JP4164399B2 - Ｅｕｖ光源のガス流量計測装置および測定方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ発光を利用した露光装置用のＥＵＶ光源から流出するガス分子の流量とガス種を計測するためのガス流量計測装置および測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼き付け（リソグラフィー）方法として、紫外線を用いた縮小投影露光が行われてきた。縮小投影露光で転写できる最小の寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため微細な回路パターンを転写するためには用いる光の短波長化が進められ、水銀ランプｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）と用いられる紫外光の波長は短くなってきた。
【０００３】
しかし半導体素子は急速に微細化しており、以上の紫外光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで０．１μｍを下回るような非常に微細な回路パターンを効率よく焼き付けるために、紫外線よりも更に波長が短い波長１０〜１５ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
【０００４】
これに伴い、特許文献１に記載されるような、ＥＵＶ光を露光装置に供給するためのＥＵＶ光源の開発が進められている。現在提案されている露光装置用のＥＵＶ光源には、代表的にはレーザープラズマ（ＬＰＰ）方式の光源とディスチャージ（ＤＰＰ）方式の２つの方式がある。
【０００５】
図２は、レーザープラズマ（ＬＰＰ）方式の光源の概略模式図である。ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源では、真空容器中に置かれたターゲット材５１に高強度のパルスレーザー光５２を照射し、高温のプラズマ５３を発生させ、これから放射される例えば波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット材としては、金属薄膜、不活性ガス、液滴などが用いられ、ガスジェット等の手段で真空容器内に供給される。ターゲットから放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザーの繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。
【０００６】
ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源においては、ターゲット材５１の供給が不可欠であり、このターゲット材がプラズマ化される際に飛散して反射型光学素子である多層膜ミラー５４の損傷、コンタミネーションの付着の要因となっている。このような飛散物質を一般にデブリと呼び、デブリが多層膜ミラー等に付着することを防ぐために、発光点とミラーの間にフォイルトラップと呼ばれるデブリフィルター５５を設置すると共に、プラズマの発生部にはアルゴン、クリプトン等のバッファーガスを所定の圧力で満たすことで飛散するデブリを減速している。また、このようなデブリを軽減するために、ターゲットとしてガスを用いる場合がある。この場合には、ターゲットに起因するデブリの発生はないが、ターゲットのガスを供給するノズルをプラズマ発生部近くに設置する必要があり、このノズルの先端部がプラズマによるスパッター現象で飛散してデブリとなる問題を生じる。
【０００７】
図３は、ディスチャージ（ＤＰＰ）方式の光源の概略模式図である。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源は、図示しない電極の内部の中空部分にＸｅｎｏｎ等のガスを流し、ここで高密度電流ピンチの放電により高温のプラズマを生成し、ＥＵＶ光を発生させる。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源においても、放電により電極材がデブリとして飛散するために、発光点とミラーとの間にデブリフィルター５７が設置され、さらにヘリウム等のガスが所定の圧力により満たすことで飛散するデブリを減速している。
【０００８】
