JP2006220787A

JP2006220787A - 電気光学装置、駆動方法および電子機器

Info

Publication number: JP2006220787A
Application number: JP2005032616A
Authority: JP
Inventors: Katsunori Yamazaki; 克則山崎
Original assignee: Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2005-02-09
Filing date: 2005-02-09
Publication date: 2006-08-24

Abstract

【課題】データ信号の電圧切り替わりに起因する表示品位の低下を防止する。
【解決手段】電気的に直列に接続された画素容量およびスイッチング素子を含む画素１
１６のうち、奇数行を、第１データ線２１１に接続し、偶数行を第２データ線２１２に接
続する一方、第１データ線に供給するデータ信号Ｘｊと、第２データ線に供給するデータ
信号／Ｘｊとを互いに論理反転の関係とする。第１データ信号Ｘｊの電圧の切り替わりに
伴って走査線３１１に現れるノイズを、第２データ信号／Ｘｊの電圧の切り替わりに伴っ
て現れるノイズで打ち消す。
【選択図】図１

Description

本発明は、いわゆる横クロストークの発生を抑える技術に関する。

液晶などの電気光学的な変化により表示を行う電気光学装置では、次のような階調表示
技術によって各画素の階調表示が行われる。すなわち、このこのパルス幅変調等は、走査
線（コモン電極）に選択電圧が印加される期間に、データ信号として階調に応じたパルス
幅の信号や、階調に応じた電圧信号を、データ線（セグメント電極）に印加することによ
って、画素に印加される電圧実効値を制御して階調表示を行う、というものであるが、こ
のような階調表示技術を用いた場合、表示ムラが走査線の延設方向（横方向）に発生する
、という横クロストークが問題視された。

この横クロストークの原因は、データ線の電圧が変化すると、当該データ線と容量結合
する走査線や共通電極の電位が変動して、画素の階調を決定付ける画素容量（液晶容量）
の電圧実効値を変動させるためである、と考えられる。このため、横クロストークを低減
するために、選択された画素１行分における階調値の度数を計数するとともに、これらの
計数結果に基づいて、選択された行に位置する画素の各々に印加するデータ信号の電圧を
補正する技術が提案された（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、画素１行分
の表示パターンに依存した実効電圧の変動を見越した上で、データ信号のパルス幅（電圧
）が補正されるので、電圧実効値の変動分を相殺でき、結果的に、横クロストークの低減
を図ることができる。
特開平８−１６０３９２号公報

しかしながら、この技術では、階調値毎に度数を計数する必要があるので、階調データ
を識別するためのデコーダや計数回路等の回路ブロックを表示階調数分設ける必要がある
。例えば、６ビットの階調データで６４階調を表示可能とする場合には、６４個の回路ブ
ロックが必要になり、８ビットの階調データで２５６階調を表示可能とする場合には、２
５６個の回路ブロックが必要になる。その結果、多階調化にともない、回路構成が複雑に
なるほか、回路規模も増大するため、低価格化や低消費電力化を大きく阻害する要因とな
る。
そもそも、上記技術は、画素容量における電圧実効値の変動を見越して、データ信号の
パルス幅（電圧）を補正するものに過ぎず、画素容量における電圧実効値の変動そのもの
を抑えるものではない。したがって、上記技術は、いわば対処療法的なものであり、根本
的な問題についてなんら改善するものではない、ということができる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、画素容
量における電圧実効値の変動そのものを防止して、横クロストークの発生を抑えることが
可能な電気光学装置、その駆動方法および電子機器を提供することにある。

上記目的を達成するため本発明にあっては、複数行の走査線と、第１および第２データ
線の複数対との交差に対応して設けられた画素であって、奇数行の走査線は、前記第１ま
たは第２データ線の一方に対応し、偶数行の走査線は、前記第１または第２データ線の他
方に対応してスイッチング素子と画素容量とを含む画素を介して接続され、対応する走査
線に選択電圧が印加されたときに、前記スイッチング素子がオンするとともに、接続され
た第１または第２データ線の一方に基づく電圧が前記画素容量に書き込まれる画素と、前
記複数行の走査線を所定の順番で選択する際に、選択された走査線に前記選択電圧を印加
する走査線駆動回路と、選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信
号を、当該画素に接続された前記第１データ線に供給し、電圧変化が前記データ信号とは
反転関係にある反転データ信号を、前記第２データ線に供給するデータ線駆動回路とを有
することを特徴とする。
この構成によれば、第１または第２データ線のいずれか一方に供給されるデータ信号と
、第１または第２データ線のいずれか他方に供給される反転データ信号とは、電圧変化の
方向が互い反対であるので、第１および第２データ線に容量結合する部分の電圧変動が抑
えられる。

本発明において、前記スイッチング素子はダイオードであって、前記画素容量および前
記ダイオードは、前記走査線と、前記第１または第２データ線のいずれか一方との間で電
気的に直列に接続されている構成が好ましい。
スイッチング素子をダイオードとする場合、前記走査線駆動回路は、各走査線を１水平
走査期間毎に選択するとともに、当該１水平走査期間を２分割した前半期間または後半期
間のいずれかで、前記選択電圧を当該選択走査線に印加し、前記データ線駆動回路は、当
該１水平走査期間の前半期間と後半期間とにおいて前記データ信号を、所定の電位を基準
として互いに反転させる構成が好ましい。
また、この場合に、前記データ信号供給回路は、選択された走査線に位置する画素の階
調に応じたパルス幅のデータ信号を、当該画素に対応する前記第１または第２データ線の
いずれか一方に供給し、所定の電位を基準として前記データ信号を反転させた反転データ
信号を、前記第１または第２データ線のいずれか他方に供給する構成としても良い。

