JP4108216B2 - 偶高調波ミクサ,直交ミクサ及びイメージリジェクションミクサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、無線通信システムの送受信装置等に用いられる偶高調波ミクサ,直交ミクサ及びイメージリジェクションミクサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図23は例えば1975年 IEEEより発行されたIEEE Trans.on Microwave theory and techniques,vol.MTT−23,No.8,667ページ〜673ページの「Harmonic Mixing with an Antiparallel Diode Pair」に示された従来の偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、1はRF信号とLO信号を混合してIF信号を出力するアンチパラレルダイオードペア(以下、APDPという)であり、APDP1は極性が相互に異なるミクサダイオード2,3から構成されている。
【0003】
4はRF信号を入力するRF端子、5はLO信号を入力するLO端子、6はRF端子4から入力されたRF信号とLO端子5から入力されたLO信号をAPDP1に出力する一方、APDP1から出力されたIF信号をIF端子10に出力する分波回路、7は分波回路6を構成する高域通過フィルタ、8は分波回路6を構成する帯域通過フィルタ、9は分波回路6を構成する低域通過フィルタである。
【0004】
次に動作について説明する。
図23の偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、RF端子4からRF信号が入力され、LO端子5からLO信号が入力される。
これにより、RF端子4から入力されたRF信号は、高域通過フィルタ7を通過してAPDP1に入力され、LO端子5から入力されたLO信号は、帯域通過フィルタ8を通過してAPDP1に入力される。
【0005】
この際、LO端子5に対するRF信号の漏洩は、帯域通過フィルタ8により阻止され、IF端子10に対するRF信号の漏洩は、低域通過フィルタ9により阻止される。
また、RF端子4に対するLO信号の漏洩は、高域通過フィルタ7により阻止され、IF端子10に対するLO信号の漏洩は、低域通過フィルタ9により阻止される。
【0006】
このようにして、RF信号とLO信号がAPDP1に入力されると、APDP1がRF信号とLO信号を混合してIF信号を出力し、そのIF信号は低域通過フィルタ9を通過してIF端子10から出力される。
この際、RF端子4に対するIF信号の漏洩は、高域通過フィルタ7により阻止され、LO端子5に対するIF信号の漏洩は、帯域通過フィルタ8により阻止される。
【0007】
一方、図23の偶高調波ミクサを送信装置に用いる場合、LO端子5からLO信号が入力され、IF端子10からIF信号が入力される。
これにより、LO端子5から入力されたLO信号は、帯域通過フィルタ8を通過してAPDP1に入力され、IF端子10から入力されたIF信号は、低域通過フィルタ9を通過してAPDP1に入力される。
【0008】
この際、RF端子4に対するLO信号の漏洩は、高域通過フィルタ7により阻止され、IF端子10に対するLO信号の漏洩は、低域通過フィルタ9により阻止される。
また、RF端子4に対するIF信号の漏洩は、高域通過フィルタ7により阻止され、LO端子5に対するIF信号の漏洩は、帯域通過フィルタ8により阻止される。
【0009】
このようにして、LO信号とIF信号がAPDP1に入力されると、APDP1がLO信号とIF信号を混合してRF信号を出力し、そのRF信号は高域通過フィルタ7を通過してRF端子4から出力される。
この際、LO端子5に対するRF信号の漏洩は、帯域通過フィルタ8により阻止され、IF端子10に対するRF信号の漏洩は、低域通過フィルタ9により阻止される。
【0010】
ここで、図23の偶高調波ミクサにLO信号を入力する場合、図24に示すように、半周期毎にミクサダイオード2,3が交互にONし、APDP1に電流が流れる。
その結果、半周期毎に逆位相のLO電流が流れ、図25に示すように、半周期毎にコンダクタンスが高まる動作をする。そのため、LO信号の高調波は奇数次にのみ存在し、コンダクタンスの高調波は偶数次にのみ存在することになる。
【0011】
図26は上記の偶高調波ミクサを受信用に適用するときの周波数スペクトラムを示し、図27は送信用に適用するときの周波数スペクトラムを示すが、LO信号で励振されたAPDP1のコンダクタンスの高調波は偶数次にしか存在しないため、図26や図27に示すように、LO信号の2倍波とRF信号/IF信号との混合波が出力される。
【0012】
一方、RF信号に周波数が近接し、スプリアスとなるLO信号の2倍波は、前述のようにLO信号の偶数次の高調波となるため強く抑制できる。この抑制量は、ミクサダイオード2,3のバランスに依存し、分波回路6などの外部回路に依存しない。従って、ミクサダイオード2,3をモノリシック集積化してバランスを高めると、LO信号の偶数次、コンダクタンスの奇数次の高調波を強く抑制できる。そのため、通常の平衡形のミクサと比較し、遙かに高い抑制が可能である。因みに、マイクロ波では通常の平衡形ミクサでは25db程度の抑制であるが、偶高調波ミクサでは50dBから60dB抑制できる。
【0013】
偶高調波ミクサにおけるRF信号の周波数をfrf、IF信号の周波数をfif、LO信号の周波数をfpとすると、これらの周波数の関係は次式で表わされる。
frf=|fif±2fp| (1)
【0014】
式(1)に示すように、偶高調波ミクサでは、通常のミクサの半分の周波数のLO信号で動作させることができる。そのため、引例文献をはじめ大半の公開文献では、偶高調波ミクサはマイクロ波、とりわけミリ波での送受信機に適用されている。
【0015】
以上で明らかなように、偶高調波ミクサは以下の特徴があり、無線通信機器などに用いられている。
(1)特に送信機に適用した場合に低スプリアスとなる。(2)LO信号の周波数fpを半分にできるため、ミリ波など高周波動作に適する。また、低価格化の効果も期待できる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
従来の偶高調波ミクサは以上のように構成されているので、受信装置に用いる場合にはRF信号とLO信号からIF信号を生成することができる一方、送信装置に用いる場合にはLO信号とIF信号からRF信号を生成することができるが、そのIF信号は不平衡信号であるため、IF信号として位相が相互に180度異なる平衡信号を取り扱う必要がある場合には、不平衡信号と平衡信号を変換するバランを別個に付属する必要がある。
