した状態で使用されることが多い。これにより、保存された初期データを再度コピーすることにより、情報機器を工場出荷時の初期状態に戻すことができた。
ＦＩＧ．３は、そのような、従来の初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の例である。ＦＩＧ．３の左側には、固定磁気ディスクの工場出荷時の記憶状態３００が示されている。工場出荷時には、トラックｎ−ｍ＋１からｎまでの領域に初期データ３０３が格納され、その初期データ３０３のコピー３０５がトラック１からｍに格納されている。また、工場出荷時、トラックｍ＋１からｎ−ｍの領域は、未使用領域３０４となっている。初期データ３０３のコピー３０５と未使用領域３０４が読み書き可能な更新データ記憶領域３０２を構成している。このような記憶状態を固定磁気ディスクの初期状態という。
このような固定磁気ディスク装置を有する情報機器が使用されるにしたがい、初期データのコピー３０５が書き換えられていく。したがって、一旦利用者に使用された後の情報機器においては、固定磁気ディスクの記憶状態は、ＦＩＧ．３の右側に示される状態３１０のようになる。
すなわち、情報機器の使用中の状態３１０では、初期データ３１１は、元の初期データ３０１と同一である。しかし、初期データのコピー３０５は、書き換えられ、未使用・使用済み領域が混在した状態３１２となっている。
ＦＩＧ．４は、ＦＩＧ．３の使用中の状態３１０を従来の初期状態復帰機能により初期状態に復帰させる復帰動作の例である。ＦＩＧ．４では、トラックｎ−ｍ＋１からトラックｎの領域に格納された初期データ３２１（ＦＩＧ．３の初期データ３０３または３１１と同一内容）がＣＰＵ１１０により読み出され、トラック１からｍにコピーされている。このコピーの結果、初期データのコピー３２３が作成され（これは、ＦＩＧ．３の初期データのコピー３０５と同一である）、さらに、トラックｍ＋１からｎ−ｍの領域が未使用状態の領域３２２に戻っている。
ＦＩＧ．５に示す本実施形態の情報機器では、初期データがコピーされて使用されるのではなく以下の手順により初期データが保存された状態で使用される。すなわち、この情報機器には、固定磁気ディスク上に更新データ記憶領域と同じ論理アドレスにマッピングされる初期データ記憶領域が設けられている。
さらに、この固定磁気ディスク上には、アドレス変換情報を記憶する指定領域が設けられている。このアドレス変換情報は、更新データ記憶領域からの読み出しまたは初期データ記憶領域からの読み出しを指定する。
上記アドレス変換情報の指定にしたがい、初期状態から最初のデータの書き込みが発生するまでは、この情報機器は初期データ記憶領域からのデータを読み出す。そして、最初のデータの書き込み後には、更新データ記憶領域から読み出すように上記アドレス変換情報が変更される。
このように、アドレス変換情報にしたがい読み出し対象領域を切り替えることにより、この情報機器では、初期データをコピーするプロセスが不要となる。また、一旦、初期データが書き換えられた後であっても、元の工場出荷時の初期状態に復帰するに要する時間をほぼ０（読み込み対象の切り替えに要する時間）にする。
＜ハードウェア構成＞
ＦＩＧ．２は、本発明を実施する固定磁気ディスク装置の構成例である。ＣＰＵ１１０はデータの書き込みまたは読み出しに先立って論理アドレス２０２を送信する。すると、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４が論理アドレスをトラック番号２０１に変換し、ヘッド移動機構１０３がヘッド１０２をディスク１０１の上記トラック番号２０１の位置に移動させる。
通常の固定磁気ディスク装置では１つの論理アドレスに対応するトラック番号は一意に決定される。したがって、従来の初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置ではＦＩＧ．３のように初期データを格納し、ＦＩＧ．４のように外部のＣＰＵ１１０のプログラムを使用して初期データをコピーすることで初期状態復帰機能を実現していた。
