以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
図1〜図10に従って、本発明の代表的な実施形態に係る走査型プローブ顕微鏡(SPM)を説明する。図1は走査型プローブ顕微鏡の装置全体の外観図と装置内部の概略構造の透視図を示している。この走査型プローブ顕微鏡は代表的な例として原子間力顕微鏡(AFM)を想定している。
図1に示されるごとく、本実施形態に係る走査型プローブ顕微鏡は、測定ユニット1と搬送ユニット2から構成される。測定ユニット1は、試料ステージ11、AFMセンサユニット3、第1制御装置33、第2制御装置34、表示装置35、入力装置36、除電器(イオナイザ)301、および除電器制御装置302から成る除電装置(帯電除去装置)を備えている。また搬送ユニット2は、搬送ロボット303、アライナ304、ロードポート305を備えている。
図2は、測定ユニット1の構成を示す図である。AFMセンサユニット3と除電器301の下方には試料ステージ11が設けられている。試料ステージ11の上に搬送ロボット303により搬送された試料12が置かれている。試料ステージ11は、直交するX軸とY軸とZ軸で成る3次元座標系13で試料12の位置を変えるための機構である。試料ステージ11はXYステージ14とZステージ15と試料ホルダ16とから構成されている。試料ステージ11は、通常、試料側で変位(位置変化)を生じさせる粗動機構部として構成される。試料ステージ11の試料ホルダ16の上面には、比較的大きな面積でかつ薄板形状の上記試料12が置かれ、保持されている。試料12は、例えば、表面上に半導体デバイスが製作された基板またはウェハである。試料12は試料ホルダ16上に固定されている。試料ホルダ16は試料固定用チャック機構を備えている。この試料ステージ11は、試料12の除電を行うときは、除電器301の直下に試料12を配置させ、他方、AFM測定を行うときはAFMセンサユニット3の直下に試料12を配置するように動作する。図2では、試料ホルダ16はAFM測定時の配置状態で図示されている。
図3に従って試料ステージ11の具体的な構成例を説明する。図3で、14はXYステージであり、15はZステージである。XYステージ14は水平面(XY平面)上で試料を移動させる機構であり、Zステージ15は垂直方向に試料12を移動させる機構である。Zステージ15は、例えば、XYステージ14の上に搭載されて取り付けられている。
XYステージ14は、Y軸方向に向けて配置された平行な2本のY軸レール201とY軸モータ202とY軸駆動力伝達機構203から成るY軸機構部と、X軸方向に向けて配置された平行な2本のX軸レール204とX軸モータ205とX軸駆動力伝達機構206から成るX軸機構部とから構成されている。上記XYステージ14によって、Zステージ15はX軸方向またはY軸方向に任意に移動させられる。またZステージ15には、試料ホルダ16をZ軸方向に昇降させるための駆動機構が付設されている。図3では当該駆動機構は隠れており、図示されていない。試料ホルダ16の上には試料12を固定するためのチャック機構207が設けられる。チャック機構207には、通常、機械式、吸着や静電等の作用を利用した機構が利用される。
再び図2において、AFMセンサユニット3には、駆動機構17を備えた光学顕微鏡18が配置されている。光学顕微鏡18は駆動機構17によって支持されている。駆動機構17は、光学顕微鏡18を、Z軸方向に動かすためのフォーカス用Z方向移動機構部17aと、XYの各軸方向に動かすためのXY方向移動機構部17bとから構成されている。取付け関係として、Z方向移動機構部17aは光学顕微鏡18をZ軸方向に動かし、XY方向移動機構部17bは光学顕微鏡18とZ方向移動機構部17aのユニットをXYの各軸方向に動かす。XY方向移動機構部17bはフレーム部材に固定されるが、図2で当該フレーム部材の図示は省略されている。光学顕微鏡18は、その対物レンズ18aを下方に向けて配置され、試料12の表面を真上から臨む位置に配置されている。光学顕微鏡18の上端部にはカメラ19が付設されている。カメラ19は、対物レンズ18aで取り込まれた試料表面の特定領域の像を撮像して取得し、画像データを出力する。
試料12の上側には、先端に探針20を備えたカンチレバー21が接近した状態で配置されている。カンチレバー21は取付け部22に固定されている。取付け部22は、例えば、空気吸引部(図示せず)が設けられると共に、この空気吸引部は空気吸引装置(図示せず)に接続されている。カンチレバー21は、その大きな面積の基部が取付け部22の空気吸引部で吸着されることにより、固定され装着される。