【0017】
しかし、トランジスタからなる差動増幅器をバランとして利用する場合(図29,図30及び図32を参照)、トランジスタを駆動する電源が必要になり、偶高調波ミクサを搭載する送受信装置の消費電流が増加する課題があった。 一方、結合コイルをバランとして利用する場合(図31を参照)、電源を付属する必要はないが、大きな設置面積がなければバランを付属することができず、偶高調波ミクサを搭載する送受信装置が大型化してしまう課題があった。
【0018】
ここで、平衡信号は、逆相合成により不平衡信号に変換することができる(図28を参照)。したがって、平衡信号の伝播する2つの伝送線に同じ雑音が加わった場合でも、図28に示すように、逆相合成によって、雑音をキャンセルして信号のみを得ることができるという特長を有する。平衡信号の伝送は2本の伝送線を必要とするが、周波数が低い場合には高コストになることもなく、また、上述した差動増幅器が容易に使えることから広く用いられている。
【0019】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる偶高調波ミクサ,直交ミクサ及びイメージリジェクションミクサを得ることを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る偶高調波ミクサは、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とを設けたものである。
【0021】
この発明に係る偶高調波ミクサは、LO信号とIF信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路を設けたものである。
【0022】
この発明に係る偶高調波ミクサは、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、IF信号を生成するためのLO信号を供給するRF阻止回路を設けたものである。
【0023】
この発明に係る偶高調波ミクサは、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、RF信号を生成するためのLO信号を供給するRF阻止回路を設けたものである。
【0024】
この発明に係る偶高調波ミクサは、LO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアから発生し、RF阻止回路を通過するIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路と、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるRF/LO阻止回路とを設けたものである。
【0025】
この発明に係る偶高調波ミクサは、LO信号の通過を阻止する一方、入力されたIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路を設けたものである。
【0026】
この発明に係る偶高調波ミクサは、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させるRF阻止回路と、LO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるLO阻止回路とを設けたものである。
【0027】
この発明に係る偶高調波ミクサは、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、ダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させる第1のIF阻止回路を設けたものである。
【0028】
この発明に係る偶高調波ミクサは、高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、IF阻止回路を構成するようにしたものである。
【0029】
この発明に係る偶高調波ミクサは、高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第3のIF阻止回路を構成するようにしたものである。
【0031】
この発明に係る直交ミクサは、同相分配器,90度移相回路及び小型化された2個の偶高調波ミクサを用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するようにしたものである。
【0032】
この発明に係る直交ミクサは、同相分配器,小型化された2個の偶高調波ミクサ及び90度移相回路を用いて、RF信号を生成するようにしたものである。
【0033】
この発明に係る直交ミクサは、45度分配器,同相分配器及び小型化された2個の偶高調波ミクサを用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するようにしたものである。
【0034】
この発明に係る直交ミクサは、45度分配器,小型化された2個の偶高調波ミクサ及び合成器を用いて、RF信号を生成するようにしたものである。
【0035】
この発明に係るイメージリジェクションミクサは、小型化された直交ミクサ及び90度移相回路を用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するようにしたものである。
【0036】
この発明に係るイメージリジェクションミクサは、90度移相回路及び小型化された直交ミクサを用いて、RF信号を生成するようにしたものである。
【0037】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、11はRF信号とLO信号を混合して、平衡信号であるIF信号の正相成分及び逆相成分を出力するAPDP (アンチパラレルダイオードペア)であり、APDP11は極性が相互に異なるミクサダイオード(ダイオード)12,13から構成されている。14はAPDP11を構成するミクサダイオード12,13の接続点(一方の接続点)、15はAPDP11を構成するミクサダイオード12,13の接続点(他方の接続点)である。
【0038】
16はRF信号を入力するRF端子、17はLO信号とIF信号の正相成分の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点14に対して、RF端子16から入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路、18はLO信号を入力するLO端子、19はRF信号とIF信号の正相成分の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点14に対して、LO端子18から入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路、20は一端がグランドと接続され、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路である。
