JP4155269B2

JP4155269B2 - 液晶表示装置および電子機器

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Publication number: JP4155269B2
Application number: JP2005035575A
Authority: JP
Inventors: 克則山崎
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2005-02-14
Filing date: 2005-02-14
Publication date: 2008-09-24
Anticipated expiration: 2025-02-14
Also published as: JP2006221021A

Description

本発明は、開口率が同じでも高い輝度の表示が可能な液晶表示装置および電子機器に関
する。

一般に、表示装置において、開口率および視野角は表示品質に関する重要なパラメータ
である。液晶表示装置において、ＴＮ（Twisted Nematic）型などの液晶を用いると、十
分な視野角が得られないので、近年では、非常に広い視野角が得られるＩＰＳ（In Plane
Switching）モードが注目を浴びている。このＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の基
板の一方に、画素電極のみならず共通電極も設けるとともに、画素電極および共通電極の
間に画素に応じた電圧を印加することによって基板面の水平方向に電界を発生させる、と
いうものである。このため、液晶としては、分子長軸方向が基板面と水平を保ったまま回
転するホモジニアス配列が用いられる。

ＩＰＳモードは、視野角の点において優れているが、開口率の点においてＴＮ型よりも
劣る。その理由は、ＩＰＳモードでは、液晶の配向方向が電界に応じて変化する領域、す
なわち、画素の明るさが変化する領域が、画素電極の端部と共通電極の端部との間であっ
て、電極が形成された領域は、開口率という観点からみれば、デッドスペースとなるため
である。
そこで、一方の基板（素子基板）のうち、他方の基板（カラーフィルタ基板）との対向
面に偏光板を設けて、素子基板の金属配線層で反射された光が直接導光板に戻して、光の
再利用を図る技術が提案された（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、導光板
に戻った光が反射して再び液晶パネルに入射するので、光の再利用効率が高まる結果、開
口率が同一でも、明るい表示が可能になる、と考えられる。
特開２００１−２０１７６７号公報

しかしながら、この技術によれば、光の利用効率を高めるためには、素子基板の内面に
偏光子を設ける必要がある。素子基板の内面に偏光子を設けることは、スイッチング素子
を形成した後に、樹脂等からなる偏光層を形成するというものであるので、品質の良い（
偏光度の高い）ものが得にくいなど、技術的に多くの困難性を伴う。このため、上記技術
を適用した液晶表示装置は、低い歩留まり率のために高コストになりやすい、また、コン
トラスト比も低くなる、と考えられる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、簡易な
構成によって、高い輝度の表示が可能な液晶表示装置および電子機器を提供することにあ
る。

上記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置にあっては、液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうち、一方の基板に形成された画素電極と、共通電極を備え、電圧を印加することにより前記共通電極から前記画素電極までの領域の前記液晶の分子配列を変化させる液晶表示装置において、前記共通電極から前記画素電極までの領域には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出する凸部が設けられることにより、光学的に不連続となる領域が形成されてなることを特徴とする。そして前記凸部が前記一方の基板と異なる屈折率を有していてもよい。また、本発明に係る液晶装置は、液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうち、一方の基板に形成された画素電極と、共通電極とを備え、電圧を印加することにより前記共通電極から前記画素電極までの領域の前記液晶の分子配列を変化させる液晶表示装置において、前記共通電極から前記画素電極までの領域には前記一方の基板に設けられた凹部が形成されており、前記凹部には、前記一方の基板とは屈折率が異なる部材が充填されて平坦化されていることを特徴とする。本発明に係る液晶装置の構成によれば、一方の基板内に封じ込められるような光や入射角度の大きな光が、画素電極と共通電極との間を通過して観察者に視認されるようになるので、その分、画素を明るくすることが可能となる。

ここで、本発明において、前記凸部は、前記画素電極と前記共通電極間の中心部に形成される構成が好ましい。また、前記画素電極が、スイッチング素子に接続されていてもよい。さらに、本発明に係る電子機器は、上記液晶表示装置を備えるので、明るい表示が可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態に係る液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、液晶表示装置１０は、液晶パネル１００、データ線駆動回路
２０、走査線駆動回路３０および制御回路４０を含む。このうち、液晶パネル１００には
、３２０行の走査線１１２が行（Ｘ）方向に延在する一方、２４０列のデータ線１１４が
列（Ｙ）方向に延在するように、それぞれ設けられている。
画素１１０は、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して、それぞれ配列して
いる。したがって、本実施形態では、画素１１０が縦３２０行×横２４０列でマトリクス
状に配列するが、本発明をこれに限定する趣旨ではない。