上記の取付け部22は、Z方向に微動動作を生じさせるZ微動機構23に取り付けられている。さらにZ微動機構23はカンチレバー変位検出部24の下面に取り付けられている。
カンチレバー変位検出部24は、支持フレーム25にレーザ光源26と光検出器27が所定の配置関係で取り付けられた構成を有する。カンチレバー変位検出部24とカンチレバー21は一定の位置関係に保持され、レーザ光源26から出射されたレーザ光28はカンチレバー21の背面で反射されて光検出器27に入射されるようになっている。上記カンチレバー変位検出部は光てこ式光学検出装置を構成する。この光てこ式光学検出装置によって、カンチレバー21で捩れや撓み等の変形が生じると、当該変形を検出することができる。
カンチレバー変位検出部24はXY微動機構29に取り付けられている。XY微動機構29によってカンチレバー21および探針20等はXYの各軸方向に微小距離で移動される。このとき、カンチレバー変位検出部24は同時に移動されることになり、カンチレバー21とカンチレバー変位検出部24の位置関係は不変である。
上記において、Z微動機構23とXY微動機構29は、通常、圧電素子で構成されている。Z微動機構23とXY微動機構29によって、探針20の移動について、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向の各々へ微小距離(例えば数〜10μm、最大100μm)の変位を生じさせる。
上記の取付け関係において、光学顕微鏡18による観察視野には、試料12の特定領域の表面と、カンチレバー21における探針20を含む先端部(背面部)とが含まれる。
また図2において、試料ステージ11の上方には、前述した除電器(イオナイザ)301が配置されている。そして後に述べるように除電器301とこれを制御する除電器制御装置302により除電装置を構成する。
図4は、除電装置の構成と動作を解説する図である。図4(a)で示すように除電装置は、除電器301と除電器制御装置302から構成される。除電器301は、複数のイオン発生部301aを備え、各イオン発生部301aは電極針301bを有する。図4(b)に示すように電極針301bは電源301cにより高電圧を印加され、電極針301bと接地面の間にコロナ放電を発生させ、正イオン301dと負イオン301eを多数生成する。これらのイオンにより、帯電している試料を電気的に中和し除電する。ここで、除電器301はAC方式の除電器であり、図4(c)で示すように電極針301bに曲線C10で示した交流電圧をかける。これにより、点線L11で示す正側のしきい値電圧(例えば3kV)以上の電圧になったとき正イオンを発生し、点線L12で示す負側のしきい値電圧(例えば−3kV)以下の電圧になったとき負イオンを発生する。このように電極針301bから正イオンと負イオンを交互に発生させる。図4(c)での縦軸は印加電圧(V)を示し、横軸は時間(t)を示す。通常、50Hzまたは60Hzの交流電源を使用し、正イオンと負イオンは50Hzまたは60Hzで交互に発生する。除電処理は、除電時間、すなわち電極針301bに交流電圧をかける時間により制御される。
次に、再び図2を参照して走査型プローブ顕微鏡の制御系を説明する。制御系の構成としては、比較器31、制御器32、第1制御装置33、第2制御装置34、除電器制御装置302が設けられる。制御器32は、例えば原子間力顕微鏡(AFM)による測定機構を原理的に実現するための制御器である。また第1制御装置33は複数の駆動機構等のそれぞれの駆動制御用の制御装置であり、除電器制御装置302は除電器301の動作を制御する装置であり、第2制御装置34は上位の制御装置である。
比較器31は、光検出器27から出力される電圧信号Vdと予め設定された基準電圧(Vref)とを比較し、その偏差信号s1を出力する(s1=Vref−Vd)。通常、探針に力が加わっていない状態では、Vdは0V近傍の電圧を示し、基準電圧(Vref)は通常測定状態ではプラス数Vに設定されている。探針に斥力が加わりカンチレバーが反試料側に変形すると、Vdはプラス側に変位し、探針に引力が加わりカンチレバーが試料側に変形すると、Vdはマイナス側に変形する。制御器32は、偏差信号s1が0になるように制御信号s2を生成し、この制御信号s2をZ微動機構23に与える。制御信号s2を受けたZ微動機構23は、カンチレバー21の高さ位置を調整し、探針20と試料12の表面との間の距離を一定の距離に保つ。上記の光検出器27からZ微動機構23に到る制御ループは、探針20で試料表面を走査するとき、光てこ式光学検出装置によってカンチレバー21の変形状態を検出しながら、探針20と試料12との間の距離を上記の基準電圧(Vref)に基づいて決まる所定の一定距離に保持するためのフィードバックサーボ制御のループである。この制御ループによって探針20は試料12の表面から一定の距離に保たれ、この状態で試料12の表面を走査すると、試料表面の凹凸形状を測定することができる。