本発明において、前記スイッチング素子は、そのゲートが前記走査線に接続されたトラ
ンジスタであり、前記画素容量は、画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極と同一基板
上に形成され当該画素電極と対向する共通電極とを含み、前記共通電極は、各画素にわた
って共通であって、前記第１および第２データ線と列毎に絶縁体を介して交差する構成と
しても良い。
スイッチング素子をトランジスタとする場合、前記データ信号供給回路は、選択された
走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に対応する前記第１
または第２データ線のいずれか一方に供給し、当該データ信号の電圧変化がΔＶで示され
る場合に、当該電圧変化とは逆向きであって、ｋ・ΔＶの電圧変化を有する信号を、前記
反転データとして前記第１または第２データ線のいずれか他方に供給する構成が好ましい
。
なお、本発明は、電気光学装置のみならず、電気光学装置の駆動方法としても、さらに
は、当該電気光学装置を有する電子機器としても概念することが可能である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形
態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、液晶パネル１００、データ線駆動回路
２５０、走査線駆動回路３５０および制御回路４００を含む。このうち、液晶パネル１０
０には、第１データ線２１１および第２データ線２１２の２４０対がそれぞれ列（Ｙ）方
向に延在する一方、３２０行の走査線（コモン電極）３１１が行（Ｘ）方向に延在するよ
うに設けられている。
画素１１６は、第１データ線２１１または第２データ線２１２と、３２０行の走査線３
１１との交差に対応して、それぞれ配列している。したがって、本実施形態では、画素１
１６が縦３２０行×横２４０列でマトリクス状に配列するが、本発明をこれに限定する趣
旨ではない。

説明の便宜上、画素１１６の詳細な構成について説明する。図２（ａ）は、画素１１６
の平面的な構成を示す図であり、図２（ｂ）は、画素１１６の電気的な構成を示す図であ
る。いずれも、ｉ行目及びこれに隣接する（ｉ＋１）行目と、ｊ列目及びこれに隣接する
（ｊ＋１）列目との交差に対応する２×２の計４画素分の構成が示されている。なお、ｉ
、（ｉ＋１）は、画素１１６が配列する走査線を一般的に示す場合の記号であり、１以上
３２０以下の整数であって、ここでは特にｉを奇数とし、（ｉ＋１）を偶数として説明す
る。

図２（ｂ）において、各画素１１６は、画素容量１１８と、二端子型スイッチング素子
の一例であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）２２０とを有する。
ここで、奇数ｉ行目に位置する画素１１６では、ＴＦＤ２２０の一端が第１データ線２
１１に接続される一方、偶数（ｉ＋１）行目に位置する画素１１６では、ＴＦＤ２２０の
一端が第２データ線２１２に接続されている。そして、奇数、偶数行とも、ＴＦＤ２２０
の他端は画素容量１１８の一端に接続され、画素容量１１８の他端は、走査線３１１に接
続されている。

液晶パネル１００は、一対の基板が一定の間隙を保って電極面が互いに対向するととも
に、当該間隙に液晶が挟持された構成となっている。このような構成を平面的に示したも
のが図２（ａ）である。
一対の基板のうち、一方の基板の対向面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明
導電体からなる矩形形状の画素電極２３４がマトリクス状に配列しており、このうち、奇
数ｉ行目の画素電極２３４が第１データ線２１１に、偶数（ｉ＋１）行目の画素電極２３
４が第２データ線２１２に、それぞれＴＦＤ２２０を介して接続されている。
一対の基板のうち、他方の基板の対向面には、ＩＴＯなどからなる走査線３１１が、１
行分の画素電極２３４と対向するように行方向に延在して、帯状の対向電極として機能し
ている。
このため、ｉ行ｊ列の画素１１６における画素容量１１８は、画素電極２３４とｉ行目
の走査線３１１と、両者の間に挟持された液晶とによって構成されることになる。

ＴＦＤ２２０は、基板側からみると、タンタル単体やタンタル合金などから形成され、
かつ、第１データ線２１１または第２データ線２１２からＴ字状に枝分かれした第１の導
電体と、この第１の導電体を陽極酸化させた絶縁体と、クロム等などの第２の導電体２２
６とから構成されて、導電体／絶縁体／導電体のサンドイッチ構造となっている。このた
め、ＴＦＤ２２０は、電流−電圧特性が正負双方向にわたって非線形となるダイオードス
イッチング特性を有することになる。

なお、この構成において、走査線３１１は、画素電極２３４のみならず、第１データ線
２１１と第２データ線２１２とに対しても液晶を介してそれぞれ対向することになる。こ
のため、図２（ｂ）に示されるように、各行の走査線３１１は、１列の第１データ線２１
１とは容量Ｃ_Ｓ１を介して、１列の第２データ線２１２とは容量Ｃ_Ｓ２を介して、それぞ
れ列毎に結合することになる。

この画素１１６において、走査線３１１に、後述する選択電圧±Ｖ_Ｓのいずれか一方が
印加されると、第１データ線２１１または第２データ信号２１２の電圧にかかわらず、当
該走査線および第１（または第２）データ線の交差に対応するＴＦＤ２２０が強制的に導
通状態（オン）となり、オンしたＴＦＤ２２０に接続された画素容量１１８に、当該選択
電圧および当該データ電圧の差に応じた電圧が保持される。電圧保持後、走査線３１１に
非選択電圧±Ｖ_ｄが印加されると、当該ＴＦＤ２２０はオフするが、画素容量１１８にお
ける電圧保持状態が維持される。画素容量１１８では、保持された電圧に応じて液晶の配
向状態が変化するので、偏光子（図示省略）を通過する光量は、当該電圧実効値に応じた
値となる。このため、当該選択電圧が印加されたときのデータ電圧により、画素容量１１
８において保持される電圧を画素毎に制御して、所定の階調表示を行うことが可能となっ
ている。
なお、本実施形態では説明の便宜上、当該電圧実効値がゼロに近ければ、光の透過率が
最大となって白色表示になる一方、電圧実効値が大きくなるにつれて透過する光量が減少
して、ついには透過率が最小である黒色表示になるノーマリーホワイトモードとする。

説明を再び図１に戻すと、制御回路４００は、ラッチパルスＬＰや、フレーム信号ＦＲ
、極性指示信号ＰＯＬ、スタートパルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹ等の各種制御信号によ
って液晶パネル１００の走査を制御するものである。なお、これらの制御信号の内容は、
その都度説明することにする。

走査線駆動回路３５０は、１行目、２行目、３行目、…、３２０行目の各走査線３１１
を、１行ずつ選択するとともに、当該選択走査線に選択電圧±Ｖ_Ｓのいずれかを選択の後
半期間において印加するものである。
走査線駆動回路３５０による出力について図３を参照して説明する。この図に示される
ように、走査線駆動回路３５０は、垂直走査期間（１Ｆ）の最初に供給されるスタートパ
ルスＤＹを、デューティ比が５０％であるクロック信号ＣＬＹの立ち上がりにて順次取り
込むことにより、走査線３１１に一対一に対応したシフト信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、
…、Ｙｓ３２０を生成する。
スタートパルスＤＹの（Ｈレベルの）パルス幅はクロック信号ＣＬＹのほぼ１周期に設
定されているので、シフト信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓ３２０は、クロック信
号ＣＬＹの１周期だけ順次排他的にＨレベルとなる。シフト信号がＨレベルになると、当
該シフト信号に対応する走査線が選択されたことを意味する。このため、本実施形態では
、クロック信号ＣＬＹの１周期が、垂直走査における１水平走査期間（１Ｈ）に相当する
ことになる。

