JP4093372B2 - インバータ装置 - Google Patents

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本発明は、直流電圧をパルス状電圧に変換するインバータ装置に関する。
4個のスイッチング素子をH形にフルブリッジ接続したインバータ装置では、例えば特許文献1(特許第3261998号公報)に開示されているように、出力波形が、正負同じ電位の電圧波形となるように、4個のスイッチング素子を対称的にオン・オフ制御していた。
このようなインバータ装置を高電圧電源に用いた場合、通常は正負同じ電位の交流高電圧を必要とする場合が多いので好都合であるが、コロナ放電処理や常圧プラズマ処理や真空プラズマ処理などの高圧処理の場合には、処理効率や電力低減や弱処理などのために、むしろ正負の極性の電圧に大きな差があった方が、さらに急峻なパルス波形の方が有利な場合もある。
特許第3261998号公報
そこで、本発明の課題は、このような必要性があることに鑑み、正負の極性の電圧に大きな差があり、しかも急峻なパルス波形の出力を容易に得ることができるとともに、その波形や周期の調整も容易で、かつスイッチング素子数を1個減らして低廉化も図れるインバータ装置を提供することにある。
本発明は、複数のスイッチング素子によるインバータ回路と、これらスイッチング素子のベースにゲート信号を印加してオン・オフ制御する制御回路とを備えたインバータ装置において、インバータ回路が、第1〜第3の3個のスイッチング素子をh形にブリッジ接続して構成され、制御回路は、これら3個のうちの第1のスイッチング素子と、アームが互いに異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子とに、互いに反転したパルス幅のゲート信号をデッドタイムをおいて周期的にしかも第2及び第3の2個のスイッチング素子については同時に同じパルス幅のゲート信号を印加することを特徴とする。
すなわち、H(ラージエッチ)形のフルブリッジ接続における4個のスイッチング素子のうちの1個を無くして、第1〜第3の3個のスイッチング素子をh(スモールエッチ)形にブリッジ接続し、これら3個のうちの第1のスイッチング素子と、アームが互いに異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子とに、互いに反転したパルス幅のゲート信号をデッドタイムをおいて周期的にしかも第2及び第3の2個のスイッチング素子については同時に同じパルス幅のゲート信号を印加するので、2個のスイッチング素子が対になっている片側のアームでは、その2個のスイッチング素子を通じた回生電流の流れ及び還流電流の流れが正常に行われるが、1個のスイッチング素子による反対側のアームでは、電流の流れが偏ったものとなり、出力波形は、正負のいずれか一方の極性の電圧がもう一方の極性の電圧よりもはるかに高くなる急峻なパルス状波形となる。
制御回路は、アームが異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子に同時に印加するゲート信号のパルス幅は一定にしてゲート信号の周波数を可変できるようにすることが好ましい。
第1と第2のスイッチング素子の中間点と第3のスイッチング素子との間にトランスを接続すると、高電圧のパルス状出力を得ることができる。
3個のスイッチング素子としては、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)が好ましいが、IGBTに限られるものではない。
本発明によれば、正負のいずれか一方の極性の電圧がもう一方の極性の電圧よりもはるかに高くなる急峻なパルス状波形の出力が得られ、しかもその波形や周期の調整も容易であるので、コロナ放電処理や常圧プラズマ処理や真空プラズマ処理などの高圧処理のための高圧電源に使用した場合、処理効率や電力低減や弱処理などが図れる。