次に、第1制御装置33を説明する。第1制御装置33は次のような機能部を備えている。
光学顕微鏡18は、フォーカス用Z方向移動機構部17aとXY方向移動機構部17bとから成る駆動機構17によって、その位置が変化させられる。第1制御装置33は、上記のZ方向移動機構部17aとXY方向移動機構部17bのそれぞれの動作を制御するための第1駆動制御部41と第2駆動制御部42を備えている。
光学顕微鏡18によって得られた試料表面やカンチレバー21の像は、カメラ19によって撮像され、画像データとして取り出される。光学顕微鏡18のカメラ19で得られた画像データは第1制御装置33に入力され、内部の画像処理部43で処理される。
制御器32等を含む上記のフィードバックサーボ制御ループにおいて、制御器32から出力される制御信号s2は、走査型プローブ顕微鏡(原子間力顕微鏡)における探針20の高さ信号を意味するものである。探針20の高さ信号すなわち制御信号s2によって探針20の高さ位置の変化に係る情報を得ることができる。探針20の高さ位置情報を含む上記制御信号s2は、前述のごとくZ微動機構23に対して駆動制御用に与えられると共に、制御装置33内のデータ処理部44に取り込まれる。
カンチレバー変位検出部(変位検出装置)24の光検出器27から出力される電圧信号Vdは、モニタ部49によってモニタされる。
試料12の表面の測定領域について探針20による試料表面の走査は、XY微動機構29を駆動することにより行われる。XY微動機構29の駆動制御は、XY微動機構29に対してXY走査信号s3を提供するXY走査制御部45によって行われる。
また試料ステージ11のXYステージ14とZステージ15の駆動は、X方向駆動信号を出力するX駆動制御部46とY方向駆動信号を出力するY駆動制御部47とZ方向駆動信号を出力するZ駆動制御部48とによって制御される。
なお第1制御装置33は、必要に応じて、設定された制御用データ、入力した光学顕微鏡画像データや探針の高さ位置に係るデータ等を記憶・保存する記憶部を備える。
除電器制御装置302は、第2制御装置34からの指令に基づいて除電器301の動作を制御する装置である。
上記第1制御装置33と除電器制御装置302に対して上位に位置する第2制御装置34が設けられている。第2制御装置34は、通常の計測プログラムの記憶・実行および通常の計測条件の設定・記憶、自動計測プログラムの記憶・実行およびその計測条件の設定・記憶、計測データの保存、計測結果の画像処理および表示装置(モニタ)35への表示等の処理を行う。特に、本発明の場合には、試料の帯電状態を知る機能と、試料の帯電状態がしきい値以上の場合に繰り返し追加除電を行う機能と、除電装置を駆動する機能とを実現するプログラムを備える。すなわち、試料がAFMセンサユニット3の直下にセット完了後、光検出器から出力される検出信号をモニタし、モニタした検出信号により試料の帯電状態を判定し、試料の帯電状態がしきい値以上の場合に繰り返し追加除電を行うためのプログラムを備えている。また試料カセット307がセットされた後の試料の搬送から、AFM測定までの一連のプロセスを行うプログラムを備えている。さらに通信機能を有するように構成し、外部装置との間で通信を行える機能を持たせることもできる。
第2制御装置34は、上記の機能を有することから、処理装置であるCPU51と記憶部52とから構成される。記憶部52には上記のプログラムおよび条件データ等が記憶・保存される。また、CPU51と記憶部52により、試料がAFMセンサユニット直下にセット完了後、光検出器から出力される検出信号をモニタし、モニタした検出信号により試料の帯電状態を判定し、試料の帯電状態がしきい値以上の場合に繰り返し追加除電を行う機能と、試料カセットがセットされた後の試料の搬送から、AFM測定までの一連のプロセスを行う機能を実現する。さらに第2制御装置34は、画像表示制御部53と通信部等を備える。加えて第2制御装置34にはインタフェース54を介して入力装置36が接続されており、入力装置36によって記憶部52に記憶されるプログラム、条件、データ等を設定・変更することができるようになっている。また第2制御装置34には、インタフェース56を介して搬送ロボット303が接続される。