以上説明したように、いずれの方式のＥＵＶ光源においても、ターゲットに起因するガスや、デブリの飛散防止のためのバッファーガスが供給されており、典型的にはプラズマ発生部は１０Ｐａ程度の圧力に保たれている。
【０００９】
これに対し、露光に使用される１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光は、ガス分子に容易に吸収されて減衰するため、ＥＵＶ光露光装置内は高真空に保たれることが望ましい。更に、ＥＵＶ光源とＥＵＶ光露光装置の連結部分は、ＥＵＶ光が減衰せずに透過できる隔壁用の窓材が存在しないため、空間的に仕切ることが困難である。この結果、ＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置へＥＵＶ光を供給している間は、光源から露光装置内へのガス分子の流入を防ぐことは困難である。一方、露光装置内の光学素子を汚染するようなガス分子が露光装置内へ流入した場合には露光装置の光学素子の寿命や露光性能に影響を及ぼす問題を生じる。
【００１０】
以上のようなＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置へ流入するガス分子の悪影響を防止するためには、流入するガス分子の種類や流量を精度良く測定し、その結果に応じて適切なフィルターなどを設ける必要がある。
【００１１】
図４には、流量測定装置の一例の略図を示す。図４においては光源１９を有する第１チャンバー１１と、ＥＵＶ光露光装置のチャンバーを模擬再現する第２チャンバー１２が既知のコンダクタンスのオリフィス１４により接続されている。第１チャンバー１１には真空ゲージ１５Ａ、第２チャンバー１２には真空ゲージ１５Ｂ、真空ポンプ１６および質量分析計１７が取り付けられている。
【００１２】
図５は、図４に示した従来の流量測定方式によりＥＵＶ光を発生させている際の、第２チャンバー１２へ流入するガス分子の量を測定する様子を示している。真空ゲージ１５Ａ、１５Ｂによる圧力差とオリフィス１４のコンダクタンスから第２チャンバー２へのガス分子の流入量を求めることができる。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−３２０７９２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図４に示す方式には次のような問題点がある。つまり、光源１９からの放射光が直接チャンバー壁表面に照射されることで、当該チャンバー壁からガス分子が脱離して放出される。ＥＵＶ光源においては放射光の光量が多いと共に非常に短波長の光を多量に含むため、このようなチャンバー壁からのガス放出が大きく、結果的に第２チャンバー１２へ流入するガス分子の種類や流量を精度良く測定することが困難である。
【００１５】
本発明は、上記のような光照射によるチャンバー壁からのガス放出を防止することにより、ＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置へ流入するガス分子の種類及び流量を精度良く測定することのできるＥＵＶ光源用ガス流量計測装置、及びそれを用いた測定方法を提供することを課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス流量計測装置は、ＥＵＶ光源が収納されたＥＵＶ光源チャンバーに連結されて前記ＥＵＶ光源チャンバーから流出するガスの流量を測定するガス流量計測装置において、
前記ガス流量計測装置に設置され、前記ＥＵＶ光源から放射されて前記ガス流量計測装置に導光される光束を受光するアブソーバーと、
開口部を含むオリフィスと、
前記オリフィスを介して前記アブソーバーが配置された空間と接続された測定チャンバーとを有しており、
前記オリフィスが前記光束の光路外に配置されていることを特徴とするガス流量計測装置。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るＥＵＶ光源用ガス流量計測装置の要部断面図である。図１において、プラズマ光源と集光ミラーを有するＥＵＶ光源である第１チャンバー１と、第２チャンバー２がフランジ１１とゲートバルブ１２により接続されている。第２チャンバー２には、ＥＵＶ光源からの放射光を受け止めるアブソーバー１３が設置してあり、ＥＵＶ光源からの放射光は全てアブソーバー１３に照射される。第２チャンバー２には所定のコンダクタンスを有するオリフィス板４を介して第３チャンバー３が取り付けられている。
