JP4069564B2 - 発光サイリスタアレイの光量設定方法 - Google Patents

発光サイリスタアレイの光量設定方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4069564B2
JP4069564B2 JP2000021450A JP2000021450A JP4069564B2 JP 4069564 B2 JP4069564 B2 JP 4069564B2 JP 2000021450 A JP2000021450 A JP 2000021450A JP 2000021450 A JP2000021450 A JP 2000021450A JP 4069564 B2 JP4069564 B2 JP 4069564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
emitting thyristor
current
current density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000021450A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001217462A (ja
Inventor
誠治 大野
幸久 楠田
俊介 大塚
靖尚 黒田
尊久 有馬
英昭 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2000021450A priority Critical patent/JP4069564B2/ja
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd, Fujifilm Business Innovation Corp filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to KR1020017012253A priority patent/KR100666839B1/ko
Priority to CNB018000231A priority patent/CN1164430C/zh
Priority to US09/937,042 priority patent/US6535234B2/en
Priority to PCT/JP2001/000376 priority patent/WO2001056801A1/ja
Priority to EP01901486A priority patent/EP1167048A4/en
Priority to CA002368984A priority patent/CA2368984A1/en
Publication of JP2001217462A publication Critical patent/JP2001217462A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4069564B2 publication Critical patent/JP4069564B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/45Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子アレイの光量設定方法、特に電流−光出力特性が原点を通る直線とはならない発光素子が配列されたアレイの光量設定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光プリンタに用いられる発光素子アレイには、通常、発光ダイオード(LED)が用いられている。このようなLEDを用いた発光素子アレイでは、配列ピッチがワイヤボンディング法の限界ピッチにより決まり、500dpi(ビット/インチ)が限界であり、LEDを高密度に配置して、発光素子アレイの解像度を高めることができなかった。
【0003】
このような問題を解決するため、本出願人は、pnpn構造の3端子発光サイリスタを用いた発光素子アレイを提案し、既に特許を得ている(特許第2807910号)。
【0004】
この特許に係る技術によれば、発光サイリスタのアレイをn個(nは2以上の整数)毎にブロック化し、各ブロック毎にゲート配線を共通にし、かつ、各ブロック毎にアノードまたはカソードを共通の電極に接続している。このようにすることにより、発光のための信号を供給する電極の数を少なくすることができるので、発光素子の配列ピッチを小さくすることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
3端子発光サイリスタのI−L(電流−光出力)特性は、原点を通る直線とはならない。図1に、発光部面積が20μm×20μmの3端子発光サイリスタのI−L特性を示す。横軸は電流(mA)を、縦軸は光出力(μW)を示す。10mAよりも大きな領域では、ほぼ直線的な変化をしているが、5mA以下ではほとんど発光していない。このため、発光サイリスタを小電流域で使うと発光効率が低くなり、同じ露光エネルギーを得るための消費電力が増え、結果的にヘッドの温度上昇が大きくなる。
【0006】
一方、電流密度値が大きくなると、通電による光量低下が甚だしくなる。光量低下は、およそ通電時間に比例し、電流密度に対して指数関数的に増加する。通電時間による光量変化を図2に示す。横軸は時間(H)を、縦軸は初期値からの光量低下(%)を示している。
【0007】
また、図3では、図2の結果を使って通電時間1000H後における光量低下についてまとめ直した。図3より、1000H後の光量低下が2%以下に収まるのは、電流密度が100MA/m2 以下の場合であることがわかる。また、100MA/m2 という電流密度は、通信用LEDなどで使われる上限にあたり、これ以上の電流密度では、結晶欠陥が急増することが知られている(例えば、化合物半導体 基礎物性とその応用 応用物理学会関西支部編 日刊工業新聞社刊、昭和61年刊参照)。このため、発光サイリスタに流す電流密度は100MA/m2 以下が望ましい。なお、前記の例の場合、100MA/m2 は40mAに相当する。
【0008】
本発明の目的は、I−L特性が原点を通る直線とはならない発光素子、例えば発光サイリスタが配列されたアレイにおいて、I−L特性に適合した光量設定方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、発光しきい電流が0でない発光素子を配列した発光素子アレイの光量設定方法である。第1の態様では、前記発光素子の電流を変調することにより光量を設定する。また、第2の態様では、前記発光素子の発光時間を変調することにより光量を設定する。さらに第3の態様では、前記発光素子の電流および発光時間を変調することにより光量を設定する。
【0010】
発光素子が発光サイリスタの場合、低電流域で発光効率が低下する発光サイリスタにおいて、電流密度50MA/m2 におけるI−L特性曲線直線部分の接線が電流密度軸を切る電流密度値を発光しきい電流密度Dthと定義する。この素子を発光させて、一定の露光エネルギーを得るために、発光素子に流す電流密度DL が、
3×Dth<DL <100MA/m2 (1)
の範囲となるように光量を設定する。
【0011】
