JP4104854B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧生成回路を内蔵する半導体集積回路に関し、特に電圧生成回路の電圧依存または温度依存の影響を少なくすることに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路には、外部電源から入力された電圧から所望の電圧を生成する電圧生成回路が内蔵されている。
【0003】
図5は電圧生成回路の一例を示したブロック図である。定電流発生回路102で生成した定電流源ゲート電圧BIASNを基準電圧発生回路の代表的な回路であるBGR(Band Gap Reference)回路101に入力する。このBGR回路101で生成された基準電圧VBGRと前記電圧BIASNを電圧生成回路103に入力し、デバイスの基準電圧VREFを生成する。
【0004】
各回路を具体的に説明する。図6は定電流発生回路102の具体例である。PMOSトランジスタP101,P102によるカレントミラーとNMOSトランジスタN101,N102によって、PMOSトランジスタP103のコントロール信号BIASPを生成する。このBIASP信号によって制御されたP103のドレインをNMOSトランジスタN103のドレインおよびゲートに入力し、電源からP103、N103、接地に貫通電流を流すことで定電流源ゲート電圧BIASNを生成する。
【0005】
図7は定電圧発生回路(BGR回路)101の具体例である。抵抗R102とダイオードD102の放電パスと、抵抗R103、R104と並列接続された複数個のダイオード群D103の放電パスとが並列に設けられており、ノードVAとノードVBとが同じ電位となるようなフィードバック回路により構成されている。これらの回路は電圧依存性、温度依存性を補償した回路である。ノードVA、VBをPMOSトランジスタP104,P105、NMOSトランジスタN104,N105からなるオペアンプ106に定電流源ゲート電圧BIASNを入力することにより貫通電流を制限し、オペアンプ106の感度を上げている。
【0006】
図5に示す電圧生成回路103は、BGR回路101の出力電圧VBGRを任意のレベルに変換し、デバイスの基準電圧VREFを生成するVREF生成回路104と、オペアンプの出力をロジック判定しフラグFLGを出力する波形整形回路105から構成されている。
【0007】
図8は電圧生成回路103のVREF生成回路104の具体例である。オペアンプ107にはBGR回路101の発生電圧VBGRと、抵抗R105、R106の抵抗分割した電圧VMONとを入力し、両電圧を比較し、比較結果をPMOSトランジスタP108にフィードバックをかけることにより、所定の電圧VREFを生成する。この電圧生成回路103のオペアンプ107にも定電流源ゲート電圧BIASN電圧を入力し、オペアンプ107の感度を上げるために貫通電流を定電流源ゲート電圧BIASNで制限している。
【0008】
また、図9は波形整形回路105の具体例である。図9に示す通り波形整形回路105はインバータにより構成され、PMOSトランジスタP110とNMOSトランジスタN107からなる初段インバータ108にはテストモード時に活性化するトランジスタP109が追加されている。また、初段インバータ108はアナログ電圧を受けるため、貫通電流を抑えるためにトランジスタのLが大きいサイズとなっていることと、インバータの回路しきい値を図8に示す電圧生成回路103中のオペアンプ107の出力電圧に合わせて調整されたサイズとなっている。
【0009】
上記テストモードとは、特開2000−229697号公報により開示されているテストモードをいう。このテストモード時は、可変抵抗R105を最低レベルにセットした状態で、出力ノードVREFに外部から所定の電圧を印加し、印加電圧の抵抗分割によって生じたVMONとVBGRをオペアンプ107で比較した結果である電圧判定FLG信号をモニターする。可変抵抗R105を段階的に上げていき、FLG信号のロジックが変わったときの抵抗R105の抵抗値を記憶すれば、電圧のトリミングを行うことができる。このテストモードは、電圧生成回路103のオペアンプ107、抵抗R105,R106およびPMOSトランジスタP108の系を用いてトリミングすることで、電圧生成回路103内のばらつきをなくすことができ、回路のばらつき要素を小さくすることができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のテスト方法はオペアンプ107、抵抗R105,R106およびPMOSトランジスタP108のばらつきはトリミングによってなくすことができるが、波形整形回路105でのばらつきは考慮されていない。すなわち、オペアンプ107の出力電圧が波形整形回路105の初段インバータ108においてデジタルデータに変換する部分のばらつきはトリミングされることはない。この初段インバータ108部分のばらつきを抑えなければFLG信号に誤差が生じてしまう。