走査線駆動回路３５０は、あるシフト信号がＨレベルになって、当該シフト信号に対応
する走査線３１１を選択したとき、当該選択走査線３１１の電圧状態を次のように決定す
る。
すなわち、走査線駆動回路３５０は、ある行の走査線に対応するシフト信号がＨレベル
になって、当該走査線の選択が示されたときに、当該選択走査線３１１に対し、極性指示
信号ＰＯＬがＨレベルであれば、１水平走査期間の後半期間にわたって正極性選択電圧＋
Ｖ_Ｓとし、この後、当該シフト信号がＬレベルになって選択が終了すれば、正極性非選択
電圧＋Ｖ_ｄとする一方、極性指示信号ＰＯＬがＬレベルであれば、当該１水平走査期間の
後半期間にわたって負極性選択電圧−Ｖ_Ｓとし、この後、当該シフト信号がＬレベルにな
れば、負極性非選択電圧−Ｖ_ｄとする。したがって、本実施形態では、１水平走査期間の
前半期間では、ある行の走査線が選択されても当該選択走査線に選択電圧が印加されない
ことになる。

図３では、走査線駆動回路３５０によって決定される走査線の電圧（走査信号）が１〜
３２０行目の各々に対応してＹ１〜Ｙ３２０として表記されている。なお、シフト信号Ｙ
ｓ１〜Ｙｓ３２０は、ここでは走査線３１１の選択を説明するためのものに過ぎない。ま
た、本実施形態における電圧の基準はＶ_Ｃ（＝０）であり、この電圧Ｖ_Ｃよりも高位側が
正極性であり、低位側が負極性である。
極性指示信号ＰＯＬは、Ｈレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極
性書込を指定する信号であり、図３に示されるように、１水平走査期間（１Ｈ）毎に極性
反転するとともに、隣接する１垂直走査期間（１Ｆ）同士において同一の水平走査期間に
着目しても極性反転する関係にある。
なお、１水平走査期間の前半および後半期間については、例えばクロック信号ＣＬＹの
レベルで規定することができるほか、別途の信号によっても規定することができる。

また、本実施形態では、最初の１行目の走査線３１１に対応するシフト信号Ｙｓ１がＨ
レベルになる期間に、極性指示信号ＰＯＬがＨレベルとなる垂直走査期間を第１フレーム
と称し、極性指示信号ＰＯＬがＬレベルとなる垂直走査期間を第２フレームと称している
。第１フレームであるか、第２フレームであるかについては、図３に示されるようにフレ
ーム信号ＦＲのレベルによって示される。
なお、スタートパルスＤＹ、クロック信号ＣＬＹおよび極性指示信号ＰＯＬは、上述し
た制御回路４００によって生成され、走査線駆動回路３５０に供給される。また、フレー
ム信号ＦＲは、１行目の書込極性を示して、以下に続く行の書込極性を規定するのみであ
るので、走査線駆動回路３５０には供給されず、ラッチ信号ＬＰとともに、データ線駆動
回路２５０に供給される。このフレーム信号ＦＲおよびラッチ信号ＬＰも制御回路４００
によって生成される。

次に、データ線駆動回路２５０について説明する。データ線駆動回路２５０は、データ
信号供給回路２５２と各列に対応した反転回路２５４とを有する。このうち、データ信号
供給回路２５２は、選択された走査線３１１に位置する画素１１６の階調に応じたパルス
幅の第１データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、１、２、３、…、２４０列目の
第１データ線２１１にそれぞれ供給するものであり、反転回路２５４は、第１データ信号
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘ２４０を、電位Ｖ_Ｃを基準として反転して１、２、３、…、２
４０列目の第２データ線２１２に第２データ信号／Ｘ１、／Ｘ２、／Ｘ３、…、／Ｘ２４
０としてそれぞれ供給するものである。なお、記号の「／」は反転を表す。

データ信号供給回路２５２は、縦３２０行×横２４０列のマトリクス配列に対応した記
憶領域（図示省略）を有し、各記憶領域には、それぞれ対応する画素１１６の階調値（明
るさ）を例えば６ビットで指定する階調データＤａが記憶される。また、各記憶領域に記
憶される階調データＤａは、表示内容に変更が生じた場合に、図示しない上位装置によっ
て書き換えられる。
本実施形態では、階調データＤａが６ビットであるので、画素１１６の階調値が十進値
の「０」から「６３」までの６４段階で指定される。ここで、６ビットの階調データＤａ
が「０」（二進値では“００００００”）である場合に最も暗い黒色の表示を指定し、６
ビットの十進値が増加するにつれて徐々に明るくなるように階調値を指定するとともに、
６ビットの十進値が「６３」（二進値では“１１１１１１”）である場合に最も明るい白
色の表示を指定するものとする。さらに、液晶パネル１００が電圧無印加状態において白
表示をするノーマリーホワイトモードであるとする。

このような前提において、データ信号供給回路２５２は、走査線駆動回路３５０により
選択された走査線３１１に位置する画素１１６の階調値を指定する階調データＤａを、記
憶領域から読み出すとともに、フレーム信号ＦＲで示される極性を考慮して当該階調値に
応じたパルス幅の第１データ信号に変換し、対応する第１データ線２１１に供給する。こ
の供給動作を、データ信号供給回路２５２は、選択された走査線３１１に位置する１〜２
４０列のそれぞれについて実行する。