＜アドレス変換処理＞
ＦＩＧ．５に、本実施形態における情報機器のデータ格納形式を示す。この情報機器は、工場出荷時の状態４００のように固定磁気ディスクの領域を３つ（領域４０１、４０２、および４０３）に区切って構成する。
そして、３つの領域の１つ（トラック番号２ｎ＋１から２ｎ＋ａの領域４０１）にアドレス変換情報４０４を、また、他の１つ（トラック番号ｎから２ｎの領域４０２）に初期データ４０５を記録する。また、残りの１つ（トラック番号１からｎの領域４０３）は、初期データ４０５と同じ大きさの未使用の領域４０６として、固定磁気ディスクの先頭部分に確保する。
ＦＩＧ．５の右側に、書き込み要求が発生した場合の記憶状態を示す。書き込み要求が発生した場合、トラック番号ｎ＋１から２ｎの初期データ４１２を保存した状態で、トラック番号１からｎの領域にデータが書き込まれ、書き込み済み領域４１３と未使用または読み出しのみが実行された領域４１４が生成される。アドレス変換情報４１１には、トラック番号１からｎの各トラックが書き込み済みか否かの情報が保持されている。
このような記憶状態の固定磁気ディスクに読み込み要求が発生すると、書き込み済みのトラックについては、トラック番号１からｎの領域から読み出され、未使用領域のトラックについては、トラック番号ｎ＋１から２ｎの初期データ４１２から読み出される。
すなわち、本情報機器の論理アドレス→トラック番号変換回路１０４は更新データ記憶領域４０３内のトラック番号と初期データ記憶領域４０２内のトラック番号との間で使用するトラックをアドレス変換情報４０４によって切り替える。
ＦＩＧ．６に、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４の切り替え動作を示す。ＣＰＵ１１０から送信された論理アドレスは、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４において、最初に更新データ記憶領域のトラック番号に変換される（Ｓ１０）。
そして、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４は、アクセスが書き込み動作であるか読み出し動作であるかを判定する（Ｓ１１）。
書き込み動作の場合には、そのトラック番号がヘッド移動機構１０３へ送信され、通常のトラック番号を使用してデータが書き込まれる（Ｓ１８）。ここで初期状態から該当トラックに最初の書き込みが行われた場合（Ｓ１５でＮＯの場合）は、ＦＩＧ．７に示すように該当するトラックのアドレス変換情報を書き込み済みに書き換える（Ｓ１６）。
また、読み取り動作の場合には、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４はアドレス変換情報を参照し（Ｓ１２）、そのトラックが書き込み済みか否かを判定する（Ｓ１４）。
読み出し対象のトラックがすでに書き込み済みの場合は、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４は、更新データ記憶領域のトラック番号をそのまま送信する（Ｓ１８）。一方、読み出し対象のトラックにおいて未だ書き込みが行われていない場合には、論理アドレス→トラック番号変換回路１０４は、初期データ記憶領域のトラック番号を送信する（Ｓ１７）。
ＦＩＧ．７に、アドレス変換情報４２０の詳細を示す。ＦＩＧ．５においてすでに述べたように、本実施形態においてアドレス変換情報４２０は、固定磁気ディスクのトラック２ｎ＋１から２ｎ＋ａの領域に格納される。アドレス変換情報４２０は、アクセス対象の各トラック（トラック番号１からｎ）に対して、各々１ビット設けられている。