説明の便宜上、液晶パネル１００、特に画素１１０の構成を中心に説明する。図２（ａ
）は、画素１１０の平面的な構成を示す図であり、図２（ｂ）は、画素１１０の電気的な
構成を示す図である。いずれも、ｉ行目及びこれに隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及
びこれに隣接する（ｊ＋１）列目との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示して
いる。また、図３は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿って破断した液晶パネル１００
の構造を示す側断面図である。
なお、図２（ａ）および図２（ｂ）において、ｉ、（ｉ＋１）は、画素１１０の配列に
おいて走査線の行を一般的に示す場合の記号であり、１以上３２０以下の整数である。同
様に、ｊ、（ｊ＋１）は、画素１１０の配列においてデータ線の列を一般的に示す場合の
記号であり、１以上２４０以下の整数である。

図２（ｂ）において、各画素１１０は、画素容量１１８と、二端子型スイッチング素子
の一例であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）２２０とを有する。
ここで、画素容量１１８の一端はデータ線１１４に接続される一方、その他端はＴＦＤ
２２０の一端に接続されている。ＴＦＤ２２０の他端は、走査線１１２に接続されている
。
液晶パネル１００は、図３に示されるように、ともに透明性を有する対向基板１５１と
素子基板２０１とがシール材１６０によって一定の間隙を保つように、かつ、素子基板２
０１の電極形成面が対向基板１５１に対向するように、貼り合わせた構造となっており、
当該間隙に液晶１７０が挟持されている。

一方、図２（ａ）において、ＴＦＤ２２０の一端は、逆Ｕ字形状の画素電極２３４に接
続されている。また、共通電極（対向電極）１１６は、データ線１１４からＸ方向に分岐
するとともに、さらにデータ線１１４の分岐部分から末端方向に向かって、データ線１１
４と平行となるように、再分岐して、その一方が折れ曲がっている。このため、共通電極
１１６は、電気的には、データ線１１４そのものである。
データ線１１４自身と共通電極１１６とが、画素電極２３４と櫛歯状に対向して、これ
により図２（ｂ）における画素容量１１８が形成されている。

データ線１１４および共通電極１１６は、それぞれタンタル単体やタンタル合金などを
陽極酸化による絶縁体で覆った２層構造である。また、ＴＦＤ２２０の部分２２２は、陽
極酸化後に分岐電極１１６から分離したものである。一方、走査線１１２および画素電極
２３４は、クロムなどの低抵抗金属層をパターニングしたものである。このため、走査線
１１２とデータ線１１４とは素子基板２０１において電気的な絶縁を保ちつつ交差するこ
とになる。

また、ＴＦＤ２２０は、走査線１１２の金属層／島状部分２２２の絶縁膜／島状部分２
２２の金属層、および、島状部分２２２の金属層／島状部分２２６の絶縁膜／画素電極２
３４の金属層という、導電体／絶縁体／導電体のサンドイッチ構造を２つ逆向きに接続し
た構造となっている。すなわち、ＴＦＤ２２０は、電流−電圧特性が正負双方向にわたっ
て非線形となるダイオードを、互いに逆向きに直列接続したＢＴＢ（Back To Back：背合
わせ）構造となっている。このため、ＴＦＤ２２０は、正負双方向にわたって均質な非線
形スイッチング特性を有することになる。

画素１１０には、本願の特徴部分である、対向基板１５１に向かって凸となる凸部２５
０が、素子基板２０１の電極形成面であって、データ線１１４または共通電極１１６と、
画素電極２３４との間に設けられている。
この凸部２５０は、例えば感光性アクリル樹脂をフォトリソグラフィによりパターニン
グしたものである。また、図２および図３に示されるように、凸部２５０は、長辺がＹ方
向に沿って、その頂辺が対向基板１５１に対向するような三角柱形状となっている。また
、この凸部２５０は各画素電極２３４と共通電極１１６間の中心部に形成されることが望
ましい。

