JP4051318B2 - 電子ビーム冷却装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン蓄積リングおよびイオン・シンクロトロンに用いられる電子ビーム冷却装置に係り、とくに冷却性能を向上させるための構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の電子ビーム冷却装置の平面形状および縦断面形状を、図6(a),(b)に示す。従来の電子ビーム冷却装置の、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のコイル組立方法は、ドーナツ状巻枠に導体を連続して巻き付ける手法を採っている。
【0003】
これを、溶接により組み立てられた箱状の磁気シールド20a,20bの中に入れてモールドすることにより、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9が製作される。
【0004】
上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のコイル17a,17b,18a,18bの中にはそれぞれ真空容器が組込まれ、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9の真空容器には、電子ビーム用ポート14a,14bと、イオンビーム用ポート15a,15bと、電子ビームおよびイオンビーム用ポート16a,16bとが取付けられている。
【0005】
これらのうち、電子ビーム用ポート14a,14bとイオンビーム用ポート15a,15bとは分岐するため、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のコイル17a,17b,18a,18bをセントラル部磁気シールド21を有するセントラル部7より遠い方から被せて装着させるためには、コイル断面の大きさがこれら両方のポート14a,14b,15a,15bを同時に潜らせるだけの開口でなければならない。
【0006】
すなわち、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のコイルを大きくする必要があり、この結果、イオンビーム8の進行方向長さが長くなる。これにより、電子ビーム冷却装置全体のイオンビーム8の進行方向長さに対して、セントラル部7はあまり長くできない。そのため、電子ビーム冷却装置の冷却性能を十分に発揮できない。
【0007】
これを回避する方法の一つは、図7(a),(b)に示すように、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9をそれぞれ上下に分割することである。すなわち、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のそれぞれの下側部分を真空容器に予め被せた状態にし、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9の真空容器をセントラル部7の真空容器と締結し、その後に上流側トロイド部6および下流側トロイド部9の上側部分を下側部分と締結するものである。
【0008】
ところが、この図7の場合は、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9の上側部分と下側部分との接続面において、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9の円弧中心に近い直線部分には、磁気シールド間締結のためのフランジを取付けるスペースが無い。
【0009】
この部分にフランジを取付けるためには、円弧の半径を大きくする必要があり、上流側トロイド部6および下流側トロイド部9のコイルが大きくなって、これら両部6,9におけるイオンビームの進行方向長さが長くなる。これにより、電子ビーム冷却装置全体の寸法を大型化しないためには、電子ビーム冷却装置の全体的なイオンビームの進行方向長さに対して、セントラル部7をあまり長くできない。そのため、電子ビーム冷却装置の冷却性能を十分に発揮できなかった。
【0010】
【特許文献1】
特開平10−134999号公報
【特許文献2】
特開平11−186000号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
