JP4054320B2 - 薄膜パターンの形成方法および磁気抵抗効果素子の形成方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る第2の薄膜パターンの形成方法は、基体上に第1の薄膜を形成する工程と、この第1の薄膜上に水溶性樹脂またはDLCを用いて可溶層を形成する工程と、この可溶層の上にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより第1の薄膜および可溶層を選択的に除去し、第1の薄膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、N−メチルピロリドンを少なくとも含む有機溶剤を用いてレジストパターンおよび可溶層パターンを除去する工程とを含むようにしたものである。
本発明に係る第2の磁気抵抗効果素子の形成方法は、基体上に磁気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜上に、水溶性樹脂またはDLCを用いて可溶層を形成する工程と、可溶層の上にレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより磁気抵抗効果膜および可溶層を選択的に除去し、磁気抵抗効果膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、レジストパターンと、磁気抵抗効果膜および可溶層が除去された領域とを覆うように、少なくとも強磁性膜を含む金属膜を形成する工程と、N−メチルピロリドンを少なくとも含む有機溶剤を用いてレジストパターンおよび可溶層パターンを除去することにより、磁気抵抗効果膜パターンの両側に、磁区制御層を含む一対の金属膜パターンを形成する工程とを含むようにしたものである。
最初に、図1〜図7を参照して、本発明の第1の実施の形態に係る薄膜パターンの形成方法について、以下に説明する。
次に、図8〜図14を参照して、本発明の第2の実施の形態に係る薄膜パターンの形成方法について、以下に説明する。
続いて、主に図15〜図20を参照して、本発明の第3の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子(以下、MR素子という。)の形成方法について以下に説明する。
Claims (13)
- 基体上に第1の薄膜を形成する工程と、
前記第1の薄膜上に、無機材料を用いて可溶層を形成する工程と、
前記可溶層の上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより前記第1の薄膜および可溶層を選択的に除去し、第1の薄膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記可溶層パターンを溶解可能な溶剤を用い、少なくとも前記可溶層パターンを除去する工程と
を含むことを特徴とする薄膜パターンの形成方法。 - 前記溶剤として、前記レジストパターンをも溶解可能な溶剤を用い、前記可溶層パターンと共に前記レジストパターンを除去する
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜パターンの形成方法。 - 前記無機材料として銅(Cu)を少なくとも含む金属を用い、前記溶剤としてN−メチルピロリドンを少なくとも含む有機溶剤を用いる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜パターンの形成方法。 - 前記無機材料としてニッケル(Ni)および鉄(Fe)を少なくとも含む金属を用い、前記溶剤として芳香族炭化水素とフェノールとオクチルベンゼンスルホン酸とを少なくとも含む有機溶剤を用いる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜パターンの形成方法。 - 基体上に第1の薄膜を形成する工程と、
前記第1の薄膜上に、水溶性樹脂またはダイヤモンドライクカーボン(DLC)を用いて可溶層を形成する工程と、
前記可溶層の上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより前記第1の薄膜および可溶層を選択的に除去し、第1の薄膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、
N−メチルピロリドンを少なくとも含む有機溶剤を用いて前記レジストパターンおよび可溶層パターンを除去する工程と
を含むことを特徴とする薄膜パターンの形成方法。 - さらに、前記レジストパターンと、第1の薄膜および可溶層が除去された領域とを覆うように、第2の薄膜を形成する工程を含み、
前記溶剤を用い、少なくとも前記可溶層パターンを除去することにより第2の薄膜パターンを形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の薄膜パターンの形成方法。 - さらに、前記レジストパターンにアンダーカットを形成する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の薄膜パターンの形成方法。
- 島状または帯状をなす孤立型の前記レジストパターンを形成し、この孤立型の前記レジストパターンと同形をなす孤立型の前記第1の薄膜パターンおよび可溶層パターンを形成することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の薄膜パターンの形成方法。
- 開口を有する開口型の前記レジストパターンを形成し、この開口型の前記レジストパターンと同形の開口を有する開口型の前記第1の薄膜パターンおよび可溶層パターンを形成する
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の薄膜パターンの形成方法。 - 基体上に磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に、無機材料を用いて可溶層を形成する工程と、
前記可溶層の上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより前記磁気抵抗効果膜および可溶層を選択的に除去し、磁気抵抗効果膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、
前記レジストパターンと、磁気抵抗効果膜および可溶層が除去された領域とを覆うように、少なくとも強磁性膜を含む金属膜を形成する工程と、
少なくとも前記可溶層パターンを溶解可能な溶剤を用い、少なくとも前記可溶層パターンを除去することにより、前記磁気抵抗効果膜パターンの両側に、磁区制御層を含む一対の金属膜パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記溶剤として、前記レジストパターンをも溶解可能な溶剤を用い、前記可溶層パターンと共に前記レジストパターンを除去する
ことを特徴とする請求項10に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 基体上に磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜上に、水溶性樹脂またはダイヤモンドライクカーボン(DLC)を用いて可溶層を形成する工程と、
前記可溶層の上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより前記磁気抵抗効果膜および可溶層を選択的に除去し、磁気抵抗効果膜パターンおよび可溶層パターンを形成する工程と、
前記レジストパターンと、磁気抵抗効果膜および可溶層が除去された領域とを覆うように、少なくとも強磁性膜を含む金属膜を形成する工程と、
N−メチルピロリドンを少なくとも含む有機溶剤を用いて前記レジストパターンおよび可溶層パターンを除去することにより、前記磁気抵抗効果膜パターンの両側に、磁区制御層を含む一対の金属膜パターンを形成する工程と
を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の形成方法。 - 前記金属膜を形成する工程は、前記強磁性膜上に導電膜を形成する工程を含み、前記一対の金属膜パターンがそれぞれ導電リード層を含むようにする
ことを特徴とする請求項10から請求項12のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子の形成方法。
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