第１・第２データ信号の波形と階調データＤａとの関係について図４を参照して説明す
る。図４は、ｊ列目（ｊは１≦ｊ≦２４０を満たす整数）に対応する第１データ信号Ｘｊ
及び第２データ信号／Ｘｊの電圧波形と、選択走査線３１１に位置する画素１１６の階調
データＤａとの関係において示す図である。
この図に示されるように、データ信号供給回路２５２は、フレーム信号ＦＲがＨレベル
である第１フレームの場合、選択される走査線３１１の行であってｊ列目の画素１１６に
対応する階調データＤａが当該画素を暗くするように指定するにつれて、１水平走査期間
の後半期間にわたって第１データ信号Ｘｊが電圧−Ｖ_ｄとなる期間を長くする一方、電圧
＋Ｖ_ｄとなる期間を短くする。なお、データ信号供給回路２５２は、電圧−Ｖ_ｄの印加期
間については、当該後半期間の終了端を基準として時間的に前方に延ばす一方、電圧＋Ｖ
_ｄの印加期間については、当該後半期間の開始端を基準として後方に延ばす。
一方、データ信号供給回路２５２は、第１フレームである場合、当該１水平走査期間の
前半期間にわたって第１データ信号Ｘｊが電圧±Ｖ_ｄをとる期間を、後半期間における関
係と予め逆転させておく。
このため、前半、後半期間を通した１水平走査期間全体でみれば、第１データ信号Ｘｊ
が電圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄとなる期間は、階調データＤａで指定される階調値にかかわらず、
互いに５０％ずつとなる。

また、データ信号供給回路２５２は、フレーム信号ＦＲがＬレベルである第２フレーム
の場合、選択される走査線３１１の行であってｊ列目の画素１１６に対応する階調データ
Ｄａが当該画素を暗くするように指定するにつれて、１水平走査期間の後半期間にわたっ
て第１データ信号Ｘｊが電圧＋Ｖ_ｄとなる期間を長くする一方、電圧−Ｖ_ｄとなる期間を
短くする。なお、データ信号供給回路２５２は、電圧＋Ｖ_ｄの印加期間については、当該
前半期間の終了端を基準として時間的に前方に延ばす一方、電圧−Ｖ_ｄの印加期間につい
ては、当該前半期間の開始端を基準として後方に延ばす。
一方、データ信号供給回路２５２は、第２フレームである場合、当該１水平走査期間の
前半期間にわたって第１データ信号Ｘｊが電圧±Ｖ_ｄをとる期間を、後半期間における関
係と予め逆転させておく点は、第１フレームである場合と同様である。
このため、前半、後半期間を通した１水平走査期間全体でみれば、第１データ信号Ｘｊ
が電圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄとなる期間は、階調データＤａで指定される階調値にかかわらず、
互いに５０％ずつとなる点についても第１フレームである場合と同様である。

奇数ｉ（１、３、５、…、３１９）行目の走査線３１１が選択される水平走査期間では
、その後半期間において、第１フレームであれば正極性の選択電圧＋Ｖ_Ｓが印加され、第
２フレームであれば、負極性の選択電圧−Ｖ_Ｓが印加されるので、第１データ信号Ｘｊに
おいて、第１フレームでの電圧−Ｖ_ｄと、第２フレームでの電圧＋Ｖ_ｄとは、それぞれノ
ーマリーホワイトモードにおいて画素の階調を暗くさせる電圧、すなわち、オン電圧を意
味することになる。
奇数ｉ行ｊ列の画素１１６は、第１データ線２１１に供給される第１データ信号Ｘｊに
よって階調が規定されるので、奇数行が選択される１水平走査期間では、第１データ信号
Ｘｊがデータ信号となり、第２データ信号／Ｘｊが反転データ信号となる。

第１データ信号Ｘｊは、反転回路２５４によって電位Ｖ_Ｃを基準に反転されて、第２デ
ータ信号／Ｘｊとなる。ここで、偶数（２、４、６、…、３２０）行目の走査線３１１が
選択される水平走査期間では、その後半期間において、第１フレームであれば負極性の選
択電圧−Ｖ_Ｓが印加され、第２フレームであれば、正極性の選択電圧＋Ｖ_Ｓが印加される
ので、第２データ／信号Ｘｊにおいて、第１フレームでの電圧−Ｖ_ｄと、第２フレームで
の電圧＋Ｖ_ｄとは、それぞれノーマリーホワイトモードにおいて画素の階調を暗くさせる
オン電圧を意味することになる。
偶数（ｉ＋１）行ｊ列の画素１１６は、第２データ線２１２に供給される第２データ信
号／Ｘｊによって階調が規定されるので、偶数行が選択される１水平走査期間では、第２
データ信号Ｘｊがデータ信号となり、第１データ信号Ｘｊが反転データ信号となる。
なお、図４におけるハッチングは、選択電圧が印加される後半期間において、データ信
号Ｘｊ、／Ｘｊが、オン電圧となる期間（パルス幅）を示している。また、図４では代表
的な階調値だけが示されている。

次に、このような構成にかかる電気光学装置における書き込みについて説明する。
図５は、ｉ行目の走査線と、これに隣接する（ｉ＋１）行目の走査線に現れる電圧波形
について、ｊ列目に対応する第１データ信号Ｘｊ、第２データ信号／Ｘｊの電圧波形との
関連において示す図である。
ここで、図５は、１行目の画素に対する書き込みが正極性となる第１フレームについて
の例示である。本実施形態では、１行毎に書込極性が反転するので、第１フレームでは、
一般的に奇数ｉ行の画素が正極性書込となり、偶数（ｉ＋１）行の画素が負極性書込とな
る。
この奇数ｉ行の走査線３１１が選択される１水平走査期間Ｔ_１の後半期間Ｔ_１２におい
て、当該選択走査線に印加される選択電圧は＋Ｖ_Ｓとなり、その次の偶数（ｉ＋１）行の
走査線３１１が選択される１水平走査期間Ｔ_２の後半期間Ｔ_２２において、当該（ｉ＋１
）行の走査線に印加される選択電圧は−Ｖ_Ｓとなる。

ここで、ｉ行ｊ列および（ｉ＋１）行ｊ列の画素１１６を、それぞれ白色および黒色の
ほぼ中間値である灰色とする場合、第１データ信号Ｘｊおよび第２データ信号／Ｘｊは、
図５に示されるような波形となる。
すなわち、奇数ｉ行の走査線３１１が選択される水平走査期間Ｔ_１において、第１デー
タ信号Ｘｊは、その後半期間Ｔ_１２の途中で電圧＋Ｖ_ｄから−Ｖ_ｄに切り替わって、この
電圧−Ｖ_ｄがｉ行ｊ列の画素にとってオン電圧となる一方、その前半期間Ｔ_１１では、当
該期間Ｔ_１２の電圧波形を、電位Ｖ_Ｃを基準に予め反転させた波形となる。また、水平走
査期間Ｔ_１において、第２データ信号／Ｘｊは、第１データ信号Ｘｊの反転波形となる。
次に、偶数（ｉ＋１）行の走査線３１１が選択される水平走査期間Ｔ_２において、第１
データ信号Ｘｊは、その後半期間Ｔ_２２の途中で電圧＋Ｖ_ｄから−Ｖ_ｄに切り替わる一方
、その前半期間Ｔ_２１では、当該期間Ｔ_２２の電圧波形を、電位Ｖ_Ｃを基準に予め反転さ
せた波形となる。また、水平走査期間Ｔ_２において、第２データ信号／Ｘｊは、第１デー
タ信号Ｘｊの反転波形となり、このうち、後半期間Ｔ_２２の電圧＋Ｖ_ｄが（ｉ＋１）行ｊ
列の画素にとってオン電圧となる。