電子ビーム冷却装置は、電子ビーム入射部1、上流側トロイド部6、セントラル部7、下流側トロイド部9、コレクタ部10により構成され、イオン・シンクロトロンまたはイオン蓄積リングに据え付けられる。
【0012】
電子ビーム入射部1には、真空容器2が設けられ、その中に電子銃3から電子ビーム4が出射され、加速管または加速ギャップ5を経て電子ビーム用ポート14aに向け送出されるように構成されている。また、コレクタ部10には、減速管または減速ギャップ11、コレクタアノード12、コレクタ13が設けられている。
【0013】
イオンビーム8の冷却性能は、セントラル部7の長さがイオン・シンクロトロンまたはイオン蓄積リングの周長に対して占める割合によって決まる。そこで、イオン・シンクロトロンまたはイオン蓄積リングの決められた直線部に電子ビーム冷却装置を入れなければならず、イオンビーム8の進行方向長さが制限される。
【0014】
イオンビーム8の進行方向長さは、上流側トロイド部6、セントラル部7、下流側トロイド部9により決まるので、セントラル部7を長くするためには上流側トロイド部6および下流側トロイド部9を短くしなければならない。
【0015】
しかしながら、従来、このような構造が実現された例はなく、セントラル部7を長くできるような具体的構造の提供が望まれている。
【0016】
本発明は、上述の点を考慮してなされたもので、電子ビームとイオンビームとを離合させるための、上流側トロイド部および下流側トロイド部のイオンビームの進行方向長さをできるだけ短くし、電子ビーム冷却装置全体のイオンビームの進行方向長さに対して、セントラル部をできるだけ長くした電子ビーム冷却装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明では、次のような発明を提供する。
【0018】
本発明は、電子銃および加速管または加速ギャップを含むソレノイドコイルにより構成され、均一速度の電子ビームをイオンリングに入射する電子ビーム入射部と、前記電子ビームを偏向させて前記イオンリングに入射するための上流側トロイド部と、前記イオンリングから前記電子ビームを偏向し前記イオンリングから出射するための下流側トロイド部と、前記電子ビームとイオンビームとを平行して通過させ、前記イオンビームを冷却するセントラル部と、前記電子ビームを回収するコレクタ部とを備えた電子ビーム冷却装置において、
前記上流側トロイド部および前記下流側トロイド部は、それぞれ互いに分離されたコイルの集合体として形成され、このコイルの集合体の各々は、それぞれ異なる横断面面積を有し、各横断面の少なくとも一側辺の位置が一致するように配され、前記コイルの集合体に対して各々別々に組み合わされる半割状であり、かつ前記コイルの集合体の位置出しを行うものである磁気シールドを有することを特徴とする。
【0019】
この構成では、上流側トロイド部および下流側トロイド部をそれぞれ互いに分離されたコイルの集合体として形成することにより、上流側トロイド部および下流側トロイド部のコイルのうち、真空容器の電子ビーム用ポートだけを跨ぐものはこのポートの方から潜らせ、イオンビーム用ポートと電子ビーム・イオンビーム用ポートとを跨ぐものは電子ビームおよびイオンビーム用ポートの方から潜らせる。
【0020】
この状態で、上流側トロイド部および下流側トロイド部の真空容器をセントラル部の真空容器と締結する。その後に、上流側トロイド部および下流側トロイド部の半割状に形成された磁気シールドをコイルに被せて組み立てる。さらに、上流側トロイド部および下流側トロイド部の半割状に形成された磁気シールドをセントラル部の磁気シールドと締結する。
【0021】
以上の方法により上流側トロイド部および下流側トロイド部の組立を行えば、セントラル部との接続が可能な状態で、上流側トロイド部および下流側トロイド部のイオンビームの進行方向長さを最小にでき、それに応じてセントラル部の長さを増すことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図1ないし図5を参照して説明する。なお、図1ないし図5において従来技術と同等の構成部品については、同一符号を付し、また重複する説明を省略する。
【0023】
(実施の形態1)