なお、対向基板１５１および素子基板２０１の対向面には、図示省略されているが、液
晶分子の初期配向方向が所定方向となるようにラビング処理された配向膜がそれぞれ形成
されている。さらに、対向基板１５１の観察面および素子基板２０１の非電極形成面には
、液晶分子の初期配向方向に応じた偏光軸を有する偏光子１５３、２０３がそれぞれ貼付
されている。
また、素子基板２０１の非電極形成面側には、図示しないバックライトユニットが設け
られて、この照射光が液晶パネル１００に入射する。なお、バックライトユニットではな
く、外光を取り入れて、液晶パネル１００に入射させても良い。
ここで、本実施形態において液晶パネル１００は、電圧無印加状態において白表示をす
るノーマリーホワイトモードであるとする。

走査線駆動回路３０は、図４に示されるように、１、２、３、…、３２０行目の走査線
１１２に、垂直走査に応じて走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２０を供給するもので
あり、１垂直走査期間（１Ｆ）にわたって１〜３２０行目の走査線１１２を、１行ずつ１
水平走査期間（１Ｈ）毎に選択するとともに、選択した走査線に選択電圧±Ｖ_Ｓのいずれ
かを水平走査期間の後半期間において印加する一方、他の走査線については電圧±Ｖ_ｄの
いずれかを印加するものである。
詳細には、走査線駆動回路３０は、ｉ行目の走査線１１２に印加する走査信号Ｙｉにつ
いて、当該ｉ行目の走査線を選択したときに、当該１水平走査期間の後半期間にわたって
正極性選択電圧＋Ｖ_Ｓとし、この後、選択が終了すれば、正極性非選択電圧＋Ｖ_ｄに保持
し、１垂直走査期間（１Ｆ）経過して、再び当該ｉ行目の走査線１１２を選択したときに
、当該１水平走査期間の後半期間にわたって負極性選択電圧−Ｖ_Ｓとし、この後、選択が
終了すれば、負極性非選択電圧−Ｖ_ｄに保持する、というサイクルの繰り返しとする。
また、走査線駆動回路３０は、ある１水平走査期間においてｉ行目の走査線１１２を選
択して、その後半期間にわたって走査信号Ｙｉを正極性選択電圧＋Ｖ_Ｓとした場合に、次
の１水平走査期間において（ｉ＋１）行目の走査線１１２を選択したとき、その後半期間
にわたって走査信号Ｙ（ｉ＋１）を負極性選択電圧−Ｖ_Ｓとする一方、走査信号Ｙｉを負
極性選択電圧−Ｖ_Ｓとした場合に、次の１水平走査期間において（ｉ＋１）行目の走査線
１１２を選択したとき、その後半期間にわたって走査信号Ｙ（ｉ＋１）を正極性選択電圧
＋Ｖ_Ｓとする。

次に、データ線駆動回路２０について説明する。データ線駆動回路２０は、選択された
走査線１１２に位置する画素１１０の階調に応じたパルス幅のデータ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ
３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目のデータ線１１４に供給するものであ
る。
データ線駆動回路２０は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記憶領
域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１０の階調値（明るさ
）を例えば６ビットで指定する階調データＤａが記憶される。また、各記憶領域に記憶さ
れる階調データＤａは、表示内容に変更が生じた場合に、図示しない上位装置によって書
き換えられる。
本実施形態において、階調データＤａを６ビットとした場合に、画素１１０の階調値が
十進値の「０」から「６３」までの６４段階で指定可能となる。ここで、６ビットの階調
データＤａが「０」（二進値では“００００００”）である場合に最も暗い黒色の表示を
指定し、６ビットの十進値が増加するにつれて徐々に明るくなるように階調値を指定する
とともに、６ビットの十進値が「６３」（二進値では“１１１１１１”）である場合に最
も明るい白色の表示を指定するものとする。

このような前提において、データ線駆動駆動回路２０は、走査線駆動回路３０により選
択された走査線１１２に位置する画素１１０の階調値を指定する階調データＤａを、記憶
領域から読み出すとともに、当該走査線１１２に印加される選択電圧の極性を考慮して当
該階調値に応じたパルス幅のデータ信号に変換し、対応するデータ線１１４に供給する。
この供給動作を、データ線駆動回路２０は、選択された走査線１１２に位置する１〜２４
０列のそれぞれについて実行する。

