JP4153856B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
1個の浮遊ゲートを持つメモリセルと1個のセレクトトランジスタとの直列接続から構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイにおいて、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜を薄膜化することで、読み出し時のコントロールゲート線への電位転送能力を向上させ、高速読み出しを可能にする不揮発性半導体記憶装置を提供することにある。
本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、模式的な回路構成は、図1に示すように、1個のメモリセルと1個のセレクトトランジスタとの直列接続から構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイと、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDと、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDとを備える。更に詳細には、メモリセルトランジスタMC0〜MC1023と、セレクトトランジスタST0〜ST1023と、コントロールゲート線CGと、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDと、セレクトトランジスタのゲート線SGと、メモリセルトランジスタMC0〜MC1023のドレインに接続されたビット線BL0〜BL1023と、セレクトトランジスタST0〜ST1023のソースに接続された共通ソースコンタクトCSとから構成される。コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのドレインCGDdおよびゲートCGDgには所定の電圧パルスが与えられる。同様に、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDのドレインSTDdおよびゲートSTDgにも所定の電圧パルスが与えられる。コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDとしては、〜30V程度のゲート耐圧を持つゲート酸化膜の厚い、400Å程度のトランジスタ(以下、Vpp−Tr)が用いられており、又セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDには〜9V程度のゲート耐圧を持つゲート酸化膜の薄い、100Å程度のトランジスタ(以下、VCC−Tr)が用いられている。
本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図7のブロック回路構成図に示すように、メモリサブアレイ200と、メモリサブアレイ200の一端に配置されたコントロールゲート線駆動回路100と、メモリサブアレイ200の他端に配置されたセレクトトランジスタのゲート線駆動回路300とから構成されている。図7に示すように、メモリサブアレイ200の一端にメモリセルのコントロールゲート線駆動用トランジスタCGDを配置し、他端にセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDを配置したレイアウト構成を採用することによって、読み出し動作時において、相対的に高い電圧VCCを印加するコントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのゲートCGDgと、同じく相対的に高い電圧VCC+αを印加するセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDのゲートSTDgとを離隔して配置することができ、相互干渉を防止することができる。
本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図8のブロック図に示すように、1個のコントロールゲート線駆動回路100と、4個のメモリサブアレイ0〜3(200,201,202,203)と、4個のセレクトトランジスタのゲート線駆動回路0〜3(300,301,302,303)とから構成されている。1個のコントロールゲート線駆動用トランジスタCGDで4個のメモリサブアレイ200〜203内のコントロールゲート線CGを共通に駆動し、1個のセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDで1個のメモリサブアレイ内のゲート線SGを駆動する場合のレイアウト図を示している。
本発明の第4の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図9の回路ブロック図に示すように、コントロールゲート線駆動回路100と、メモリサブアレイ200と、セレクトトランジスタのゲート線駆動回路300とから構成され、更に、セレクトトランジスタST0〜ST1023のゲート線SGは、上層の金属配線M1で短路され、低抵抗化されている点に特徴を有する。ここで、金属配線M1はアルミニウム等の金属配線である。上記金属配線M1をセレクトトランジスタST0〜ST1023のゲート線SGの上層に配置することにより、ゲート線SGにおける抵抗遅延を低減することができる。