したがって、トラック２ｎ＋１の先頭ビットから順に、トラック番号１、２、．．．、の各トラックのアドレス変換情報４２０が格納される。そして、トラックに対応するアドレス変換情報４２０のビット＝０の場合、そのトラックは、まだ書き込まれておらず、読み出し要求に対して初期データ記憶領域のトラックがアクセスされる。
また、トラックに対応するアドレス変換情報４０４のビット＝１の場合、そのトラックは、すでに書き込み済みであり、読み出し要求に対して更新データ記憶領域のトラックがアクセスされる。
固定磁気ディスクを初期状態に復帰させるには、ＦＩＧ．７のアドレス変換情報４０４をすべて０にすればよい。このように、本情報機器では、全トラック数に対応するビット数のデータをクリアする時間で、固定磁気ディスクを初期状態に復帰させることができる。
＜変形例１＞
ＦＩＧ．８に、初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の他の例を示す。ＦＩＧ．５の記憶領域の構成に対し、ＦＩＧ．８では、初期データ記憶領域と更新データ記憶領域を隣接するトラックに交互に配置している。
すなわち、工場出荷時の初期状態５００（ＦＩＧ．８の左側）では、トラック番号１から２ｎのトラックのうち、奇数トラックは、未使用であり、偶数トラックに初期データが格納されている。
また、例えば、トラック２の初期データが変更されると、変更後のデータはトラック２に代えてトラック１に格納される。一般に、トラック２ｍの初期データが変更されると、変更後のデータはトラック２ｍに代えてトラック２ｍ−１に格納される。
このようなデータ構成で、トラック２ｍ−１への読み出し要求が発生した場合、不図示の読み出しバッファ領域には、トラック２ｍ−１、およびトラック２ｍのデータが連続して読み出される。そのような読み出し動作の後、本情報機器の論理アドレス→トラック番号変換回路１０４は、アドレス変換情報に基づき、読み出しバッファ上のトラック２ｍ−１のデータまたはトラック２ｍのデータのいずれかを選択すればよい。
このような読み出し動作により、初期データを保護した上で、書き込み済みのトラックと未書き込みのトラック（初期データのトラック）が混在するデータを読み出す際のヘッド移動距離が短縮され、読み出し動作を高速に実行することができる。
＜変形例２＞
ＦＩＧ．９に、初期状態復帰機能を持つ固定磁気ディスク装置のデータ格納形式の他の例を示す。ＦＩＧ．５に示した例では初期データ記憶領域４０２と更新データ記憶領域４０３は同じ大きさでであった。したがって、ＦＩＧ．５に示した例では、固定磁気ディスクの領域は、指定領域４０１、初期データ記憶領域４０２および初期データを変更したデータを格納する更新データ記憶領域４０３によって占有され、利用者が使用可能な領域が残らない。
しかし、一般的には、初期データの大きさは通常全記憶領域の一部を占めるに過ぎない。例えば、更新データ記憶領域のトラック数ｎ、初期データ記憶領域のトラック数ｍに対して、ｍ＜＜ｎが成立する。したがって、ＦＩＧ．９のように、初期データ５２６の大きさ（トラック数ｍ）に相当する更新データ記憶領域５２４（トラック番号１からｍ）を確保し、初期データ５２６を書き換えたデータを格納できればよい。
この場合には、トラックｍ＋１以降の領域５２３はアドレス変換を行わないことにより、この領域５２３を利用者領域として開放することができる。
＜変形例３＞
ＦＩＧ．１０に、固定磁気ディスク装置の他の構成例を示す。ＦＩＧ．２の例ではアドレス変換情報をデータと同じディスク上に保存していた。しかし、本発明の実施は、そのような構成には限定されない。
ＦＩＧ．１０に示した固定磁気ディスク装置６００は、ＦＩＧ．２の固定磁気ディスク装置と比較して、不揮発性半導体メモリ６０５を有している。この不揮発性半導体メモリ６０５にアドレス変換情報を記録することにより、アドレス変換に要する時間が短縮される。
さらに、この固定磁気ディスク装置６００は初期データを不揮発性半導体メモリ６０５に記録することによりデータの読み出しにかかる時間を短縮する。