図５は、ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦２４０を満たす整数）に対応するデータ信号の電圧波形
について、選択走査線１１２に位置する画素１１０の階調データＤａとの関係において示
す図である。
この図に示されるように、データ線駆動回路２０は、ｉ行目の走査線１１２が選択され
る１水平走査期間の後半期間に、走査信号Ｙｉが正極性の選択電圧＋Ｖ_Ｓとなる場合、当
該ｉ行目であってｊ列目の画素１１０に対応する階調データＤａが当該画素を暗くするよ
うに指定するにつれて、当該後半期間にわたってデータ信号Ｘｊが電圧−Ｖ_ｄとなる期間
を長くする一方、電圧＋Ｖ_ｄとなる期間を短くする。なお、データ線駆動回路２０は、当
該後半期間における電圧−Ｖ_ｄの印加期間については、当該後半期間の終了端を基準とし
て時間的に前方に延ばす一方、電圧＋Ｖ_ｄの印加期間については、当該後半期間の開始端
を基準として後方に延ばす。
一方、データ線駆動回路２０は、ｉ行目の走査線１１２が選択される１水平走査期間の
前半期間にわたってデータ信号Ｘｊが電圧±Ｖ_ｄをとる期間を、その後半期間における関
係と予め逆転させておく。
このため、前半、後半期間を通した１水平走査期間全体でみれば、データ信号Ｘｊが電
圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄとなる期間は、階調データＤａで指定される階調値にかかわらず、互い
に５０％ずつとなる。

なお、ｉ行目の走査線１１２が選択される１水平走査期間の後半期間に、走査信号Ｙｉ
が負極性の選択電圧−Ｖ_Ｓとなる場合、データ信号Ｘｊが電圧±Ｖ_ｄをとる関係を、走査
信号Ｙｉが正極性の選択電圧＋Ｖ_Ｓとなる場合の関係と逆転させる。詳細には、データ線
駆動回路２０は、ｉ行目の走査線１１２が選択される１水平走査期間の後半期間に、走査
信号Ｙｉが負極性の選択電圧−Ｖ_Ｓとなる場合、当該ｉ行目であってｊ列目の画素１１０
に対応する階調データＤａが当該画素を暗くするように指定するにつれて、当該後半期間
にわたってデータ信号Ｘｊが電圧＋Ｖ_ｄとなる期間を長くする一方、電圧−Ｖ_ｄとなる期
間を短くする。

ｉ行目の走査線１１２が選択される水平走査期間の後半期間において、正極性の選択電
圧＋Ｖ_Ｓが印加される場合に、データ信号Ｘｊの電圧−Ｖ_ｄは、画素容量１１８における
電圧実効値を大きくさせる電圧、すなわち、ノーマリーホワイトモードにおいて画素の階
調を暗くさせるオン電圧を意味する。一方、負極性の選択電圧−Ｖ_Ｓが印加される場合に
は、データ信号Ｘｊの電圧＋Ｖ_ｄがオン電圧を意味することになる。
なお、図５におけるハッチングは、選択電圧が印加される後半期間において、データ信
号Ｘｊが、オン電圧となる期間（パルス幅）を示している。また、図５では代表的な階調
値だけが示されている。

この画素１１０において、ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号Ｙｉが選択電圧
±Ｖ_Ｓのいずれかになると、ｊ列目のデータ線１１４に供給されたデータ信号Ｘｊの電圧
にかかわらず、ｉ行ｊ列の画素１１０におけるＴＦＤ２２０が強制的に導通状態（オン）
となり、当該ＴＦＤ２２０に接続された画素容量１１８に、当該選択電圧および当該デー
タ電圧の差に応じた電圧が書き込まれる。
電圧保持後、走査信号Ｙｉが非選択電圧±Ｖ_ｄのいずれかになると、ＴＦＤ２２０はオ
フするが、画素容量１１８における電圧保持状態が維持される。画素容量１１８では、保
持された電圧の実効値に応じて液晶の配向状態が変化するので、偏光子２０３、１５３を
通過する光量は、当該電圧実効値に応じた値となる。このため、当該選択電圧が印加され
たときのデータ電圧により、画素容量１１８において保持される電圧を階調データＤａで
指定される階調値に応じた値とすることによって、観察側で視認される光量を制御して、
所定の階調表示が可能となっている。