本発明の第5の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置において、模式的な回路構成は、図10に示すように、1個のメモリセルと2個のセレクトトランジスタとの直列接続から構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイと、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDと、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDおよびSTDSとを備える。更に詳細には、メモリセルトランジスタMC0〜MC1023と、ドレイン側セレクトトランジスタSTD0〜STDk〜STD1023と、ソース側セレクトトランジスタSTS0〜STSk〜STS1023と、コントロールゲート線CGと、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDおよびSTDSと、セレクトトランジスタのゲート線SGDおよびSGSと、メモリセルトランジスタMC0〜MC1023のドレインに接続されたビット線BL0〜BL1023と、ソース側セレクトトランジスタSTS0〜STSk〜STS1023のソースに接続された共通ソースコンタクトCSとから構成される。コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのドレインCGDdおよびゲートCGDgには所定の電圧パルスが与えられる。同様に、ドレイン側セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDのドレインSTDDdおよびゲートSTDDgにも所定の電圧パルスが与えられる。ソース側セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDSのドレインSTDSdおよびゲートSTDSgにも所定の電圧パルスが与えられる。コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDとしては、〜30V程度のゲート耐圧を持つゲート酸化膜の厚い、400Å程度のトランジスタ(Vpp−Tr)が用いられており、又セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDおよびSTDSには〜9V程度のゲート耐圧を持つゲート酸化膜の薄い、100Å程度のトランジスタ(以下、VCC−Tr)が用いられている。
本発明の第6の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図14のブロック回路構成図に示すように、メモリサブアレイ200と、メモリサブアレイ200の一端に配置されたコントロールゲート線駆動回路100と、メモリサブアレイ200の他端に配置されたセレクトトランジスタのゲート線駆動回路300とから構成されている。図14に示すように、メモリサブアレイ200の一端にメモリセルのコントロールゲート線駆動用トランジスタCGDを配置し、他端にセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDおよびSTDSを配置したレイアウト構成を採用することによって、読み出し動作時において、相対的に高い電圧VCCを印加するコントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのゲートCGDgと、同じく相対的に高い電圧VCC+αを印加するセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDDおよびSTDSのゲートSTDDgおよびSTDSgとを離隔して配置することができ、相互干渉を防止することができる。
本発明の第7の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図15の回路ブロック図に示すように、コントロールゲート線駆動回路100と、メモリサブアレイ200と、セレクトトランジスタのゲート線駆動回路300とから構成され、更に、セレクトトランジスタSTD0〜STD1023のゲート線SGDおよびセレクトトランジスタSTS0〜STS1023のゲート線SGSは、上層の金属配線M1で短路され、低抵抗化されている点に特徴を有する。ここで、金属配線M1はアルミニウム等の金属配線である。上記金属配線M1をセレクトトランジスタSTD0〜STD1023およびSTS0〜STS1023のゲート線SGDおよびSGSの上層に配置することにより、ゲート線SGDおよびSGSにおける抵抗遅延を低減することができる。
図16は、図2に示した本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の模式的素子断面構造図において、消去動作時の非選択ブロックにおける各部分の電位関係の値を表示した図である。図16に示すように、p型半導体基板10に0V、pウェル14に14V、nウェル12に14V、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのゲートCGDgに0V,ドレインCGDdに0V、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDのゲートSTDgに3V,ドレインSTDdに3V印加されている。この結果として、容量結合によって、ビット線BLkに13V、コントロールゲート線CGに13V、セレクトトランジスタのゲート線SGに13Vの電圧が誘起される。図16から明らかなように、第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の場合、消去動作時において、セレクトゲート線駆動用トランジスタSTDのn型拡散層24とゲート電極34の間には10V程度が印加されている。このため、消去動作時において、最大13V程度の電圧がゲート電極34とn型拡散層24との間のゲート酸化膜に印加されることがあり、ゲート絶縁膜が絶縁破壊される可能性がある。このため、消去動作時において、消去回数を限定して、ゲート絶縁膜の絶縁破壊を回避する方策が考えられる。又、絶縁破壊を確実に回避するためには、ゲート絶縁膜の厚さtOXをあまり薄く設定することが難しいため、約400Å程度に設定される。従って、セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタSTDの電流駆動能力は制限されている。