本実施形態では、ｉ行目の走査線３１１は、ｊ列目の第１データ線２１１とは容量Ｃ_Ｓ
_１を介して容量結合している。このため、期間Ｔ_１２の途中で、第１データ信号Ｘｊが電
圧＋Ｖ_ｄから−Ｖ_ｄに切り替わると、この電圧切り替わりに伴うスパイクノイズがｉ行目
の走査線３１１に現れる。
また、本実施形態においてｉ行目の走査線３１１は、ｊ列目の第２データ線２１２につ
いても容量Ｃ_Ｓ２を介して容量結合している。このため、ｉ行目の走査線３１１には、ｊ
列目の第２データ線２１２に供給される第２データ信号／Ｘｊの電圧切り替わりに伴うス
パイクノイズも現れる。
第２データ信号／Ｘｊは、第１データ信号Ｘｊの反転波形であるので、第１データ信号
Ｘｊの電圧切り替わりに伴うスパイクノイズと、第２データ信号Ｘｊの電圧切り替わりに
伴うスパイクノイズとは、互いに逆向きであって、ほぼ同一の振幅となる結果、両スパイ
クノイズは、ｉ行目の走査線３１１において互いに打ち消し合う。
ここではｊ列目についてのみ着目しているが、ｉ行目の走査線３１１には、１〜２４０
列目のすべてに対応して第１データ線２１１、第２データ線２１２とそれぞれ容量結合し
ており、これらの各列のスパイクノイズも同様に打ち消し合うことになる。

したがって、期間Ｔ_１２においてｉ行目の走査線３１１は、選択電圧＋Ｖ_Ｓを維持する
ことになる。次の（ｉ＋１）行目の走査線３１１においても、同様なスパイクノイズの打
ち消し合いによって、期間Ｔ_２２において負極性の選択電圧−Ｖ_Ｓを維持することになる
。このようにして、１〜３２０行の走査線３１１は、スパイクノイズの打ち消し合いによ
って、第１、第２データ信号の電圧切り替えにかかわらず、選択電圧が後半期間において
正しく維持されることになる。
なお、走査線３１１が非選択となって非選択電圧±Ｖ_ｄとなっている場合にも、スパイ
クノイズが同様に発生するが、走査線３１１が非選択電圧±Ｖ_ｄであれば、ＴＦＤ２２０
がオフしているので、画素容量１１８の電圧実効値には、ほとんど影響を与えない。ただ
し、本実施形態では、走査線３１１が非選択となって場合であっても、同様なスパイクノ
イズの打ち消し合いによって、非選択電圧＋Ｖ_ｄのまたは−Ｖ_ｄを維持することができる
。

ところで、本実施形態では、列毎に第１データ線２１１と第２データ線とを設けて、両
者の電圧波形を互いに反転の関係としているが、従来は、１列に対して１本のデータ線の
みを備える構成である。このため、データ線に供給されたデータ信号の電圧が切り替わる
と、その電圧切り替えに伴うスパイクノイズが走査線に現れる。ここで、すべての画素を
同一階調で表示する場合には、各行に等しくスパイクノイズが現れるので、各行において
選択電圧の変位が均等になる結果、表示品位の低下として視認されない。
ただし、図６（ａ）に示されるように、例えば灰色を背景として白色領域をウィンドウ
表示する場合、行方向に灰色だけの画素が存在する領域Ａ、Ｃを水平走査する時と、行方
向に灰色の画素と白色の画素とが併存する領域Ｂを水平走査する時とでは、スパイクノイ
ズの影響が異なってしまう。
詳細には、領域Ａ、Ｃを水平走査する場合、すべてのデータ信号において、選択電圧の
印加途中で電圧が一斉に同一方向に切り替わるので、その影響は大きい。これに対し、領
域Ｂを水平走査する場合、白色画素に対応するデータ信号と、灰色画素に対応するデータ
信号とでは、電圧切り替えのタイミングが分散する上、白色の画素に対応するデータ信号
の電圧切り替わりは、選択電圧の印加開始および印加終了のタイミングに一致するので、
走査線の電圧変位に与える影響が少ない。このため、領域Ｂを水平走査する場合における
スパイクノイズの影響は、領域Ａ、Ｃを水平走査する場合と比較して、おおよそ半減して
しまうことになる。
ここで、スパイクノイズは、オン電圧を時間的に後方に寄せる方式では、画素容量１１
８の電圧実効値を小さくする方向に作用するので、ノーマリーホワイトモードであれば、
図６（ｂ）に示されるように、画素が階調データで指定される階調よりも明るくなってし
まうことになる。すなわち、水平走査の領域Ａ、Ｃに属する灰色画素は、領域Ｂのうちの
灰色画素よりも明るくなってしまうのである。
したがって、横クロストークによる表示品位の低下とは、ウィンドウ表示する領域に対
して水平走査方向に隣接する灰色画素の階調変化よりも、それ以外の背景にかかる領域Ａ
、Ｃにおける灰色画素の階調変化の方が大きいことによって発生する、というべきもので
ある。

本実施形態によれば、上述したように、走査線３１１に現れるスパイクノイズの影響を
キャンセルして、選択電圧を正しく維持できるので、このような横クロストークによる表
示品位の低下を抑えることが可能となる。

