JP4108662B2 - 薄膜半導体装置の製造方法、レジストパターン形成方法及びこれらの方法に使用するフォトマスク - Google Patents
薄膜半導体装置の製造方法、レジストパターン形成方法及びこれらの方法に使用するフォトマスク Download PDFInfo
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Description
2 透過パターン部
3 ハーフトーンパターン部
4、31 アライメントパターン
5 メインパターン領域
6 アイランド領域
11 ガラス基板
12 絶縁膜
13 下地シリコン層
14 レジスト層
20 ハーフトーンマスク
21 遮光マスク部分
22 透過マスク部分
23 半透過マスク部分(ハーフトーンマスク部分)
30 基板
32 トランジスタ形成領域
Claims (8)
- 基板表面上に下地シリコン層を形成する工程と、透過マスク領域、少なくとも一段階のハーフトーン露光領域、及び遮光マスク領域が形成されたフォトマスクを使用して露光(2重露光を除く)・現像し開口パターンと複数の異なる膜厚領域のパターンとを有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記開口パターンの位置する前記下地シリコン層をエッチングすることにより前記下地シリコン層にアライメントパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの複数の異なる膜厚領域ごとにレジストパターンの膜厚を薄くすることによって再生されたレジストパターンをマスクにして前記アライメントパターン以外のパターンをエッチング以外で加工して順次形成する工程とを備えることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記エッチング以外で加工する工程は、前記レジストパターンをマスクとしてイオン注入加工する工程であることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至2のうちの何れか一つにおいて、前記基板に絶縁性透明基板を用いることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至3のうちの何れか一つにおいて、再生されたレジストパターンをアッシングにより形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
- 基板表面上に形成した下地シリコン層にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、透過マスク領域、少なくとも一段階のハーフトーン露光領域、及び遮光マスク領域が形成されたフォトマスクを使用して露光(2重露光を除く)・現像し前記フォトレジスト層に開口パターンと複数の異なる膜厚領域のパターンとを有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記開口パターンの位置する下地シリコン層をエッチングすることにより前記下地シリコン層にアライメントパターンを形成する工程と、前記アライメントパターン以外のパターンをエッチング以外で加工するためのレジストパターンを前記複数層の膜厚領域ごとに前記レジストパターンの膜厚を薄くすることにより順次再生する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 請求項5において、アッシングにより前記レジストパターンの膜厚を薄くすることを特徴とするレジストパターン形成方法。
- アライメントパターン部、アライメントパターン形成に続く次工程処理用メインパターン部、及びこれら以外の少なくとも三つの部分に対応して、透過マスク領域、少なくとも一段階のハーフトーン露光領域、及び遮光マスク領域が形成されたフォトマスクであって、基板表面上に下地シリコン層を形成する工程と、前記フォトマスクを使用しフォトレジストに露光(2重露光を除く)して現像し開口パターンと複数の異なる膜厚領域のパターンとを有するレジストパターンを前記下地シリコン層の上部に形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記開口パターンの位置する前記下地シリコン層をエッチングすることにより前記下地シリコン層にアライメントパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの複数の異なる膜厚領域ごとにレジストパターンの膜厚を薄くすることによって再生されたレジストパターンをマスクにして前記アライメントパターン以外のパターンをエッチング以外で加工して順次形成する工程とを備える薄膜半導体装置の製造方法に使用されるフォトマスク。
- アライメントパターン部、アライメントパターン形成に続く次工程処理用メインパターン部、及びこれら以外の少なくとも三つの部分に対応して、透過マスク領域、少なくとも一段階のハーフトーン露光領域、及び遮光マスク領域が形成されたフォトマスクであって、基板表面上に下地シリコン層を形成する工程と、フォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層に前記フォトマスクを使用して露光(2重露光を除く)し現像処理により開口パターンと複数の異なる膜厚領域のパターンとを有するレジストパターンを前記下地シリコン層の上部に形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記開口パターンの位置する前記下地シリコン層をエッチングすることにより前記下地シリコン層にアライメントパターンを形成する工程と、前記アライメントパターン以外のパターンをエッチング以外で加工するためのレジストパターンを前記複数層の膜厚領域ごとに前記レジストパターンの膜厚を薄くすることにより順次再生する工程とを有するレジストパターン形成方法に使用するフォトマスク。
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