なお、詳細は後述するが、ミクサダイオード12,13の接続点14から出力され、RF/LO阻止回路21を通過してIF端子22から出力されるIF信号と、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力され、RF/LO阻止回路23を通過してIF端子24から出力されるIF信号は、相互に逆位相のIF電流となる。
そこで、この明細書では、説明の便宜上、ミクサダイオード12,13の接続点14から出力されるIF信号を“IF信号の正相成分”と称し、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力されるIF信号を“IF信号の逆相成分”と称することがある。
【0039】
21はRF信号とLO信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点14から出力された平衡信号であるIF信号の正相成分を通過させるRF/LO阻止回路(第1のRF/LO阻止回路)、22は平衡信号であるIF信号の正相成分を出力するIF端子、23はRF信号とLO信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力された平衡信号であるIF信号の逆相成分を通過させるRF/LO阻止回路(第2のRF/LO阻止回路)、24は平衡信号であるIF信号の逆相成分を出力するIF端子である。
なお、図1では、RF/LO阻止回路21を通過して、IF端子22から出力される平衡信号であるIF信号の正相成分を示す「IF」には上線を付していないが、RF/LO阻止回路23を通過して、IF端子24から出力される平衡信号であるIF信号の逆相成分を示す「IF」には上線を付しており、IF端子22から出力されるIF信号とIF端子24から出力されるIF信号を区別している。
【0040】
次に動作について説明する。
図1の偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、RF端子16からRF信号が入力され、LO端子18からLO信号が入力される。
これにより、RF端子16から入力されたRF信号は、LO/IF阻止回路17を通過してAPDP11に入力され、LO端子18から入力されたLO信号は、RF/IF阻止回路19を通過してAPDP11に入力される。
【0041】
この際、LO端子18に対するRF信号の漏洩は、RF/IF阻止回路19により阻止され、IF端子22,24に対するRF信号の漏洩は、RF/LO阻止回路21,23により阻止される。
また、RF端子16に対するLO信号の漏洩は、LO/IF阻止回路17により阻止され、IF端子22,24に対するLO信号の漏洩は、RF/LO阻止回路21,23により阻止される。
【0042】
このようにして、RF信号とLO信号がAPDP11に入力されると、APDP11がRF信号とLO信号を混合して、下記の式(2)を満たすIF信号を出力する。
frf=|fif±2fp| (2)
ただし、frfはRF信号の周波数
fifはIF信号の周波数
fpはLO信号の周波数
【0043】
ここで、IF信号は、図2に示すように、APDP11の内部を循環するので、ミクサダイオード12,13の接続点14と、ミクサダイオード12,13の接続点15とでは、IF信号の流れが逆方向になる。
したがって、ミクサダイオード12,13の接続点14から出力され、RF/LO阻止回路21を通過してIF端子22から出力されるIF信号と、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力され、RF/LO阻止回路23を通過してIF端子24から出力されるIF信号は、相互に逆位相のIF電流となる。
【0044】
この際、RF端子16に対するIF信号の漏洩は、LO/IF阻止回路17により阻止され、LO端子18に対するIF信号の漏洩は、RF/IF阻止回路19により阻止され、グランドに対するIF信号の漏洩は、IF阻止回路20により阻止される。
【0045】
以上で明らかなように、この実施の形態1によれば、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点14から出力されたIF信号を通過させるRF/LO阻止回路21と、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード12,13の接続点15から出力されたIF信号を通過させるRF/LO阻止回路23とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるIF信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果を奏する。
【0046】
実施の形態2.
上記実施の形態1では、偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合について示したが、偶高調波ミクサを送信装置に用いるようにしてもよく、上記実施の形態1と同様の効果を奏することができる。
【0047】
具体的には、LO端子18からLO信号が入力され、IF端子22,24から平衡信号であるIF信号が入力される。
これにより、LO端子18から入力されたLO信号は、RF/IF阻止回路19を通過してAPDP11に入力され、IF端子22,24から入力されたIF信号は、それぞれRF/LO阻止回路21,23を通過してAPDP11に入力される。
【0048】
この際、RF端子16に対するLO信号の漏洩は、LO/IF阻止回路17により阻止され、IF端子22,24に対するLO信号の漏洩は、RF/LO阻止回路21,23により阻止される。
また、RF端子16に対するIF信号の漏洩は、LO/IF阻止回路17により阻止され、LO端子18に対するIF信号の漏洩は、RF/IF阻止回路19により阻止され、グランドに対するIF信号の漏洩は、IF阻止回路20により阻止される。
【0049】
このようにして、LO信号とIF信号がAPDP11に入力されると、APDP11がLO信号とIF信号を混合して、式(2)を満たすRF信号が発生する。
したがって、ミクサダイオード12,13の接続点14からRF信号が出力され、そのRF信号は、LO/IF阻止回路17を通過してRF端子16から出力される。
【0050】
この際、LO端子18に対するRF信号の漏洩は、RF/IF阻止回路19により阻止され、IF端子22,24に対するRF信号の漏洩は、RF/LO阻止回路21,23により阻止される。
【0051】
実施の形態3.