【0011】
通常、オペアンプ107は増幅率を大きくとっているため、2つの比較電圧の差が小さくても大きな出力変動を示すため、オペアンプ107を受ける波形整形回路105のインバータ初段108の回路しきい値がオペアンプ107の出力電圧に対して誤差が生じていても問題とならない。
【0012】
しかし、基準電圧VREFのような常時必要とする電圧の電圧生成回路103においては、電源が与えられている間は常に動作するため、不揮発性メモリのように消費電流を問題視するデバイスでは電流をできるだけ小さくするように設計されている。このような場合、オペアンプ107の増幅率が小さくなり、初段インバータ回路108の回路しきい値との整合が取れずに、電圧依存性、温度依存性によるばらつきで電圧判定結果に誤差が含まれてしまう。
【0013】
そこで本発明は、電圧生成回路内のオペアンプの出力検出のばらつきを小さくする半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すために本発明は、所定電圧を基準電圧と比較する差動増幅器と、複数のインバータ回路で構成され、差動増幅器の出力に応じてディジタル信号を出力する波形整形回路と、を備え、波形整形回路の、差動増幅器の出力が入力される初段インバータ回路と第1の電源との間または初段インバータ回路と第2の電源との間に挿入された第1の貫通電流制限素子と、差動増幅器と第1の電源との間または差動増幅器と第2の電源との間に挿入された第2の貫通電流制限素子と、第1の貫通電流制限素子および第2の貫通電流制限素子のそれぞれのゲートへ、波形整形回路および差動増幅器の貫通電流を制限する定電流ゲート電圧を共通に供給する定電流発生回路とを有することを特徴とする半導体集積回路を提供する。
【0015】
上記解決手段によって、差動増幅器および波形形成回路の貫通電流を同一の定電流源ゲート電圧によって制限するので、差動増幅器および波形整形回路の出力のばらつきを抑えることができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を用いて説明する。図1は、本発明の半導体集積回路を表す電圧生成回路のブロック図である。定電流発生回路2で生成した定電流源ゲート電圧BIASNを基準電圧発生回路の代表的な回路であるBGR回路1に入力する。このBGR回路1で生成された基準電圧VBGRと前記定電流源ゲート電圧BIASNを電圧生成回路3に入力する。電圧生成回路3はVREF生成回路4と波形整形回路5とから構成され、VREF生成回路4には基準電圧VBGRおよび定電流源ゲート電圧BIASN、波形整形回路5には基準電圧VBGRが入力される。また、VREF生成回路4のオペアンプの出力信号OPOUTは波形整形回路5に入力される。
【0017】
[第1の実施形態]本発明の第1の実施形態について図2を用いて説明する。図2はオペアンプ11と波形整形回路12からなる電圧生成回路の一部であり、本発明の第1の実施形態の一例である。
【0018】
オペアンプ11は、PMOSトランジスタP11,P12によるカレントミラーを構成し、P11,P12の各ドレインとNMOSトランジスタN11,N12の各ドレインとが接続されている。N11およびN12のソースをNMOSトランジスタN13(貫通電流制限素子)のドレインに接続し、N13のソースは接地する。N13のゲートには定電流源ゲート電圧BIASNが入力し、定電流源ゲート電圧BIASNの電圧によってN13は制御される。P12のドレインがオペアンプ11の出力信号OPOUTとなり、波形整形回路12に入力される。
【0019】
波形整形回路12は、PMOSトランジスタP14とNMOSトランジスタN14からなる初段インバータ回路13などの複数のインバータ回路から構成されている。初段インバータ回路13のP14のソースにはPMOSトランジスタP13のドレインが接続されており、P13のゲートはテストモードの切替え信号であるTESTの反転信号が入力されている。また、初段インバータ回路13のN14のソースにはNMOSトランジスタN15(貫通電流制限素子)のドレインが接続されており、N15のゲートは定電流発生回路2で生成された定電流源ゲート電圧BIASNが入力されている。初段インバータ回路13の出力は複数のインバータ回路群を介して波形整形され電圧判定FLG信号を出力する。初段インバータ回路13の出力はNMOSトランジスタN16のドレインと接続され、このN16のゲートにはTESTの反転信号が入力されている。
【0020】
次にこの電圧生成回路の回路動作について説明する。オペアンプ11には所定電圧VMONと基準電圧VBGRが入力され、この2つの電圧が比較される。所定電圧VMONは従来技術の図8において説明した所定電圧VMONと同様であり、デバイスの基準電圧VREFを可変抵抗R105と固定抵抗R106により抵抗分割された電圧である。基準電圧VBGRは基準電圧生成回路(BGR回路)1で生成された基準電圧である。
【0021】
