JP4037284B2 - 静止型無効電力補償装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサを半導体素子によりオン・オフさせる静止型無効電力補償装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
コンデンサをオン・オフさせ無効電力を制御する静止型無効電力補償装置(以下、TSCと略す。TSC:Thyristor Switched Capacitor)には、コンデンサをオン・オフさせるためのスイッチとして半導体素子が用いられている。TSCは交流電力調整を行うことから電流を双方向に通電させる必要があるため、図5に示すように半導体素子はアーム2、3Aの如く逆並列接続となる。通常、半導体素子にはサイリスタが用いられ、ゲート発生装置からのゲート信号により双方向の通電を行っている。以下、サイリスタを用いた場合のTSCについて記述する。
【0003】
サイリスタは所定の電圧に耐えるよう複数個直列接続されるが、サイリスタの直列数は、図3の(a)に示すように、TSCが停止した後のコンデンサ1に充電された直流電圧に電源の交流電圧が重畳した電圧に耐えるよう設計される。コンデンサに充電される直流電圧の極性は、TSCが停止する直前に通電していたサイリスタの方向で決定される。サイリスタは電流が零になることでオフするので、図6に示すように、TSC停止指令を受けた後の電流零点で3相それぞれがオフする。
【0004】
すると、コンデンサに充電される直流電圧は、必ず3相のうち2相は同極性、残る1相は逆極性となり、TSC停止指令とアーム2またはアーム3Aの通電時期により、アーム2、3Aには直流電圧に交流電圧の重畳した波形が、正極性、負極性のどちらかで印加されることになる。
【0005】
更に、コンデンサ1に充電された直流電圧を放電するため、図5に示すように、各コンデンサ1にはコンデンサ放電装置7が別に設けられている。TSC停止後、コンデンサ放電装置7を動作させ、コンデンサ1に充電された電荷を放電させる。
【0006】
なお、コンデンサを、逆並列接続した一対のサイリスタによりオン・オフさせるTSCにおいて、コンデンサの初期充電が必要な場合に、充電時の突入電流による異常電圧を抑制するために充電をソフトスタートさせる技術は、既に知られている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
【特許文献1】
実開平6−75016号公報(第1頁、図1)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、サイリスタとしては、コンデンサの直流電圧と電源の交流電圧が重畳した電圧の正極性・負極性共に耐えるよう直列数を決定しておく必要があり、数多くのサイリスタを必要とし、また各コンデンサには放電装置を必要としていた。
【0009】
従来、このような課題を解決する技術は知られておらず、特許文献1にも、このような課題を解決する技術、すなわち、サイリスタ数の低減や、放電装置の不要化については、開示されていない。
【0010】
そこで、本発明の目的は、必要とするサイリスタの数を低減し、また放電装置を不要とすることも可能で、安価な静止型無効電力補償装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は、コンデンサを、ゲート信号により導通する半導体素子を含む第1および第2の回路を逆並列に接続した回路によりオン・オフさせる静止型無効電力補償装置において、第1の回路はその全てをゲート信号により導通する半導体素子で構成するとともに、第2の回路はその一部をゲート信号により導通する半導体素子、残る一部をダイオードで構成し、静止型無効電力補償装置を停止させる場合に、第2の回路の側で導通が止まるように半導体素子に供給するゲート信号を制御するゲート信号供給制御手段を備えたことを特徴とする。
【0012】
このような構成の本発明によれば、第2の回路の一部を安価なダイオードとすることで、第2の回路の全素子をゲート信号により導通する半導体素子にする必要がなく、静止型無効電力補償装置を安価なものとすることができ、また、ゲート信号を供給するゲート信号伝送路の削減が可能となる。
【0013】
ここで、さらに、ゲート信号供給制御手段を、静止型無効電力補償装置停止後、コンデンサの電荷を放電させるために、パルス状のゲート信号を周期的に第1の回路の半導体素子に供給し、第1の回路の半導体素子に供給されるパルス状のゲート信号から半周期遅れたタイミングでパルス状のゲート信号を周期的に第2の回路の半導体素子に供給するように制御するものとすることもできる。