図1(a),(b)は、本発明に係る第1の実施の形態による電子ビーム冷却装置の断面を示す平面図および正断面図である。電子ビーム入射部1において、真空容器2内の電子銃3から発生した電子ビーム4は、加速管または加速ギャップ5により加速され、電子ビーム入射部1の上流側トロイド部30を通過してセントラル部7でイオンビーム8と等速度で平行に走行し、イオンビーム8を冷却する。
【0024】
その後、下流側トロイド部31を通過してコレクタ部10のコレクタ13に導かれる。この際、減速管または減速ギャップ11により運動エネルギーを低減してコレクタアノード12を通過するのに支障がない程度まで、電子ビーム4のエネルギーを下げる。
【0025】
これにより、コレクタアノード12とコレクタ13との間に電位差を発生させて、電子ビーム4をコレクタアノード12からコレクタ13に向かって加速し、コレクタ13の内表面に吸収させる。
【0026】
図2(a),(b),(c)および(d)は、上流側トロイド部30および下流側トロイド部31のコイル構成を磁気シールドを半分装着した状態で示した正断面図、平面図、底面図および左側面図である。このように、上流側トロイド部30および下流側トロイド部31をそれぞれ分離されたコイルの集合体として形成することにより、両トロイド部30,31の長さを短くすることができ、それに応じてイオンビーム8の進行方向長さを長くすることができる。
【0027】
これら各コイルの集合体は、それぞれ横断面面積が異なる2つの集合体として構成される。そして、各集合体同士は、軸線位置がずらされて横断面の少なくとも一側辺が一致するように互いに連結される。図2(c),(d)の場合は、図示上辺および図2(d)における右側辺の位置が一致するように連結されている。
【0028】
これにより、集合体同士を連結する際の集合体相互の位置合わせに際して側辺位置を基準にして作業を行うことができ、作業性が良好である。
【0029】
そして、上流側トロイド部30および下流側トロイド部31を半割状に構成された磁気シールド32a,32bに組み合わせて、コイルの位置出しを行う。
【0030】
図3(a),(b),(c)および(d)は、図2に示した上流側トロイド部30および下流側トロイド部31に対して、もう一つの半割状に構成された磁気シールド33a,33bを組み合わせて、2つの半割状磁気シールド32a,32b,33a,33b同士を締結固定した状態を示す正断面図、平面図、底面図および左側面図である。
【0031】
この構造を採用することにより、トロイド部の組立を次のように行うことができる。上流側トロイド部30および下流側トロイド部31のコイルの内、真空容器の電子ビーム用ポート14だけを跨ぐトロイド部上側コイル17は電子ビーム用ポート14の方から潜らせ、イオンビーム用ポート15と電子ビームおよびイオンビーム用ポート16とを跨ぐトロイド部下側コイル18は、電子ビームおよびイオンビーム用ポート16の方から潜らせる。
【0032】
この状態で、電子ビームおよびイオンビーム用ポート16をセントラル部真空容器19と締結する。その後、トロイド部磁気シールド32a,32b,33a,33bをトロイド部上側コイル17およびトロイド部下側コイル18に被せて組み立てる。さらに、トロイド部磁気シールド32a,32b,33a,33bをセントラル部7の磁気シールド21と締結する。
【0033】
この図3に示した構造の場合も、図2に示した構造と同様に、集合体同士を連結する際の集合体相互の位置合わせに際して側辺位置を基準にして作業を行うことができ、作業性が良好である。
【0034】
以上の方法によって、上流側トロイド部30および下流側トロイド部31の組立を行えば、セントラル部7との接続が可能な状態で、上流側トロイド部30および下流側トロイド部31のイオンビーム8の進行方向長さを最小にできる。これにより、電子ビーム冷却装置全体のイオンビーム8の進行方向長さに対して、セントラル部7の長さを長くすることができ、冷却性能の向上を計ることができる。
【0035】
(実施の形態2)
図4は、本発明に係る第2の実施の形態である電子ビーム冷却装置のイオンリングへの設置状態における、電子ビーム重心系での電子ビーム冷却の模式図である。
【0036】
イオンリングへの電子ビーム冷却装置の設置は、図1に示したように、周回しているイオンビーム8を冷却することによってイオンビーム8のエミッタンスを小さくすること、および運動量の広がりを減少させて均一な性質のイオンビーム8を生成することを目的としている。
【0037】