本発明の第9の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、図18乃至図20の模式的素子断面構造図に示すように、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDをnウェル13とpウェル15からなる二重ウェル内に形成した点に特徴を有する。低電圧動作を実現するために、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDを二重ウェル内に形成する。消去動作時において、コントロールゲート線駆動用トランジスタCGDのドレインCGDdに対して、負バイアス電圧−5V程度印加し、メモリセルアレイ部分のnウェル12,pウェル14の電位を約10V程度の低い値に設定することで、消去動作を行っている。このときには、セレクトゲート線駆動用トランジスタSTDのn型拡散層24とゲート電極34の間にかかる電圧は7V程度に抑えられ、書き込み消去可能な回数を大幅に増やすことが可能となる。
本発明の第10の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置のシステムブロック構成は、図22に示すように、NAND型フラッシュメモリセルアレイ308と、ビット線制御回路304と、ロウデコーダ310と、カラムデコーダ306と、昇圧回路312とから構成される。NAND型フラッシュメモリセルアレイ308には、本発明の第1乃至第9の実施の形態において説明した不揮発性半導体記憶装置を適用することができる。このNAND型フラッシュメモリセルアレイ308には、ビット線制御回路304及びロウデコーダ310が接続されている。ビット線制御回路304は書き込みデータのラッチ、読み出し時のセンス動作等を行う回路である。このビット線制御回路304には、カラムアドレス信号をデコードしてNANDセルユニットの列を選択するためのカラムデコーダ306が接続されている。昇圧回路311は、電源電圧から、書き込み電圧Vpgm、異なる複数の中間電圧Vpass1〜Vpassn、ビット線電圧Vbl等を発生する。ロウデコーダ310は、昇圧回路312に制御信号RDSを供給し、書き込み電圧Vpgm及び中間電圧Vpass1〜Vpassnを受ける。尚、複数の中間電圧Vpass1〜Vpassnは、本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の書き込み動作、読み出し動作、消去動作において使用する電圧であって、主としてワード線WL1〜WLn等に印加する電圧である。このロウデコーダ310は、ロウアドレス信号をデコードし、昇圧回路312から供給された電圧に基づいて、上記NAND型フラッシュメモリセルアレイ308中のメモリセルトランジスタを選択するための書き込み電圧Vpgm,中間電圧Vpass1〜Vpassn、選択ゲート線SGSに印加する電圧Vsgs,選択ゲート線SGDに印加する電圧Vsgd、ソース線に印加する電圧Vsl等のデコード信号を出力する。これによって、上記NAND型フラッシュメモリセルアレイ308中のワード線、選択ゲート線が選択される。更に、ビット線制御回路304は昇圧回路312からビット線電圧Vblを受け、カラムデコーダ306で選択されたNANDセルユニットの列に供給する。尚、図22は必要な最小限の回路のみを示しており、他にもアドレスバッファ、データ入出力バッファ、及びタイミング発生回路等が必要であるが、記載を省略している。
本発明の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作モードは大きく分けると3つ存在する。それぞれページモード、バイトモードおよびROM領域を有するEEPROMモードと呼ぶ。
本発明の第1乃至第11の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置においては、様々な適用例が可能である。これらの適用例のいくつかを図26乃至図39に示す。
(適用例1)
一例として、半導体メモリデバイス50を含むメモリカード60は、図26に示すように構成される。メモリ50には、本発明の第1乃至第11の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置が適用可能である。メモリカード60は、図26に示すように、外部デバイス(図示せず)から所定の信号を受信し、或いは外部デバイス(図示せず)へ所定の信号を出力するように動作可能である。
メモリカード60の別の具体例は、図27に示すように、図26のメモリカードの例とは異なり、メモリ50に加えて、更に、メモリ50を制御し、かつ外部デバイスとの間で所定の信号を送受信するコントローラ76を具備している。コントローラ76は、インタフェースユニット(I/F)71,72と、マイクロプロセッサユニット(MPU)73と、バッファRAM74と、およびインタフェースユニット(I/F)72内に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)75とを備える。
更に別のメモリカード60の構成例は、図28に示すように、インタフェースユニット(I/F)71,72、マイクロプロセッサユニット(MPU)73、バッファRAM74、インタフェースユニット(I/F)72に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)75およびメモリ501をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ507として実現している。このようなシステムLSIチップ507がメモリカード60内に搭載されている。