請求項2に係る発明のように、アームが異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子に同時に印加するゲート信号のパルス幅は一定にしてゲート信号の周波数を可変すると、高くなる一方の極性の電圧波形の急峻性は変えずにその周期を可変できる。
請求項3に係る発明のように、第1と第2のスイッチング素子の中間点と第3のスイッチング素子との間にトランスを接続すると、上記のような波形の高電圧のパルス状出力を得ることができる。
請求項4に係る発明のように、4個のスイッチング素子としてIGBTを用いると、上記のような出力動作を安定して行える。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明によるインバータ装置は、インバータ回路IVと、AC商用電源のAC電圧を整流・平滑し、直流電圧にしてインバータ回路IVの直流電源とする整流・平滑回路RCと、インバータ回路IVのスイッチング素子をオン・オフ制御する制御回路CNとで構成される。
インバータ回路IVは、図2に示すように、スイッチング素子である第1〜第3の3個のIGBT1〜3(以下、それぞれB1、B2、B3と記す)をフルブリッジ接続、すなわち、第1のB1と第2のB2とを直接接続し、これらの中間点とB3との間に第2コンデンサC2とトランスTとを直列接続してh(スモールエッチ)形のブリッジ接続とし、その入力側に平滑用の第1コンデンサC1を並列接続したものである。各B1、B2、B3にはダイオードD1〜D3がそれぞれ同じ向きで接続されている。なお、IGBTにはダイオードを内蔵したものもある。
制御回路CNは、図3に示すように、3個のうちの上アームのB1のベースと、下アームのB2及び上アームのB3のベースとに、互いに反転したパルス幅のゲート信号をデッドタイムdtをおいて周期的にしかもB2及びB3のベースについては同時に同じパルス幅のゲート信号を印加し、このような印加パターンをモードA、モードB、モードC、モードDのいずれかにより所要周期(ある周波数)で反復する。
ここで、印加パターンの繰り返し周期(周波数)は可変するが、B2及びB3のベースに同時に印加するゲート信号は、周波数を変えてもパルス幅が一定になるように、ワンショット信号によりパルス幅を固定させる。
図3のモードAは、B1のベースに印加するゲート信号のパルス幅が、B2及びB3のベースに同時に印加するゲート信号のパルス幅よりも長い場合、モードBは、モードAに対して繰り返し周期を高くした場合、モードCは、逆に、B2及びB3のベースに同時に印加するゲート信号のパルス幅が、B1のベースに印加するゲート信号のパルス幅よりも長い場合、モードDは、モードCに対して繰り返し周期を高くした場合である。
モードAの場合を例にしてインバータ回路IVの動作を説明する。
B2及びB3のベースにゲート信号が印加されたとき(ゲート信号がHIGHになる)、これらB2及びB3がオンになって、そのパルス幅の間だけ、図2に電流の流れを付記したように、第1コンデンサC1、B3、トランスT、第2コンデンサC2、B2、第1のコンデンサC1のループで電流i0→i2が環流する。このとき、第2コンデンサC2はトランスT側をプラスとして充電される。
このゲート信号がLOWとなって、B2及びB3がオフになり、デッドタイムdtをおいてB1のベースにゲート信号が印加されると(ゲート信号がHIGHになる)、 このB1がオンになるので、第2コンデンサC2の放電電流i1が、第2コンデンサC2、B3、B1のループで還流する。
この還流電流は、B2及びB3が再び同時にオンになる前にゼロになるため、これらB2及びB3が再びオンになった瞬間から、第1コンデンサC1、B3、トランスT、第2コンデンサC2、B2、第1コンデンサC1のループで電流i0→i2はゼロから流れ始める。そして、このような動作が繰り返される。上アームでは上記のように還流電流L2が流れるが、下アームではB2と対になるIGBTが無いので、還流電流が流れない。
このような流れを、図4に示すように、第1コンデンサC1側からB1側へ流れる電流をi0、B1〜B3のそれぞれに流れる電流をi1〜i3とし、矢印方向をそれぞれの電流の正方向の流れとして見ると、次のようになる。