ここで、オペアンプ11のN13は、ゲートに入力している定電流源ゲート電圧BIASNによって貫通電流を制限し、オペアンプ11の感度を上げている。オペアンプ11の出力信号OPOUTは波形整形回路12の初段インバータ回路13に入力する。初段インバータ回路13の電源は、TEST信号によって制御されたP13を介して供給される。したがって、TEST信号がHのときは初段インバータ回路13へ電源が供給されるが、Lのときは初段インバータ回路13には電源が供給されず、動作しない。この場合、TESTの反転信号はN16のゲートに入力し、N16がオンとなりFLG信号の電位は固定される。また、初段インバータ回路13の接地側は、定電流源ゲート電圧BIASNにより制御されたN15を介して接地されている。初段インバータ回路13と接地との間に介在されたN15は、オペアンプ11と同様に定電流源ゲート電圧BIASNによって初段インバータ回路13の貫通電流を制限している。したがって、電源からの充電パスと接地への放電パスの電流バランスを変えることにより、インバータの回路しきい値電圧を調整している。また、この定電流源ゲート電圧BIASNはオペアンプ11にも用いられているので、オペアンプ11の出力電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存に対して、初段インバータ回路13の回路しきい値電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存が同じように変化する。したがって、オペアンプ11の出力電圧の判定されるポイントはばらつきを持たず、判定誤差を小さくすることができる。
【0022】
[第2の実施形態]次に本発明の第2の実施形態について図3を用いて説明する。図3はオペアンプ21と波形整形回路22からなる電圧生成回路の一部であり、本発明の第2の実施形態の一例である。図3に示す第2の実施形態では、第1の実施形態におけるオペアンプの構成と、貫通電流を制限するトランジスタを挿入する位置が異なる。
【0023】
オペアンプ21は、NMOSトランジスタN21,N22によるカレントミラーを構成し、N21,N22の各ドレインとPMOSトランジスタP21,P22の各ドレインとが接続されている。P21およびP22のソースをPMOSトランジスタP23(貫通電流制限素子)のドレインに接続し、P23のソースは電源に接続される。P23のゲートには定電流源ゲート電圧BIASPが入力し、定電流源ゲート電圧BIASPによってP23は制御される。P22のドレインがオペアンプ21の出力信号OPOUTとなり、波形整形回路22に入力される。
【0024】
波形整形回路22は、PMOSトランジスタP25とNMOSトランジスタN23からなる初段インバータ回路23などの複数のインバータ回路から構成されている。初段インバータ回路23のP25のソースにはPMOSトランジスタP24(貫通電流制限素子)のドレインが接続されており、P24のゲートは定電流発生回路2で生成された定電流源ゲート電圧BIASPが入力されている。また、初段インバータ回路23のN23のソースにはNMOSトランジスタN24のドレインが接続されており、N24のゲートはテストモード切替え信号であるTEST信号が入力されている。初段インバータ回路23の出力は複数のインバータ回路群を介して波形整形され電圧判定FLG信号を出力する。初段インバータ回路23の出力はPMOSトランジスタP26のドレインと接続され、このP26のゲートにはTEST信号が入力されている。
【0025】
次にこの電圧生成回路の回路動作について説明する。VMONとVBGRとの電圧をオペアンプ21によって比較する。ここで、オペアンプ21のP23はゲートに入力している定電流源ゲート電圧BIASPによって貫通電流を制限し、オペアンプ21の感度を上げている。オペアンプ21の出力信号OPOUTは波形整形回路22の初段インバータ回路23に入力する。初段インバータ回路23は、定電流源ゲート電圧BIASPによって制御されたP24での電源からの充電パスの電流と、N23での接地への放電パスの電流バランスを変えることによって、初段インバータ回路23の回路しきい値を調整している。TEST信号がLの場合、初段インバータ回路23と接地との間に介在されたN24のゲートにはTEST信号が入力されているのでN24はオフするが、P26はオンするためFLG信号の電位は固定される。定電流源ゲート電圧BIASPはオペアンプ21にも用いられているので、オペアンプ21の出力電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存に対して、初段インバータ回路23の回路しきい値電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存が同じように変化する。したがって、オペアンプ21の出力電圧の判定されるポイントはばらつきを持たず、判定誤差を小さくすることができる。
【0026】
