JP4146277B2 - ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ポリマー導波路は、大面積化が可能であり、簡易な方法でかつ低コストで製造することができるため、その実用化が期待されている。ポリマー光導波路は、一般に、コア層の周りにクラッド層を設けることにより構成されている。コア層の側方には側面クラッド層が設けられ、コア層の上方及び下方には、それぞれ上方クラッド層及び下方クラッド層が設けられている。ポリマー光導波路としては、例えば、コア層及び側面クラッド層にポリシラン化合物を用いたポリマー光導波路が提案されている(特許文献1)。
【0003】
一方、光導波路においては、シングルモード光ファイバーを用いた光通信システムが従来より主流であったため、シングルモードの光導波路についての研究開発が盛んになされていた。シングルモードの光導波路は、導波光の制御が容易であり、デバイスの小型化に有利であり、高速動作に適している。
【0004】
しかしながら、近年のマルチメディアの急速な立ち上がりにより、オフィスや家庭にも光による高速信号の配信が求められてきており、低コストの光部品としてマルチモードの光導波路が注目され始めている。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−311263号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
マルチモードの光導波路においては、一般にコア層及び側面クラッド層の厚みが厚いため、従来のポリマー材料を用いてコア層及び側面クラッド層を形成する場合、側面クラッド層のフォトブリーチングを均一に行うことができないという問題があった。
【0007】
本発明の目的は、マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層及び側面クラッド層の厚みが20μm以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備え、コア層及び側面クラッド層の厚みが20μm以上であるマルチモードのポリマー光導波路を製造する方法であり、ポリシランと、ベンゾフェノン基を有する有機過酸化物を含むポリシラン組成物を下方クラッド層の上に塗布することにより、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する工程と、ポリシラン層を80〜150℃の温度でプリベークする工程と、プリベーク後のポリシラン層の側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射することにより、該領域を未照射領域より低い屈折率に変化させて側面クラッド層を形成すると共に未照射領域をコア層とする工程と、紫外線を照射した後、ポリシラン層を300℃〜500℃の温度でポストベークする工程とを備えることを特徴としている。
【0009】
本発明においては、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を用いて、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成している。ポリシラン層には、有機過酸化物が含まれているため、ポリシラン層の側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射して、ポリシランのSi−Si結合を切断し、Si−O−Si結合を形成して屈折率を低下させる際、有機過酸化物からの酸素を効率的に供給することができる。このため、側面クラッド層の厚みが20μmであっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができる。
【0010】
従って、本発明によれば、コア層及び側面クラッド層の厚みが20μm以上であるようなマルチモードのポリマー光導波路を、効率的に生産することができる。
【0012】
本発明に従う好ましい実施形態において、ポリシラン組成物は、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比(分岐型ポリシラン化合物:シリコーン化合物)30:70〜80:20で含有し、有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計100重量部に対し、1〜30重量部の割合で含有することを特徴としている。
【0013】
本発明のポリマー光導波路は、コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、コア層及び側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備えるポリマー光導波路であり、コア層及び側面クラッド層が、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物から形成されており、側面クラッド層が、紫外線照射によりポリシランのSi−Si結合をSi−O−Si結合に変化させてその屈折率をコア層よりも低くすることにより形成されていることを特徴としている。
【0014】
本発明のポリマー光導波路は、コア層及び側面クラッド層が、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物から形成されているため、側面クラッド層に紫外線照射してフォトブリーチングする際、有機過酸化物からの酸素をポリシランに供給することができ、Si−Si結合からSi−O−Si結合に容易に変化させることができる。このため、本発明のポリマー光導波路は、従来のポリマー光導波路に比べ、効率的に生産することができる。
【0015】
本発明の光導波路は、コア層及び側面クラッド層の厚みが20μm以上であるマルチモードの光導波路に適したものであるが、これに限定されるものではなく、シングルモードの光導波路にも適用し得るものである。
【0016】