上述した実施形態では、一方の基板に画素電極２３４を、他方の基板に対向電極（走査
線３１１）をそれぞれ配設したが、両電極を一方に寄せるとともに、液晶にかかる電界方
向を基板面方向とした、いわゆる面内スイッチング（in plane switching）方式としても
良い。そこで、この面内スイッチング方式を採用した画素構成について図７（ａ）および
図７（ｂ）を参照して説明する。
電気的な構成を示す図７（ｂ）において、図２（ｂ）と相違する点は、画素１１６にお
いて画素容量の他端が、第１データ線２１１または第２データ線２１２に接続されるとと
もに、ＴＦＤ２２０の一端が走査線３１１に接続される点にある。
また、平面構成については、図７（ａ）に示されるように、一方の基板に、第１データ
線２１１および第２データ線２１２とともに、走査線３１１を備え、奇数ｉ行では、第１
データ線２１１それ自身と、当該第１データから枝分かれした電極部分２１５とが、画素
電極２３４の左右両端に対向するように一定の距離を保って配設され、偶数（ｉ＋１）行
では、第２データ線２１２それ自身と、当該第１データから枝分かれした電極部分２１５
とが、画素電極２３４の左右両端に対向するように一定の距離を保って配設された点にあ
る。

上述したように、第１データ線２１１および第２データ線２１２は、それぞれタンタル
単体やタンタル合金などを陽極酸化等による絶縁体で覆った２層構造である。このため、
同じ２層構造である電極部分２１５の上に導電体である画素電極２３４を積層すると、一
種の容量２３６が形成される。したがって、この構成における画素容量１１８とは、画素
電極２３４を中心に、第１データ線２１１（第２データ線２１２）それ自身と、電極部分
２１５とが対向することによって生じる容量と、絶縁体で覆われた電極部分２１５に画素
電極２３４を積層したことによる容量２３６との合成容量で表される。

ＴＦＤ２２０は、タンタル単体やタンタル合金などから形成された走査線３１１を陽極
酸化させて、画素電極２３４の一部を積層させたものである。このため、同様に、導電体
／絶縁体／導電体のサンドイッチ構造となる。
また、この構成において、画素容量１１８に電圧が保持されると、紙面横（Ｘ）方向に
電界が発生することになる。したがって、この構成では、ホモジニアス型などの配列を有
する液晶が用いられる。

図２（ａ）に示される構成では、走査線３１１は、ストライプ状の対向電極として機能
するので、幅広となる。このため、第１データ線２１１と対向する領域と、第２データ線
２１２と対向する領域とは大きく異なるので、容量Ｃ_Ｓ１、Ｃ_Ｓ２がバラつきやすい傾向
にある。このバラつきを抑えるためには、配線や電極形状を最適化すれば良いが、このよ
うな設計については困難である、とも考えられる。
これに対し、図７（ａ）に示される構成では、２層構造の第１データ線２１１、第２デ
ータ線２１２と走査線３１１とが、その交差部分において互いに絶縁体を介して対向する
ので、容量Ｃ_Ｓ１、Ｃ_Ｓ２は、当該交差部分における走査線３１１、第１データ線２１１
、第２データ線２１２の線幅だけでほとんど決まる。このため、容量Ｃ_Ｓ１、Ｃ_Ｓ２を揃
えることが容易である。したがって、図７（ａ）に示される構成は、図２（ａ）に示され
る構成と比較して、ノイズキャンセルという効果の点で優位である、ということができる
。

図２（ａ）や図７（ａ）に示した画素のように、スイッチング素子としてＴＦＤ２２０
を用いる構成にあっては、１水平走査期間（１Ｈ）を前半および後半期間に分け、このう
ちの後半期間に選択電圧を印加する構成としたが、前半期間に印加する構成としても良い
。さらに、前半・後半期間に分けることなく、１水平走査期間（１Ｈ）の全域にわたって
選択電圧を印加する構成としても良い。
ただし、１水平走査期間（１Ｈ）の全域にわたって選択電圧を印加する構成では、１水
平走査期間において、第１、第２データ信号として電圧＋Ｖ_ｄ、−Ｖ_ｄとなる期間が５０
％ずつとはならないので、表示パターンによっては、非選択期間のデータ信号の電圧が偏
る結果、ＴＦＤ２２０のリークに差が発生して表示品位が低下する場合がある。
換言すれば、本実施形態のように、１水平走査期間（１Ｈ）を前半および後半期間に分
け、このうちのいずれかに選択電圧を印加して、第１、第２データ信号として電圧＋Ｖ_ｄ
、−Ｖ_ｄとなる期間が画素の階調にかかわらず５０％ずつとなるような構成とすれば、非
選択期間のデータ信号の電圧が偏ることに起因する表示品位の低下を未然に防止すること
が可能である。
また、オン電圧については、時間的に後方に寄せたが、これに限られず、オン電圧を時
間的に前方に寄せても良い。

また、スイッチング素子として、ＴＦＤ２２０のような二端子型のダイオード素子に限
られず、トランジスタのような三端子型素子を用いることができる。そこで、スイッチン
グ素子としてトランジスタを用いて面内スイッチング方式とした画素構成について図８（
ａ）および図８（ｂ）を参照して説明する。
図８（ｂ）に示されるように、画素１１６には、薄膜トランジスタ（thin film transi
stor、以下、単にＴＦＴを略称する）２４０が備えられる。ここで、奇数ｉ行ｊ列の画素
１１６におけるＴＦＴ２４０のゲートは走査線３１１に接続され、そのソースは第１デー
タ線２１１に接続され、そのドレインは画素容量１１８の一端に接続されている。また、
偶数（ｉ＋１）行ｊ列の画素１１６では、ＴＦＴ２４０のソースが第２データ線２１２に
接続されている点以外、奇数ｉ行ｊ列の画素１１６と共通である。

また、画素容量１１８の他端は、時間的に一定の電位ＬＣcomに保たれた共通電極１１
１である。
ここで、電位ＬＣcomは、理想的には電位Ｖ_Ｃであるが、ＴＦＴ２４０では、そのゲー
ト・ソース間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にソース電圧に応じてドレイン（画
素電極２３４）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーな
どと呼ばれる）が発生する。
液晶の劣化を防止するために、画素容量１１８では交流駆動が原則であるので、共通電
極１１１に対して高位側（正極性）と低位側（負極性）とで同一階調の交互書き込みをす
るが、電位ＬＣcomを電位Ｖ_Ｃに一致させた状態で、交互書き込みをすると、プッシュダ
ウンのために、画素容量１１８の電圧実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大き
くなってしまう。このため、同一階調で正極性・負極性書込をしても画素容量１１８の電
圧実効値が互いに等しくなるように、共通電極１１１の電位ＬＣcomは、データ信号の振
幅基準である電位Ｖ_Ｃよりも若干低下させて設定されている。

