JP4043209B2 - 複同調回路 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、特にUHFテレビジョンチューナに好適な複同調回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の複同調回路の構成を図6に示す。絶縁基板11上には一次同調回路12と二次同調回路13とが構成される。一次同調回路12は線材を巻き回して形成したコイル12a、表面実装型のバラクタダイオード12b、チップコンデンサ12c等を有し、これらが絶縁基板11上に取り付けられる。取り付けられたこれらの部品は、絶縁基板11上に形成した配線導体11aによって互いに接続されて並列同調回路を構成する。そして、コイル12aの一端が導体パターン11bに接続され、導体パターン11bは接地される。コイル12aの他端に接続された配線導体11aは入力端となる。
【0003】
同様に、二次同調回路13は線材を巻き回して形成したコイル13a、表面実装型のバラクタダイオード13b、チップコンデンサ13c等を有し、これらが絶縁基板11上に取り付けられる。コイル13aは一次側のコイル12aに対向して取り付けられる。取り付けられたこれらの部品は、絶縁基板11上に形成した配線導体11cによって互いに接続されて並列同調回路を構成する。そして、コイル13aの一端は導体パターン11bに接続される。また、コイル13aの他端に接続された導体パターン11cが出力端となる。
【0004】
絶縁基板11上には図示しない他の回路に電源電圧や同調電圧等を供給するための帯状の配線導体14が設けられるが、この配線導体14を利用して複同調回路にイメージトラップ機能を付加している。この場合は、配線導体14は一次同調回路12と二次同調回路13とのホット側に近接して設けられている。このため、配線導体14は必然的に一次同調回路12の入力端11aと二次同調回路13の出力端11cにも近接する。この結果、配線導体14と一次同調回路12の入力端11aとの間に浮遊容量が介在し、同様に、配線導体14と二次同調回路13の出力端11cとの間にも浮遊容量が介在する。
【0005】
以上の構成で、コイル12a(13a)のインダクタンスをL、二つのコイル12a、13a間の相互インダクタンスをM、バラクタダイオード12b(13b)とチップコンデンサ12c(13c)との合成容量をC、上記の浮遊容量をCs、さらに、コイル12a、13a同士による直接、あるいは絶縁基板11を介しての浮遊容量をCcとすれば、複同調回路は図7に示す等価回路で表される。そして、浮遊容量Cs、Ccと直列接続の二つのインダクタンスL−Mとによって並列共振回路(トラップ回路)が構成される。
【0006】
この共振周波数(トラップ周波数)を、受信すべきテレビジョン信号に対するイメージ周波数に設定することでイメージトラップを構成している。トラップ周波数の設定は配線導体14と入力端11aおよび出力端11cとの間隔、或いはコイル12a、13a同士の間隔によって調整される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、テレビジョンチューナの小型化が進むと、配線導体14と一次同調回路12及び二次同調回路13との間隔が狭くなり、その間に形成される浮遊容量Csは大きくなる。また、コイル12a、13a同士の間隔も狭くなる。そのため、図8の同調特性曲線に示すように、トラップ周波数は目標とするイメージ周波数に対して低くなり、イメージ周波数では跳ね返りの特性によって減衰Aが少なくなり、イメージ妨害が悪化するという問題があった。
【0008】
本発明では、テレビジョンチューナの小型化によって一次同調回路及び二次同調回路と他の配線導体との間隔が狭くなり、また、一次同調回路と二次同調回路との間隔が狭くなっても、トラップ周波数を目標とするイメージ周波数に合わせられるようにすることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
以上述べた課題を解決するため、本発明では、絶縁基板と、互いに誘導結合するように前記絶縁基板上に対向して配置されたコイルを有する一次同調回路及び二次同調回路と、少なくとも前記一次同調回路の入力端と前記二次同調回路の出力端とに近接して前記絶縁基板上に形成された帯状の配線導体とを有し、前記絶縁基板上には前記一次同調回路と前記二次同調回路との間の領域に第一の導体を設け、前記第一の導体を接地し、前記一次同調回路の入力端及び前記二次同調回路の出力端と前記配線導体との間で構成される浮遊容量と前記コイルのインダクタンスとで並列共振回路を構成し、前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定した
【0010】
また、前記第一の導体の長さを調整して前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定した
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の複同調回路の構成を図1に示す。絶縁基板1上には一次同調回路2と二次同調回路3とが構成される。一次同調回路2は線材を巻き回して形成したコイル2a、表面実装型のバラクタダイオード2b、チップコンデンサ2c等を有し、これらが絶縁基板1上に取り付けられる。取り付けられたこれらの部品は絶縁基板1に形成した配線導体1aによって互いに接続されて並列同調回路を構成する。そして、コイル2aの一端に導体パターン1bが接続され、導体パターン1bは接地される。また、コイル1aの他端に接続された配線導体1aが一次同調回路2の入力端となる。
【0012】
同様に、二次同調回路3は線材を巻き回して形成したコイル3a、表面実装型のバラクタダイオード3b、チップコンデンサ3c等を有し、これらが絶縁基板1上に取り付けられる。二次同調回路3のコイル3aは一次同調回路2のコイル2aに対向して取り付けられる。取り付けられたこれらの部品は絶縁基板1に形成した導体1cによって互いに接続されて並列同調回路を構成する。そして、コイル3aの一端が導体パターン1bに接続される。また、コイル3aの他端に接続された配線導体1cが二次同調回路3の出力端となる。
【0013】
そして、一次同調回路2の入力端である配線導体1aが前段の高周波増幅回路4に接続され、二次同調回路3の出力端である配線導体1cが次段の混合回路5に接続される。
