JP4132918B2

JP4132918B2 - 低炭素フェロボロンの製造方法

Info

Publication number: JP4132918B2
Application number: JP2002091729A
Authority: JP
Inventors: 義孝田中; 保成渕
Original assignee: 日本電工株式会社
Priority date: 2002-03-28
Filing date: 2002-03-28
Publication date: 2008-08-13
Anticipated expiration: 2022-03-28
Also published as: JP2003286536A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は低炭素フェロボロンの製造方法であり、特に希土類永久磁石の原料として利用される低炭素フェロボロンを、高炭素フェロボロンを原料として製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フェロボロンは品質により大きく２種類、すなわち高炭素フェロボロンと低炭素フェロボロンとに区別されている。このうち高炭素フェロボロンは、酸化ほう素、ほう酸等のほう素源、鉄スクラップ、酸化鉄、鉄鉱石等の鉄源を原料とし、これにコークス、石炭、木炭、黒鉛等を還元剤として混じて電気炉により大量生産される。高炭素フェロボロンは比較的安価であるが、炭素含有量が高いために希土類永久磁石の原料として利用することはできない。
【０００３】
一方、低炭素フェロボロンは、前記ほう素源、鉄源をシリコン、アルミニウム、マグネシウムまたはこれらの混合物または合金とテルミット反応により還元することによって製造され、炭素含有量は低いがシリコン、アルミニウム含有量が高い。また、テルミット反応という比較的小規模で、かつほう素収率が低いため、希土類永久磁石の原料として利用できるが高価である。参考のため、これら高炭素フェロボロン、低炭素フェロボロンのJIS規格を表１に示す。
【０００４】
【表１】

このような事情に鑑み、高炭素フェロボロンを脱炭して低炭素フェロボロンを製造しようとする試みが従前から数多くなされている。たとえば特開昭58-26025号公報には、容積比で酸素濃度を21〜100%含む酸素富化ガスを半溶融ないしは溶融したフェロボロンに吹き付け、フェロボロン中に含有されているアルミニウムおよび炭素を酸化・除去する技術が開示されている。また、特開昭59-126732号公報には、ほう素合金溶湯中に純酸素ガスをバブリングしてアルミニウムおよび炭素を酸化・除去する技術が開示されている。
【０００５】
さらに、特開昭59-232250号公報には、電気炉で製錬したフェロボロンをさらにその融点＋150〜200℃の温度範囲で完全に再溶解した後、融点直上まで冷却し、含有炭素を析出分離することによって低炭素フェロボロンを得る技術が、また特開昭61-195953号公報には、溶滓を伴う溶融フェロボロンの表面に耐火性冷却材を投入し、その表面に溶滓をからませて除滓してグラファイトやほう素炭化物を除去して非金属介在物の少ないフェロボロンを得る技術が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フェロボロン溶湯は溶銑と異なり炭素含有量が低く、またほう素の酸素との親和力が炭素と酸素との親和力より大であり、さらに、ほう素の含有量が高い。そのため、フェロボロンに酸素を吹き付けて脱炭しようとする場合、フェロボロン溶湯に吹き込まれた酸素は脱炭には寄与せず、ほう素と反応して酸化ほう素を生成し、メタル中のほう素含有量を低下させ、ほう素の収率を悪化させる。さらに生成した酸化ほう素は製錬炉の耐火物と反応してMgO-B₂O₃系、SiO₂-B₂O₃系の低融点のスラグを生成し、そのためライニングの損傷が著しい。この損傷は、ほう素の酸化による溶湯温度の上昇により一層進行する。したがって、高炭素フェロボロンの気体酸素による脱炭は現実的ではない。
【０００７】
一方、フェロボロン溶湯の炭素の溶解度が温度により異なることを利用する製錬方法は、上記酸化法のような問題はないが、最終製品の炭素含有量が0.2%（質量比、以下同様）どまりであって、希土類永久磁石の原料として要求される炭素含有量0.1%以下にすることが難しい。また、溶滓を冷材にからませてグラファイトやほう素炭化物を除去する方法は、冷材の投入により溶湯の温度が低下し、取鍋へのメタル付着量が増加し、ほう素の収率を悪化させる。また、メタルのフラックスへの混入によりフラックス中の主成分および微量元素がメタル中に混入し、メタル品質を低下させる等の問題がある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の問題点を解決し、フェロボロン中の炭素含有量を従来に比べて低下させ、希土類永久磁石原料として十分な品質を有するフェロボロンを高い歩留まりで生産しうる方法を提案するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の低炭素フェロボロンの製造方法では、耐火物容器内に高炭素フェロボロン溶湯を収容し、1550〜1750℃の水素ガスを含む減圧雰囲気中に保持して炭素を除去する。
【００１０】
上記発明において、減圧雰囲気は圧力を6.7〜79.8kPaの水素ガス雰囲気とするのが好適である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明においては出発原料として高炭素フェロボロンの鋳塊または溶湯を使用する。高炭素フェロボロンを出発原料とするのは、これが比較的安価で、後工程での炭素および炭化物の除去に適しているからである。先に示したJIS FBH1およびFBH2を含めほう素量が5〜25%の範囲の高炭素フェロボロンを好適に利用できる。このような高炭素フェロボロンは、たとえば電気炉での還元製錬により製造できる。
【００１２】
電気炉から出湯した高炭素フェロボロンを耐火物容器、取鍋、坩堝などの容器に受湯する。取鍋の材質は特に問わないが、高温における製錬中にフェロボロン溶湯と容易に反応しないもの、例えば、MgO系、CaO系、Al₂O₃、ZrO₂系、又はこれらの複合耐火物とするのが好ましい。
【００１３】
本発明では、上記耐火物製容器に収容された高炭素フェロボロン溶湯を高温の減圧水素雰囲気下に曝すことによって、
C＋2H₂＝CH₄
で示される反応を進行させ、フェロボロンの脱炭を行なわせる。そのため、溶湯の保持温度および保持圧力条件について、耐火物がフェロボロン中のCによって還元されず、かつ導入された水素ガスH₂によってC＋2H₂＝CH₄の反応が右に進行する条件を選択することが重要である。
【００１４】
このうち溶湯温度については、1550〜1750℃とする。温度が1550℃未満のときは、溶湯表面にフェロボロンの固化物が生成し、その固化物が溶湯と水素との接触を阻害して脱炭の進行が妨げられるからである。一方、保持温度を1750℃以上にすると耐火物ライニングの損傷が大きくなり、溶損した耐火物がそのままの形で製品中に混入するおそれがある。したがって、上記反応を行うための溶湯温度は1550〜1750℃とする。
【００１５】
圧力については、水素ガス分圧が6.7〜79.8kPaとなるようにする。上記温度範囲において水素分圧が6.7kPa未満のときはフェロボロン中の炭素除去速度が小さく、製錬に多大の時間を要する。一方、水素分圧が79.8kPaを超えるとフェロボロン中のほう素と水素が直接反応して水素化ほう素（BH）の生成量が多くなるため製品のほう素含有量が低下する。したがって、雰囲気ガス中の水素分圧は6.7〜79.8kPaとする。
【００１６】
上記条件に従う限り水素の導入方法はいかなる手段によってもよい。たとえば溶湯表面に近接したランスノズルから水素を溶湯表面に吹きつけてもよく、あるいはランスを溶湯内に挿入して水素を吹き込んでもよい。
【００１７】
また、水素は純水素を利用できるほか、上記水素分圧を維持できる限り、たとえばアルゴンガスや窒素ガスとの混合ガスの形で反応系に導入してもよい。しかしながら、空気との混合は避けなければならない。空気中の酸素との反応により水素分圧が下がり、脱炭が進行しなくなるばかりでなく、残存酸素のためほう素が酸化されて製品のほう素含有量が低下するからである。そのため、水素ガス、あるいは水素含有ガスの導入前には反応容器内を、たとえば2.7kPa以下に減圧しておく必要がある。
【００１８】
本発明は、たとえば図１に示す装置を使用して実施することができる。この装置では、真空槽１内にMgO等のライニング２を施しその外周に水冷溶解用コイル３を配置した高周波誘導電気炉４、及び電気炉４で脱炭された溶湯５を凝固させて製品とするためのタンディッシュ６、鋳型７が設置されている。この真空槽１は真空ポンプ８及びアルゴンなどの水素ガスタンク９に接続されており、その内部を所要の減圧雰囲気に調整できるようになっている。また、追装タンク１０が備えつけられており、脱炭中に必要に応じて原料を追装することができるようになっている。
【００１９】
本発明は、上記のように高温、減圧下において水素とフェロボロン溶湯中の炭素（C）を反応させて脱炭するものである。したがって、たとえば前述の特開昭58-26025号公報で開示されているような高炭素フェロボロン溶湯に酸素ガスを吹き込む方法などとまったく異なり、脱炭により生成する物質はガス体の炭化水素であり、容易に系外にとりのぞくことができ、そのため介在物の少ない清浄なフェロボロンを製造することが可能である。また、フェロボロンのほう素含有量に依存することなく、ほう素含有量が5〜25%の範囲の高炭素フェロボロンが利用できる。
【００２０】
【実施例】
（実施例１〜３）
高炭素フェロボロン（表２に原料として示されている組成を有するもの）約3kgをMgOでライニングした真空高周波誘導加熱炉に装入し、0.13kPa以下に排気した後、水素ガスを水素分圧が実施例１の場合6.7kPa、実施例２の場合27kPa、実施例３の場合53kPaとなるように導入した後溶解した。溶解後、上記水素分圧を維持したまま、溶湯を1550〜1600℃に30min保持し脱炭をおこなわせた。その結果、表２に示す低炭素フェロボロンが得られた。
【００２１】
（実施例４）
実施例１〜３と同一の組成を有する高炭素フェロボロン約100kgをMgOでライニングした真空高周波誘導加熱炉に装入し、0.13kPa以下に排気した後、水素ガスを水素分圧が27kPaとなるように導入した後溶解した。溶解後、上記水素分圧を維持したまま、溶湯を1550〜1600℃に30min保持し脱炭を行わせた。その結果、表２に示す低炭素フェロボロンが得られた。
【００２２】
（実施例5）
溶解及び脱炭の際の水素ガス分圧は79.8kPaとしたほかは、実施例１〜３と同様の条件で高炭素フェロボロンを処理した。その結果、表２に示す低炭素フェロボロンが得られた。
【００２３】
（比較例１）
高炭素フェロボロン（表２に原料例として示されている組成を有するもの）約3kgをMgOでライニングした真空高周波誘導加熱炉に装入し、大気圧空気雰囲気で溶解した後、溶湯を大気圧空気雰囲気に1550〜1600℃に30min保持し脱炭をおこなわせた。結果は表２に示す。
【００２４】
（比較例２）
比較例１と同一の高炭素フェロボロン約3kgをMgOでライニングした真空高周波誘導加熱炉に装入し、アルゴンガスを27kPaとなるように導入した後溶解し、その雰囲気で溶湯を1550〜1600℃に20min保持し脱炭を行わせた。その結果は表２に示す。
【００２５】
【表２】

【００２６】
【発明の効果】
本発明によれば、高炭素フェロボロンを出発原料として、炭素含有量の極めて低い低炭素フェロボロンを極めて経済的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施する代表的な装置の模式図である。
【符号の説明】
１：真空槽
２：耐火物ライニング
３：水冷溶解用コイル
４：高周波誘導電気炉
５：溶湯
６：タンディッシュ
７：鋳型
８：真空ポンプ
９：水素ガスタンク
１０：追装タンク

Claims

耐火物容器内に高炭素フェロボロン溶湯を収容し、1550〜1750℃の水素ガスを含む減圧雰囲気中に保持して炭素を除去することを特徴とする低炭素フェロボロンの製造方法。
減圧雰囲気は圧力が6.7〜79.8kPaの水素ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１記載の低炭素フェロボロンの製造方法。