そして、電子銃3で生成された電子ビーム4は、電子ビーム入射部1とセントラル部7との、ソレノイドコイルの磁束密度の比を等しくする場合、あるいは電子ビーム入射部1およびセントラル部7のソレノイドコイルの磁束密度を大きくして断熱膨張法により低温化される場合に対して、周回するイオンビーム8と合流させる。
【0038】
電子ビーム重心系でみた場合、図4に示すように、電子粒子28は、ソレノイド磁場27に巻き付き、小さなラーマー半径で円運動を行っている。
【0039】
他方、イオンビームは電子ビームより温度が高いため、イオン粒子29は電子粒子28に対してバラバラな方向に運動している。このため、イオン粒子29は、それ自体よりも質量が圧倒的に小さい電子粒子28を標的に運動してエネルギー損失を起こし、次第に電子ビーム重心系に対する運動量を失う。
【0040】
すなわち、イオンビーム8(図1)の運動量の広がりの減少に加え、位相空間内でのビームの広がりを示すエミッタンスを縮小することができる。そして、セントラル部7(図1)を長くしてイオンリングの周長に対する割合を大きくすることにより、イオンビームに対する冷却性能を改善することができ、イオンビームの運動量の減少、位相空間内でのエミッタンスの縮小を実現することができる。
【0041】
この実施の形態にしたがって、イオンビームのビーム広がりまたは運動量の広がりを小さくすることにより、入射したイオンビームの特性を改善し、様々な応用に用いることができる。
【0042】
例えば、イオンビームが冷却されることによってイオンビームのサイズが小さくなる効果を利用して、イオンビームの追加入射を行い蓄積イオン粒子数を飛躍的に増大させることができる。蓄積イオン粒子数を増大させて、入射エネルギーのまま、あるいは加速して他の電子、光子等との反応の頻度を増大させ、効率の良い測定を行うことができる。蓄積イオン粒子数を飛躍的に増大させて、そのまま出射することもできる。
【0043】
また、例えばイオンリングの途中に標的を置き、この標的に対するイオンビームのスポットを小さくして、発生する二次ビームの性質を精度良く測定することが可能となる。この場合、イオンビームの運動量の広がりも小さくなっているので、二次ビーム測定の精度も良くなる。また、このとき、標的との衝突により増大したイオンビーム8のエミッタンス、運動量の広がりを電子ビーム4の冷却効果により再び減少させることができる。
【0044】
また、入射時のイオンビーム8の特性が改善した状態において、そのままイオンビームを出射すれば、エミッタンス、運動量の広がりが小さいビームを供給できる。このビームを標的に当てて、それに応じて生じる原子核、原子反応を精度良く測定することができる。
【0045】
また、追加入射を行った後に出射されたイオンビームは、パルス当たり粒子数が飛躍的に増大するので、何らかの標的との衝突により生じる単位時間当たりの反応が多くなり、S/N比の良い測定を行うことができる。
【0046】
これらの効果により、二次ビームを用いた診断・治療、一次ビームを用いた診断・治療および物理実験に貢献させることができる。また、入射時のイオンビームの特性改善をした状態で、所定の射出エネルギーまで加速し、出射した場合にも、イオンビームは特性改善されており、前述と同様に、二次ビームを用いた診断・治療、一次ビームを用いた診断・治療および物理実験に貢献することができる。
【0047】
(実施の形態3)
図5は、本発明に係る第3の実施の形態としての電子ビーム冷却装置のイオン蓄積リングまたはイオン・シンクロトロンへの設置状態を示すものである。イオン蓄積リングまたはイオン・シンクロトロンは、偏向電磁石22、4極電磁石23、真空ダクト24、加速空洞25等により構成される。
【0048】
ここで、電子ビーム冷却装置26をイオン蓄積リングまたはイオン・シンクロトロンに設置することにより、電子ビーム4を周回するイオンビーム8に対し合流させて、イオンビーム8の運動量の減少に加え、位相空間内でのイオンビーム8の広がりを表すエミッタンスを少なくすることができる。
【0049】
すなわち、イオンリングの入射エネルギーまたは最大エネルギーにおけるイオンビーム8のエミッタンスを小さくできる。イオンビーム8のエミッタンスを改善することにより、出射ビーム特性が改善される。したがって、ビーム利用に対する有効な手段となる。そして、一次ビームまたは二次ビームを用いた診断・治療をはじめとする、高精度重粒子線治療および物理実験に貢献できる。
【0050】