第2制御装置34のCPU51は、バス55を介して、第1制御装置33の各機能部に対して上位の制御指令等を提供し、また画像処理部43とデータ処理部44とモニタ部49等から画像データや探針の高さに係るデータ等を提供される。さらに、除電器制御装置302に対して事前除電と追加除電のための上位の制御指令を提供する。
次に、図1および図5を参照して搬送ユニット2を説明する。搬送ユニット2は、ロードポート305とアライナ304と搬送ロボット303を備えている。ロードポート305は試料カセットを設置するためのものである。アライナ304は、ウェハの方向の調整を行うものである。搬送ロボット303は、試料(ウェハ)をロードポート305からアライナ304および試料ステージ11に搬送するものである。この搬送ユニット2での動作を図5を用いて説明すると、被検体である試料12はカセット307に入った状態で装置のロードポート305にセットされる。ロードポート305にセットされた試料12を搬送ロボット303が先端に取り付けられたロボットハンド308で、試料12を試料カセット307から取り出す。取り出された試料12は、いったんアライナ304上に置かれ、角度およびXY面内の位置合わせが行われる。このように、アライナ304に載せ、試料の位置調整を行った後、試料12はロボットハンド308で、アライナ304上から測定ユニット1の試料ステージ11の試料ホルダ16上に搬送する。チャック機構207は試料12を空気負圧で吸着する。
次に、測定ユニット1での装置の動作について説明する。搬送ロボット303により搬送された試料12を除電器301の直下の位置に移動させ、AFMセンサユニット3による検査に入る前に、最初に除電器301によって一定時間試料12の除電(事前除電)を行う。
事前除電が終わると、XYステージ11を駆動してチャック機構207および試料12をAFMセンサユニット3の位置へ移動させる。この際に、探針20と試料12とはZ方向に数mm以上離れている。AFMセンサユニット3による検査のためには、探針20が試料12に対して所定距離になるまで両者を接近させなければならない。そのため、試料ステージ11のZステージ16を駆動して両者を接近させる。その際、試料12が帯電していると、カンチレバー21は静電気力による変位を受け、両者の距離が近づくほど、また、帯電量が多いほど変位量も大きくなる。この様子を図6に示す。静電気力は距離の2乗に反比例する長距離力で、数百ミクロン離れていてもカンチレバー21が大きな変位を受け、接近終了と誤認することがある。
図6の縦軸は光検出器27の出力信号Vdの絶対値であり、横軸は探針20と試料12間の距離を表す。曲線C20は、試料12の帯電が大きい場合の出力信号と距離の関係を示し、曲線C21は試料12の帯電が小さい場合の出力信号と距離の関係を示す。静電気力には斥力と引力があり、どちらが働くかは試料12の帯電状態により異なる。このため、Vdの絶対値であるlVdlを試料帯電量の指標とする。
光検出器27は、探針20に作用する原子間力によるカンチレバー21の微小変位(撓み)を電気信号に変換するが、静電気力によるカンチレバー変位による信号と区別が付かず、探針20が試料12に接触して力を受けた、すなわち接近が終了したと誤判定し、接近が中断してしまいAFMセンサユニット3による検査に至らないという問題がある。また、静電気力によるVdのオフセットを相殺して接近を継続させたとしても、本当に探針20が試料12に対して所定距離になった際に、試料12に帯電した電荷が、探針20を通じて一気に放電されるマイクロスパークが発生して、探針20に大きな損傷を与えることがある。
前者は継続するためには人の介入が必要になり、インライン自動検査装置としてはまずい状況である。後者は一見検査が継続しているように見えるため、さらに、悪い結果をもたらす。
本実施形態では、帯電量が多く事前除電だけでは除電が不十分な場合に自動的に追加除電を行う機能を実現する。その仕組みを図7〜図9を用いて説明する。