また、上記の光出力では、所望の露光エネルギーに比べて大きすぎるときは、発光時間を調整することが望ましい。
【0012】
また、露光量を段階的に調整する(例えば階調表現)ときに、上記のDL 値を選び、露光量は発光時間で調整する。
【0013】
なお、本発明の光量設定方法を、発光素子アレイの光量を均一化する光量補正にも適用できることは、当業者ならば容易に理解できるであろう。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【0015】
【実施例1】
図1のようなI−L特性を持った発光素子サイリスタアレイを使って、光プリントヘッドを作るときの、電流および発光時間について考える。なお、以下の実施例において、発光サイリスタは、発光部面積が20μm×20μmのものを用いた。
【0016】
まず、電子写真方式に用いられる光プリントヘッドの構成を簡単に説明しておく。図4は、感光ドラム10上に設けられた光プリントヘッドを示す。光プリントヘッドは、発光サイリスタを1列に並べて構成した発光サイリスタアレイ12と、横長に構成されたロットレンズアレイ14とから構成される。ロッドレンズアレイ14は感光ドラム10の接平面に対してほぼ直角にかつ感光体表面とほぼ平行に配置されている。また、発光サイリスタアレイ12は、ロッドレンズアレイ14を介して発光サイリスタアレイ12からの光が感光ドラム10に入射するように配置されている。
【0017】
電子写真方式で2値記録に必要な露光エネルギーは、1〜10mJ/m2 程度である。いま、必要露光エネルギーを6mJ/m2 とし、ロッドレンズの結合効率を4%,600dpi(42.3ミクロンピッチ)の画像を考えると、描画1ドットあたりの発光素子出力エネルギーは270pJとなる。A3サイズの用紙を毎秒1枚印刷する場合、1ラインに与えられる時間は、およそ100μsである。したがって、270pJ/100μs=2.7μWの光出力が必要である。図1のI−L特性によれば、2.7μWの光出力を得るには、2.7mAの電流を流さなければならない。一方、もし、100MA/m2 に相当する40mAの電流を流したとすると、360μWの光出力が得られるため、発光時間を100μs×2.7μW/360μW=0.75μsとすれば同じ露光エネルギーが得られることになる。
【0018】
さて、発光サイリスタの端子間電圧は電流値に関わらずほぼ一定であるから、消費電力は電流値に比例する。したがって、発光素子に消費されるエネルギーは、電流と発光時間の積に比例する。すなわち、同じ出力露光エネルギーを得るための消費エネルギーの比率は、2.7mAのときに比べて、40mAでは、40mA×0.75μs/(2.7mA×100μs)=0.11となる。このエネルギー消費は、そのまま発熱となるため、ヘッドの温度上昇も約1/9に抑えることができる。
【0019】
ここでは、寿命的に問題のない最大電流として40mA(100MA/m2 相当)の電流での例を挙げたが、この値より小さく、かつ、十分な発光効率が得られる電流値ならばいかなる値であっても良い。
【0020】
図1の発光サイリスタのI−L特性によれば、10mA以上の領域では、特性は直線的となっている。そこで、100MA/m2 の半分にあたる50MA/m2 における接線L1 (L=aI+b)を、このI−L特性の1次近似式として使うことを考える。ただし、この直線においてL<0の領域はL=0とする。(なお、I−L特性は、発熱の関係で大電流域において傾きが小さくなってくる場合があるが、発熱の影響が無視できるよう、短時間でのパルス点灯での測定値を使うことにより直線性は保たれる)。この直線L1 が電流軸を切る値(発光しきい電流Ith)は、Ith=−b/aとなる。
【0021】
さて、いま図1のI−L特性から接線L1 を求めたところ、a=10μW/mA,b=−40μWとなった。このとき、発光しきい電流Ith=4mA、発光しきい電流密度Dth=10MA/m2 である。この直線と、ある電流値における発光効率E=L/Iの計算結果を図5に示す。図5より、発光効率はIthを越えると急激に大きくなり、Ithの3倍では約7μW/mAとなり、頭打ち傾向が出てくる。電流値が無限大となると、E=a=10μW/mAとなるのでIthの3倍のところで、およそ理想値の70%の効率が得られることになる。
【0022】
さて、次に、しきい電流値を変化させたとき、効率がどのように変化するかを計算した結果を図6に示す。図6では、横軸にしきい電流密度Dthをとり、縦軸はD=100MA/m2 のときの効率を1としたときの相対的な効率を示している。図6より、Dthの3倍以上の電流を取っておけば、相対値で0.66以上を確保できる。
【0023】
【実施例2】
多階調を表現するとき、電流値のみでコントロールを行うと、式(1)の電流密度DL の範囲よりも低い部分がでてくるため、効率が下がる。また、小電流域ではI−L特性が直線からはずれるため、補正データを参照する必要があり構成が複雑になる。
【0024】
そこで、やはり、DL をDthの3倍以上のところに設定して、階調は発光時間で調整する。また、発光時間の分解能が十分取れないときは、電流値と発光時間を併用しても良い。このときもDL をDthの3倍以上に取っておけば、光量はほぼ直線的な挙動を示すので、補正データを参照テーブルとして持つ必要はなく、構成が簡単になる。
【0025】
まず、実施例1の本発明を使った例では、40mAの電流で0.75μsの露光条件であった。この露光時間のまま256階調を電流変調で行った場合の、階調レベルと電流値を図7に示す。全階調の平均電流は21.8mAであった。したがって、消費電力は0.75μs×21.8mA×k(定数)である。一方、常に40mA流し、発光時間で調整すると、露光量は発光時間に比例するので、平均露光時間は最大露光時間の半分になる。したがって、0.75μs/2×40mA×k(定数)が消費電力となる。したがって、発光時間で階調を表現した方が、消費電力が20/21.8=0.92となり、約8%効率が高くなる。また、図7から明らかなように、低階調レベルの領域では直線からはずれているため、階調レベルと電流の関係を求めるテーブルを持たなければならず、構成が複雑になる。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、I−L特性が原点を通る直線とはならない発光素子、例えば発光サイリスタが配列されたアレイにおいて、I−L特性に適合した光量設定方法を実現することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】発光部面積が20μm×20μmの3端子発光サイリスタのI−L特性を示すグラフである。
【図2】発光サイリスタの通電時間による光量変化を示すグラフである。
【図3】発光サイリスタの通電時間100H後における光量低下を示すグラフである。
【図4】光プリンタヘッドの構成を示す図である。
【図5】発光効率の計算結果を示すグラフである。
【図6】しきい電流値を変化させたとき、効率がどのように変化するかを計算した結果を示すグラフである。
【図7】256階調を電流変調で行った場合の、階調レベルLと電流値の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
10 感光ドラム
12 発光サイリスタアレイ
14 ロッドレンズアレイ