本実施形態では、データ線１１４および共通電極１１６は、タンタル合金等を陽極酸化
による絶縁体で覆った２層構造であり、また、走査線１１２および画素電極２３４につい
ても、クロム等の低抵抗金属層であって、いずれについても遮光性を有するので、開口率
という観点からすればデッドスペースということができる。そもそもこれらの電極形成領
域は、ＴＮ型とは異なり、画素容量１１８の電圧実効値に応じて液晶分子の分子配列が変
化する領域ではない。
すなわち、本実施形態のようなＩＰＳモードにおいて、画素容量１１８の電圧実効値に
応じて液晶分子の分子配列が変化する領域は、データ線１１４または共通電極１１６から
画素電極２３４までの対向領域であり、ここを通過して観察側に出射する光量が多ければ
、それだけ画素１１０が明るいと視認されるはずである。

本実施形態では、図６に示されるように、素子基板２０１の側端面の反射光など、電極
形成面に対して角度の大きな入射光が、凸部２５０によって、データ線１１４または分岐
電極１１６と、画素電極２３４との間を通過して観察側に出射するので、その分、開口率
が同じでも、明るい表示が可能となる。

なお、図３では、凸部２５０の形状を、三角柱としたが、三角錐などの多角錐や、円錐
形状であっても良い。要は、電極形成面に対して角度の大きな入射光がデータ線１１４ま
たは共通電極１１６と画素電極２３４との間を通過して観察側に出射するように、素子基
板２０１の電極形成面に、光学的に不連続となる領域を設ければ良い。また、凸部２５０
を、素子基板２０１とは異なる光学特性（屈折率）の部材で形成して、平坦化しても良い
。
さらに、図７に示されるように凹部２５２を設けても良い。このような凹部２５２とし
ては、素子基板２０１に形成した溝を用いても良いし、さらに、そのような溝に素子基板
とは異なる光学特性（屈折率）の部材を充填して、電極形成面を平坦化しても良い。
くわえて、図８に示されるように、凸部２５０と凹部２５２との両者を設けても良い。
このように凸部２５０と凹部２５２との両者を設ける構成の場合、両者の位置は一致させ
ないで、離間させても良いし、いずれか一方だけを設ける構成としても良い。また、この
凸部２５０または凹部２５２は各画素電極２３４と共通電極１１６間の中心部に形成され
ることが望ましい。

スイッチング素子としてＴＦＤ２２０を用いる構成にあっては、１水平走査期間（１Ｈ
）を前半および後半期間に分け、このうちの後半期間に選択電圧を印加する構成としたが
、前半期間に印加する構成としても良い。さらに、前半・後半期間に分けることなく、１
水平走査期間（１Ｈ）の全域にわたって選択電圧を印加する構成としても良い。
ただし、１水平走査期間（１Ｈ）の全域にわたって選択電圧を印加する構成では、１水
平走査期間において、データ信号として電圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄとなる期間が５０％ずつとは
ならないので、表示パターンによっては、非選択期間のデータ信号の電圧が偏る結果、Ｔ
ＦＤ２２０のオフリーク差によって、表示品位が低下する場合がある。
換言すれば、本実施形態のように、１水平走査期間（１Ｈ）を前半および後半期間に分
け、このうちのいずれかに選択電圧を印加して、データ信号として電圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄと
なる期間が画素の階調にかかわらず５０％ずつとなるような構成とすれば、非選択期間の
データ信号の電圧が偏ることに起因する表示品位の低下を未然に防止することが可能であ
る。また、オン電圧については、時間的に後方に寄せたが、これに限られず、オン電圧を
時間的に前方に寄せても良い。
図２では、ＴＦＤ２２０を走査線１１２の側に、画素容量１１８をデータ線１１４の側
に、それぞれ接続する構成としたが、これとは逆に、ＴＦＤ２２０をデータ線１１４の側
に、画素容量１１８を走査線１１２の側に、それぞれ接続する構成としても良い。
一方、ＴＦＤ２２０は、スイッチング素子の一例であり、他に、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バ
リスタや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた素子のほか、これら素子を２つ
逆向きに直列接続または並列接続したものなどがスイッチング素子として用いることが可
能である。

また、スイッチング素子として、ＴＦＤ２２０のような二端子型のダイオード素子に限
られず、トランジスタのような三端子型素子を用いることができる。そこで、スイッチン
グ素子としてトランジスタを用いて面内スイッチング方式とした画素構成について図９（
ａ）および図９（ｂ）を参照して説明する。
図９（ｂ）に示されるように、画素１１０には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transi
stor、以下、単にＴＦＴを略称する）２４０が備えられる。ここで、ｉ行ｊ列の画素１１
０におけるＴＦＴ２４０のゲートはｉ行目の走査線１１２に接続され、そのソースはデー
タ線１１４に接続され、そのドレインは画素容量１１８の一端に接続されている。この構
成でも、走査線１１２とデータ線１１４とは、絶縁層を介して電気的な絶縁を保ちつつ互
いに交差するように形成されている。
一方、画素容量１１８の他端は、時間的に一定の電位ＬＣcomに保たれた共通電極（対
向電極）１３１である。