図7は、前述した追加除電制御機構のブロック構成図である。追加除電制御機構309は接近終了判定部310と帯電状態判定部311と追加除電制御部312から構成される。接近終了判定部310は、第2制御装置33内に機能部として実現され、モニタ部49からの出力信号に基づいて探針20と試料12との間に働く原子間力が、設定値(=Vref)に達しているか否かで判定する。その接近終了の情報を帯電状態判定部311に出力する。帯電状態判定部311は、出力信号Vdの絶対値としきい値Vtとの大小を比較し、Vdの絶対値とVtの大小関係の情報を、追加除電制御部312に出力する。追加除電制御部312は、Vdの絶対値がVtより小さいという信号を受けたときは、除電を停止し、Vdの絶対値がVtより大きいという信号を受信したときは、追加除電プログラムを実行する。追加除電プログラムは、まず、XYステージ15を除電器301の直下に試料12が配置されるように移動し、その後、除電器301を駆動し、除電を行い、再び、XYステージ15を駆動し、試料12をAFMセンサユニット3の直下に移動するという動作をさせるためのプログラムである。
図8は、実際の追加除電を行うときの探針20と試料12間の距離と、出力信号Vdの絶対値の変化を示す。横軸は探針20と試料12の間の距離を示し、縦軸は出力信号Vdの絶対値を示す。また直線L30は、しきい値Vtであり、帯電量がこれ以下であればAFMセンサユニット3による検査に影響を与えず、探針にも損傷(ダメージ)を与えない値である。まず曲線C30に従って、探針20の試料12への接近によって徐々に出力電圧Vdの絶対値が増加する。そして、距離d1でしきい値Vtに達したら、追加除電を行い、出力電圧Vdの絶対値がVLになり、さらなる探針20の接近で曲線C31のように変化する。点線C32は、除電を行わない場合のVdの絶対値の変化を示す。探針をdZ接近させた際のVdの変化をdVdとすると、次の区間(=dZ)の接近によるVdの増加もおよそdVdであると予測できる。この予測値がVtを超えている場合は、接近を一時中断し、試料を除電器(帯電除去装置)301の直下位置に移動させ、追加除電を行った後で、元の位置に戻り接近を継続する。
上記の事前除電と追加除電のプロセスに関するアルゴリズムを図9のフローチャートに従って説明する。まず事前除電が行われ(ステップS11)、次にAFMセンサユニット3の直下で試料12上で探針20の接近が行われ(ステップS12)、このステップS12で接近終了か判定される。接近終了の判定は、探針20と試料12との間に働く原子間力が、設定値(=Vref)に達しているか否かで判定される。VrefとVtの間にはVref>Vtの関係がある。この判定は図7の接近終了判定部310により行われる。接近終了の場合は、この工程は終了し、AFMセンサユニット3によるAFM測定のプロセスに入る。また接近終了ではない場合、探針20の試料12への接近が行われる(ステップS13)。ステップS14で図9中のlVdl>Vtの判定は、図7の帯電状態判定部311により行われる。Vdの絶対値がVtより小さいときは、ステップS12を実行する。これは図8での場合であり1回の追加除電で試料12の電位が下がり、接近終了まで至っている。Vdの絶対値がVtより大きいとき、すなわち、試料帯電量がまだ多く残存し、除電しても接近によりしきい値Vtを超える場合は、追加除電を繰り返し行う(ステップS15)。接近終了までに要した追加除電の回数は、第2制御装置34の記憶部52に記録され、表示装置35に出力される。ステップS16では除電回数が設定値より大きいかどうか判断し、追加除電の回数が設定値を超えた場合は、十分な除電が不可能であるとしてエラー(ステップS17)を出して、接近動作を停止する。
また、試料12に対して探針20を接近させる際は、スループットを落とさないために、途中までは大きなステップ(単位移動距離:本実施形態では例えばdZ=100μm)で接近させ、或る点からは小さなステップ(例えばdZ=10μm)に切り替える。接近開始時に探針20と試料12の間の正確な距離がわかっているわけではない。つまり、正確な接近終了位置はわかっていない。このステップ変更点は、ウェハ等の厚みのばらつきを考慮して決められる。
本実施形態によれば、突発的な原因(製造プロセスの修正、製造装置の不具合等)によりウェハ等の試料の帯電量が増え、装置管理者が設定した事前除電時間では十分に除電できなかった場合にも、自動的に追加除電を行い、AFMによる検査を継続することができる。設定された回数の追加除電を行っても除電できない場合はエラーを出して停止するため、マイクロスパーク等により探針に損傷を受ける可能性が低く、探針寿命の延長による経済性の向上、検査データの信頼性の向上に貢献する。
また追加除電の実施状況に係るデータを記憶・蓄積し、さらに当該実施状況を表示することにより、製造プロセスに変化があったことを装置管理者に知らせることができる。装置管理者はこれを受けて、事前除電時間を延長するか、または除電プロセスを見直すかを判断する。