一方、画素容量１１８は、図８（ａ）に示されるように、この例ではＴＦＴ２４０のソ
ースから２分岐した画素電極２３４と、この画素電極２３４に対して、櫛歯状に対向する
共通電極１１１とからなる。なお、図８（ａ）において、共通電極１１１は、行毎に設け
られているが、画素の配列領域外において共通接続されている。このため、共通電極１１
１は、すべての画素１１６に対して共通である。
共通電極１１１は、２層構造の第１データ線２１１および第２データとそれぞれ交差す
るために、両データ線と容量的に結合することになる。このため、データ信号の電圧変化
は、共通電極１１１の電位を変動させ、表示ムラの原因となる。

この構成において、走査線駆動回路３５０は、図１０に示されるように、１水平走査期
間毎に順次排他的に選択電圧（Ｈレベル）となる走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙ３２
０が１、２、３、…、３２０行目の走査線３１１に供給される。すなわち、図３に示され
るシフト信号Ｙｓ１、Ｙｓ２、Ｙｓ３、…、Ｙｓ３２０を、図８（ａ）の画素構成におけ
る走査線３１１に走査信号として供給する構成であれば良い（実際には、振幅レベルの変
換などをする必要がある）。

一方、スイッチング素子としてＴＦＴ２４０を用いる場合、データ信号として階調に応
じたパルス幅でなく、当該階調に応じた電圧を画素電極２３４に印加する電圧変調方式が
一般的である。このため、データ線駆動回路２５０は、図９に示されるように、反転回路
２５４を有さず、次のようにして、第１データ信号Ｘ１〜Ｘ２４０とともに、第２データ
信号／Ｘ２〜／Ｘ２４０を出力する。
ｊ列目で代表して説明すると、第１フレームであれば、１行目の走査線３１１が選択さ
れる水平走査期間において正極性書込であり、１行ｊ列の画素電極２３４に印加される信
号は第１データ信号Ｘｊであるので、データ線駆動回路２５０は、図１０に示されるよう
に、第１データ信号Ｘｊを、電位Ｖ_Ｃに対して１行ｊ列の画素の階調に応じた電圧だけ高
位側とする。一方、データ線駆動回路２５０は、１行目の走査線３１１が選択される水平
走査期間においては、第１データ信号Ｘｊを電位Ｖ_Ｃに対して反転させた電圧を、第２デ
ータ信号／Ｘｊとする。
２行目の走査線３１１が選択される水平走査期間において負極性書込であり、２行ｊ列
の画素電極２３４に印加される信号は第２データ信号／Ｘｊであるので、データ線駆動回
路２５０は、第２データ信号／Ｘｊを、電位Ｖ_Ｃに対して２行ｊ列の画素の階調に応じた
電圧だけ低位側とする。ここで、データ線駆動回路２５０は、第２データ信号／Ｘｊを電
圧ΔＶ_１だけ上昇させたとき、第１データ信号Ｘｊを電圧ｋΔＶ_１だけ低下させる。
３行目の走査線３１１が選択される水平走査期間において正極性書込であり、３行ｊ列
の画素電極２３４に印加される信号は第１データ信号Ｘｊであるので、データ線駆動回路
２５０は、第１データ信号／Ｘｊを、電位Ｖ_Ｃに対して３行ｊ列の画素の階調に応じた電
圧だけ高位側とする。ここで、データ線駆動回路２５０は、第１データ信号Ｘｊを電圧Δ
Ｖ_２だけ上昇させたとき、第２データ信号／Ｘｊを電圧ｋΔＶ_２だけ低下させる。

以下、データ線駆動回路２５０が、このような動作を繰り返すと、走査線３１１を選択
して、選択した行の画素電極２３４に第１または第２データ信号の一方を印加する際に、
その電圧変化方向とは逆方向であって、変化分のｋ倍で第１または第２データ信号の他方
が変化する。
ここで、図２（ａ）や図７（ａ）の構成とは異なり、第１データ信号Ｘｊまたは第２デ
ータ信号／Ｘｊの一方の変化に対して、第１データ信号Ｘｊまたは第２データ信号／Ｘｊ
の他方を、逆向きのｋ倍で変化させた理由は、画素電極に印加されないデータ信号（第１
データ信号Ｘｊまたは第２データ信号／Ｘｊの他方）の電圧変化に伴う共通電極の電位変
動は、画素電極に印加するためにデータ信号（第１データ信号Ｘｊまたは第２データ信号
／Ｘｊの一方）の電圧変化に伴う共通電極の電位変動と逆向きではあるが、同じではなく
、ｋ倍の差があると考えられるからである。したがって、データ線駆動回路２５０におけ
る係数ｋは、この影響の程度を考慮して定められる。

このようにスイッチング素子としてＴＦＴ２４０を用いるとともに、電圧変調方式で階
調表示する場合であっても、データ信号の電圧変化に伴う共通電極の電位変動をキャンセ
ルして、表示ムラを抑えることが可能となる。

なお、上述した各例では、奇数行の画素１１６が第１データ線２１１に接続され、偶数
行の画素１１６が第２データ線２１２に接続されたが、図１１に示されるように、２以上
の行毎に接続周期を反転させても良いし、極端には、すべての画素１１６を行に関係なく
、第１データ線２１１または第２データ線２１２のいずれか一方だけに接続する構成とし
ても良い。いずれにしても、データ線駆動回路２５０は、選択行の画素の書込極性に応じ
た適切なデータ信号を供給する必要があるので、極性指示信号ＰＯＬの供給を受ける必要
がある。
ただし、奇数行の画素１１６が第１データ線２１１に接続され、偶数行の画素１１６が
第２データ線２１２に接続された構成であれば、フレーム信号ＦＲで各行の書込極性が一
義的に定まるので、図１の構成では、敢えて極性指示信号ＰＯＬの供給を受ける必要はな
いのである。
また、このような接続にすると、第１データ線２１１及び第２データ線２１２の電圧変
化は１選択期間あたり２回以下になるので、例えば容量Ｃ_Ｓ１及びＣ_Ｓ２（すなわち、第
１データ線２１１と走査線３１１との交差により形成される容量Ｃ_Ｓ１、及び、第２デー
タ線２１２と走査線３１１との交差により形成される容量Ｃ_Ｓ２）によって消費される無
駄な電力を最小限に抑えることが出来る。