一方、画素容量１１８は、図９（ａ）に示されるように、ＴＦＴ２４０のドレインから
Ｙ字形状に２分岐した画素電極２３４と、この画素電極２３４に対して櫛歯状に対向する
共通電極１３１とからなる。なお、図９（ａ）において、共通電極１３１は、行毎に設け
られているが、画素の配列領域外において共通接続されている。このため、共通電極１３
１は、すべての画素１１０に対して共通である。

この構成では、走査線１１２に選択電圧が印加されると、ＴＦＴ２４０がオンし、デー
タ線１１４におけるデータ信号Ｘｊが画素電極２３４に印加されて、画素容量１１８に書
き込まれる。このため、走査線駆動回路３０は、走査信号Ｙ１〜Ｙ３２０として、１水平
走査期間毎に順次排他的に選択電圧（Ｈレベル）とさせれば良く、ＴＦＤ２２０のように
１垂直走査期間毎に極性反転する必要はない。
また、データ線駆動回路２０は、データ信号Ｘｊとして階調に応じた電圧としても良い
。なお、データ信号Ｘｊは、共通電極１３１の電位ＬＣcomを基準として高位側・低位側
とで交互に変化させる必要がある。
なお、トランジスタによっては、上記説明に対しソースとドレインとが入れ替わる場合
もある。

このようにスイッチング素子としてＴＦＴ２４０を用いる構成においても、共通電極１
３１と画素電極２３４との間に、凸部２５０のような光学的に不連続な領域が設けられる
ので、電極形成面に対して角度の大きな入射光が、凸部２５０等によって、共通電極１３
１と画素電極２３４との間を通過して観察側に出射する。このため、ＴＦＴ２４０を用い
る構成においても、明るい表示が可能となる。

なお、上述した各例では、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイト
モードであるとしたが、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモー
ドとしても良い。なお、ノーマリーブラックモードであれば、画素容量１１８における電
圧実効値が大きいほど、画素が明るくなる。
また、６４階調表示に限らず、これによりも低階調表示としても良いし、これよりも高
階調表示としても良い。
さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構成して、カラー表示を
行うとしても良い。

次に、上述した実施形態に係る液晶表示装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１０は、実施形態に係る液晶表示装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである
。なお、液晶表示装置１０のうち、液晶パネル１００以外の構成要素については電話器に
内蔵されるので、外観としては現れない。

なお、液晶表示装置１０が適用される電子機器としては、図１０に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した液晶表示装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電
子機器においても、高い輝度で表示が簡易な構成によって実現されることになる。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。同液晶表示装置における画素の構成を示す図である。同液晶表示装置の構造を示す側断面図である。同液晶表示装置における駆動波形を示す図である。同液晶表示装置における駆動波形を示す図である。同液晶表示装置における明るさの向上を説明するための図である。同液晶表示装置の別構造を示す側断面図である。同液晶表示装置の別構造を示す側断面図である。同液晶表示装置における画素の別構成を示す図である。同液晶表示装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。

符号の説明

１０…液晶表示装置、２０…データ線駆動回路、３０…走査線駆動回路、４０…制御回
路、１００…液晶パネル、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…
分岐電極、１１８…画素容量、１３１…共通電極、１５１…対向基板、２０１…素子基板
、２２０…ＴＦＤ、２３４…画素電極、２４０…ＴＦＴ、２５０…凸部、２５２…凹部、
１２００…携帯電話

Claims

液晶を挟持する一対の基板と、前記一対の基板のうち、一方の基板に形成された画素電極および共通電極と、を備え、電圧を印加することにより前記共通電極から前記画素電極までの領域の前記液晶の分子配列を変化させる液晶表示装置において、
前記共通電極から前記画素電極までの領域には前記一方の基板に設けられた凹部が形成されており、
前記凹部は、前記一方の基板とは屈折率が異なる部材が充填されて平坦化されていることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記画素電極が、スイッチング素子に接続されてなることを特徴とする液晶表示装置。
請求項１又は２に記載の液晶表示装置を備えることを特徴とする電子機器。