上記実施の形態1,2では、グランドに流れるIF信号を阻止する回路としてIF阻止回路20を設けているが、具体的には、図3に示すように、IF信号より高い周波数のRF信号やLO信号を通過させるカットオフ周波数が設定された高域通過フィルタ20aを使用すればよい。
【0052】
また、LO/IF阻止回路17としては、RF信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された高域通過フィルタ17aを使用すればよい。
また、RF/IF阻止回路19としては、LO信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された帯域通過フィルタ19aを使用すればよい。
さらに、RF/LO阻止回路21,23としては、IF信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された低域通過フィルタ21a,23aを使用すればよい。
【0053】
実施の形態4.
上記実施の形態3では、IF阻止回路20として高域通過フィルタ20aを使用するものについて示したが、図4に示すように、インダクタとキャパシタから構成されたT型の高域通過フィルタ20bを使用するようにしてもよい。
【0054】
このように、T型高域通過フィルタ20bを使用することにより、RF信号とIF信号間の変換利得を高めることができる。
ここで、図5はT型高域通過フィルタ20bの入力インピーダンスの軌跡を示し、図7はπ型高域通過フィルタ(図6を参照)の入力インピーダンスの軌跡を示すが、T型高域通過フィルタ20bは阻止域にあるIF信号の周波数に対しては開放となり、通過域にあるRF信号及びLO信号に対しては50Ωの伝送インピーダンスとなる。
したがって、APDP11から発生するIF信号はグランドに流れることなく、RF/LO阻止回路23を通過してIF端子24から外部に出力される。
【0055】
これに対して、π型高域通過フィルタを使用する偶高調波ミクサでは、図7に示すように、π型高域通過フィルタのインピーダンスの軌跡が阻止域にあるIF信号の周波数に対して短絡となる。
このため、APDP11から発生するIF信号がπ型高域通過フィルタを通過してグランドに流れてしまうので、RF/LO阻止回路23を通過してIF端子24から外部に出力されず、変換利得が低下する。
【0056】
実施の形態5.
上記実施の形態3では、IF阻止回路20として高域通過フィルタ20aを使用するものについて示したが、図8に示すように、キャパシタ20cを使用するようにしてもよい。
例えば、IF信号としてベースバンド信号を取り扱うディジタル復調用直交ミクサに用いる場合には、キャパシタ20cでも十分な変換利得が得られるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることできる効果を奏する。
【0057】
実施の形態6.
図9はこの発明の実施の形態6による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
25はRF信号の通過を阻止する一方、LO端子18から入力されたLO信号又はミクサダイオード12,13の接続点14から出力されたLO信号を通過させるRF阻止回路である。
【0058】
次に動作について説明する。
上記実施の形態1〜5では、IF信号の通過をRF/IF阻止回路19が阻止するものについて示したが、RF/IF阻止回路19の代わりにRF阻止回路25を使用する場合、図10に示すように(図10は偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合を示している)、IF信号がRF阻止回路25を通過するので、上記実施の形態1〜5における偶高調波ミクサより変換利得が若干低下する。
【0059】
しかし、RF/IF阻止回路19の代わりにRF阻止回路25を使用することにより、回路構成を簡略化することができるため、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
なお、図11はRF/IF阻止回路19の内部構成例を示すが、RF阻止回路25に比べて素子数が2倍必要となる。
【0060】
因みに、LO/IF阻止回路17としてのHPFを図12に示すように、T形構成として、LO信号に対する入力インピーダンスを開放にすると、APDP11に損失なく、LO信号を供給することができる。
【0061】
実施の形態7.
図13はこの発明の実施の形態7による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図9と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。26はLO信号の通過を阻止する一方、IF信号を通過させるLO阻止回路である。
【0062】
次に動作について説明する。
上記実施の形態6では、RF/IF阻止回路19の代わりにRF阻止回路25を使用するものについて示したが、偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、上述したように、IF信号がRF阻止回路25を通過してLO端子18に到達する。
【0063】
そこで、RF阻止回路25とLO端子18の間に、一端がIF端子22と接続されたLO阻止回路26を接続すれば、IF端子22からIF信号を出力することができる。
なお、この実施の形態7によれば、LO阻止回路26が追加されるが、RF/LO阻止回路21が不要になるため、全体としては回路構成が簡略化され、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【0064】
実施の形態8.