本発明のポリシラン組成物は、上記本発明のポリマー光導波路のコア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物であり、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比30:70〜80:20で含有し、有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計100重量部に対し、1〜30重量部の割合で含有することを特徴としている。
【0017】
本発明のポリシラン組成物を用いることにより、厚みが20μm以上である側面クラッド層を短時間でかつ均一にフォトブリーチングすることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
<ポリシラン>
本発明で使用するポリシランは、直鎖型及び分岐型のいずれを用いてもよいが、分岐型が特に好ましく用いられる。分岐型と直鎖型は、ポリシラン中に含まれるSi原子の結合状態によって区別される。分岐型ポリシランとは、隣接するSi原子と結合している数(結合数)が、3または4であるSi原子を含むポリシランである。これに対して、直鎖型のポリシランでは、Si原子の、隣接するSi原子との結合数は2である。通常Si原子の原子価は4であるので、ポリシラン中に存在するSi原子の中で結合数が3以下のものは、Si原子以外に、炭化水素基、アルコキシ基または水素原子と結合している。このような炭化水素基としては、ハロゲンで置換されていてもよい炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜14の芳香族炭化水素基が好ましい。脂肪族炭化水素基の具体例として、メチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、トリフルオロプロピル基およびノナフルオロヘキシル基などの鎖状のもの、およびシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基のような脂環式のものなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、p−トリル基、ビフェニル基およびアントラシル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数1〜8のものが挙げられる。具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ基などが挙げられる。合成の容易さを考慮すると、これらの中でメチル基およびフェニル基が特に好ましい。また、ポリシランの構造で屈折率を調整する場合は、高屈折率が所望の場合はジフェニル基を導入し、低屈折率を所望の場合はジメチル基を多くすることで調整可能である。
【0019】
分岐型ポリシランは、隣接するSi原子との結合数が3または4であるSi原子が、分岐型ポリシラン中の全体のSi原子数の2%以上であることが好ましい。2%未満のものや直鎖状のポリシランは結晶性が高く、膜中で微結晶が生成しやすいことにより散乱の原因とり、透明性が低下する。
【0020】
本発明に使用されるポリシランはハロゲン化シラン化合物をナトリウムのようなアルカリ金属の存在下、n−デカンやトルエンのような有機溶媒中において80℃以上に加熱することによる重縮合反応によって製造することができる。また、電解重合法や、金属マグネシウムと金属塩化物を用いた方法でも合成可能である。
【0021】
分岐型ポリシランの場合には、オルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、およびジオルガノジハロシラン化合物から成り、オルガノトリハロシラン化合物およびテトラハロシラン化合物が全体量の2モル%以上であるハロシラン混合物を加熱して重縮合することにより、目的とする分岐型ポリシランが得られる。ここで、オルガノトリハロシラン化合物は、隣接するSi原子との結合数が3であるSi原子源となり、一方のテトラハロシラン化合物は、隣接するSi原子との結合数が4であるSi原子源となる。なお、ネットワーク構造の確認は、紫外線吸収スペクトルや硅素の核磁気共鳴スペクトルの測定により確認することができる。
【0022】
ポリシランの原料として用いられるオルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、およびジオルガノジハロシラン化合物がそれぞれ有するハロゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。オルガノトリハロシラン化合物およびジオルガノジハロシラン化合物が有するハロゲン原子以外の置換基としては、上述の炭化水素基、アルコキシ基または水素原子が挙げられる。
【0023】
この分岐型ポリシランは、有機溶剤に可溶であり、塗布により透明な膜が成膜できるものであれば特に限定されない。このような有機溶媒として好ましいものは、炭素数5〜12の炭化水素系、ハロゲン化炭化水素系、エーテル系である。
【0024】
炭化水素系の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、n−デカン、n−ドデカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼンなどが挙げられる。ハロゲン化炭化水素系の例としては、四塩化炭素、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロベンゼンなどが挙げられる。エーテル系の例としては、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラハイドロフランなどが挙げられる。
【0025】
また分岐型ポリシラン化合物には分岐度が2%以上のものを用いれば、その分岐度が高いほど、より光透過率を高めることができる。また、重水素化、あるいは一部またはすべてをハロゲン化、特にフッ素化したものも用いることもできる。従って、特定の波長での吸収を抑え、かつ広い波長域にわたって光透過率が高く、また紫外線照射に対して高感度、高精度で屈折率変化を起こさせることができ、また屈折率の熱安定性も向上させることが可能となる。
【0026】
<シリコーン化合物>
本発明で使用するシリコーン化合物の具体例としては、以下の一般式で示されるものを挙げられる。
【0027】
【化1】
【0028】