【0014】
絶縁基板1上には高周波増幅回路4あるいは混合回路5に電源電圧等を供給するための帯状の配線導体6等が設けられるが、この配線導体6を利用して複同調回路にイメージトラップ機能を付加している。この場合は、配線導体6は一次同調回路2と二次同調回路3とのホット側に近接して設けられている。このため、配線導体4は必然的に一次同調回路2の入力端と二次同調回路3の出力端にも近接し、配線導体6と一次同調回路2の入力端である配線導体1aとの間に浮遊容量が介在し、同様に、配線導体6と二次同調回路3の出力端である配線導体1cとの間にも浮遊容量が介在する。
【0015】
さらに、絶縁基板1上には、一次同調回路2のコイル2aと二次同調回路3のコイル3aとが取り付けられた間の領域に第一の導体7が形成される。第一の導体7は各コイル2a、3aの軸心方向にそって帯状に形成される。
【0016】
このため、コイル2a、3a同士の間に形成される浮遊容量(従来のCc)は第一の導体7によって減少し、二つのコイル2a、3a間には実質的に、配線導体6による浮遊容量のみが介在することになる。そこで、コイル2a(3a)のインダクタンスをL、二つのコイル2a、3a間の相互インダクタンスをM、バラクタダイオード2b(3b)とチップコンデンサ2c(3c)との合成容量をC、配線導体6による浮遊容量をCsとすれば、複同調回路は図2に示す等価回路で表される。
【0017】
従って、浮遊容量Csと直列接続の二つのインダクタンスL−Mとによって構成される並列共振回路がトラップ回路として機能し、そのトラップ周波数(共振周波数)は図3に示すように高くなる。この周波数をほぼイメージ周波数に合致するよに設定することで減衰Bを大きくなり、イメージ妨害が改善する。トラップ周波数は第一の導体7の長さを調整によって調整する。
【0018】
図4は他の実施形態を示す。図4では一次同調回路2及び二次同調回路3と配線導体6との間に、少なくとも一次同調回路2の入力端である配線導体1aと二次同調回路3の出力端である配線導体1cとに近接する帯状の第二の導体8を設けている。そして、この第二の導体8を接地する。第一の導体7が設けられているときには第一の導体7に接続してもよい。これによって、配線導体6によって介在する浮遊容量Csが減少し、二つのコイル2a、3a間には実質的に、直接或いは絶縁基板を介する浮遊容量のみとなる。
【0019】
その結果、コイル2a(3a)のインダクタンスをL、二つのコイル2a、3a間の相互インダクタンスをM、バラクタダイオード2b(3b)とチップコンデンサ2c(3c)との合成容量をC、二つのコイル2a、3a間の直接或いは絶縁基板1を介する浮遊容量をCcとすれば、複同調回路は図5に示す等価回路となり、図3のような同調特性が得られ、共振周波数は高くなる。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように、絶縁基板と、互いに誘導結合するように前記絶縁基板上に対向して配置されたコイルを有する一次同調回路及び二次同調回路と、少なくとも前記一次同調回路の入力端と前記二次同調回路の出力端とに近接して前記絶縁基板上に形成された帯状の配線導体とを有し、前記絶縁基板上には前記一次同調回路と前記二次同調回路との間の領域に第一の導体を設け、前記第一の導体を接地し、前記一次同調回路の入力端及び前記二次同調回路の出力端と前記配線導体との間で構成される浮遊容量と前記コイルのインダクタンスとで並列共振回路を構成し、前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定したので、一次同調回路のコイルと二次同調回路のコイルと間に直接或いは絶縁基板を介して介在する浮遊容量が減少し、当該浮遊容量と前記コイルのインダクタンスとによって形成される並列共振回路がトラップ回路として機能し、当該トラップ回路のトラップ周波数(共振周波数)をイメージ周波数に設定しているので、減衰を大きくすることができる。従ってイメージ妨害が改善される。
【0021】
また、前記第一の導体の長さを調整して前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定したので、第一の導体の長さを調整することによって簡単に共振周波数(イメージ周波数)を適正値に調整することができ、より確実にイメージ妨害を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の複同調回路の構成を示す上面図である。
【図2】本発明の複同調回路の等価回路図である。
【図3】本発明の複同調回路の特性図である。
【図4】本発明の複同調回路の他の構成を示す上面図である。
【図5】本発明の複同調回路の他の構成の等価回路図である。
【図6】従来の複同調回路の構成を示す上面図である。
【図7】従来の複同調回路の等価回路図である。
【図8】従来の複同調回路の特性図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
1a、1c 配線導体
1b 導体パターン
2 一次同調回路
2a コイル
2b バラクタダイオード
2c チップコンデンサ
3 二次同調回路
3a コイル
3b バラクタダイオード
3c チップコンデンサ
4 高周波増幅回路
5 混合回路
6 配線導体
7 第一の導体
8 第二の導体

Claims (2)

  1. 絶縁基板と、互いに誘導結合するように前記絶縁基板上に対向して配置されたコイルを有する一次同調回路及び二次同調回路と、少なくとも前記一次同調回路の入力端と前記二次同調回路の出力端とに近接して前記絶縁基板上に形成された帯状の配線導体とを有し、前記絶縁基板上には前記一次同調回路と前記二次同調回路との間の領域に第一の導体を設け、前記第一の導体を接地し、前記一次同調回路の入力端及び前記二次同調回路の出力端と前記配線導体との間で構成される浮遊容量と前記コイルのインダクタンスとで並列共振回路を構成し、前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定したことを特徴とする複同調回路。
  2. 前記第一の導体の長さを調整して前記並列共振回路の共振周波数をイメージ周波数に設定したことを特徴とする請求項1に記載の複同調回路。
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