Claims (4)

  1. 低電流域にて発光素子として利用可能であるものの当該低電流域では発光効率が低下する発光サイリスタを配列した発光サイリスタアレイの光量設定方法であって、
    前記発光サイリスタのI−L特性曲線が直線的な変化を示すものとして予め定められた範囲で当該発光サイリスタに電流を流し、当該電流を調整することにより光量を設定し、
    前記予め定められた範囲は、前記I−L特性曲線の電流密度50MA/m 2 における接線が電流密度軸を切る電流密度値を発光しきい電流密度D th としたとき、前記発光サイリスタに流す電流の電流密度D L が、発光しきい電流密度D th の3倍以上であり、かつ100MA/m 2 以下の範囲となるようにすることを特徴とする発光サイリスタアレイの光量設定方法。
  2. 前記発光サイリスタは、n個(nは2以上の整数)毎にブロック化され、
    前記発光サイリスタのゲート配線は、ブロック毎に共通とし、
    前記発光サイリスタのアノードまたは当該発光サイリスタのカソードは、ブロック毎に共通の電極に接続することを特徴とする請求項1に記載の発光サイリスタアレイの光量設定方法。
  3. 光出力が、所望の露光エネルギーに比べて大きすぎるときは、発光時間を調整することを特徴とする請求項1記載の発光サイリスタアレイの光量設定方法。
  4. 露光量を段階的に調整するときには、露光量を発光時間で調整することを特徴とする請求項1記載の発光サイリスタアレイの光量設定方法。
JP2000021450A 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの光量設定方法 Expired - Fee Related JP4069564B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000021450A JP4069564B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの光量設定方法
CNB018000231A CN1164430C (zh) 2000-01-31 2001-01-22 发光元件阵列的光量设定方法
US09/937,042 US6535234B2 (en) 2000-01-31 2001-01-22 Method for setting quantity of light of light-emitting element array
PCT/JP2001/000376 WO2001056801A1 (fr) 2000-01-31 2001-01-22 Procede de reglage de la quantite de lumiere d'un reseau d'elements emetteurs lumineux
KR1020017012253A KR100666839B1 (ko) 2000-01-31 2001-01-22 발광 소자 어레이의 광량 설정 방법
EP01901486A EP1167048A4 (en) 2000-01-31 2001-01-22 METHOD FOR CONTROLLING THE LIGHT AMOUNT OF AN ARRANGEMENT OF LIGHT-EMITTING ELEMENTS
CA002368984A CA2368984A1 (en) 2000-01-31 2001-01-22 Method for setting quantity of light of light-emitting element array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000021450A JP4069564B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの光量設定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001217462A JP2001217462A (ja) 2001-08-10
JP4069564B2 true JP4069564B2 (ja) 2008-04-02