[式中、R1からR12は、ハロゲンまたはグリシジルオキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜12の芳香族炭化水素基、炭素数1〜8のアルコキシ基からなる群から選択される基であり、同一でも異なっていてもよい。a,b,c,およびdは0を含む整数であり、a+b+c+d≧1を満たすものである。]
具体的には、有機置換基が2つあるD体と呼ばれるジクロロシランと、有機置換基が1つであるT体と呼ばれるトリクロロロシランの2種類以上を加水分解縮合したものが挙げられる。
【0029】
このシリコーン化合物が有する、脂肪族炭化水素基の具体例として、メチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、トリフルオロプロピル基、グリシジルオキシプロピル基などの鎖状のもの、およびシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基のような脂環式のものなどが挙げられる。また、芳香族炭化水素基の具体例として、フェニル基、p−トリル基、ビフェニル基などが挙げられる。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ基、ter‐ブトキシ基などが挙げられる。
【0030】
上記のR1〜R12の種類およびa,b,c,dの値は特に重要ではなく、ポリシランおよび有機溶媒と相溶し、膜が透明なものであれば特に限定されない。相溶性を考慮した場合には、使用するポリシランが有する炭化水素基と同じ基を有していることが好ましい。例えば、ポリシランとして、フェニルメチル系のものを使用する場合には、同じフェニルメチル系またはジフェニル系のシリコーン化合物を使用することが好ましい。また、R1〜R12のうち、少なくとも2つが炭素数1〜8のアルコキシ基であるような、1分子中にアルコキシ基を2つ以上有するシリコーン化合物は、架橋剤として利用可能である。そのようなものとしては、アルコキシ基を15〜35重量%含んだメチルフェニルメトキシシリコーンやフェニルメトキシシリコーンなどを挙げることができる。
【0031】
分子量としては、10000以下、好ましくは3000以下のものが好適に用いられる。
またシリコーン化合物にも重水素化、あるいは一部または全てにハロゲン化、特にフッ素化したものも用いることができるので、特定の波長での吸収を抑え、かつ広い波長域にわたって光透過率が高く、また紫外線照射に対して高感度、高精度で屈折率変化を起こさせることができ、また屈折率の熱安定性も向上させることが可能となる。
【0032】
<有機過酸化物>
本発明において使用する有機過酸化物としては、ポリシランのSi−Si結合間に効率良く酸素を挿入できる化合物であれば特に限定されないが、例えば、パーオキシエステル系過酸化物が挙げられる。特に、ベンゾフェノン基を有する有機過酸化物が好ましく用いられる。
【0033】
パーオキシエステル系過酸化物としては、3,3',4,4'−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン(以下、「BTTB」という)が挙げられる。
【0034】
<ポリシラン組成物>
本発明においては、ポリシランと有機過酸化物を含むポリシラン組成物を用いて、コア層及び側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する。ポリシラン組成物としては、上述のように、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物と有機過酸化物とを含む組成物が挙げられる。
【0035】
ポリシランとして分岐型ポリシラン化合物を用いる場合、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の混合割合は、重量比(分岐型ポリシラン化合物:シリコーン化合物)で30:70〜80:20であることが好ましい。分岐型ポリシラン化合物の割合がこれより少なくなると、硬化が不十分となる場合があり、逆に分岐型ポリシラン化合物がこれより多くなると、クラックが発生する場合がある。
【0036】
また、有機過酸化物の配合割合は、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計100重量部に対し、1〜30重量部であることが好ましく、さらに好ましくは5〜20重量部である。有機過酸化物の配合割合がこれより少なすぎると、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができるという本発明の効果が十分に得られない場合がある。また、有機過酸化物の配合割合が多すぎると、導波路の光伝搬損失が大きくなる場合がある。
【0037】
本発明において、ポリシラン組成物は、一般にポリシランを溶解させる溶媒を用いて希釈して用いる。このような溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベンゼン等の芳香族系炭化水素、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテル系溶剤が好適に用いられる。溶媒の使用量は、ポリシランの濃度が20〜90重量%となるような範囲が好ましい。
【0038】
<製造工程>
図1は、本発明のポリマー光導波路の一実施例を示す断面図である。
図1に示すように、基板1の上に下方クラッド層2が形成されている。下方クラッド層2の上には、コア層3a及び側面クラッド層3bが形成されている。コア層3aは、紙面に対し垂直方向に延びるように形成されている。側面クラッド層3bは、その両側に設けられている。コア層3a及び側面クラッド層3bの上には、上方クラッド層4が形成されている。
【0039】
コア層3a及び側面クラッド層3bは、ポリシラン層3から形成されている。ポリシラン層3は、下方クラッド層2の上に、ポリシラン組成物を塗布することにより形成されている。
【0040】
