JP4094006B2 - 相変化材料メモリにプログラムする方法 - Google Patents
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Description
Claims (20)
- メモリデバイスをプログラミングするための方法であって:
前記メモリデバイスの構成セルに第1パルスを印加する段階であって、前記セルは、該セルのデータを記憶するように、構造相変化材料を第1状態のままにするように前記構造相変化材料を有する、段階;及び
第1状態から異なる第2状態に前記材料を変化させるように前記セルに第2パルスを印加する段階であって、前記第2パルスは一般に三角波形状を有する、段階;
を有する方法であり、
前記第2パルスはリーディング部分と該リーディング部分により先行されるトレーリング部分とを有し、前記リーディング部分は前記トレーリング部分より急な勾配を有し、大きさ又は最大値においてピークを有し、前記トレーリング部分はゼロレベルにない最小値まで減少する;
ことを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記第2パルスは、前記リーディング部分と前記トレーリング部分との間に中間部分を有し、該中間領域は前記リーディング部分と前記トレーリング部分とに対して実質的に0勾配を有する、ことを特徴とする方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記第1パルスは前記材料を高抵抗状態のままにするように整形され、前記第2パルスは前記材料を低抵抗状態のままにするように整形される、ことを特徴とする方法。
- 請求項3に記載の方法であって、前記第2パルスの大きさ及び減衰速度は、デバイスにおける製造プロセス及び材料変化に拘らず、前記第1パルス及び前記第2パルスが適用された場合、前記メモリデバイスの全ての成分セルが前記第1状態から前記第2状態に変化するようなものである、ことを特徴とする方法。
- 請求項4に記載の方法であって、前記大きさは、前記第2パルスがセルに印加される場合、前記デバイスの構成セルの少なくとも一部における前記相変化材料が非晶質化温度に達するようにするに十分大きい、ことを特徴とする方法。
- 請求項5に記載の方法であって、前記減衰速度は、前記セルにおける前記相変化材料が前記第1状態から前記第2状態に変化するように、非晶質化温度に達したそれらの構成セルが十分遅い速度で冷却するようにするに十分遅い、ことを特徴とする方法。
- 複数の構成セルを有するアレイであって、各々のセルは該セルのデータを記憶するために構造相変化材料を有する、アレイ;並びに
前記の複数の構成セルに必要な電圧及び電流レベルを提供するために結合された波形形成及び駆動回路構成であって、該駆動回路構成は、前記構成セルの前記材料を第1状態のままにするために前記の複数のメモリデバイスの構成セルの1つに印加される第1パルスを生成し、次いで、第2パルスが、前記第1状態から異なる第2状態にその材料を変化させるために前記構成セルに印加される、波形形成及び駆動回路構成;
を有するメモリデバイスであり、
前記第2パルスはリーディング部分と該リーディング部分により先行されるトレーリング部分とを有し、前記リーディング部分は前記トレーリング部分より急な勾配を有し、大きさ又は最大値においてピークを有し、前記トレーリング部分はゼロレベルにない最小値まで減少する;
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項7に記載のメモリデバイスであって、前記材料は高抵抗状態から低抵抗状態に応答により変化することができ、前記回路構成は、印加されるときに前記構成セルにおける前記材料を高抵抗状態のままにするように整形し、及び印加されるときに前記構成セルにおける前記材料を低抵抗状態のままにするように整形する、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項8に記載のメモリデバイスであって、前記回路構成は、前記デバイスにおける製造プロセス及び材料変化に拘らず、前記第1パルス及び前記第2パルスが印加される場合、前記メモリデバイスの全ての構成セルが前記第1状態から前記第2状態に変化するような大きさと減衰速度とを有する前記第2パルスを整形する、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項9に記載のメモリデバイスであって、前記回路構成は、前記第2パルスがセルに印加される場合、前記デバイスの構成セルの少なくとも一部における前記相変化材料が非晶質化温度に達するようにするに十分大きい大きさを用いて前記第2パルスを整形する、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項10に記載のメモリデバイスであって、前記減衰速度は、セルにおける相変化材料が前記第1状態から前記第2状態に変化するように、非晶質化温度に達した構成セルが十分遅い速度で冷却するようにするに十分小さい遅延速度を用いて、前記第2パルスを整形する、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項7に記載のメモリデバイスであって、前記アレイ並びに前記波形形成及び駆動回路構成は同じ集積回路(IC)ダイに形成されている、ことを特徴とするメモリデバイス。
- メモリデバイスをプログラミングするための方法であって:
前記メモリデバイスの構成セルに第1パルスを印加する段階であって、前記セルは、該セルのデータを記憶するため、構造相変化材料を第1状態のままにするために前記構造相変化材料を有する、段階;及び
前記第1状態から異なる第2状態に前記材料を変化させるように前記セルに第2パルスを印加する段階であって、前記第2パルスは、前記第2パルスの信号レベルが時間と共に連続的に変化するアクティブなインタバルを有し、前記セルは前記アクティブなインタバル中、前記第1状態から前記第2状態に変化する、段階;
を有する方法であり、
前記第2パルスはリーディング部分と該リーディング部分により先行されるトレーリング部分とを有し、前記リーディング部分は前記トレーリング部分より急な勾配を有し、大きさ又は最大値においてピークを有し、前記トレーリング部分はゼロレベルにない最小値まで減少する;
ことを特徴とする方法。 - 請求項13に記載の方法であって、前記信号レベルは前記アクティブなインタバル中、時間と共に連続的に減少する、ことを特徴とする方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記第1パルスは、前記材料を高抵抗状態のままにするように整形され、前記第2パルスは、前記材料を低抵抗状態のままにするように整形されている、ことを特徴とする方法。
- 請求項15に記載の方法であって、第2パルスの大きさ及び減衰速度は、デバイスにおける製造プロセス及び材料変化に拘らず、前記第1パルス及び第2パルスが適用された場合、前記メモリデバイスの全ての成分セルが前記第1状態から前記第2状態に変化するようなものである、ことを特徴とする方法。
- 複数の構成セルを有するアレイであって、各々のセルは該セルのデータを記憶するために構造相変化材料を有する、アレイ;並びに
前記の複数の構成セルに必要な電圧及び電流レベルを提供するために結合された波形形成及び駆動回路構成であって、該駆動回路構成は、前記構成セルの前記材料を第1状態のままにするために前記の複数のメモリデバイスの構成セルの1つに印加される第1パルスを生成し、次いで、第2パルスが、前記第1状態から異なる第2状態にその材料を変化させるために前記構成セルに印加され、前記第2パルスは、前記第2パルスの信号レベルが時間と共に連続的に変化するアクティブなインタバルを有し、前記構成セルは、前記アクティブなインタバルの間に前記第1状態から前記第2状態に変化する、波形形成及び駆動回路構成;
を有するメモリデバイスであり、
前記第2パルスはリーディング部分と該リーディング部分により先行されるトレーリング部分とを有し、前記リーディング部分は前記トレーリング部分より急な勾配を有し、大 きさ又は最大値においてピークを有し、前記トレーリング部分はゼロレベルにない最小値まで減少する;