[第3の実施形態]次に本発明の第3の実施形態について図4を用いて説明する。図4はオペアンプ31と波形整形回路32からなる電圧生成回路の一部であり、本発明の第3の実施形態の一例である。図4に示す第3の実施形態では、第1の実施形態におけるTEST信号の入力がなく、テストモードによる活性化、非活性化のスイッチ(図2におけるPMOSトランジスタP13およびNMOSトランジスタN16または図3におけるNMOSトランジスタN24およびPMOSトランジスタP26)がないものである。
【0027】
オペアンプ31は、PMOSトランジスタP31,P32によるカレントミラーを構成し、P31,P32の各ドレインとNMOSトランジスタN31,N32の各ドレインとが接続されている。N31およびN32のソースをNMOSトランジスタN33(貫通電流制限素子)のドレインに接続する。N33のゲートは定電流源ゲート電圧BIASNが入力し、定電流源ゲート電圧BIASNによってN33は制御される。P32のドレインがオペアンプ31の出力信号OPOUTとなり、波形整形回路32に入力される。
【0028】
波形整形回路32は、PMOSトランジスタP33とNMOSトランジスタN34からなる初段インバータ回路33などの複数のインバータ回路から構成されている。初段インバータ回路33のN34のソースにはNMOSトランジスタN35(貫通電流制限素子)のドレインが接続されており、N35のゲートは定電流発生回路2で生成された定電流源ゲート電圧BIASNが入力されている。初段インバータ回路33の出力は複数のインバータ回路群を介して波形整形され電圧判定FLG信号を出力する。
【0029】
次にこの電圧生成回路の回路動作について説明する。VMONとVBGRとの電圧をオペアンプ31によって比較する。ここで、オペアンプ31のN33はゲートに入力している定電流源ゲート電圧BIASNによって貫通電流を制限し、オペアンプ31の感度を上げている。オペアンプ31の出力信号OPOUTは波形整形回路32の初段インバータ回路33に入力する。初段インバータ回路33の接地側は、定電流源ゲート電圧BIASNにより制御されたN35を介して接地している。初段インバータ回路33と接地との間に介在しているN35は、オペアンプ31と同様に定電流源ゲート電圧BIASNによって初段インバータ回路33の貫通電流を制限している。したがって、電源からの充電パスと接地への放電パスの電流をアンバランスにすることによるインバータ回路の回路しきい値電圧を調整している。この定電流源ゲート電圧BIASNはオペアンプ31にも用いられているので、オペアンプ31の出力電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存に対して、初段インバータ回路33の回路しきい値電圧の電圧依存、温度依存、トランジスタしきい値依存が同じように変化する。したがって、オペアンプ31の出力電圧の判定されるポイントはばらつきを持たず、判定誤差を小さくすることができる。
【0030】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明は、電圧生成回路内のオペアンプの出力検出のばらつきを小さくする半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態にかかる電圧生成回路のブロック図である。
【図2】 本発明の第1の実施形態にかかる電圧生成回路の具体例である。
【図3】 本発明の第2の実施形態にかかる電圧生成回路の具体例である。
【図4】 本発明の第3の実施形態にかかる電圧生成回路の具体例である。
【図5】 従来技術にかかる電圧生成回路のブロック図である。
【図6】 従来技術にかかる定電流発生回路の具体例である。
【図7】 従来技術にかかるBGR回路の具体例である。
【図8】 従来技術にかかるVREF発生回路の具体例である。
【図9】 従来技術にかかる波形整形回路の具体例である。
【符号の説明】
1…基準電圧発生回路(BGR回路)、2…定電流発生回路、3…電圧生成回路、4…VREF生成回路、5…波形整形回路、11,21,31…オペアンプ、12,22,32…波形整形回路、13,23,33…初段インバータ回路
Claims (4)
- 所定電圧を基準電圧と比較する差動増幅器と、複数のインバータ回路で構成され、前記差動増幅器の出力に応じてディジタル信号を出力する波形整形回路と、を備え、
前記波形整形回路の、前記差動増幅器の出力が入力される初段インバータ回路と第1の電源との間または前記初段インバータ回路と第2の電源との間に挿入された第1の貫通電流制限素子と、
前記差動増幅器と前記第1の電源との間または前記差動増幅器と前記第2の電源との間に挿入された第2の貫通電流制限素子と、
前記第1の貫通電流制限素子および前記第2の貫通電流制限素子のそれぞれのゲートへ、前記波形整形回路および前記差動増幅器の貫通電流を制限する定電流ゲート電圧を共通に供給する定電流発生回路と
を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 所定電圧を基準電圧と比較する差動増幅器と、