図14はこの発明の実施の形態8による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
27はIF信号の通過を阻止する一方、RF信号を通過させるIF阻止回路(第1のIF阻止回路)、28はIF信号の通過を阻止する一方、LO信号を通過させるIF阻止回路(第2のIF阻止回路)、29はミクサダイオード12,13の接続点14に接続され、LO信号の周波数に対して略1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブ、30は一端がミクサダイオード12,13の接続点15に接続され、LO信号の周波数に対して略1/4波長相当の長さを有するスタブである。
以下、説明の便宜上、先端開放スタブ29との区別を容易にするため、スタブ30を「先端短絡スタブ」と称する。
【0065】
31は先端短絡スタブ30の他端とグランドの間に接続され、IF信号の通過を阻止するIF阻止回路(第3のIF阻止回路)、32はRF信号の通過を阻止する一方、IF信号を通過させるRF阻止回路、33はLO信号の通過を阻止する一方、IF信号を通過させるLO阻止回路である。
【0066】
次に動作について説明する。
図15はLO信号の周波数の1/4波長となる先端短絡スタブ30と先端開放スタブ29を用いて分波回路を構成した従来の偶高調波ミクサの構成と信号の流れを示すものである。
【0067】
APDP11の接続点14にはLO信号の周波数の1/4波長となる先端開放スタブ29が接続されているので、LO信号に対しては短絡となり、LO信号の約2倍の周波数であるRF信号に対しては開放となる。
また、APDP11の接続点15はLO信号に対して開放となり、RF信号に対しては短絡となる。
【0068】
したがって、RF端子16及びLO端子18から入力されるRF信号及びLO信号は、図15に示すように、APDP11に向かって流れる。
これにより、APDP11でIF信号が発生し、APDP11における接続点14に接続されたRF阻止回路32を通過してIF端子22から出力される。
【0069】
図14に示す偶高調波ミクサでは、先端短絡スタブ30とグランドの間に設けられたIF阻止回路31により、RF信号及びLO信号に対しては、図15に示した従来の偶高調波ミクサと同様に動作する。
一方、APDP11の内部で発生するIF信号は、図2と同様に、グランドに流れることなく、RF阻止回路32又はLO阻止回路を33を通過してIF端子22,24から外部に出力される。
【0070】
以上で明らかなように、この実施の形態8によれば、APDP11における接続点14に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブ29と、APDP11における接続点15に接続され、接地との間にIF阻止回路を接続したLO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端短絡スタブ30とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるIF信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果を奏する。
【0071】
以上の説明では、RF信号を入力してIF信号を出力する受信用のミクサとしての動作を説明したが、平衡信号であるIF信号を入力してRF信号を出力する送信用のミクサであってもよく、同様の効果を奏する。
なお、IF阻止回路31は、上記実施の形態1,2におけるIF阻止回路20と同様に、高域通過フィルタ20a,T型の高域通過フィルタ20b,キャパシタ20cを使用することができる。したがって、上記実施の形態3〜5の偶高調波ミクサと同様の効果を奏することができる。
【0072】
実施の形態9.
図16はこの発明の実施の形態9による直交ミクサを示す構成図であり、図において、41はLO信号を入力するLO端子、42はLO信号を同相分配する同相分配器、43はIF信号のI成分(図中、IF信号のI成分を、上線を付していない「I」と、上線を付している「I」で表記している)を入力するI成分端子、44は同相分配器42により分配されたLO信号とIF信号のI成分を混合してRF信号を出力する実施の形態1〜8のいずれかの偶高調波ミクサ(第1の偶高調波ミクサ)、45はIF信号のQ成分(図中、IF信号のQ成分を、上線を付していない「Q」と、上線を付している「Q」で表記している)を入力するQ成分端子、46は同相分配器42により分配されたLO信号とIF信号のQ成分を混合してRF信号を出力する実施の形態1〜8のいずれかの偶高調波ミクサ(第2の偶高調波ミクサ)、47は偶高調波ミクサ44が出力するRF信号と偶高調波ミクサ46が出力するRF信号を略90度の位相差で合成する90度移相回路である。
【0073】
次に動作について説明する。
QPSKなどのディジタル変調符号によるI成分のIF信号(ベースバンド信号)とQ成分のIF信号(ベースバンド信号)がI成分端子43,Q成分端子45からそれぞれ差動で入力されると、偶高調波ミクサ44は、同相分配器42により分配されたLO端子41からのLO信号と混合し、I成分のRF信号(ディジタル変調波)を出力する。
【0074】
一方、偶高調波ミクサ46は、同相分配器42により分配されたLO端子41からのLO信号と混合し、Q成分のRF信号(ディジタル変調波)を出力する。そして、90度移相回路47は、偶高調波ミクサ44,46がRF信号を出力すると、これらのRF信号を合成して、ディジタル変調波をRF端子48に出力する。
【0075】
以上で明らかなように、この実施の形態9によれば、実施の形態1〜8による小型化された偶高調波ミクサ44,46を用いて、直交ミクサを構成しているので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【0076】
なお、この実施の形態9では、IF信号のI成分及びQ成分を入力して、RF信号(ディジタル変調波)を出力するものについて示したが(直交ミクサを送信装置に用いる場合)、図17に示すように、直交ミクサを受信装置に用いる場合には、RF端子48からディジタル変調波であるRF信号を入力して、90度移相回路47が上記の動作と逆に、RF信号を90度の位相差で分配する。
【0077】
そして、偶高調波ミクサ44,46が90度移相回路47から出力されたRF信号と同相分配器42により分配されたLO端子41からのLO信号をそれぞれ混合して、IF信号のI成分,Q成分(ベースバンド信号)をI成分端子43,Q成分端子45に出力する。
【0078】
実施の形態10.