ポリシラン層3を形成した後、側面クラッド層3bに対応する領域に紫外線を照射することによりフォトブリーチングを行う。この紫外線照射により、ポリシランのSi−Si結合が切断され、切断された部分に有機過酸化物からの酸素が導入され、Si−O−Si結合が形成される。このような結合の変化により、紫外線が照射されたポリシラン層の部分は、紫外線が照射されなかったコア層3aの部分に比べ、屈折率が低くなる。紫外線としては、250〜400nmの波長を有する紫外線が好ましく用いられる。照射量は、ポリシランの厚み1μmあたり0.1〜10J/cm2が好ましく、さらに好ましくは0.1〜1J/cm2である。
【0041】
なお、ポリシラン層は、塗布した後、80〜150℃の温度でプリベークすることが好ましい。また、紫外線を照射した後、300℃以上の温度、より好ましくは300℃〜500℃の温度で熱処理することが好ましい。このような熱処理によりポリシランの側鎖にある有機置換基が分解し、無機化することにより、近赤外領域のC−H吸収を低減化することができ、光導波路として0.1dB/cm以下の低損失化が可能となる。
【0042】
マルチモードのポリマー光導波路とする場合には、コア層3a及び側面クラッド層3bの厚みは、20μm以上であることが好ましく、さらに好ましくは20〜100μmである。
【0043】
以上のようにフォトブリーチングすることにより側面クラッド層3bを形成する。フォトブリーチングにより側面クラッド層3bの屈折率はコア層3aの屈折率よりも小さくなる。マルチモード光導波路の場合には、コア層3aと側面クラッド層3bの屈折率の差は1〜2%程度であることが好ましい。また、シングルモードの光導波路の場合は、0.3〜0.8%程度であることが好ましい。
【0044】
下方クラッド層2及び上方クラッド層4は、コア層3aよりも低い屈折率を有するものであればよい。屈折率の差は、側面クラッド層3bの場合と同様であることが好ましい。
【0045】
本発明においては、下方クラッド層2及び上方クラッド層4を、ポリシラン組成物から形成してもよい。例えば、コア層3aよりも屈折率が低くなるように、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の組成比を変えたポリシラン組成物を用い、これを塗布することにより下方クラッド層2及び上方クラッド層4を形成してもよい。
【0046】
なお、本発明において、下方クラッド層2は、コア層3aよりも低い屈折率を有する基板であってもよい。
【0047】
【実施例】
以下、合成例及び実施例を示して、本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の合成例及び実施例に限定されるものではない。
【0048】
(ポリシランの合成例)
攪拌機を備えた1000mlフラスコにトルエン400mlおよびナトリウム13.3gを充填した。このフラスコの内容物を紫外線を遮断したイエロールーム中で111℃に昇温し、高速攪拌することによりナトリウムをトルエン中に微細に分散した。ここにフェニルメチルジクロロシラン42.1g、テトラクロロシラン4.1gを添加し、3時間攪拌することにより重合を行った。その後、得られた反応混合物にエタノールを添加することにより、過剰のナトリウムを失活させた。水洗後、分離した有機層をエタノール中に投入することにより、ポリシランを沈澱させた。得られた粗製のポリシランをエタノールから3回再沈殿させることにより、重量平均分子量11600の、分岐型ポリメチルフェニルシランを得た。
【0049】
(実施例1)
以下のようにして、図1に示す構造を有するポリマー光導波路を作製した。
上記合成例で得られた分岐型ポリメチルフェニルシラン25.0重量部及びメトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン(商品名「DC−3037」、ダウコーニング社製)75重量部をトルエンに溶解してポリシラン組成物(固形分67重量%)とした。これを基板であるシリコンウエハの上にスピンコートした後、370℃でベークして厚さ20μmの下方クラッド層を形成した。
【0050】
次に、上記合成例で得られた分岐型ポリメチルフェニルシラン47.5重量部、メトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン47.5重量部及びBTTB5.0重量部をトルエンに溶解したポリシラン組成物(固形分60重量%)を調製し、これを下方クラッド層の上にスピンコートし、120℃でプリベークして厚さ20μmのポリシラン層を形成した。このポリシラン層のコア層に対応する領域の上にフォトマスクを配置した状態で、紫外線を照射した。紫外線の照射条件は、波長300nmの紫外線を、13mJ/cm2の光量で行った。この後370℃でポストベークを行った。
【0051】
これにより、側面クラッド層に対応する領域をフォトブリーチングし、屈折率を低下させることにより、側面クラッド層を形成した。
次に、コア層及び側面クラッド層の上に、下方クラッド層と同様の方法で、厚さ20μmの上方クラッド層を形成した。
【0052】
(実施例2)
下方クラッド層の厚みを50μmとし、コア層及び側面クラッド層の厚みを50μmとし、上方クラッド層の厚みを50μmとする以外は、上記実施例1と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【0053】
(比較例1)
コア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物として、分岐型ポリメチルフェニルシラン50.0重量部、及びメトキシ基含有フェニルメチルシリコーンレジン50.0重量部をトルエンに溶解したポリシラン組成物(固形分60重量%)を用いる以外は、上記実施例1と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【0054】
(比較例2)
コア層及び側面クラッド層を形成するためのポリシラン組成物として、比較例1と同様のポリシラン組成物を用いる以外は、実施例2と同様にしてポリマー光導波路を作製した。
【0055】
(露光時間)
上記の実施例1〜2及び比較例1〜2において、ポリシラン層をフォトブリーチングして側面クラッド層を形成する際、断面観察を行ない、紫外線が側面クラッド層の底部に到達する時間を計測した。具体的には、一定時間紫外線を照射した後370℃でポストベークを行い、図1に示すコア層3aと側面クラッド層3bの間の境界が、下方クラッド層2の上部に到達するように形成されているか否かで判断した。
【0056】
以上の方法で測定した露光時間は、以下の通りである。
実施例1:15分
実施例2:30分
比較例1:3時間
比較例2:5時間以上
なお、比較例2における5時間以上は、5時間紫外線を照射しても、コア層と側面クラッド層の境界が下方クラッド層の上部に到達しなかったことを意味している。
【0057】
(NFPの評価)
実施例1〜2及び比較例1の各ポリマー光導波路について、ダイシングソーでカッティングした長さ5cmの直線導波路について、波長650nmの光透過モードで、ニアフィールドパターン(NFP)を観察した。
【0058】
なお、実施例1〜2及び比較例1の各ポリマー光導波路は、上記の露光時間、すなわち実施例1については15分、実施例2については30分、比較例1については3時間紫外線を照射して形成した光導波路である。
【0059】
実施例1及び実施例2の光導波路については、コア層のみが明るく光る明確なパターンが確認された。これに対し、比較例1の光導波路においては、コア層からの光漏れがあり、ぼやけたパターンであった。
【0060】
(光伝搬損失の評価)
上記のNFPの評価に用いた直線導波路を用いて、実施例1〜2及び比較例1の各導波路について、波長850nmの光伝搬損失を測定した。結果は以下の通りである。
【0061】
実施例1:0.1dB/cm
実施例2:0.4dB/cm
比較例1:測定不可
【0062】
【発明の効果】
本発明によれば、マルチモードのポリマー光導波路のようにコア層及び側面クラッド層の厚みが20μm以上であるようなポリマー光導波路であっても、側面クラッド層のフォトブリーチングを短時間でかつ均一に行うことができる。このため、ポリマー光導波路を効率良く生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従う一実施例のポリマー光導波路を示す断面図。
【符号の説明】
1…基板
2…下方クラッド層
3…ポリシラン層
3a…コア層
3b…側面クラッド層
4…上方クラッド層
Claims (2)
- コア層と、該コア層の側方に設けられる側面クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の下方に設けられる下方クラッド層と、前記コア層及び前記側面クラッド層の上方に設けられる上方クラッド層とを備え、前記コア層及び前記側面クラッド層の厚みが20μm以上であるマルチモードのポリマー光導波路を製造する方法であって、
ポリシランと、ベンゾフェノン基を有する有機過酸化物を含むポリシラン組成物を前記下方クラッド層の上に塗布することにより、前記コア層及び前記側面クラッド層に対応するポリシラン層を形成する工程と、
前記ポリシラン層を80〜150℃の温度でプリベークする工程と、
前記プリベーク後の前記ポリシラン層の前記側面クラッド層に対応する領域に紫外線を照射することにより、該領域を未照射領域より低い屈折率に変化させて側面クラッド層を形成すると共に未照射領域をコア層とする工程と、
紫外線を照射した後、前記ポリシラン層を300℃〜500℃の温度でポストベークする工程とを備えることを特徴とするポリマー光導波路の製造方法。 - 前記ポリシラン組成物が、分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物を重量比30:70〜80:20で含有し、前記有機過酸化物を分岐型ポリシラン化合物とシリコーン化合物の合計100重量部に対し1〜30重量部の割合で含有することを特徴とする請求項1に記載のポリマー光導波路の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003129830A JP4146277B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路 |
TW093112366A TWI245136B (en) | 2003-05-08 | 2004-05-03 | Method for manufacturing polymer optical waveguide and polymer optical waveguide |
US10/839,716 US20050002629A1 (en) | 2003-05-08 | 2004-05-06 | Method for fabrication of polymer optical waveguide and polymer optical waveguide |
DE102004022751A DE102004022751A1 (de) | 2003-05-08 | 2004-05-07 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Polymerwellenleiters und optischer Polymerwellenleiter |
KR1020040032354A KR100720874B1 (ko) | 2003-05-08 | 2004-05-07 | 중합체 광 도파로 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003129830A JP4146277B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004333883A JP2004333883A (ja) | 2004-11-25 |
JP4146277B2 true JP4146277B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=33487073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003129830A Expired - Fee Related JP4146277B2 (ja) | 2003-05-08 | 2003-05-08 | ポリマー光導波路の製造方法及びポリマー光導波路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050002629A1 (ja) |
JP (1) | JP4146277B2 (ja) |
KR (1) | KR100720874B1 (ja) |
DE (1) | DE102004022751A1 (ja) |
TW (1) | TWI245136B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003087905A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Polysilane thin films for directly patternable waveguides |
JP2006251184A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 三次元光導波路および光通信システム |
TWI385231B (zh) * | 2005-03-18 | 2013-02-11 | Three Bond Co Ltd | A cyanoacrylate-based adhesive composition |
JP4593348B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2010-12-08 | 日本ペイント株式会社 | ポリシラン組成物並びに光導波路及びその製造方法 |
JP4998671B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-15 | 株式会社スリーボンド | シアノアクリレート系接着剤組成物 |
JP2007232845A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Nippon Paint Co Ltd | 光配線積層体の製造方法及び光配線積層体 |
US7811640B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-10-12 | Rpo Pty Limited | Methods for fabricating polymer optical waveguides on large area panels |
JP4691664B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2011-06-01 | 防衛省技術研究本部長 | Si−O−Si結合を含む化合物の内部改質法及びデバイス |
WO2012039443A1 (ja) * | 2010-09-22 | 2012-03-29 | 住友ベークライト株式会社 | 光導波路形成用フィルムおよびその製造方法、光導波路およびその製造方法、電子機器 |
US10131393B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-11-20 | Louis Chuang | Storage device for bicycle |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0170358B1 (ko) * | 1991-10-22 | 1999-05-01 | . | 굴절률 분포형 광학 수지 재료와 그 제조 방법 및 광전송체 |
JP2001058128A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-06 | Lion Engineering Kk | 充填装置 |
JP2001066843A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Oki Data Corp | 画像形成装置 |
US7035518B2 (en) * | 2001-04-13 | 2006-04-25 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer waveguides and process for producing the same |
US6830818B2 (en) * | 2001-04-13 | 2004-12-14 | Hitachi Cable, Ltd. | Polymer material and polymer film |
JP2004212875A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Olympus Corp | 接合光学素子 |
-
2003
- 2003-05-08 JP JP2003129830A patent/JP4146277B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-03 TW TW093112366A patent/TWI245136B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-06 US US10/839,716 patent/US20050002629A1/en not_active Abandoned
- 2004-05-07 DE DE102004022751A patent/DE102004022751A1/de not_active Withdrawn
- 2004-05-07 KR KR1020040032354A patent/KR100720874B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI245136B (en) | 2005-12-11 |
DE102004022751A1 (de) | 2004-12-30 |
KR100720874B1 (ko) | 2007-05-22 |
KR20040095734A (ko) | 2004-11-15 |
TW200502607A (en) | 2005-01-16 |
US20050002629A1 (en) | 2005-01-06 |
JP2004333883A (ja) | 2004-11-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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