B2及びB3にゲート信号(B1へのゲート信号に対する反転信号)が同時に印加されたとき、第1コンデンサC1、B3、トランスT、第2コンデンサC2、B2、第1コンデンサC1のループで電流i0(i0=i2)が正の方向に流れ、第2コンデンサC2が、トランスT側をプラスとして充電される。
B2及びB3が同時にオフした後、B1がオンになると、第2コンデンサC2に充電された電流が、第2コンデンサC2、トンランスT、B3のダイオード、B1、第2コンデンサC2と環流し、先の電流i0とは逆方向に電流i1が流れる。
従って、電流i3はi0とi1とを合成した波形となる。B2及びB3が同時にオンになる以前に環流電流がゼロになっているため、B2及びB3が再びオンなるとゼロから電流が流れ始める。
このようなインバータ装置を電源として、図5に示すようにトランスTの二次側電圧を高圧ケーブル5を通じて、コロナ処理のための電極6とアースされた金属ロール7間に印加し、放電電圧波形を実測した。ここで、トランスTの一次側と二次側の巻線比は10/250、金属ロール7は直径100mmとして外周面にシリコンゴム被覆8を施し、電極6と金属ロール7との間の放電ギャップ9は1.5mmとした。
図6は、B1〜B3のゲート電流波形とi3の電流波形の時間関係を示す。
図7及び図8は、電流の向きを矢印方向として電流プローブを当てて測定したi0〜i3のそれぞれの波形で、図7は電力が200W時、図8は500W時である。これらの図から、i0とi2は同じ電流で、i3はi0とi1の合成波形であることが分かる。
図9〜図12は、B2及びB3へのゲート信号のパルス幅は一定(10μs)にしてその繰り返し周波数を、1/500μs、1/200μs、1/100μs、1/50μsと変えたときの、ゲート電流波形とコロナ放電の放電電圧・電流波形を示す。各図において、(a)は、インバータ回路IVが図2に示したような第1〜第3の3個のIGBT(B1〜B3)によるh形のブリッジ接続の場合(本発明による場合)、(b)は、下アームに第3のIGBT(B3)と対になる第4のIGBTがあるH形のブリッジ接続で、その第4のIGBTのベースをゼロボルトに固定して、第4のIGBTを無効にした場合(比較例)である。
これらの図から分かるように、繰り返し周波数を可変しても、電流波形の周期が変わるだけで、波形そのものはあまり変化せず、プラス側の電圧がマイナス側の電圧よりも遙かに高くなっており、図10(a)、(b)では、プラス側の電圧がマイナス側の電圧の約4倍となっている。第4のIGBTがあるH形のブリッジ接続で、その第4のIGBTのベースをゼロボルトに固定した場合と、本発明のように第4のIGBTが無い場合とでは、無い方が、プラス側の電圧がマイナス側の電圧に比べて倍率が少し高く、電力も大きくなっている。
<B1よりもB2、B3のゲート信号幅が小さい場合(図3のモードA、Bの場合)>
図9(a)、図10(a)、図11(a)、図12(a)は、図7において、i0の波形が半波の正弦波よりも狭くなるように、B2、B3のベースへの信号幅を6μsに調整し、繰り返し周期を1/500μs、1/200μs、1/100μs、1/50μsに可変したときの放電電圧波形をそれぞれ示す。
図9(a)では、電力は28Wで、プラス側の電圧が16KVp、マイナス側の電圧が約3.5KVp、図10(a)では、電力は85Wで、プラス側の電圧は図9(a)と同じく16KVpであるが、マイナス側の電圧は約2.7KVpで、比率は約6倍近くになっている。図12(a)では、電力は325Wで、プラス側の電圧が12KVp、マイナス側の電圧が約5KVpで、比率は低下している。しかし、いずれの場合も、プラス側の電圧はマイナス側の電圧の2.5倍〜6倍の急峻なパルスとなっている。
<B1よりものB2、B3のゲート信号幅が大きい場合(図3のモードC、Dの場合)>
図13、図14、図15は、B1のゲート信号幅を5μsに固定し、B2、B3のゲート信号の繰り返し周期を400μs、100μs、40μsに可変したときの放電電圧波形をそれぞれ示す。