図18はこの発明の実施の形態10による直交ミクサを示す構成図であり、図において、図17と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。49はLO信号を45度の位相差で分配する45度分配器、50はRF信号を同相分配する同相分配器である。
【0079】
次に動作について説明する。
直交ミクサを受信装置に用いる場合、RF端子48からディジタル変調波であるRF信号が入力されると、同相分配器50は、そのRF信号を同相で分配する。
一方、45度分配器49は、LO端子41からLO信号が入力されると、そのLO信号を45度の位相差で等振幅に分配する。
【0080】
そして、偶高調波ミクサ44,46は、同相分配器50から出力されたRF信号と45度分配器49により分配されたLO信号をそれぞれ混合して、IF信号のI成分,Q成分(ベースバンド信号)をI成分端子43,Q成分端子45に出力する。なお、45度の位相差は、偶高調波ミクサ44,46での2逓倍により90度の位相差になる。
【0081】
以上で明らかなように、この実施の形態10によれば、実施の形態1〜8による小型化された偶高調波ミクサ44,46を用いて、直交ミクサを構成しているので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【0082】
なお、この実施の形態10では、RF信号を入力して、IF信号のI成分及びQ成分(ベースバンド信号)を出力するものについて示したが(直交ミクサを受信装置に用いる場合)、図19に示すように、直交ミクサを送信装置に用いる場合には、I成分端子43,Q成分端子45からIF信号のI成分及びQ成分を入力して、偶高調波ミクサ44,46が、45度分配器49により分配されたLO端子41からのLO信号と混合し、I成分のRF信号,Q成分のRF信号(ディジタル変調波)をそれぞれ出力する。
【0083】
そして、同相分配器50が合成器として、偶高調波ミクサ44,46がそれぞれ出力するRF信号を合成して、ディジタル変調波をRF端子48に出力する。
【0084】
実施の形態11.
図20はこの発明の実施の形態11によるイメージリジェクションミクサを示す構成図であり、図において、51はRF信号を入力するRF端子、52はLO信号を入力するLO端子、53は実施の形態9または10の直交ミクサ、54はIF信号のI成分を出力するI成分端子、55はIF信号のQ成分を出力するQ成分端子、56はIF信号のI成分とQ成分を90度の位相差で合成する90度移相回路、57はIF信号を出力するIF端子である。
【0085】
次に動作について説明する。
イメージリジェクションミクサを受信装置に用いる場合、RF端子51からディジタル変調波であるRF信号が入力されると、直交ミクサ53は、上記実施の形態9,10に示すように、そのRF信号とLO信号を混合してIF信号のI成分とQ成分を生成し、それぞれI成分端子54,Q成分端子55に出力する。
【0086】
そして、90度移相回路56は、I成分端子54から出力されたIF信号のI成分と、Q成分端子55から出力されたIF信号のQ成分を90度の位相差で合成し、その合成結果をIF端子57に出力する。
【0087】
以上で明らかなように、この実施の形態11によれば、実施の形態9または10による小型化された直交ミクサ53を用いて、イメージリジェクションミクサを構成しているので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【0088】
なお、この実施の形態11では、RF信号を入力して、IF信号を出力するものについて示したが(イメージリジェクションミクサを受信装置に用いる場合)、イメージリジェクションミクサを送信装置に用いる場合には、IF端子57からIF信号を入力するようにすれば、直交ミクサ53からRF信号を取り出すことができる。
【0089】
実施の形態12.
上記実施の形態1〜11では、送受信装置に搭載可能なミクサについて示したが、この実施の形態12では、上記実施の形態1〜11におけるミクサ(偶高調波ミクサ,直交ミクサ又はイメージリジェクションミクサ)を受信装置又は送信装置に搭載する場合の搭載例を示す。
【0090】
即ち、図21はミクサを受信装置に搭載する場合の構成例であり、図22はミクサを送信装置に搭載する場合の構成例である。
図において、61はアンテナ、62は低雑音増幅器(LNA)、63は帯域通過フィルタ、64は局部発振器、65はミクサ、66,68は低域通過フィルタ、67,69はベースバンド増幅器、70は高出力増幅器である。
【0091】
なお、この実施の形態12によれば、上記実施の形態1〜11によるミクサを用いているので、受信装置及び送信装置の小型化を図ることができる効果を奏する。
【0092】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるIF信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【0093】
この発明によれば、LO信号とIF信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路を設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、不平衡信号であるIF信号からRF信号を生成することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【0094】
この発明によれば、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、IF信号を生成するためのLO信号を供給するRF阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0095】
この発明によれば、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、RF信号を生成するためのLO信号を供給するRF阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0096】
この発明によれば、LO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアから発生し、RF阻止回路を通過するIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路と、RF信号とLO信号の通過を阻止する一方、ダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるRF/LO阻止回路とを設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0097】
この発明によれば、LO信号の通過を阻止する一方、入力されたIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0098】
この発明によれば、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、RF信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させるRF阻止回路と、LO信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるLO阻止回路とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるIF信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【0099】
この発明によれば、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、LO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させる第1のIF阻止回路を設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、不平衡信号であるIF信号からRF信号を生成することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【0100】
この発明によれば、高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、IF阻止回路を構成するようにしたので、高域通過フィルタを用いる場合には偶高調波ミクサの小型化を図ることができ、T型の高域通過フィルタを用いる場合にはRF信号とIF信号間の変換利得を高めることができ、キャパシタを用いる場合にはRF信号とIF信号間の変換利得を高めることができるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0101】