ことを特徴とするメモリデバイス。 - 請求項17に記載のメモリデバイスであって、信号レベルが、前記アクティブなインタバル中、時間と共に連続的に減少するように、前記回路構成は前記第2パルスを整形する、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項17に記載のメモリデバイスであって、前記第1パルスは、前記材料を高抵抗状態のままにするように整形され、前記第2パルスは、前記材料を低抵抗状態のままにするように整形されている、ことを特徴とするメモリデバイス。
- 請求項19に記載のメモリデバイスであって、第2パルスの大きさ及び減衰速度は、デバイスにおける製造プロセス及び材料変化に拘らず、前記第1パルス及び第2パルスが適用された場合、前記メモリデバイスの全ての成分セルが前記第1状態から前記第2状態に変化するようなものである、ことを特徴とするメモリデバイス。
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TWI288931B (en) * | 2004-06-19 | 2007-10-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Phase-change memory element driver circuits using measurement to control current and methods of controlling drive current of phase-change memory elements using measurement |
DE602005024840D1 (de) | 2004-09-30 | 2010-12-30 | Nxp Bv | Integrierte schaltung mit speicherzellen mit einem programmierbaren widerstand und verfahren zum adressieren von speicherzellen mit einem programmierbaren widerstand |
ATE469419T1 (de) | 2004-10-21 | 2010-06-15 | Nxp Bv | Integrierte schaltung mit phasenänderungs- speicherzellen und verfahren zum adressieren von phasenänderungs-speicherzellen |
JP4273087B2 (ja) | 2005-02-08 | 2009-06-03 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置およびその書込み方法 |
KR100699837B1 (ko) | 2005-04-04 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 프로그래밍방법 |
US7635855B2 (en) | 2005-11-15 | 2009-12-22 | Macronix International Co., Ltd. | I-shaped phase change memory cell |
US7449710B2 (en) | 2005-11-21 | 2008-11-11 | Macronix International Co., Ltd. | Vacuum jacket for phase change memory element |
KR100773095B1 (ko) | 2005-12-09 | 2007-11-02 | 삼성전자주식회사 | 상 변화 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US7626859B2 (en) * | 2006-02-16 | 2009-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase-change random access memory and programming method |
US7457146B2 (en) | 2006-06-19 | 2008-11-25 | Qimonda North America Corp. | Memory cell programmed using a temperature controlled set pulse |
US7583527B2 (en) | 2006-09-29 | 2009-09-01 | Infineon Technologies Ag | Tunable resistor and method for operating a tunable resistor |
JP4524684B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2010-08-18 | エルピーダメモリ株式会社 | メモリ読み出し回路及び方式 |
US7718989B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-05-18 | Macronix International Co., Ltd. | Resistor random access memory cell device |
US7701759B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-04-20 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell device and programming methods |
JP5201138B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2013-06-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその駆動方法 |
US7729161B2 (en) | 2007-08-02 | 2010-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same |
WO2009062799A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Igor Anatolievitch Popov | An exchange for telecommunications, a switch and switch board therefore, and a method of switching |
TWI358827B (en) | 2007-11-26 | 2012-02-21 | Nanya Technology Corp | Data programming circuits and memory programming m |
CN101458959B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-09-21 | 南亚科技股份有限公司 | 数据编程电路 |
US8064247B2 (en) | 2009-01-14 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | Rewritable memory device based on segregation/re-absorption |
US8350316B2 (en) | 2009-05-22 | 2013-01-08 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cells having vertical channel access transistor and memory plane |
US7968876B2 (en) | 2009-05-22 | 2011-06-28 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell having vertical channel access transistor |
US8809829B2 (en) | 2009-06-15 | 2014-08-19 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having stabilized microstructure and manufacturing method |