この固定磁気ディスク装置６００では、データの読み出し時に、ＣＰＵ６１０は、論理アドレス→トラック番号変換回路６０４に論理アドレスを出力する。すると、論理アドレス→トラック番号変換回路６０４は、その論理アドレスをトラック番号に変換する。
さらに、論理アドレス→トラック番号変換回路６０４は、不揮発性半導体メモリ６０５にアクセスし、当該トラックが書き込み済みか否かを判定する。そして、論理アドレス→トラック番号変換回路６０４は、データ選択回路６０６に選択信号を出力する。
データ選択回路６０６は、不揮発性半導体メモリ６０５からの読み出しデータと、固定磁気ディスク６０１から読み出しデータとを選択信号にしたがい、切り替えて出力する。
なお、不揮発性半導体メモリ６０５にアドレス変換情報を格納し、初期データを固定磁気ディスク６０１に格納する場合には、初期データのトラックと書き込みデータのトラックとの間で読み出しデータを切り替えればよく、その手順は、ＦＩＧ．６に示した場合と同様である。
また、ＦＩＧ．８に示したように、初期データのトラックと書き込みデータのトラックとを交互に配置する場合には、不図示の読み出しバッファに読み込まれた２つの連続したトラックのデータからいずれかを選択するようにデータ選択回路６０６を機能させればよい。
《第２実施形態》
本発明の第２実施形態に係る情報機器をＦＩＧ．１１からＦＩＧ．１６の図面に基づいて説明する。上記第１実施形態では、固定磁気ディスク装置を有する情報機器において、短時間で、工場出荷時の初期状態に復帰させる構成例を説明した。
本実施形態においては、フラッシュメモリ等の不揮発性の半導体記憶装置を有する情報機器において、短時間（アドレス変換情報のクリア時間）で、工場出荷時の初期状態に復帰させる構成例を説明する。
ＦＩＧ．１１は、フラッシュメモリ等を含む情報機器において、初期状態復帰機能のためのデータ格納形式の例である。ＦＩＧ．１１は、１個のフラッシュメモリが使用され、初期データ記憶領域８０２の大きさ（セクタ数ｎ）と更新データ記憶領域８０３の大きさ（セクタ数ｎ）が等しい場合の例を示している。
ＦＩＧ．１１は、第１実施形態のＦＩＧ．５に対応しており、トラック番号に換えてセクタ番号１、ｎ、２ｎ、２ｎ＋ａ等が示されている。ただし、物理的な記憶媒体は固定磁気ディスクからフラッシュメモリに代わっているが、論理的な記憶構成は、ＦＩＧ．５の場合と同様である。
すなわち、ＦＩＧ．１１の左側に示すように、工場出荷時の初期状態８００においては、セクタ１からｎの更新データ記憶領域８０３が未使用領域８０６とされ、セクタｎ＋１から２ｎの初期データ記憶領域８０２に初期データ８０５が格納され、セクタ２ｎ＋１から２ｎ＋ａの指定領域８０１には、アドレス変換情報８０４が格納されている。
また、ＦＩＧ．１１の右側に示すように、本情報機器の使用中の状態８１０においては、初期データ８１２（初期データ８０５と同一内容）を保存した状態で、書き込み済み領域８１３と、未使用（または読み出しのみが実行された）領域８１４が混在することになる。
このように、フラッシュメモリの場合も、ＦＩＧ．５に示した固定磁気ディスク装置の場合と同じように動作する。ただし、固定磁気ディスク装置のトラック単位の管理と異なり、フラッシュメモリは、最小の消去単位であるセクタ単位で管理される点が異なる。
ＦＩＧ．１２は、２個のフラッシュメモリ（Ｆ１、Ｆ２）を使用し、初期データ記憶領域の大きさと更新データ記憶領域の大きさが異なる記憶構成の例である。すなわち、工場出荷時の初期状態８２０では、初期データ記憶領域８２２（第１のフラッシュメモリＦ１のセクタ１からｍ）に初期データ８２７が格納され、指定領域８２１（第１のフラッシュメモリＦ１のセクタｍ＋１からｎ）には、アドレス変換情報８２６が格納される。一方、更新データ記憶領域８２５（第２のフラッシュメモリＦ２のセクタ１からｎ）は、未使用の領域８２８となっている。
未使用の領域８２８は、対応する初期データを持たない更新データ記憶領域８２３と、対応する初期データを持つ更新データ記憶領域８２４とから構成される。