なお、上述した各例では、フレーム信号ＦＲで第１および第２フレームで分けたが、こ
の理由は、画素容量１１８において直流成分の印加を防止するためなので、その反転につ
いては２以上のフレーム周期としても良い。
さらに、実施形態では、電圧無印加状態において白色を表示するノーマリーホワイトモ
ードであるとしたが、電圧無印加状態において黒色を表示するノーマリーブラックモード
としても良い。なお、ノーマリーブラックモードであれば、選択電圧の印加期間において
パルス幅が長いほど、画素が明るくなる。
また、６４階調表示に限らず、これによりも低階調表示としても良いし、これよりも高
階調表示としても良い。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３画素で１ドットを構
成して、カラー表示を行うとしても良い。

液晶パネル１００は透過型に限られず、反射型や、両者の中間的な半透過半反射型であ
っても良い。
一方、ＴＦＤ２２０は、スイッチング素子の一例であり、他に、ＺｎＯ（酸化亜鉛）バ
リスタや、ＭＳＩ（Metal Semi-Insulator）などを用いた素子のほか、これら素子を２つ
逆向きに直列接続または並列接続したものなどがスイッチング素子として用いることが可
能である。
また、上述した各例では、液晶の型については限定されず、ＴＮ型や、ＳＴＮ型など、
分子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料（ゲスト）を一定の分
子配列の液晶（ホスト）に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたゲストホス
ト型などの液晶を用いても良い。くわえて、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して
垂直方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する
、という垂直配向（ホメオトロピック配向）の構成としても良いし、電圧無印加時には液
晶分子が両基板に対して水平方向に配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対
して垂直方向に配列する、という面内スイッチング方式で説明した平行（水平）配向（ホ
モジニアス配向）の構成としても良い。

次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１０を表示装置として有する電子機器につ
いて説明する。図１２は、実施形態に係る電気光学装置１０を用いた携帯電話１２００の
構成を示す斜視部である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶パネル１００を備えるものである
。なお、電気光学装置１０のうち、液晶パネル１００以外の構成要素については電話器に
内蔵されるので、外観としては現れない。

なお、電気光学装置１０が適用される電子機器としては、図１２に示される携帯電話の
他にも、デジタルスチルカメラや、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型（
またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳
、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネ
ルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、
上述した電気光学装置１０が適用可能であることは言うまでもない。そして、いずれの電
子機器においても、表示品位の低下を抑えて高品位の表示が簡易な構成によって実現され
ることになる。

本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同電気光学装置における画素の構成を示す図である。同電気光学装置における走査信号の波形を示す図である。同電気光学装置における第１および第２データ信号の波形を示す図である。同電気光学装置によるノイズキャンセルを説明するための図である。横クロストークによる表示品位の低下を説明するための図である。同電気光学装置における画素の別構成を示す図である。同電気光学装置における画素の別構成を示す図である。画素の別構成とする場合の全体構成を示す図である。同電気光学装置における各種信号を示す図である。同電気光学装置における画素配置の例を示す図である。同電気光学装置を用いた携帯電話の構成を示す図である。

符号の説明

１０…電気光学装置、１１６…画素、１１８…画素容量、２１１…第１データ線、２１
２…第２データ線、２２０…ＴＦＤ、２３４…画素電極、２４０…ＴＦＴ、２５０…デー
タ線駆動回路、３１１…走査線、３５０…走査線駆動回路、４００…制御回路、１２００
…携帯電話

Claims

複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
奇数行の走査線は、前記第１または第２データ線の一方に対応し、偶数行の走査線は、
前記第１または第２データ線の他方に対応してスイッチング素子と画素容量とを含む画素
を介して接続され、対応する走査線に選択電圧が印加されたときに、前記スイッチング素
子がオンするとともに、接続された第１または第２データ線の一方に基づく電圧が前記画
素容量に書き込まれる画素と、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択する際に、選択された走査線に前記選択電圧を
印加する走査線駆動回路と、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に接続
された前記第１データ線に供給し、電圧変化が前記データ信号とは反転関係にある反転デ
ータ信号を、前記第２データ線に供給するデータ線駆動回路と
を有することを特徴とする電気光学装置。
前記スイッチング素子はダイオードであって、
前記画素容量および前記ダイオードは、前記走査線と、前記第１または第２データ線の
いずれか一方との間で電気的に直列に接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。
前記走査線駆動回路は、
各走査線を１水平走査期間毎に選択するとともに、当該１水平走査期間を２分割した前
半期間または後半期間のいずれかで、前記選択電圧を当該選択走査線に印加し、
前記データ線駆動回路は、
当該１水平走査期間の前半期間と後半期間とにおいて前記データ信号を、所定の電位を
基準として互いに反転させる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
前記データ信号供給回路は、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じたパルス幅のデータ信号を、当該画素に
対応する前記第１または第２データ線のいずれか一方に供給し、所定の電位を基準として
前記データ信号を反転させた反転データ信号を、前記第１または第２データ線のいずれか
他方に供給する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
前記スイッチング素子は、
そのゲートが前記走査線に接続されたトランジスタであり、
前記画素容量は、
画素毎に個別の画素電極と、前記画素電極と同一基板上に形成され当該画素電極と対向
する共通電極とを含み、
前記共通電極は、各画素にわたって共通であって、前記第１および第２データ線と列毎
に絶縁体を介して交差する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
前記データ信号供給回路は、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に対応
する前記第１または第２データ線のいずれか一方に供給し、当該データ信号の電圧変化が
ΔＶで示される場合に、当該電圧変化とは逆向きであって、ｋ・ΔＶの電圧変化を有する
信号を、前記反転データとして前記第１または第２データ線のいずれか他方に供給する
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
複数行の走査線と、第１および第２データ線の複数対との交差に対応して設けられた画
素であって、
奇数行の走査線は、前記第１または第２データ線の一方に対応し、偶数行の走査線は、
前記第１または第２データ線の他方に対応してスイッチング素子と画素容量とを含む画素
を介して接続され、対応する走査線に選択電圧が印加されたときに、前記スイッチング素
子がオンするとともに、接続された第１または第２データ線の一方に基づく電圧が前記画
素容量に書き込まれる画素を有する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数行の走査線を所定の順番で選択する際に、選択された走査線に前記選択電圧を
印加し、
選択された走査線に位置する画素の階調に応じた電圧のデータ信号を、当該画素に接続
された前記第１データ線に供給し、電圧変化が前記データ信号とは反転関係にある反転デ
ータ信号を、前記第２データ線に供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。