また、ゲート信号供給制御手段を、静止型無効電力補償装置停止後、コンデンサの電荷を放電させるために、所定の信号レベルが継続する連続波形状のゲート信号を、前記第1および第2の回路の半導体素子にそれぞれ供給するように制御するものとすることもできる。
【0014】
このような構成とすることで、コンデンサの放電装置を設置する必要がなくなる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
【0016】
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係るTSCについて説明する。
【0017】
図1は、この実施形態の主要部の構成を示す図、図2は、この実施形態の動作を説明するための、各相の電流波形およびゲートを制御するための信号を示す図である。
【0018】
図1において、1はコンデンサ、2は図2(a)の正極性電流を通電する半導体素子をM個直列接続したアーム、3は図2(a)の負極性電流を通電する半導体素子をN個直列接続したアーム、4、5、6は3相の各電流を示す。なお、7はコンデンサ放電装置である。
【0019】
図2(a)において、8、9、10は図1の相4、5、6の電流に対応する電流波形で、TSC停止指令を受けた後の各相の負極性電流の通電後の電流零点で3相それぞれがオフする様子を示したものである。また、図2の(b)〜(k)はTSC停止指令を受けた後の各相の負極性電流の通電後の電流零点で3相それぞれをオフするようにゲートを制御するための信号を示したものである。
【0020】
TSC停止指令によりアーム2またはアーム3の電流4の通電を止めるのに、アーム3による負極性電流を通電した後の電流零点で行うように制御する。
【0021】
例えば、電流4の相については、TSCの運転中は、アーム2およびアーム3のサイリスタには、図示しないゲート制御装置から図2に示すようなゲート信号(c)、(d)がそれぞれ供給されているが、図示しないゲート制御装置においては、TSC停止指令のゲート信号を受けた後は、図2に示すTSC停止指令信号(b)と、負極性電流通電期間に相当する信号(e)とのANDが成立したときそれ以降のアーム2へのゲート信号(c)の供給を停止するとともに、ANDが成立してから少し遅れてそれ以降のアーム3へのゲート信号(d)の供給も停止するように制御する。従って、アーム2またはアーム3の電流4は、図2(a)の8で示すように、負極性電流を通電した後の電流零点でストップする。
【0022】
電流5についても同様に、TSC停止指令信号(b)と負極性電流通電期間に相当する信号(h)とのANDの成立でそれ以降のアーム2へのゲート信号(f)の供給を停止し、ANDが成立してから少し遅れてそれ以降のアーム3へのゲート信号(g)の供給も停止するように制御する。従って、電流5は、図2(a)の9で示すように、負極性電流を通電した後の電流零点でストップする。
【0023】
更に、電流6についても、TSC停止指令信号(b)と負極性電流通電期間に相当する信号(k)とのANDの成立でそれ以降のアーム2へのゲート信号(i)の供給を停止し、ANDが成立してから少し遅れてそれ以降のアーム3へのゲート信号(j)の供給も停止するように制御する。従って、電流6は、図2(a)の10で示すように、負極性電流を通電した後の電流零点でストップする。
【0024】
以上のように、TSC停止指令を受けた後の各相の電流波形は図2(a)のようになり、コンデンサ1に充電される極性は図1のように、アーム2には順方向電圧、アーム3には逆方向電圧となる。このときの電圧波形を図3に示す。3相とも同一方向にコンデンサが充電される。
【0025】
図3において(a)はコンデンサが充電されている時の波形、(b)はコンデンサが放電し終えたときの波形を示す。コンデンサが充電されている時の図3の(a)では、アーム2には直流電圧と交流電圧が重畳した波形が順方向に印加され、アーム3には直流電圧と交流電圧が重畳した波形が逆方向に印加されることになる。また、コンデンサが放電し終えたときの図3の(b)では、アーム2、3とも順方向、逆方向に等しい交流電圧が印加されることになる。
【0026】