一方、使用中の状態８３０では、対応する初期データを持つ更新データ記憶領域８２４が書き込み済みの領域８３４と未使用の（または読み出しのみが実行された）領域８３３から構成されている。ただし、更新データ記憶領域８２５におけるセクタ１からｍ以外のセクタ（初期データを持たない更新データ記憶領域８２３）は、利用者が使用可能な領域である。この構成は、ＦＩＧ．９で説明した場合と同様である。
ＦＩＧ．１３は、フラッシュメモリ等に応用する場合のアドレス変換情報の格納形式の例である。一般的なフラッシュメモリでは消去時にすべてのデータビットが「１」になるように設計されている。ＦＩＧ．１３のように消去状態である「１」を初期データ記憶領域に対する読み取り指示に割り当てることにより、フラッシュメモリの全容量の一部であるアドレス変換情報領域の消去操作のみで初期状態への復帰動作が行われる。
すなわち、アドレス変換情報＝１のとき、未書き込みまたは読み取り動作のみ実行された場合であり、読み取り動作は初期データ記憶領域に対して行われる。また、アドレス変換情報＝０のとき、書き込み済みであり、読み取り動作は更新データ記憶領域に対して行われる。このため、第１実施形態と同様、データ領域に対する操作を全く必要としないため、復帰動作が瞬時に実行される。
ＦＩＧ．１４に、フラッシュメモリ等に応用する場合の初期状態を示す。ＦＩＧ．１４では、情報機器は、ＣＰＵ８５０とフラッシュメモリ８６０とを有している。
ＣＰＵ８５０はアドレス変換情報８６１をフラッシュメモリ８６０から読み出してＣＰＵ８５０内部の物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１を設定する。
初期状態では、ＣＰＵ８５０の内部バス８５２から見える論理アドレス空間８５４にはすべて初期データ８６２を指す物理アドレスがマッピングされる。
ＦＩＧ．１５およびＦＩＧ．１６は、書き込み動作の例である。ＦＩＧ．１５に、初期状態（ＦＩＧ．１４）から初めての書き込みが発生した場合の動作を示す。
ＣＰＵ８５０の内部バス８５２から論理アドレス空間８５４の初期データにマッピングされたアドレスに書き込み動作が発生した場合には、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１がＣＰＵ内部で割り込みを発生させる。
ＦＩＧ．１６は、この割り込みによる処理を示す。この割り込み処理において、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１は、該当するアドレス変換情報を未使用領域８６３にマッピングし、その後に書き込み動作を行う。データが書き込まれたセクタに対しては、ＦＩＧ．１３に示したようにアドレス変換情報が１から０に変更される。
これにより、初期データ８６２の領域を書き換えることなく、初期データ８６２を変更したデータを保持できる。また、読み込み処理においては、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１は、アドレス変換情報８６１を参照する。
そして、データが書き込まれていないセクタへのアクセスに対しては、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１は、物理アドレス空間の初期データ８６２の領域にマッピングする。また、データが書き込まれたセクタへのアクセスに対しては、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１は、書き込み済みセクタにマッピングする。
ＦＩＧ．１７に、初期データ領域と変更済みデータが混在した使用中の状態を示す。このように、物理アドレス→論理アドレス変換機構（ＭＭＵ）８５１は、初期データ８６２と変更済みデータが混在した物理アドレス空間を現在の有効なデータ（論理アドレス空間でセクタ順に並べたデータ）に変換する。