この差動増幅器の出力によりオンオフを制御され、一端が電源と接続された第1のスイッチと、
この第1のスイッチの他端が接続され、固定抵抗と可変抵抗とから構成された抵抗分割部と、
複数のインバータ回路で構成され、前記差動増幅器の出力に応じてディジタル信号を出力する波形整形回路と、
前記波形整形回路の、前記差動増幅器の出力が入力される初段インバータ回路と第1の電源との間または前記初段インバータ回路と第2の電源との間に挿入された第1の貫通電流制限素子と、
前記差動増幅器と前記第1の電源との間または前記差動増幅器と前記第2の電源との間に挿入された第2の貫通電流制限素子と、
前記第1の貫通電流制限素子および前記第2の貫通電流制限素子のそれぞれのゲートへ、前記波形整形回路および前記差動増幅器の貫通電流を制限する定電流ゲート電圧を共通に供給する定電流発生回路とを具備し、
前記所定電圧は前記抵抗分割部により分圧された電圧であることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1のスイッチと電源との間に挿入された第2のスイッチと、
前記波形整形回路の前記初段インバータ回路と前記第1の電源との間または前記第2の電源との間に挿入された第3のスイッチとを具備し、
前記所定電圧が所望の電圧となるような前記抵抗分割部の可変抵抗値を設定するために、前記第2のスイッチをオフおよび前記前記第3のスイッチをオンし、前記第1のスイッチと前記抵抗分割部との接続部から所望のトリミング電圧を供給し、前記差動増幅器の出力に応じた前記波形整形回路のディジタル信号を計測し、前記可変抵抗値を決定するテストモードを備えることを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - 前記テストモードのオフ時に前記波形整形回路の出力が固定されることを特徴とする請求項3記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001383896A JP4104854B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001383896A JP4104854B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003186556A JP2003186556A (ja) | 2003-07-04 |
JP4104854B2 true JP4104854B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=27593768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001383896A Expired - Lifetime JP4104854B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4104854B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117215A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Toshiba Corp | 基準電位発生回路 |
JP5989834B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-07 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP6978549B1 (ja) * | 2020-06-23 | 2021-12-08 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. | 入力レシーバ |
-
2001
- 2001-12-18 JP JP2001383896A patent/JP4104854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003186556A (ja) | 2003-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041005 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110404 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130404 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140404 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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