更に別のメモリカード60の構成例は、図29に示すように、マイクロプロセッサユニット(MPU)73内にメモリ501を形成してメモリ混載MPU502を実現し、更にインタフェースユニット(I/F)71,72、バッファRAM74およびインタフェースユニット(I/F)72に含まれるエラー訂正コードユニット(ECC)75をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ506として実現している。このようなシステムLSIチップ506がメモリカード60内に搭載されている。
更に別のメモリカード60の構成例は、図30に示すように、図26或いは図27において示されたメモリ50に代わり、メモリとバイト型EEPROMで構成されるROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503を利用している。
図26乃至図30において示されたメモリカード60の適用例としては、図31に示すように、メモリカードホルダ80を想定することができる。メモリカードホルダ80は、本発明の第1乃至第10の実施の形態において詳細に説明された不揮発性半導体記憶装置として、メモリ50を備えた、メモリカード60を収容することができる。メモリカードホルダ80は、電子デバイス(図示されていない)に接続され、メモリカード60と電子デバイスとのインタフェースとして動作可能である。メモリカードホルダ80は、図26乃至図30に開示されたメモリカード60内のコントローラ76、マイクロプロセッサユニット(MPU)73、バッファRAM74、エラー訂正コードユニット(ECC)75、インタフェースユニット(I/F)71,72等の複数の機能と共に、様々な機能を実行可能である。
図32を参照して、更に別の適用例を説明する。メモリカード60若しくはメモリカードホルダ80を収容可能な接続装置90について、図32には開示されている。メモリカード60若しくはメモリカードホルダ80の内、いずれかに、メモリ50或いはメモリ501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第11の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。メモリカード60或いはメモリカードホルダ80は接続装置90に装着され、しかも電気的に接続される。接続装置90は接続ワイヤ92およびインタフェース回路93を介して、CPU94およびバス95を備えた回路ボード91に接続される。
図33を参照して、別の適用例を説明する。メモリカード60若しくはメモリカードホルダ80の内、いずれかに、メモリ50或いはメモリ501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第11の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。メモリカード60或いはメモリカードホルダ80は接続装置90に対して装着され、電気的に接続される。接続装置90は、接続ワイヤ92を介して、パーソナルコンピュータ(PC)350に接続されている。
図34を参照して、別の適用例を説明する。メモリカード60は、メモリ50或いはメモリ501、メモリ混載MPU502、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ503として、本発明の第1乃至第11の実施の形態において詳細に説明された、不揮発性半導体記憶装置を備えている。このようなメモリカード60をメモリカードホルダ80を内蔵するデジタルカメラ650に適用した例を図34は示している。
(適用例10)
本発明の第1乃至第11の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の別の適用例は、図35および図36に示すように、メモリ50とROM410とRAM420とCPU430とから構成されたMPU400と、プレーンターミナル600とを含むIC(interface circuit:IC)カード500を構成している。ICカード500はプレーンターミナル600を介して外部デバイスと接続可能である。またプレーンターミナル600はICカード500内において、MPU400に結合される。CPU430は演算部431と制御部432とを含む。制御部432はメモリ50、ROM410およびRAM420に結合されている。MPU400はICカード500の一方の表面上にモールドされ、プレーンターミナル600はICカード500の他方の表面上において形成されることが望ましい。図36において、メモリ50或いはROM410に対して、本発明の第1乃至第11の実施の形態において詳細に説明した不揮発性半導体記憶装置を適用することができる。また、不揮発性半導体記憶装置の動作上、ページモード、バイトモードおよびROM領域を有するEEPROMモードが可能である。
更に別のICカード500の構成例は、図37に示すように、ROM410、RAM420、CPU430、メモリ501をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ508として構成する。このようなシステムLSIチップ508がICカード500内に内蔵されている。図37において、メモリ501およびROM410に対して、本発明の第1乃至第11の実施の形態において詳細に説明した不揮発性半導体記憶装置を適用することができる。また、不揮発性半導体記憶装置の動作上、ページモード、バイトモードおよびROM領域を有するEEPROMモードが可能である。
更に別のICカード500の構成例は、図38に示すように、ROM410をメモリ501内に内蔵して、全体として、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510を構成し、更に、このROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510と、RAM420,CPU430をすべてワンチップ化して、システムLSIチップ509を構成している。このようなシステムLSIチップ509がICカード500内に内蔵されている.