Family

ID=18547858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000021450A Expired - Fee Related JP4069564B2 (ja) 2000-01-31 2000-01-31 発光サイリスタアレイの光量設定方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6535234B2 (ja)
EP (1) EP1167048A4 (ja)
JP (1) JP4069564B2 (ja)
KR (1) KR100666839B1 (ja)
CN (1) CN1164430C (ja)
CA (1) CA2368984A1 (ja)
WO (1) WO2001056801A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100342887C (zh) * 2003-11-04 2007-10-17 王河 心舒胶囊
KR102139681B1 (ko) 2014-01-29 2020-07-30 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. 발광소자 어레이 모듈 및 발광소자 어레이 칩들을 제어하는 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6064870A (ja) * 1983-09-21 1985-04-13 Canon Inc 光プリンタ装置
US5111034A (en) * 1989-09-27 1992-05-05 Omron Corporation Apparatus utilizing light emitting semiconductor device
US5153605A (en) * 1989-12-27 1992-10-06 Victor Company Of Japan, Ltd. System of controlling energization to thermal head in thermal printer
US5689297A (en) * 1993-05-11 1997-11-18 Tohoku Ricoh Co., Ltd. Thermosensitive stencil printer capable of controlling image density
US5617957A (en) * 1993-07-13 1997-04-08 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of sorting semiconductor lasers
JPH07108714A (ja) * 1993-10-15 1995-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像形成装置
JPH10258545A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Canon Inc 発光素子アレイ制御ユニットおよびその制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1164430C (zh) 2004-09-01
CN1358138A (zh) 2002-07-10
KR100666839B1 (ko) 2007-01-11
EP1167048A1 (en) 2002-01-02
WO2001056801A1 (fr) 2001-08-09
KR20010110694A (ko) 2001-12-13
JP2001217462A (ja) 2001-08-10
US20020158586A1 (en) 2002-10-31
EP1167048A4 (en) 2003-01-08
CA2368984A1 (en) 2001-08-09
US6535234B2 (en) 2003-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130063792A1 (en) Method and device for driving light source, image reader, and image forming apparatus
CN101164378A (zh) Led模块和具有多个led模块的led照明设备
JPH0696294B2 (ja) 光学的文字発生装置の露光エネルギー補正装置を有する電子写真印刷装置
KR100781910B1 (ko) 광 프린터 헤드의 점등 방법
JPH09283801A (ja) 面発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
JP2007142152A (ja) 半導体発光装置
JP4068172B2 (ja) 面発光サイリスタおよび自己走査型発光装置
JP4069564B2 (ja) 発光サイリスタアレイの光量設定方法
JPH09283794A (ja) 面発光素子および自己走査型発光装置
CA2372341A1 (en) Method for driving self-scanning light-emitting device array
JP7268972B2 (ja) 発光サイリスタ、発光サイリスタアレイ、露光ヘッド、および画像形成装置
JP4483013B2 (ja) 自己走査型発光素子アレイの駆動方法および光プリンタ用光源
JP3520898B2 (ja) レーザ画像露光装置
JP4281240B2 (ja) 自己走査型発光素子アレイおよびその駆動方法
JP2006179885A (ja) 発光素子アレイの製造方法及び輝度調整方法、露光ヘッド、並びに電子写真装置
JP4227265B2 (ja) レーザー光量制御装置
JP2002292929A (ja) 画像形成装置、画像形成方法、画像形成方法をコンピュータに実行させるプログラム、およびそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7242349B2 (ja) 発光サイリスタ、発光サイリスタアレイ、露光ヘッド、および画像形成装置
JPH0530314A (ja) 画像形成装置
JP4578195B2 (ja) 発光装置および画像記録装置
JP3222217B2 (ja) 半導体レーザシステム
JP4265005B2 (ja) 光プリントヘッドの光量制御方法および光プリントヘッド
JPH1044505A (ja) 半導体レーザーの光出力制御回路
JP2011250413A (ja) 画像読み取り装置、及びこれを備える画像形成装置、並びに画像読み取り装置の画像品質制御方法
JPH0428572A (ja) Ledヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060330

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070409

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070409

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070810

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4069564

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120125

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130125

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140125

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees