JP4142130B2 - 電子ビーム蒸発装置および方法 - Google Patents

電子ビーム蒸発装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4142130B2
JP4142130B2 JP15851997A JP15851997A JP4142130B2 JP 4142130 B2 JP4142130 B2 JP 4142130B2 JP 15851997 A JP15851997 A JP 15851997A JP 15851997 A JP15851997 A JP 15851997A JP 4142130 B2 JP4142130 B2 JP 4142130B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
hollow body
support plate
beam evaporation
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP15851997A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH1060630A (ja
Inventor
ロッハー シュテファン
ヴィルト エックハルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Buehler Alzenau GmbH
Original Assignee
Leybold Optics GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold Optics GmbH filed Critical Leybold Optics GmbH
Publication of JPH1060630A publication Critical patent/JPH1060630A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4142130B2 publication Critical patent/JP4142130B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/305Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
    • H01J37/3053Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/31Processing objects on a macro-scale
    • H01J2237/3132Evaporating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【0001】
【発明の関連する技術分野】
本発明は例えば、レンズまたはメガネガラスを熱処理するために光学系において使用されるような、真空薄膜生成装置用電子ビーム蒸発装置に関する。このために、電子ビームによって加熱される蒸発源の上方にある適当な基板保持体上の薄膜生成すべき基板が移動されかつ薄膜生成される。その際蒸気が出る蒸発点は大抵、基板保持体の主軸線に対して中心から外れたところにある。
【0002】
【従来の技術】
多数の種々異なった基板の形状および表面の曲率のために、蒸着装置における基板保持体上でのチャージ(Charge)内の所望の公差内膜厚ないし膜厚分布を実現するためには特別なコストが必要である。別の難点は、使用されている膜材料の蒸発特性が種々異なっている点にある。この理由から、薄膜生成すべき基板に関連して蒸発装置の位置決めを可変または調整設定可能にして、それぞれの形状の基板およびそれぞれの被膜材料に対して最適な蒸発装置位置が調整設定可能であるようにすることが望まれる。
【0003】
ドイツ連邦共和国特許出願公告第2118082号公報から真空中を移動可能な電子ビーム銃が公知である。電子銃が気密に固定されている容器は管を介して雰囲気に接続されている。電子銃は容器壁の一部である。管は室壁に案内されておりかつ長手方向に移動可能である。この種の装置は光学的な薄膜生成に使用するには適していない。というのは、著しく煩雑であるからである。蒸発点の位置決めに対する可変の領域は、従来の光学的な薄膜生成装置では僅か0.05ないし0.5mの領域にある。更に、管の蒸着ないし管における液圧油による光学膜の汚染が悪影響を及ぼす。
【0004】
ドイツ連邦共和国特許出願第2849933号明細書に、3つの構成要素、即ちビーム源、偏向磁石および蒸発すべき材料に対する保持装置から構成されている電子ビーム蒸着装置が記載されている。これら3つの構成要素は相互に間隔をおいてシフト可能に配設されているので、蒸発装置はそれぞれの用途に整合可能である。
【0005】
ドイツ連邦共和国特許出願第3704505号明細書に、ヒンジを有する2部分構成のレバーアームを備えた、真空装置に対する挿入装置が記載されており、ここにおいてレバーアームの内部は気密な中空体として実現されておりかつ挿入アームを動かすための駆動エレメントを含んでいる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明の課題は、電子ビーム蒸発装置を、必要な接続端子もしくは接続線路およびそれぞれに配属されている所属の結合線路を解離するまたは変更する必要なしに、蒸発点が僅かなコストで種々異なった蒸着条件ないし基板形状に整合することができるように、蒸着装置内に組み込むことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
この課題は本発明によれば、真空装置の真空容器内で電子ビーム蒸発装置を可変に位置決めするための装置であって、該装置は支持プレートを有しており、該支持プレートの保持端部に電子ビーム蒸発装置が該装置の構成群と共に組み立てられており、該支持プレートは該支持プレートが装着されている前記真空容器における孔に片持ちばりの形式に支承されておりかつ該孔の中心軸線を中心に旋回可能であるという形式の装置から出発して、a)前記支持プレートは扁平な中空体のカバープレートとして構成されており、該中空体の内室は前記真空容器における前記孔(B)を介して雰囲気と接続されており、b)前記中空体は前記真空容器における前記孔(B)に、該中空体が該孔(B)の前記中心軸線(A)を中心に旋回可能であるように装着されており、c)電子ビーム蒸発装置の前記構成群は前記中空体の保持端部に気密に装着されており、d)電子ビーム蒸発装置の、冷却水、高電圧、供給電流およびるつぼ駆動部に接続するためのすべての接続線路並びに所属の結合線路は前記中空体の内部を通って前記構成群に案内されていることによって解決される。
【0008】
本発明の解決法によって、その都度の薄膜生成の際に行われるべき、蒸発装置位置の最適化が簡単な手法で実施可能であるようになる。締め付けリングの簡単な解離によって、蒸発装置は孔の主軸線を中心に旋回することができかつこれにより、基板上での膜厚の最適な分布が調整設定可能である。
【0009】
更にコストをかければ、真空状態を途切らすことなしに本来の位置調整を可能にすることもできるしまたは振り子運動によって蒸発点を意図的に振動させることも考えられる。
【0010】
【実施例】
次に本発明を図示の実施例に付き図面を用いて詳細に説明する。
【0011】
本発明の装置は図1に示されている。真空容器ないし蒸着槽基板1は孔Bを有している。この孔は装置全体を収容するために用いられる。締め付けフランジ5および対向プレート4を用いて、載着フランジを備えた支持プレート2は孔Bに、該支持プレート2が中央の軸線Aを中心に旋回可能であるように、装着される。支持プレート2に、U字形状の横断面を有するカバープレート3がガスケット13′を用いて気密に載着されている。形成された中空室は雰囲気と接続されておりかつ駆動エレメントおよび給電線を収容するために用いられる。真空側の上面に、ES蒸発装置の個別モジュールがそれぞれ、oリングによって気密に載着されている。これらは電子ビームのx偏向およびy偏向に対する偏向ユニット6、交換可能なビーム発生器を有するカソードユニット7並びに交換可能なるつぼ10を有する基本ユニット8である。
【0012】
基本ユニット8には、カバープレート21によって保護されている永久磁石12が挿入されている。永久磁石は図示されていない磁極片を介してビーム転向に対する主磁場を生成する。回転るつぼ10は複数の窪みを有している。これらの窪みはカバープレート14によって所望しない蒸発に対して防護されている。回転るつぼの駆動は周知のように、歯車19および20を有する歯付きベルトおよび軸16に装着されている駆動部を介して行われる。シムリング11は気密パッキンを形成する。水15,偏向電流17および高電圧18に対する接続線路は、孔Bおよびカバープレート3における開口を通ってそれぞれの接続箇所に案内される。リード線は支持プレート2およびカバープレート3から形成された中空体の内側において雰囲気側に定置に敷設されているので、装置全体は主軸線Aを中心に、接続を解離する必要なく、旋回することができる。
【0013】
支持プレート2の長さを介して装置は簡便な手法で種々異なった真空容器直径に整合することができる。旋回角度を介して蒸着装置の、半球形基板(Substratkalotte)に関連した半径方向の位置が簡単な手法で調整設定される。このことは、膜厚分布の迅速な最適化に対して重要である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の装置全体の断面表示を含む概略図である。
【符号の説明】
1 真空容器基板、 2 支持プレート、 3,14,21 カバープレート、 4 対向プレート、 5 締め付けフランジ、 6 偏向ユニット、 7 カソードユニット、 8 基本ユニット、 9 るつぼ駆動部、 10 交換るつぼ、 11 シムリング、 12 永久磁石、 13′,13″,13′″ ガスケット、 15 水供給線路、 16 軸、 17 電流供給線路、 18 高圧供給線路、 19,20 歯車

Claims (5)

  1. 真空装置の真空容器内で電子ビーム蒸発装置を可変に位置決めするための装置であって、
    該装置は支持プレートを有しており、該支持プレートの保持端部に電子ビーム蒸発装置が該装置の構成群と共に組み立てられており、
    該支持プレートは該支持プレートが装着されている前記真空容器における孔に片持ちばりの形式に支承されておりかつ該孔の主軸線を中心に旋回可能である
    装置において、
    a) 前記支持プレートは扁平な中空体のカバープレート(3)として構成されており、該中空体の内室は前記真空容器における前記孔(B)を介して雰囲気と接続されており、
    b) 前記中空体は前記真空容器における前記孔(B)に、該中空体が該孔(B)の前記主軸線(A)を中心に旋回可能であるように装着されており、
    c) 電子ビーム蒸発装置の前記構成群は前記中空体の保持端部に気密に装着されており、
    d) 電子ビーム蒸発装置の、冷却水(15)、高電圧(18)、供給電流(17)およびるつぼ駆動部(16,19,20)に接続するためのすべての接続線路並びに所属の結合線路は前記中空体の内部を通って前記構成群に案内されている
    ことを特徴とする装置。
  2. 前記接続線並びに所属の結合線路は前記中空体内の雰囲気側において定置に敷設されている
    請求項1記載の装置。
  3. 電子ビーム蒸発装置と請求項1記載の真空装置の真空容器内で電子ビーム蒸発装置を可変に位置決めするための装置とから成るユニットであって、
    該電子ビーム蒸発装置は、ビーム発生器(7)、偏向ユニット(6)および回転駆動装置付きまたは回転駆動装置なしの水冷式の蒸発装置るつぼ(10)、冷却水(15)、高電圧(18)、供給電流(17)およびるつぼ駆動部(16,19,20)に接続するための真空連通部並びに所属の結合線路を含んでいる構成群を有しているユニット。
  4. 前記電子ビーム蒸発装置の構成群、例えばビーム発生器は複数の部分から成っておりかつ前記支持プレートにおける気密を解消することなく差し込みコネクタによって交換可能である
    請求項3記載のユニット。
  5. 前記蒸発装置位置を薄膜生成の期間中または薄膜生成の間で変化する
    請求項3または4記載のユニットの作動方法。
JP15851997A 1996-06-14 1997-06-16 電子ビーム蒸発装置および方法 Expired - Fee Related JP4142130B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19623701A DE19623701A1 (de) 1996-06-14 1996-06-14 Vorrichtung und Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen
DE19623701.7 1996-06-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1060630A JPH1060630A (ja) 1998-03-03
JP4142130B2 true JP4142130B2 (ja) 2008-08-27

Family

ID=7796911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15851997A Expired - Fee Related JP4142130B2 (ja) 1996-06-14 1997-06-16 電子ビーム蒸発装置および方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6495216B2 (ja)
EP (1) EP0813226B1 (ja)
JP (1) JP4142130B2 (ja)
DE (2) DE19623701A1 (ja)
ES (1) ES2186822T3 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4725975B2 (ja) * 2006-12-06 2011-07-13 株式会社昭和真空 真空蒸着装置及びその運用方法
MX2012010842A (es) * 2010-03-22 2013-04-03 Luxxotica Us Holdings Corp Deposicion auxliada por haz ionico de recubrimientos para lentes oftalmicas.
CN108300981B (zh) * 2017-12-20 2020-05-15 湖南红太阳光电科技有限公司 一种用于石墨舟的预热箱
CN111663105A (zh) * 2020-05-26 2020-09-15 南方科技大学 超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE123979C (ja)
US2482329A (en) * 1946-05-27 1949-09-20 Rca Corp Apparatus for selective vapor coating
US3389210A (en) * 1965-03-29 1968-06-18 Everette M. Whitson Multiple crucible for a permanent magnet transverse electron beam evaporation source
DE2528032C2 (de) 1975-06-24 1983-06-09 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Elektronenstrahlerzeuger für Heiz-, Schmelz- und Verdampfungszwecke
DE2544725C3 (de) * 1975-10-07 1981-01-08 Leybold-Heraeus Gmbh, 5000 Koeln Elektronenstrahlverdampfer
DE2656314A1 (de) 1976-12-11 1978-06-15 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Stromversorgungseinrichtung fuer elektronenstrahlkanonen
CH631743A5 (de) * 1977-06-01 1982-08-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage.
US4561382A (en) * 1983-11-22 1985-12-31 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vacuum vapor deposition gun assembly
CH663037A5 (de) * 1985-02-05 1987-11-13 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbeschichtungsanlagen.
JPS62247067A (ja) * 1986-04-18 1987-10-28 Citizen Watch Co Ltd イオンプレ−テイング装置
US4776299A (en) * 1986-05-15 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Source replenishment device for vacuum deposition
DE3704505A1 (de) * 1987-02-13 1988-08-25 Leybold Ag Einlegegeraet fuer vakuumanlagen
JP2913745B2 (ja) * 1990-04-10 1999-06-28 松下電器産業株式会社 真空蒸着装置
FR2687171B1 (fr) * 1992-02-12 1994-03-25 Commissariat A Energie Atomique Dispositif de controle d'un flux de matiere emise par une source d'evaporation chauffee et application dans une machine de revetement par evaporation sous vide.
US5216690A (en) * 1992-03-11 1993-06-01 Hanks Charles W Electron beam gun with grounded shield to prevent arc down
US5473627A (en) * 1992-11-05 1995-12-05 Mdc Vacuum Products Corporation UHV rotating fluid delivery system