(適用例13)
更に別のICカード500の構成例は、図39に示すように、図36に示したメモリ50において、ROM410を内蔵して、全体として、ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510を構成している。このようなROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ510は、MPU400内に内蔵されている点は、図36と同様である。
12,13…nウェル領域
14,15,16…pウェル領域
18,20,22,24,26,28,30…n型拡散層
32…CGDのゲート電極
34…STDのゲート電極
36,38…STkの共通のゲート電極
40…MCkのフローティングゲート電極
42…MCkのコントロールゲート電極
60…メモリカード
71,72…インタフェースユニット(I/F)
73…MPU
74…バッファRAM
75…エラー訂正コードユニット
76…コントローラ
80…メモリカードホルダ
90…接続装置
91…回路ボード
92…接続ワイヤ
93…インタフェース回路
94,160,430…CPU
95…バス
100…コントロールゲート線駆動回路
200…メモリサブアレイ
300…セレクトトランジスタのゲート線駆動回路
350…パーソナルコンピュータ
400…MPU
410…ROM
420…RAM
431…演算部
432…制御部
500…ICカード
502…メモリ混載MPU
503,510…ROM領域を有するEEPROMモードのフラッシュメモリ
506,507,508,509…システムLSIチップ
600…プレーンターミナル
601…フラッシュメモリセルアレイ
602…センスアンプ
603…ビット線
604…ワード線
605,606,611,612…メモリセル列
607,608,613…メモリセル
609…フラッシュメモリ
610…ROM領域を有するEEPROM
650…デジタルカメラ
MC0〜MCk〜MC1023…メモリセルトランジスタ
ST0〜STk〜ST1023…セレクトトランジスタ
CGD…コントロールゲート線駆動用トランジスタ
STD…(セレクトトランジスタの)ゲート線駆動用トランジスタ
VCC…電源電圧
VSS…ソース電圧
BL0〜BLk〜BL1023…ビット線
CS…共通ソースコンタクト
CG…コントロールゲート線
SG…セレクトトランジスタのゲート線
CLE…コマンドラインイネーブルシグナルライン
ALE…アドレスラインイネーブルシグナルライン
DAT…シグナルライン
R/B…レディー/ビジーシグナルライン
CMD…コマンドシグナルライン
CLK…クロックシグナルライン
Claims (10)
- メモリセルとセレクトトランジスタとの直列接続から構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイと、
前記メモリセルのコントロールゲート線駆動用トランジスタと、
前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタと
を備え、前記コントロールゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜厚が前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜厚よりも厚く、1つの前記コントロールゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数が1つの前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数よりも多いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 読み出し動作時に全ての前記コントロールゲート線がVssになされることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記セレクトトランジスタのゲート線は、上層の金属配線で短路されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記メモリサブアレイ及び前記セレクトトランジスタがウェル上に形成され、前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタはソース及びドレインを有し、前記ソースまたは前記ドレインのいずれか一方は前記セレクトトランジスタのゲート線と接続されており、
消去動作時において、前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲートは電源電圧に、前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタの前記ドレイン若しくは前記ソースのうち前記セレクトトランジスタのゲート線と接続されていない端は電源電圧に、前記ウェルの電位は前記電源電圧より高電圧の前記消去電圧に、前記セレクトトランジスタのゲート線は前記消去電圧より低く、前記電源電圧より高い電圧に、それぞれ設定されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。 - メモリセルとこれを挟み込む2個のセレクトトランジスタとから構成されるメモリセルユニットを有するメモリサブアレイと、
前記メモリセルのコントロールゲート線駆動用トランジスタと、
前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタと
を備え、前記コントロールゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜厚が前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜厚よりも厚く、1つの前記コントロールゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数が1つの前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数よりも多いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記1つのコントロールゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数が前記1つのセレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタで駆動されるメモリサブアレイの個数よりも多いことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記セレクトトランジスタのゲート線は、上層の金属配線で短路されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 消去動作時には、前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲートは電源電圧に、前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタの前記ドレイン若しくは前記ソースのうち前記セレクトトランジスタのゲート線と接続されていない端は電源電圧に、前記ウェルの電位は前記電源電圧より高電圧の前記消去電圧に、前記セレクトトランジスタのゲート線は前記消去電圧より低く、前記電源電圧より高い電圧に、それぞれ設定されることを特徴とする特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタは、複数個のトランジスタを直列に配置した構成を備えることを特徴とする請求項1又は請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記コントロールゲート線駆動用トランジスタをnウェルとpウェルからなる二重ウェル内に形成したことを特徴とする請求項1又は請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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