AFMによる検査では、通常は、1枚のウェハ等につき、数カ所を測定する場合が多い。例えば5箇所の場合は、ウェハ中心、左端、右端、上端、下端と対称的に測定するのが通例である。本実施形態によれば、各々の測定点に関して、追加除電の実施状況を知ることができるため、ウェハ等上の帯電のバランスを知ることができる。
上記のような追加除電のプロセスが完了すると、試料ステージ11における試料ホルダ16および試料12に対して、AFMセンサユニット3のZ軸方向微動部とZステージ15を駆動して両者の接近を行い、AFM測定に基づく検査を行う。
次に上記走査型プローブ顕微鏡(原子間力顕微鏡)の基本動作を説明する。
試料ステージ11上に置かれた半導体基板等の試料12の表面の所定領域に対してカンチレバー21の探針20の先端を臨ませる。通常、探針接近用機構であるZステージ15によって探針20を試料12の表面に近づけ、原子間力を作用させてカンチレバー21に撓み変形を生じさせる。カンチレバー21の撓み変形による撓み量を、前述した光てこ式光学検出装置によって検出する。この状態において、試料表面に対して探針20を移動させることにより試料表面の走査(XY走査)が行われる。探針20による試料12の表面のXY走査は、探針20の側をXY微動機構29で移動(微動)させることによって、または試料12の側をXYステージ14で移動(粗動)させることによって、試料12と探針20の間で相対的なXY平面内での移動関係を作り出すことにより行われる。
探針20側の移動は、カンチレバー21を備えるXY微動機構29に対してXY微動に係るXY走査信号s3を与えることによって行われる。XY微動に係る走査信号s3は第1制御装置33内のXY走査制御部45から与えられる。他方、試料側の移動は、試料ステージ11のXYステージ14に対してX駆動制御部46とY駆動制御部47から駆動信号を与えることによって行われる。
上記XY微動機構29は、圧電素子を利用して構成され、高精度および高分解能な走査移動を行うことができる。またXY微動機構29によるXY走査で測定される測定範囲については、圧電素子のストロークによって制約されるので、最大でも約100μm程度の距離で決まる範囲となる。XY微動機構29によるXY走査によれば、微小範囲の測定となる。他方、上記のXYステージ14は、通常、駆動部として電磁気モータを利用して構成するので、そのストロークは数百mmまで大きくすることができる。XYステージ14によるXY走査によれば、ワイド範囲の測定となる。
上記のごとくして試料12の表面上の所定の測定領域を探針20で走査しながら、フィードバックサーボ制御ループに基づいてカンチレバー21の撓み量(撓み等による変形量)が一定になるように制御を行う。カンチレバー21の撓み量は、常に、基準となる目標撓み量(基準電圧Vrefで設定される)に一致するように制御される。その結果、探針20と試料12の表面との距離は一定の距離に保持される。従って探針20は試料12の表面の微細凹凸形状(プロファイル)をなぞりながら移動することになり、探針の高さ信号を得ることによって試料12の表面の微細凹凸形状を計測することができる。
上記のごとき走査型プローブ顕微鏡は、例えば、図10に示すごとく、半導体デバイス(LSI)のインライン製作装置の途中段階でウェハまたは基板の検査を行う自動検査工程92として組み込まれる。図示しない基板搬送装置によって、前段の製作処理工程91から検査対象であるウェハ(試料12)を搬出し、自動検査工程92の上記走査型プローブ顕微鏡(SPM)の基板ホルダ16上に置くと、走査型プローブ顕微鏡により基板表面の所定領域の微細凹凸形状が自動的に計測され、前段での基板製作の処理内容の合否が判定され、その後、再び基板搬送装置によって後段の製作処理工程93へ搬出される。
なお、事前除電を行うときに、予め試料の種類を知ることにより、或る程度の除電条件を設定し、除電を行うようにした場合にも、上記のような追加除電を行うことにより、より確実に試料の除電を行うことができる。さらに上記の実施形態の説明では、除電装置として電極針を有するタイプの例を説明したが、他のタイプの除電装置としてX線や紫外線を照射して試料の近傍の気体を電離してイオンを発生させるタイプのものも用いることができる。
上記の各実施形態で説明された構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成(材質)については例示にすぎない。従って本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。