この発明によれば、高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第3のIF阻止回路を構成するようにしたので、高域通過フィルタを用いる場合には偶高調波ミクサの小型化を図ることができ、T型の高域通過フィルタを用いる場合にはRF信号とIF信号間の変換利得を高めることができ、キャパシタを用いる場合にはRF信号とIF信号間の変換利得を高めることができるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0103】
この発明によれば、同相分配器,90度移相回路及び小型化された2個の偶高調波ミクサを用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0104】
この発明によれば、同相分配器,小型化された2個の偶高調波ミクサ及び90度移相回路を用いて、RF信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0105】
この発明によれば、45度分配器,同相分配器及び小型化された2個の偶高調波ミクサを用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するように構成したので、RF信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0106】
この発明によれば、45度分配器,小型化された2個の偶高調波ミクサ及び合成器を用いて、RF信号を生成するように構成したので、RF信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0107】
この発明によれば、小型化された直交ミクサ及び90度移相回路を用いて、IF信号のI成分とQ成分を生成するように構成したので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【0108】
この発明によれば、90度移相回路及び小型化された直交ミクサを用いて、RF信号を生成するように構成したので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図2】 APDP内部を流れる電流の説明図である。
【図3】 この発明の実施の形態3による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図4】 この発明の実施の形態4による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図5】 T形高域通過フィルタの入力インピーダンスを示す説明図である。
【図6】 π形高域通過フィルタを示す構成図である。
【図7】 π形高域通過フィルタの入力インピーダンスを示す説明図である。
【図8】 この発明の実施の形態5による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図9】 この発明の実施の形態6による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図10】 IF信号の流れを説明する説明図である。
【図11】 π形帯域通過フィルタを示す構成図である。
【図12】 T形高域通過フィルタを示す構成図である。
【図13】 この発明の実施の形態7による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図14】 この発明の実施の形態8による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図15】 RF信号及びIF信号の流れを説明する説明図である。
【図16】 この発明の実施の形態9による直交ミクサを示す構成図である。
【図17】 この発明の実施の形態9による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図18】 この発明の実施の形態10による直交ミクサを示す構成図である。
【図19】 この発明の実施の形態10による直交ミクサを示す構成図である。
【図20】 この発明の実施の形態11によるイメージリジェクションミクサを示す構成図である。
【図21】 ミクサを受信装置に搭載する場合の一例を示す構成図である。
【図22】 ミクサを送信装置に搭載する場合の一例を示す構成図である。
【図23】 従来の偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図24】 APDPのLO電流の説明図である。
【図25】 APDPのLO電流の説明図である。
【図26】 偶高調波ミクサの周波数関係を示す説明図である。
【図27】 偶高調波ミクサの周波数関係を示す説明図である。
【図28】 平衡信号と不平衡信号の伝藩を示す説明図である。
【図29】 バランを示す構成図である。
【図30】 バランを示す構成図である。
【図31】 バランを示す構成図である。
【図32】 従来の偶高調波ミクサとバランの接続例を示す構成図である。
【符号の説明】
11 APDP(アンチパラレルダイオードペア)、12,13 ミクサダイオード(ダイオード)、14 接続点(一方の接続点)、15 接続点(他方の接続点)、17 LO/IF阻止回路、19 RF/IF阻止回路、20 IF阻止回路、20a 高域通過フィルタ、20b T型の高域通過フィルタ、20c キャパシタ、21 RF/LO阻止回路(第1のRF/LO阻止回路)、23 RF/LO阻止回路(第2のRF/LO阻止回路)、25,32 RF阻止回路、27 IF阻止回路(第1のIF阻止回路)、28 IF阻止回路(第2のIF阻止回路)、29 先端開放スタブ、30 先端短絡スタブ、31 IF阻止回路(第3のIF阻止回路)、33 LO阻止回路、42,50 同相分配器、44 偶高調波ミクサ(第1の偶高調波ミクサ)、46 偶高調波ミクサ(第2の偶高調波ミクサ)、47,56 90度移相回路、49 45度分配器、53 直交ミクサ。
Claims (16)
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたIF信号の正相成分を供給する第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給する第2のRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたIF信号の正相成分を供給する第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給する第2のRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアから発生し、上記RF阻止回路を通過するIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるRF/LO阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号の通過を阻止する一方、入力されたIF信号の正相成分を通過させるLO阻止回路と、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、上記LO阻止回路を通過したIF信号の正相成分と入力されたLO信号を供給するRF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給するRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点からLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給する第1のIF阻止回路と、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給する第2のIF阻止回路と、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、そのLO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、そのLO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、上記スタブの他端とグランドの間に接続され、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止する第3のIF阻止回路と、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させるRF阻止回路と、上