図13の場合、電力が約30Wで、プラス側の電圧は12.7KVpであるのに対し、マイナス電圧は約7.5KVpとなっている。また、図12及び図13の場合も図11の場合と電圧はほぼ同様で、プラス側の電圧はマイナス側の約2倍となっている。
図15は電力が約210Wで、プラス・マイナスほぼ同じになっている。
なお、トランスTの入力側の極性を上記の場合と逆にすると、上記とは正負が逆転した波形が得られる。また、上記では、上アーム側を2個のIGBTが揃った対にして、下アーム側を対のIGBTが無いh形のブリッジ接続としたが、上下を逆の関係としてもよいこと勿論である。
本発明によるインバータ装置の基本的構成を示すブロック図である。 電流の流れを併記して示すインバータ回路の回路図を。 インバータ回路を構成するIGBTのベースへ印加するゲート信号の印加パターン図である。 各部の電流記号を併記して示すインバータ回路の回路図である。 インバータ装置を電源として、コロナ処理のための電極とアースされた金属ロール間に印加して放電電圧波形を実測する実験例の模式図である。 インバータ回路の各IGBTのゲート信号と電流i3の電流波形を実測したタイミングチャートである。 電力が200W時の各部の電流実測位置を示す回路図である。 電力が500W時の各部の電流実測位置を示す回路図である。 第2及び第3のIGBTへのゲート信号のパルス幅は一定にしてその繰り返し周波数を1/500μsとしたときの、ゲート電流波形とコロナ放電の放電電圧・電流波形を示し、(a)は、インバータ回路第1〜第3の3個のIGBTによるh形のブリッジ接続の場合、(b)は、下アームに第3のIGBT(B3)と対になる第4のIGBTがあるH形のブリッジ接続で、その第4のIGBTのベースをゼロボルトに固定して、第4のIGBTを無効にした場合である。 繰り返し周波数を1/200μsとしたときの同様の図である。 繰り返し周波数を1/100μsとしたときの同様の図である。 繰り返し周波数を1/50μsとしたときの同様の図である。 第1のIGBTのゲート信号幅を5μsに固定し、第2及び第3のゲート信号の繰り返し周期をとしたときの放電電圧波形である。 同じく繰り返し周期を100μsにしたときの放電電圧波形図である。 同じく繰り返し周期を40μsにしたときの放電電圧波形図である。
符号の説明
IV インバータ回路
RC 整流・平滑回路
CN 制御回路
B1〜B3 第1、第2、第3のIGBT
C1 第1コンデンサ
C2 第2コンデンサ
T トランス
5 高圧ケーブル
6 電極
7 金属ロール
8 シリコンゴム被覆
9 放電ギャップ

Claims (4)

  1. 複数のスイッチング素子によるインバータ回路と、これらスイッチング素子のベースにゲート信号を印加してオン・オフ制御する制御回路とを備えたインバータ装置において、前記インバータ回路が、第1〜第3の3個のスイッチング素子をh形にブリッジ接続して構成され、前記制御回路は、これら3個のうちの第1のスイッチング素子と、アームが互いに異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子とに、互いに反転したパルス幅のゲート信号をデッドタイムをおいて周期的にしかも第2及び第3の2個のスイッチング素子については同時に同じパルス幅のゲート信号を印加することを特徴とするインバータ装置。
  2. 制御回路は、アームが異なる第2及び第3の2個のスイッチング素子に同時に印加するゲート信号のパルス幅は一定にしてゲート信号の周波数を可変できることを特徴とする請求項1に記載のインバータ装置。
  3. 第1と第2のスイッチング素子の中間点と第3のスイッチング素子との間にトランスが接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のインバータ装置。
  4. 3個のスイッチング素子がIGBTであることを特徴とする請求項1、2又は3に記載のインバータ装置。
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