このように構成することにより、イオン蓄積リングまたはイオン・シンクロトロン・リングのビーム運動量の広がりを減少させ、また、エミッタンスを縮小させることによって、入射したイオンビームの特性改善を計ることができる。
【0051】
また、ビームの最大エネルギーでのイオンビームの特性を改善することにより、出射したイオンビームは、二次ビームを用いた診断・治療、一次ビームを用いた診断・治療および物理実験に利用することができる。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、上述のように、電子ビームとイオンビームとを離合させるための上流側トロイド部および下流側トロイド部を互いに分離されたコイルの集合体として形成するとともに、上流側トロイド部および下流側トロイド部の磁気シールドを半割の組合せ構造としたため、上流側トロイド部および下流側トロイド部のイオンビームの進行方向長さをできるだけ短く、かつ電子ビーム冷却装置全体のイオンビームの進行方向長さに対してセントラル部をできるだけ長くすることができる。したがって、イオンビームの冷却能力を高めることができ、性能向上を計ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施の形態による電子ビーム冷却装置の断面図および上面図。
【図2】図2(a),(b),(c)および(d)は、上流側トロイド部および下流側トロイド部のコイル構成を示した正断面図、平面図、底面図および左側面図。
【図3】図3(a),(b),(c)および(d)は、図2に示した上流側トロイド部および下流側トロイド部に対して、2つの半割状磁気シールド同士を締結固定した状態を示す正断面図、平面図、底面図および左側面図。
【図4】本発明に係る第2の実施の形態による電子ビーム冷却装置のイオンリングへの設置状態における電子ビーム重心系での電子ビーム冷却の模式図。
【図5】本発明に係る第3の実施の形態による電子ビーム冷却装置のイオン蓄積リングまたはイオン・シンクロトロンへの設置状態を示す説明図。
【図6】従来の電子ビーム冷却装置の断面図および上面図。
【図7】従来の電子ビーム冷却装置の断面図および上面図。
【符号の説明】
1 電子ビーム入射部、2 真空容器、3 電子銃、4 電子ビーム、
5 加速管または加速ギャップ、6 上流側トロイド部、7 セントラル部、
8 イオンビーム、9 下流側トロイド部、10 コレクタ部、
11 減速管または減速ギャップ、12 コレクタアノード、13 コレクタ、
14 電子ビーム用ポート、15 イオンビーム用ポート、
16 電子ビームおよびイオンビーム用ポート、17 トロイド部上側コイル、
18 トロイド部下側コイル、19 セントラル部真空容器、
20 トロイド部磁気シールド、21 セントラル部磁気シールド、
22 偏向電磁石、23 四極電磁石、24 真空ダクト、
25 電子ビーム冷却装置、26 電子ビームおよびイオンビーム、
27 ソレノイド磁場、28 電子粒子、29 イオン粒子、
30 上流側トロイド部、31 下流側トロイド部、
32a,32b,33a,33b 磁気シールド。
Claims (2)
- 電子銃および加速管または加速ギャップを含むソレノイドコイルにより構成され、均一速度の電子ビームをイオンリングに入射する電子ビーム入射部と、前記電子ビームを偏向させて前記イオンリングに入射するための上流側トロイド部と、前記イオンリングから前記電子ビームを偏向し前記イオンリングから出射するための下流側トロイド部と、前記電子ビームとイオンビームとを平行して通過させ、前記イオンビームを冷却するセントラル部と、前記電子ビームを回収するコレクタ部とを備えた電子ビーム冷却装置において、
前記上流側トロイド部および前記下流側トロイド部は、それぞれ互いに分離されたコイルの集合体として形成され、このコイルの集合体の各々は、それぞれ異なる横断面面積を有し、各横断面の少なくとも一側辺の位置が一致するように配され、前記コイルの集合体に対して各々別々に組み合わされる半割状であり、かつ前記コイルの集合体の位置出しを行うものである磁気シールドを有する
ことを特徴とする電子ビーム冷却装置。 - 前記コイルの集合体同士は、軸線位置がずらされて横断面の少なくとも一側辺の位置が一致するように互いに連結されることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム冷却装置。
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