このため、ＣＰＵ８５０上で実行されるプログラムは、初期データ８６２が書き換えられていない間は、初期データ８６２を読み出す。また、初期データ８６２が書き換えられると、このプログラムは、書き込み済みのデータにアクセスする。
この情報機器では、アドレス変換情報８６１をリセット（ＦＩＧ．１３で説明したようにすべて１に設定）することにより、短時間で初期状態に戻すことができる。すなわち、フラッシュメモリ等の不揮発性のメモリにＯＳ、アプリケーションプログラム、および初期データを格納して出荷するような情報機器においても、使用後の状態からフラッシュメモリの所定セクタの消去時間で工場出荷時の初期状態に復帰できる。
《コンピュータ等が読み取り可能な記録媒体》
コンピュータその他の装置、機械等（以下コンピュータ等）に上記いずれかの機能を実現させるプログラムをコンピュータ等が読み取り可能な記録媒体に記録することができる。そして、コンピュータ等に、この記録媒体のプログラムを読み込ませて実行させることにより、その機能を提供させることができる。
ここで、コンピュータ等が読み取り可能な記録媒体とは、データやプログラム等の情報を電気的、磁気的、光学的、機械的、または化学的作用によって蓄積し、コンピュータから読み取ることができる記録媒体をいう。このような記録媒体のうち、コンピュータ等から取り外し可能なものとしては、例えばフレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ、ＤＡＴ、８ｍｍテープ、メモリカード等がある。
また、コンピュータ等に固定された記録媒体としてハードディスクやＲＯＭ（リードオンリーメモリ）等がある。
《搬送波に具現化されたデータ通信》
また、上記プログラムは、コンピュータ等のハードディスクやメモリに格納し、通信媒体を通じて他のコンピュータに配布することができる。この場合、プログラムは、搬送波によって具現化されたデータ通信信号として、通信媒体を伝送される。そして、その配布を受けたコンピュータ等に上記機能を提供させることができる。
ここで通信媒体としては、有線通信媒体、例えば、同軸ケーブルおよびツイストペアケーブルを含む金属ケーブル類、光通信ケーブル等、または、無線通信媒体例えば、衛星通信、地上波無線通信等のいずれでもよい。
また、搬送波は、データ通信信号を変調するための電磁波または光である。ただし、搬送波は、直流信号でもよい。この場合、データ通信信号は、搬送波がないベースバンド波形になる。したがって、搬送波に具現化されたデータ通信信号は、変調されたブロードバンド信号と変調されていないベースバンド信号（電圧０の直流信号を搬送波とした場合に相当）のいずれでもよい。

本発明は、コンピュータ、携帯電話、携帯端末、車載機等の各種情報機器の製造産業、そのような情報機器を用いたサービス産業に利用できる。

Claims (9)

1. 初期データを記憶する初期データ記憶領域と前記初期データに対応付けられる更新データを記憶する更新データ記憶領域とを所定の記憶単位毎に交互に配置して記憶するとともに、前記初期データ記憶領域または前記更新データ記憶領域のいずれかを読み出し対象に指定する指定領域とを含む記憶装置を制御する記憶制御装置であり、
   前記更新データ記憶領域にデータを書き込む書込部と、
   初期時点においては初期データ記憶領域を読み出し対象とする情報が設定されている指定領域を、前記更新データ記憶領域への書き込みが発生したときに、更新データ記憶領域を読み出し対象に設定した情報に書き換える書換部と、
   前記指定領域の情報を、前記初期データを読み出し対象に設定した情報に書き換える初期化部と、
   前記交互に配置された初期データ記憶領域のデータと更新データ記憶領域のデータとを連続して読み出す読出部と、
   前記指定領域への設定にしたがって、連続的に読み出された初期データ記憶領域または更新データ記憶領域のどちらかを選択する選択部と、
   を備える記憶制御装置。
2. 前記記憶装置はディスク型記憶装置であり、前記所定の記憶単位はそのディスクの１以上のトラックである請求項１に記載の記憶制御装置。