Also Published As

Publication number Publication date
ES2186822T3 (es) 2003-05-16
DE59708040D1 (de) 2002-10-02
EP0813226B1 (de) 2002-08-28
US6495216B2 (en) 2002-12-17
JPH1060630A (ja) 1998-03-03
EP0813226A2 (de) 1997-12-17
EP0813226A3 (de) 1998-05-06
US20010006708A1 (en) 2001-07-05
DE19623701A1 (de) 1997-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2107242C (en) An evaporation system for gas jet deposition on thin film materials
JP6328766B2 (ja) 有機材料用の蒸発源、真空チャンバの中で有機材料を堆積させるための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
WO1991017285A1 (en) Microwave plasma assisted gas jet deposition of thin film materials
EP0811237B1 (en) Deposition apparatus
JP4142130B2 (ja) 電子ビーム蒸発装置および方法
US20210269912A1 (en) Evaporation source for organic material, deposition apparatus for depositing organic materials in a vacuum chamber having an evaporation source for organic material, and method for evaporating organic material
JP2510986B2 (ja) 真空被覆装置の蒸発装置
WO2018166619A1 (en) Material deposition arrangement, vacuum deposition system and methods therefor
US20220028672A1 (en) Rotary magnetron sputtering with individually adjustable magnetic field
WO2019063061A1 (en) MATERIAL DEPOSITION ARRANGEMENT, VACUUM DEPOSITION SYSTEM, AND ASSOCIATED METHODS
US4705366A (en) High temperature microscope
US6749730B2 (en) Sputter device
KR101921648B1 (ko) 수직형 면증발원을 이용한 고해상도 amoled 소자의 클러스터형 양산장비
JP2017115246A (ja) 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
JP6605073B2 (ja) 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する真空チャンバにおいて有機材料を堆積するための堆積装置、及び有機材料を蒸発させるための方法
KR20210057117A (ko) 재료 증착 장치, 진공 증착 시스템, 및 대면적 기판을 프로세싱하는 방법
CN112534564A (zh) 材料沉积设备、真空沉积系统及用以处理大面积基板的方法
JP4193951B2 (ja) 光学基体上に反射防止膜を蒸着する方法
KR20000006965A (ko) 박막 제조 방법 및 제조 장치
CN216928483U (zh) 内嵌式射频等离子体源发生装置及真空处理系统
JP2020505794A (ja) 真空チャンバ内で撮像するための装置、基板の真空処理のためのシステム、及び真空チャンバ内で少なくとも1つの物体を撮像するための方法
JPH08283933A (ja) アーク式蒸発源
JPH0575826B2 (ja)
JPH04304362A (ja) イオンプレーティング装置
JPH05179432A (ja) 薄膜形成装置におけるプラズマビーム偏向方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040401

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20041001

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20041001

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060821

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060901

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061130

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061205

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071116

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080214

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080219

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080317

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080321

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080416

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080514

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080612

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees