JP4113163B2 - 追記型光記録媒体および多層追記型光記録媒体 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態において用いられる記録層は、誘電体マトリックス中にAuAg合金微粒子を分散させた構造を有する。この記録層は、波長450nm以下のレーザー光(いわゆる青紫色レーザー光)を照射すると、AuAg合金微粒子の光学定数が変化することによって記録がなされる。具体的には、記録層中のAuAg合金微粒子が熱により粗大化するかまたは結晶学的に秩序化することによって反射率の変化を起こす。
以下のようにして図1に示すような構造を有する追記型光記録媒体を作製した。トラックピッチ0.4μmの溝が形成されたポリカーボネイト(PC)基板1を用意した。このPC基板1上に、Si3N4をRFマグネトロンスパッタ(パワー1kW)により成膜して厚さ約50nmの光学干渉層2を形成した。Al2O3とAg70mol%−Au30mol%合金をそれぞれRFマグネトロンスパッタ(パワー2kW)とDCマグネトロンスパッタ(パワー0.2kW)によって同時成膜して、厚さ約3nmのAuAg合金微粒子分散Al2O3からなる下部界面層3を形成した。SiO2とAg70mol%−Au30mol%合金をそれぞれRFマグネトロンスパッタ(パワー2kW)とDCマグネトロンスパッタ(パワー0.18kW)によって同時成膜して、厚さ約10nmのAuAg合金微粒子分散SiO2からなる記録層4を形成した。再度、Al2O3とAg70mol%−Au30mol%合金をそれぞれRFマグネトロンスパッタ(パワー2kW)とDCマグネトロンスパッタ(パワー0.2kW)によって同時成膜して、厚さ約3nmのAuAg合金微粒子分散Al2O3からなる上部界面層5を形成した。さらに、Si3N4をRFマグネトロンスパッタ(パワー1kW)により成膜して厚さ約10nmの光学干渉層6を形成した後、AlTiをDCマグネトロンスパッタ(パワー1.0kW)により成膜して厚さ約100nmの反射層7を形成した。成膜後の基板の成膜面にUV硬化樹脂を塗布し、ダミー用PC基板を貼り合わせ追記型ディスクとして完成させた。なお、記録層および界面層についてAg70mol%−Au30mol%合金微粒子の含有率を分析した結果、記録層のそれは38mol%、界面層のそれは43mol%であった。
実施例1と同じ構成で、2つの界面層の膜厚を0〜20nmの範囲で変化させたディスクを8種類作製した。これらのディスクについて表1の条件で評価した。記録条件を最適化したときの3T−CNRの界面層膜厚依存性を図6に示す。界面層膜厚が0.5nm以上5nm未満ではほぼ50dBの良好な特性が得られている。一方、界面層を設けない場合(膜厚0nm)にはAuAg合金微粒子の粗大化または秩序化が促進されないため、わずか20dBのCNRしか得られなかった。また、界面層膜厚が5nmを超える場合には透過光量が低下して反射率差が小さくなるためCNRが徐々に低下している。
実施例1と同じ構成で、界面層中のAuAg合金微粒子含有率を0〜70mol%の範囲で変化させたディスクを多種類作製した。これらのディスクについて表1の条件で評価した。図7に、3T−CNRの、界面層中のAuAg合金微粒子含有率依存性を示す。図7から、界面層中のAuAg合金微粒子含有率が40〜50mol%の範囲では約50dBの良好な3T−CNRが得られることがわかる。これに対して、AuAg合金微粒子含有率が40mol%未満の場合は含有率の低下とともにCNRが低下している。これは、界面層中のAuAg合金微粒子含有率が記録層中のAuAg合金微粒子含有率38mol%よりも小さくなるとともに、粒径も小さくなり、記録層中の微粒子成長促進効果が薄れたためと考えられる。一方、界面層中のAuAg合金微粒子含有率が50mol%を超えると透過率が低下するため、含有率の増加とともにCNRが低下している。このように、本実施例における追記型光記録媒体は界面層のAuAg合金微粒子含有率が40〜50mol%の範囲で、すなわち50mol%以下でかつ記録層のAuAg合金微粒子の含有率38mol%を下回らない範囲で良好な特性を示した。
図8に示すように、いずれも実施例1と同じ構成を有する、第1情報層を含む第1ディスク(L0)および第2情報層を含む第2ディスク(L1)を貼り合わせた片面二層ディスクを作製した。
実施例1と同じ構成で、記録層のみ以下に示す構成とした4種のディスクA〜Dを作製した。ディスクA〜Dの記録層の誘電体マトリックスはいずれのディスクもSiO2であるが、誘電体マトリックス中に分散させる金属微粒子を以下のように変えた。
ディスクB:Al
ディスクC:Sb
ディスクC:Te。
Claims (5)
- 基板と、
上記基板上に設けられ誘電体マトリックス中にAuAg合金微粒子を分散させた構造を有する記録層と、
上記記録層の少なくとも一方の面に接して形成され、誘電体マトリックス中にAuAg合金微粒子を分散させた構造を有し、AuAg合金微粒子の含有率が上記記録層における含有率よりも高い界面層と
を有することを特徴とする追記型光記録媒体。 - 上記記録層の厚さが5nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の追記型光記録媒体。
- 上記界面層の厚さが0.5nm以上5nm未満であることを特徴とする請求項1に記載の追記型光記録媒体。
- 上記記録層におけるAuAg合金微粒子の含有率が5mol%以上50mol%未満であることを特徴とする請求項1に記載の追記型光記録媒体。
- 基板と、
上記基板上に設けられ誘電体マトリックス中にAuAg合金微粒子を分散させた構造を有する記録層、および上記記録層の少なくとも一方の面に接して形成され、誘電体マトリックス中にAuAg合金微粒子を分散させた構造を有し、AuAg合金微粒子の含有率が上記記録層における含有率よりも高い界面層を1組とする複数組の情報層と、
上記複数組の情報層の間に設けられた透明層と
を有することを特徴とする多層追記型光記録媒体。
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JP2004205858A JP4113163B2 (ja) | 2004-07-13 | 2004-07-13 | 追記型光記録媒体および多層追記型光記録媒体 |
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JP (1) | JP4113163B2 (ja) |
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2004
- 2004-07-13 JP JP2004205858A patent/JP4113163B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2006026965A (ja) | 2006-02-02 |
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