JP4154353B2 - ハニカム構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
その中でSiCは、低比重でありかつ剛性が高く、低熱膨張、高熱伝導、さらには高温耐食性に優れるといった優れた機械的特性を有している。こうした特長から、SiCは半導体製造装置用ミラーやステージに用いられている。また、特許文献1に示すように、SiCの比剛性が高いことを利用して、航空宇宙分野での使用が可能になるように、さらに軽量で剛性の高いミラーを得るべくSiCからなるハニカム状の中心材を含むミラーの構造及び製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、課題を解決するための手段として以下の(1)、(2)を提供する。
(1)SiC−Si複合材料からなり、隔壁により仕切られた多数の柱状空隙部を有するハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなり、該ハニカム構造部材の少なくとも一方の前記柱状空隙部の長手方向に垂直な面に取り付けられる板部材と、を有するハニカム構造体であって、
前記ハニカム構造部材と前記板部材とが、Siを10体積%以上含むAl−Si合金層を介して接合してなることを特徴とするハニカム構造体。
(2)SiC−Si複合材料からなるハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなる板部材との間にAlまたはAl−Si合金からなる接合材を配置し、該接合材の融点温度以上の温度で、かつ、該SiC−Si複合材料のマトリックス金属の融点以下の温度で熱処理することにより前記ハニカム構造部材と前記板部材とを接合する工程を含むことを特徴とする(1)に記載のハニカム構造体の製造方法。
以下に本発明を詳細に説明する。
前記ハニカム構造部材と前記板部材とが、Siを10体積%以上含むAl−Si合金層を介して接合してなることを特徴とするハニカム構造体を提案している(請求項1)。
次に、前記ハニカム構造部材と前記板部材とが、Siを10体積%以上含むAl−Si合金層を介して接合してなる接合体とすることにより、大面積の接合が可能となる。 その理由は、Al−Si合金は共晶合金で互いに固溶せず、金属Alと金属Siに分離した縞状構造をとるので、その分離Siと金属−セラミックス複合材料のマトリックスであるSiが一体化して強固な接合が可能となること、およびその分離Siが分離Alの熱膨張を効果的に抑え、大面積の接合であっても接合後の残留応力が問題にならないためである。
その理由は、例えば純Alを用いた場合であっても、熱処理することにより、SiC−Si複合材料のマトリックスであるSiと相互に拡散すれば、最終的な接合層の組成をSiが10体積%以上含まれるAl−Si合金とすることができるからである。
要は、最終的な接合層を、Siが10体積%以上含むAl−Si合金とすることができれば、大面積の接合であっても強固に接合された接合体が得られるわけである。
その被接合材料間に充填する接合材のAlまたはAl−Si合金の形態は、気密性を考慮すれば、板状体または箔がより好ましい。粉末の形態で用いた場合は、粉末の空隙が欠陥として残る可能性があり、信頼性の点で好ましくない。その他の形態としては、被接合部材のいずれか一方の接合面にAl合金の溶射を施し、Al合金溶射層を平面研削して、準備する方法であってもよい。
また、接合温度を接合材の融点温度以上としたのは、接合材を溶融することで複合材料のマトリックスであるSiとの相互拡散を促進し、最終的な接合層を、Siが10体積%以上含むAl−Si合金とすることができるからである。さらに、接合温度を複合材料中のマトリックス金属が融ける融点温度以下としたのは、複合材料の金属が融けて外部に染み出し、複合材料自体がポーラスな組織となってしまうからである。
用意したSiC-Siハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなる板部材との間に用意したAl箔またはSiを付着させたAl箔を配置充填する。これを非酸化雰囲気中で該AlまたはAl-Si合金の融点以上の温度で、かつ複合材料中のマトリックス金属が融ける融点以下の温度で熱処理して、金属−セラミックス複合材料からなるハニカム構造体を作製する。
以上の方法でSiC-Siハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなる平板部材とを接合すれば、大面積の接合であっても強固に接合されたハニカム構造体が得られる。
以下、本発明の実施例を比較例と共に具体的に挙げ、本発明をより詳細に説明する。
(1)ハニカム構造部材および接合用板部材の作製
Si粉末100重量部にC粉末を40重量部、さらにメチルセルロース5重量部、水25重量部を混練、押し出し成形しハニカム構造部材の前駆体を得た(目開き5.0mm正方形、壁厚さ0.5mm、大きさ100mm×100mm×H30mm)。これをAr雰囲気中2000℃で焼成し。SiC-Siハニカム構造部材を作製した。また、上記配合で板をプレス成形して板形状とし、焼成して大きさ120×120×5mmのSiC-Si複合材料からなる板部材を得た。
次に、SiC-Siハニカム構造部材(100mm×100mm×H30mm)とSiC-Si複合材料からなる板部材(120mm×120mm×t5mm)との間に、純度99.3%、厚さ100μmのAl箔を接合材として挿入配置し、それらの上に20g/cm2の荷重がかかる重しを載せた後、これを真空中1000℃で1時間加熱して接合体を作製し、本発明のハニカム構造体を得た。
得られたハニカム構造体の上下面を研削加工後、超音波探傷試験により接合部における欠陥の有無を確認した。また、接合層の化学組成分析を行うため、接合体を研削加工により、接合層のみを切り出した。つぎに、接合層を硝酸・アルカリ溶解した後、ろ過を行い、ろ液中のAl、Si量をICP発光分光分析法で定量した。
接合材としてSiを10体積%含むAl−Si合金箔を用いた以外は、実施例1と同様にハニカム構造体を作製し、評価を行った。
比較例では、接合材としてSiを3体積%含むAl−Si合金箔を用いて600℃で接合した。それ以外は、実施例1と同様にハニカム構造体を作製し、評価を行った。
以上の評価結果を表1にまとめて示した。
これに対して比較例では、接合後の残留応力により、複合材料中に亀裂が生じた。これは、接合温度が低かったため、複合材料中のSiとの相互拡散が促進されず、最終的な接合層のAl−Si合金組成が本発明の範囲から外れたためと考察される。
Claims (2)
- SiC−Si複合材料からなり、隔壁により仕切られた多数の柱状空隙部を有するハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなり、該ハニカム構造部材の少なくとも一方の前記柱状空隙部の長手方向に垂直な面に取り付けられる板部材と、を有するハニカム構造体であって、
前記ハニカム構造部材と前記板部材とが、Siを10体積%以上含むAl−Si合金層を介して接合してなることを特徴とするハニカム構造体。 - SiC−Si複合材料からなるハニカム構造部材と、SiC−Si複合材料からなる板部材との間にAlまたはAl−Si合金からなる接合材を配置し、該接合材の融点温度以上の温度で、かつ、該SiC−Si複合材料のマトリックス金属の融点以下の温度で熱処理することにより前記ハニカム構造部材と前記板部材とを接合する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のハニカム構造体の製造方法。
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