3. 前記初期データ記憶領域と更新データ記憶領域とを同一の論理アドレスに対応付ける論理アドレス管理部をさらに備える請求項１に記載の記憶制御装置。
4. 前記記憶装置は、前記初期データ記憶領域を不揮発性の半導体メモリ上に有する請求項１に記載の記憶制御装置。
5. 前記記憶装置は、前記指定領域を不揮発性の半導体メモリ上に有する請求項１に記載の記憶制御装置。
6. 前記記憶装置は、不揮発性の半導体メモリである請求項１に記載の記憶制御装置。
7. 初期データを記憶する初期データ記憶領域と前記初期データに対応付けられる更新データを記憶する更新データ記憶領域とを所定の記憶単位毎に交互に配置して記憶するとともに、前記初期データ記憶領域または前記更新データ記憶領域のいずれかを読み出し対象に指定する指定領域とを含む記憶部と、
   前記更新データ記憶領域にデータを書き込む書込部と、
   初期時点においては初期データ記憶領域を読み出し対象とする情報が設定されている指定領域を、前記更新データ記憶領域への書き込みが発生したときに、更新データ記憶領域を読み出し対象に設定した情報に書き換える書換部と、
   前記指定領域の情報を、前記初期データを読み出し対象に設定した情報に書き換える初期化部と、
   前記交互に配置された初期データ記憶領域のデータと更新データ記憶領域のデータとを連続して読み出す読出部と、
   前記指定領域への設定にしたがって、連続的に読み出された初期データ記憶領域または更新データ記憶領域のどちらかを選択する選択部と、
   を備える記憶装置。
8. 初期データを記憶する初期データ記憶領域と前記初期データに対応付けられる更新データを記憶する更新データ記憶領域とを所定の記憶単位毎に交互に配置して記憶するとともに、前記初期データ記憶領域または前記更新データ記憶領域のいずれかを読み出し対象に指定する指定領域とを含む記憶装置の制御方法であり、
   前記更新データ記憶領域にデータを書き込むステップと、
   初期時点においては初期データ記憶領域を読み出し対象とする情報が設定されている指定領域を、前記書き込むステップが実行されたときに、更新データ記憶領域を読み出し対象に設定した情報に書き換えるステップと、
   前記指定領域の情報を、前記初期データを読み出し対象に設定した情報に書き換えるステップと、
   前記交互に配置された初期データ記憶領域のデータと更新データ記憶領域のデータとを連続して読み出す読出ステップと、
   前記指定領域への設定にしたがって、連続的に読み出された初期データ記憶領域と更新データ記憶領域のどちらかを選択する選択ステップと、
   を含む記憶装置の制御方法。
9. コンピュータに、初期データを記憶する初期データ記憶領域と前記初期データに対応付けられる更新データを記憶する更新データ記憶領域とを所定の記憶単位毎に交互に配置して記憶するとともに、前記初期データ記憶領域または前記更新データ記憶領域のいずれかを読み出し対象に指定する指定領域とを含む記憶装置を制御させるプログラムであり、
   前記更新データ記憶領域にデータを書き込むステップと、
   初期時点においては初期データ記憶領域を読み出し対象とする情報に設定されている指定領域を、前記書き込むステップが実行されたときに、更新データ記憶領域を読み出し対象に設定した情報に書き換えるステップと、
   前記指定領域の情報を、前記初期データを読み出し対象に設定した情報に書き換えるステップと、
   前記交互に配置された初期データ記憶領域のデータと更新データ記憶領域のデータとを連続して読み出す読出ステップと、
   前記指定領域への設定にしたがって、連続的に読み出された初期データ記憶領域と更新データ記憶領域のどちらかを選択する選択ステップと、
   をコンピュータに、実行させるプログラム。

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