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させるLO阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点からLO信号と上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたIF信号の正相成分を供給するRF阻止回路と、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給する第2のIF阻止回路と、上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力された上記IF信号の逆相成分を供給するLO阻止回路と、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に接続され、そのLO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に接続され、そのLO信号の周波数に対して1/4波長相当の長さを有するスタブと、上記スタブの他端とグランドの間に接続され、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止する第3のIF阻止回路と、上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させる第1のIF阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
- 高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、IF阻止回路を構成することを特徴とする請求項1から請求項6のうちのいずれか1項記載の偶高調波ミクサ。
- 高域通過フィルタ、T型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第3のIF阻止回路を構成することを特徴とする請求項7または請求項8記載の偶高調波ミクサ。
- LO信号を同相分配する同相分配器と、RF信号を90度の位相差で分配する90度移相回路と、上記同相分配器により分配された一方のLO信号と上記90度移相回路により分配された一方のRF信号を混合し、その混合した信号であるIF信号のI成分を出力する第1の偶高調波ミクサと、上記同相分配器により分配された他方のLO信号と上記90度移相回路により分配された他方のRF信号を混合し、その混合した信号であるIF信号のQ成分を出力する第2の偶高調波ミクサとを備えた直交ミクサにおいて、上記第1及び第2の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
- LO信号を同相分配する同相分配器と、上記同相分配器により分配された一方のLO信号とIF信号のI成分を混合し、その混合した信号であるRF信号を出力する第1の偶高調波ミクサと、上記同相分配器により分配された他方のLO信号とIF信号のQ成分を混合し、その混合した信号であるRF信号を出力する第2の偶高調波ミクサと、上記第1の偶高調波ミクサから出力されたRF信号と上記第2の偶高調波ミクサから出力されたRF信号を90度の位相差で合成する90度移相回路とを備えた直交ミクサにおいて、上記第1及び第2の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたIF信号の正相成分を供給する第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給する第2のRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
- LO信号を45度の位相差で分配する45度分配器と、RF信号を同相分配する同相分配器と、上記45度分配器により分配された一方のLO信号と上記同相分配器により分配された一方のRF信号を混合し、その混合した信号であるIF信号のI成分を出力する第1の偶高調波ミクサと、上記45度分配器により分配された他方のLO信号と上記90度分配器により分配された他方のRF信号を混合し、その混合した信号であるIF信号のQ成分を出力する第2の偶高調波ミクサとを備えた直交ミクサにおいて、上記第1及び第2の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
- LO信号を45度の位相差で分配する45度分配器と、上記45度分配器により分配された一方のLO信号とIF信号のI成分を混合し、その混合した信号であるRF信号を出力する第1の偶高調波ミクサと、上記45度分配器により分配された他方のLO信号とIF信号のQ成分を混合し、その混合した信号であるRF信号を出力する第2の偶高調波ミクサと、上記第1の偶高調波ミクサから出力されたRF信号と上記第2の偶高調波ミクサから出力されたRF信号を同相で合成する合成器とを備えた直交ミクサにおいて、上記第1及び第2の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力された上記IF信号の正相成分を供給する第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給する第2のRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
- RF信号とLO信号からIF信号のI成分及びQ成分を生成する直交ミクサと、上記直交ミクサにより生成されたIF信号のI成分とQ成分を90度の位相差で合成する90度移相回路とを備えたイメージリジェクションミクサにおいて、上記直交ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号とLO信号が入力されると、上記RF信号と上記LO信号を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるIF信号の正相成分を出力し、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたRF信号を供給するLO/IF阻止回路と、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点から出力されたIF信号の正相成分を通過させる第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点から出力されたIF信号の逆相成分を通過させる第2のRF/LO阻止回路とから構成された2個の偶高調波ミクサを用いて構成することを特徴とするイメージリジェクションミクサ。
- IF信号を90度の位相差で分配して、そのIF信号のI成分及びQ成分を出力する90度移相回路と、上記90度移相回路から出力されたIF信号のI成分及びQ成分とLO信号からRF信号を生成する直交ミクサとを備えたイメージリジェクションミクサにおいて、上記直交ミクサは、極性が相互に異なる2個のダイオードが並列に接続されており、上記2個のダイオードの一方の接続点からLO信号と平衡信号であるIF信号の正相成分が入力され、上記2個のダイオードの他方の接続点から上記IF信号の逆相成分が入力されると、上記LO信号と上記IF信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記2個のダイオードの一方の接続点からRF信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記RF信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたLO信号を供給するRF/IF阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたIF信号の正相成分を供給する第1のRF/LO阻止回路と、上記RF信号と上記LO信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたIF信号の逆相成分を供給する第2のRF/LO阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する2個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記IF信号の逆相成分の通過を阻止するIF阻止回路と、上記LO信号と上記IF信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記ダイオードの一方の接続点から出力されたRF信号を通過させるLO/IF阻止回路とから構成された2個の偶高調波ミクサを用いて構成することを特徴とするイメージリジェクションミクサ。
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