【００１８】
第２チャンバー２には真空ゲージ５Ａが設けられている。また第３チャンバー３には真空ゲージ５Ｂが取り付けられるとともに、真空ポンプ６および質量分析計７が取り付けられる。ここで真空ゲージ５Ａ、５Ｂは同種の真空計測器で有ることが望ましく、また広い圧力範囲を精度良く測定するために、例えばピラニとコールドカソードを組み合わせて設けることが望ましい。
【００１９】
本実施形態で用いたＥＵＶ光源は、露光に用いる１３．５ｎｍ付近のＥＵＶ光を１０Ｗ程度の強度で出力し、その他の波長を含めた全波長域では４００Ｗ程度の強度で光束を放射する。このＥＵＶ光源からの放射光は全てアブソーバー１３に照射されるため、アブソーバー１３として光照射によるガス放出の低い部材を用いることにより、チャンバー壁からのガス放出を最小限に抑制しながらＥＵＶ光源からの放射光を吸収させることが可能となり、ＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置へ流入するガス分子の種類及び流量を精度良く測定することができる。また、ＥＵＶ光源から放射される光束のうちで、光照射によるガス放出を起こす光は主に紫外線より波長の短い光であり、このような短波長の光のほとんどはアブソーバー１３において吸収されるため、アブソーバー１３の表面で反射する光は比較的長波長の光であって、異なる場所のチャンバー壁からガス放出を起こさせる割合は小さい。
【００２０】
光照射によるガス放出の低い部材であって、アブソーバー１３として適当な材料は、実際に各種材料のアブソーバーにＥＵＶ光源からの光束を照射してガス放出量を測定することにより選定される。機械研磨や電解研磨などにより概ね平滑にされた各種材料に、真空中において所定のＥＵＶ光源からの光束を照射して比較した結果、材料によらず照射の初期には大量のガス放出が観察された後、照射を続けることで放出量が徐々に減少して、その後は各材料によって決まるほぼ一定のガス放出量を示した。照射初期のガス放出量と、減少してほぼ一定になった後のガス放出量では概ね５００〜２０００倍ほどの違いが見られ、ほぼ全ての材料において本実施例で用いたＥＵＶ光源からの光束を３０時間程度照射することで、長時間照射した後の放出量の２〜５倍程度の放出量となった。これは、この程度の照射により表面吸着、及び表面近傍に侵入したガス元素がほぼ全て放出されるためと考えられた。また、長時間照射を行った後にもガス放出が見られるのは、材料内に存在するガス元素が表面まで順次拡散して放出されるためと考えられる。アブソーバー１３として実際の流量測定に用いる場合には、予めＥＵＶ光源からの光束を所定時間だけ照射することでガス放出量を減少しておくことが望ましい。
【００２１】
材料によるガス放出量を比較した結果、ガス元素を主な構成元素として含まない純金属や金属元素同士による合金などで一般にガス放出量が少なく、金属元素の酸化物や窒化物であるセラミックスでは一般に長時間照射後でも比較的多量のガス放出が見られた。また、純金属や金属元素同士による合金などでも、材質により長時間照射後の放出量が異なり、それぞれのガス元素に対する固溶度の違いや、製造工程における雰囲気の違いにより内部に存在するガス元素の量が異なるためと予想された。
【００２２】
更に、アブソーバーとして表面を平滑にする際に、機械研磨を行ったものと電解研磨を行ったもので、基材となる材料が同じであってもガスの放出量に大きな違いが見られた。つまり、電解研磨を行ったものでは機械研磨を行ったものと比較して、ＥＵＶ光源からの光束を照射した初期において最大で１００倍程度のガス放出が観察され、またガス放出量が減少するための時間も長い傾向が見られた。これは電解研磨時に材料内にガス元素が導入されたためと予想される。
【００２３】
また、ＥＵＶ光源からの光束を照射する際に、アブソーバー１３背面に設置される冷却管１４により冷却を行った場合と冷却を行わない場合とで、冷却を行わない場合には初期のガスの放出量が多い一方で、その減少が進みやすい。また、長時間照射後の放出量が冷却を行っている場合の２倍程度になることが観察された。これは、アブソーバーの温度が上昇することで表面からのガス放出と材料内部での拡散による移動の両方が促進されている結果と考えられる。この結果からは、アブソーバーの表面から予めガスを脱離させる際にはアブソーバーの温度を高め、実際にガス流量を測定する場合には、アブソーバー１３背面に設置される冷却管１４によりアブソーバー１３の温度を所定の温度以下に保つことにより、アブソーバー１３からのガス分子の放出を抑制でき、上記測定の測定精度を高めることが可能となることが示される。
【００２４】
ＥＵＶ光源からの光束の照射によるガスの放出量は、照射される光束の強度密度にほぼ比例すると予想されるため、各アブソーバー材からの単位面積あたりのガス放出量は照射光の単位強度あたりのガス放出量として表すことができる。表１は、実験を行った各アブソーバー材についてからのガス放出量を示す。
【００２５】
【表１】

【００２６】
各アブソーバー材からのＥＵＶ光源からの光束の照射によるガス放出量はガスの流出を伴うＥＵＶ光源無しには測定が困難であるため、表１に示した各アブソーバー材からのガス放出量は、最もガス放出量が少なかった単結晶シリコン材のガス放出量との差を当該材料のガス放出量として示している。また、表１に示した各値は、ＥＵＶ光源からの光束を３０時間照射した後の１ＷのＥＵＶ光あたりの単位面積からのガス放出量を示す値である。表１に示した値として、１Ｅ−７（Ｐａ・ｍ３／ｓ・Ｗ・ｃｍ２）以下であれば、本実施形態で使用したＥＵＶ光源から流出するガス流量よりも十分に小さなガス放出量となり、アブソーバーとして好ましい。
【００２７】
表１に示した結果から、実際のガス流量を測定する場合、表面を機械研磨した銅、又は高純度シリコン材がアブソーバー１３として好ましいことが明らかになった。また、銅を用いた場合には、より固溶しているガス元素が少ない無酸素銅が好ましく、更に、機械研磨により表面を平滑にしたものが良い特性を示した。一方、シリコンを用いる際に、特に高純度の単結晶シリコン材を真空中で結晶面に沿って劈開破壊させることによって平滑で新しい面を露出させたものは、照射の当初からガス放出が少なく、アブソーバー１３とするのに適した材料である。
【００２８】
以下に、図１に示したＥＵＶ光源用ガス流量計測装置を用いて、ＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置に流入するガス分子の分子種及びその流入量を測定する方法について説明する。
【００２９】
ＥＵＶ光源である第１チャンバー１内においては、図２に示したようなレーザープラズマ（ＬＰＰ）方式により、キセノンをターゲット材としてモリブデンのノズルから供給し、高強度のパルスレーザー光を照射することでプラズマ化してプラズマ発光を生じさせる。プラズマから放射された光は、多層膜ミラーにより集光され、第１チャンバー１の下流側の端部付近で集光点を形成する。この時、集光点に集光される光束の内で、露光に用いられる１３．５ｎｍ付近の波長を持つＥＵＶ光の強度は１０Ｗ程度である。第１チャンバー１内には、プラズマ発光に伴って発生するデブリが多層膜ミラーに付着することを防止するために、バッファーガスとしてアルゴンを流した。通常の露光時には、当該集光された光束をＥＵＶ光露光装置に導入して、所定の光学系によりマスクを照明し、ウェハー上のレジストを露光する。
【００３０】
一般的には、第１チャンバー１の下流側の端部付近に形成される前記集光点での光束の径は約φ５ｍｍ程度であり、集光後の２次元放射角は約３０°である。本実施形態においては、ＥＵＶ光源から放射される光束は全てアブソーバー１３に照射されるように、集光点とアブソーバー１３の距離は２３２ｍｍとし、アブソーバー１３は外径φ１４０ｍｍ、厚さ２０ｍｍの円板形状とし、光源からの光束に対して垂直になるように配置した。
【００３１】
また、アブソーバー１３は光照射によるガス放出の低い無酸素銅を用いて、ＥＵＶ光を照射される表面は２μｍ以内の平面度を持つように機械研磨したものを用いた。アブソーバー１３の表面は研磨により平滑にし、実際の表面積を少なくすることがガス放出を抑制するために好ましい。アブソーバー１３には外径１０ｍｍ、内径６ｍｍの管が埋め込まれており、２Ｌ／ｍｉｎの流量で室温の純水を循環させ冷却する。
【００３２】