US8406033B2 (en) | 2009-06-22 | 2013-03-26 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and method for sensing and fixing margin cells |
US8363463B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-01-29 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory having one or more non-constant doping profiles |
US8238149B2 (en) | 2009-06-25 | 2012-08-07 | Macronix International Co., Ltd. | Methods and apparatus for reducing defect bits in phase change memory |
US7894254B2 (en) | 2009-07-15 | 2011-02-22 | Macronix International Co., Ltd. | Refresh circuitry for phase change memory |
US8198619B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-06-12 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell structure |
US8110822B2 (en) | 2009-07-15 | 2012-02-07 | Macronix International Co., Ltd. | Thermal protect PCRAM structure and methods for making |
US8064248B2 (en) | 2009-09-17 | 2011-11-22 | Macronix International Co., Ltd. | 2T2R-1T1R mix mode phase change memory array |
US7944740B2 (en) * | 2009-09-22 | 2011-05-17 | International Business Machines Corporation | Multi-level cell programming of PCM by varying the reset amplitude |
US8178387B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Methods for reducing recrystallization time for a phase change material |
US8729521B2 (en) | 2010-05-12 | 2014-05-20 | Macronix International Co., Ltd. | Self aligned fin-type programmable memory cell |
US8310864B2 (en) | 2010-06-15 | 2012-11-13 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned bit line under word line memory array |
US8395935B2 (en) | 2010-10-06 | 2013-03-12 | Macronix International Co., Ltd. | Cross-point self-aligned reduced cell size phase change memory |
US8497705B2 (en) | 2010-11-09 | 2013-07-30 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change device for interconnection of programmable logic device |
US8467238B2 (en) | 2010-11-15 | 2013-06-18 | Macronix International Co., Ltd. | Dynamic pulse operation for phase change memory |
JP2012244180A (ja) | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Macronix Internatl Co Ltd | 多層接続構造及びその製造方法 |
US9336878B2 (en) | 2014-06-18 | 2016-05-10 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for healing phase change memory devices |
US9159412B1 (en) | 2014-07-15 | 2015-10-13 | Macronix International Co., Ltd. | Staggered write and verify for phase change memory |
CN105448347B (zh) * | 2014-08-21 | 2018-10-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相变存储器的测试方法 |
US9672906B2 (en) | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
US10593403B2 (en) | 2016-02-23 | 2020-03-17 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Memristive arrays with a waveform generation device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3448302A (en) * | 1966-06-16 | 1969-06-03 | Itt | Operating circuit for phase change memory devices |
GB1372414A (en) * | 1971-11-26 | 1974-10-30 | Marconi Co Ltd | Semiconductor memory device arrangements |
US3980505A (en) | 1973-09-12 | 1976-09-14 | Buckley William D | Process of making a filament-type memory semiconductor device |
US3922648A (en) * | 1974-08-19 | 1975-11-25 | Energy Conversion Devices Inc | Method and means for preventing degradation of threshold voltage of filament-forming memory semiconductor device |
US4389713A (en) * | 1981-06-10 | 1983-06-21 | Harris Corporation | Dual pulse method of writing amorphous memory devices |
US6075719A (en) * | 1999-06-22 | 2000-06-13 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of programming phase-change memory element |
-
2002
- 2002-09-11 AU AU2002326868A patent/AU2002326868A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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GB2407707A (en) | 2005-05-04 |
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