ＥＵＶ光源から流入するガス分子の流入量の測定は以下のように行う。ＥＵＶ光源用ガス流量計測装置は、ＥＵＶ光源に直接連結されてアブソーバー１３が設置された第２チャンバー２と、真空排気ポンプ６に連結された第３チャンバー３とを有する。第２チャンバー２と第３チャンバー３とはコンダクタンスＣを規定するためのオリフィス４を介して接続される。第２チャンバー２と第３チャンバー３には、それぞれの内部の圧力Ｐ１及びＰ２を検知する真空ゲージ５Ａ、５Ｂが設けられている。このようなガス流量計測装置において、ＥＵＶ光源から流入したガス流束がオリフィス４を介して真空排気ポンプ６により系外に排気される際、平衡状態においてはＥＵＶ光源から流入するガス流量とオリフィス４を通過するガス流量が等しくなる。また、オリフィス４を通過するガス流量Ｑは、オリフィス４のコンダクタンスＣと第２チャンバー２と第３チャンバー３の各内部の圧力Ｐ１及びＰ２により、（１）式のように示される。（１）式により求められる流量により、ＥＵＶ光源から流入するガス流量が求められる。
Ｑ＝Ｃ（Ｐ１−Ｐ２） ・・・ （１）
実験に先立ってステンレス鋼である第２チャンバー２、及び第３チャンバー３の外側にシースヒータを巻いて２００℃で１２時間のベーキングを行った。また、アブソーバー１３には予めＥＵＶ光源から放射される光束を３０時間程度照射した。
【００３３】
以上のような状態で、まずゲートバルブ１２を閉じた状態で第２チャンバー２の壁からの脱ガス流量Ｑ１の測定を行う。第２チャンバー２と第３チャンバー３の間のオリフィス４の開口径を５ｍｍとして、第２チャンバー２と第３チャンバー３の間に差圧を発生させるため、ポンプ６の体積排気速度が３００Ｌ／ｓの状態で第３チャンバー３を排気した。この結果、平衡状態において第２チャンバー２に取り付けた真空ゲージ５Ａは約１Ｅ−２Ｐａ、第３チャンバー３に取り付けた真空ゲージ５Ｂは約５Ｅ−４Ｐａの圧力を示した。これらの測定値とオリフィス４の開口径から、第２チャンバー２から第３チャンバー３に流入している流入量はＱ１＝２．２Ｅ−５（Ｐａ・ｍ３／ｓ）と算出される。
【００３４】
次に、ゲートバルブ１２を開いて、ＥＵＶ光源が発光している状態で同様の測定を行った。この結果、第２チャンバー２に取り付けた真空ゲージ５Ａは約３．１Ｅ−１Ｐａ、第３チャンバー３に取り付けた真空ゲージ５Ｂは約７．２Ｅ−３Ｐａの圧力を示し、この結果から第２チャンバー２から第３チャンバー３に流入している流入量はＱ２＝６．９Ｅ−４（Ｐａ・ｍ３／ｓ）と算出される。
【００３５】
更に、上記Ｑ２とＱ１の差から、ＥＵＶ光源から流入しているガス流量はＱ３＝６．６８Ｅ−４（Ｐａ・ｍ３／ｓ）と求められる。
【００３６】
尚、アブソーバー１３として上記の無酸素銅を使用した効果を確認するために、チャンバーを構成しているステンレスをアブソーバー１３として取り付けて、比較のための実験を行った。この場合には、ゲートバルブ１２を閉じた状態では上記の無酸素銅と同等のＱ１’＝２．２Ｅ−５（Ｐａ・ｍ３／ｓ）が第３チャンバー３に流入していると算出される一方、ＥＵＶ光源の発光中は第２チャンバー２に取り付けた真空ゲージ５Ａは約５．１Ｅ−１Ｐａ、第３チャンバー３に取り付けた真空ゲージ５Ｂは約９．０Ｅ−３Ｐａの圧力を示し、第２チャンバー２から第３チャンバー３に流入している流入量はＱ２’＝１．１４Ｅ−３（Ｐａ・ｍ３／ｓ）と算出された。
【００３７】
このため、上記Ｑ２’とＱ１’の差から求められる、ＥＵＶ光源から流入している見かけ上のガス流量はＱ３’＝１．１２Ｅ−３（Ｐａ・ｍ３／ｓ）であって、上記Ｑ３と大きな差が見られた。この差は、光照射によりアブソーバー１３として用いたステンレス材から放出されたガス分子と考えられる。この結果からも、アブソーバー１３として、表面を平滑化した無酸素銅を用いることで、より実際の値に近いＥＵＶ光源からのガス流入量が測定できることが明らかとなった。
【００３８】
また、質量分析計７の測定結果からはターゲット材として用いたキセノンとバッファーガスのアルゴンの他、ＳｉＯと予想される質量数４４のガス分子が観察された。これはチャンバー内に僅かに存在する酸素が多層膜ミラー中のシリコンと反応して生成したものと予想される。
【００３９】
以上説明した実施の形態から、以下に示すような発明を特定することができる。
【００４０】
（発明１）ＥＵＶ光源が収納された光源チャンバーに連結されて前記ＥＵＶ光源から流出するガスの流量を測定するガス流量計測装置において、前記ＥＵＶ光源から放射されて前記ガス流量計測装置に導光される光束を前記ガス流量計測装置に設置されたアブソーバーに照射させることを特徴とするガス流量計測装置。
【００４１】
（発明２）前記アブソーバーは、ＥＵＶ光源から照射される光束による単位面積あたりのガス放出の速度が、前記光束に含まれるＥＵＶ光強度に対して１Ｅ−７（Ｐａ・ｍ３／ｓ・Ｗ・ｃｍ２）以下であることを特徴とする発明１に記載のガス流量計測装置。
【００４２】
（発明３）前記アブソーバーは、銅またはシリコンのいずれかからなることを特徴とする発明１記載のガス流量計測装置。
【００４３】
（発明４）前記銅またはシリコンのいずれかからなる前記アブソーバーは、機械研磨または電解研磨により表面が略平滑にされていることを特徴とする発明３に記載のガス流量計測装置。
【００４４】
（発明５）前記アブソーバーを形成する前記シリコンは単結晶体であり、結晶面に沿った劈開割れにより光照射面が形成されていることを特徴とする発明３に記載のガス流量計測装置。
【００４５】
（発明６）前記アブソーバーは、冷却手段を有することを特徴とする発明１乃至５に記載のガス流量計測装置。
【００４６】
（発明７）発明１乃至５のいずれかに記載のガス流量計測装置を用いたＥＵＶ光源から流出するガスの流量を測定するガス流量方法。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、ＥＵＶ光源から照射される光束を光照射によるガス放出の低い部材からなるアブソーバーに照射するＥＵＶ光源用ガス流量計測装置、及びそれを用いた測定方法により、光照射によるチャンバー壁からのガス放出を防止し、ＥＵＶ光源からＥＵＶ光露光装置へ放出されるガス分子の種類及び流量を精度良く測定することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＥＵＶ光源用ガス流量計測装置の要部断面図
【図２】代表的なレーザープラズマ方式のＥＵＶ光源の概略を説明する図
【図３】代表的なディスチャージ方式のＥＵＶ光源の概略を説明する図
【図４】従来のガス流量およびガス種類別分圧の計測装置を説明する図
【図５】従来のガス流量およびガス種類別分圧の計測装置の要部断面図
【符号の説明】
１、１１ 第１のチャンバー（ＥＵＶ光源）
２、１２ 第２のチャンバー
３ 第３のチャンバー
４、１４ オリフィス板
５Ａ、５Ｂ 真空ゲージ
６、１６ 真空排気ポンプ
７、１７ 質量分析計
１８ ゲートバルブ
１９ 発光点
１０ チャンバー壁
１１ フランジ
１２ ゲートバルブ
１３ アブソーバー
５１ ターゲットノズル
５２ レーザー
５３ プラズマ
５４ 多層膜ミラー
５５、５７ フィルター
５６ 全反射ミラー

Claims (7)

1. ＥＵＶ光源が収納されたＥＵＶ光源チャンバーに連結されて前記ＥＵＶ光源チャンバーから流出するガスの流量を測定するガス流量計測装置において、
   前記ガス流量計測装置に設置され、前記ＥＵＶ光源から放射されて前記ガス流量計測装置に導光される光束を受光するアブソーバーと、
   開口部を含むオリフィスと、
   前記オリフィスを介して前記アブソーバーが配置された空間と接続された測定チャンバーとを有しており、
   前記オリフィスが前記光束の光路外に配置されていることを特徴とするガス流量計測装置。
2. 前記アブソーバーは、前記ＥＵＶ光源から照射される光束による単位面積あたりのガス放出の速度が、前記光束に含まれるＥＵＶ光強度に対して１Ｅ−７（Ｐａ・ｍ３／ｓ・Ｗ・ｃｍ２）以下であることを特徴とする請求項１に記載のガス流量計測装置。
3. 前記アブソーバーは、銅またはシリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載のガス流量計測装置。
4. 前記銅またはシリコンのいずれかからなる前記アブソーバーは、機械研磨または電解研磨により表面が略平滑にされていることを特徴とする請求項３に記載のガス流量計測装置。
5. 前記アブソーバーを形成する前記シリコンは単結晶体であり、結晶面に沿った劈開割れにより光照射面が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のガス流量計測装置。
6. 前記アブソーバーは、冷却手段を有することを特徴とする請求項１乃至５に記載のガス流量計測装置。
7. 請求項１乃至５のいずれかに記載のガス流量計測装置を用いたＥＵＶ光源から流出するガスの流量を測定するガス流量方法。

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