そこで、アーム2は直流電圧と交流電圧が重畳した波形が順方向に印加されても順方向耐電圧を有するよう全ての半導体素子をサイリスタとする。コンデンサ1の放電後には、アーム2には順方向、逆方向とも電圧が印加されるが、サイリスタは逆方向耐電圧も有するので、耐電圧は十分有する。
【0027】
続いて、アーム3は直流電圧と交流電圧が重畳した波形が逆方向に印加されても逆方向耐電圧を有するよう一部の半導体素子をサイリスタ、残る一部の半導体素子をダイオード(整流素子)とする。コンデンサ放電装置7を用いてコンデンサ1を放電させた後には、アーム3には順方向、逆方向とも電圧が印加され、ダイオードでは順方向電圧をブロックすることはできないが、アーム3の一部の半導体素子をサイリスタとすることで順方向耐電圧も有し、耐電圧は十分有する。
【0028】
前述のアーム2の半導体直列数Mは直流電圧と交流電圧が重畳した波形が順方向に印加されても耐えうる個数となる。アーム3の半導体直列数Nは、コンデンサ1放電後の交流電圧に耐えうるよう設計したサイリスタ個数N1と、コンデンサ1に充電された直流電圧に耐えうるよう設計したダイオード個数N2との合計となる。
【0029】
以上のように構成されたこの実施形態において、アーム3の一部をダイオードとすることで、図示しないゲート発生装置のゲート信号回路の一部を削減でき、またゲート発生装置からアーム3へのゲート信号伝送路の削減が可能となる。
【0030】
さらに、アーム3の一部を安価なダイオードとすることで、より安価な静止型無効電力補償装置を提供することができる。
【0031】
なお、上述の説明では、アーム2はサイリスタをM個直列に接続した一列のものとしたが、一列のものに限らず、サイリスタをM個直列に接続したものを複数列並列に接続したものとしてもよい。また、アーム3についても、一列のものに限らず、サイリスタN1個とダイオードN2個とを直列に接続したものを複数列並列に接続したものとしてもよい。
【0032】
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係るTSCについて説明する。この第2の実施形態は、3相のアーム2、3にゲート信号を与えることで、コンデンサ1の電荷の放電を行うようにしたもので、前述の第1の実施形態におけるコンデンサ放電装置7を不要としたものである。
【0033】
図4は、この実施形態の動作を説明するための、放電電流波形およびゲートを制御するための信号を示す図である。
【0034】
前述の第1の実施形態において、TSC停止後、コンデンサ1は3相全て同一方向に充電されているので、3相のアーム2、3のサイリスタに図示しないゲート発生装置からゲート信号を与えることで、コンデンサ1からの放電が可能となる。すなわち、3相のアーム2のサイリスタに図示しないゲート発生装置から図4に示すゲート信号(b)を与えることで、コンデンサ1は逆方向に充電されるので、次はアーム3のサイリスタに図示しないゲート発生装置から図4に示すゲート信号(c)を与える。するとコンデンサ1はTSC停止後と同じ方向に充電される。
【0035】
このように、アーム2、3に周期的に図示しないゲート発生装置からゲート信号(b)、(c)を与えることで、半導体素子の抵抗や回路の抵抗で放電電流は減衰していき、コンデンサ1からの放電電流は図4(a)のように振動波形となり、やがてコンデンサ1の電荷は零になる。
【0036】
なお、アーム2、3のサイリスタにそれぞれ図4に示すゲート信号(b)、(c)を与える代わりに、それぞれ図4に示すゲート信号(d)、(e)を与えてもよい。
【0037】
この第2の実施形態によれば、コンデンサ1専用の放電装置7を設けることなく、コンデンサ1の放電が可能となり、より安価な静止型無効電力補償装置を提供することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上のような構成の本発明によれば、使用する半導体素子の一部を安価なダイオードとすることができ、より安価な静止型無効電力補償装置を提供できる。
【0039】
また、コンデンサ専用の放電装置を設けることなく、コンデンサの放電を可能とし、より安価な静止型無効電力補償装置を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係るTSCの主要部の構成を示す図。
【図2】 第1の実施形態の動作を説明するための、各相電流波形およびゲートを制御するための信号を示す図。
【図3】 第1の実施形態における各アームに印加される電圧波形を示す図。
【図4】 第2の実施形態の動作を説明するための、放電電流波形およびゲートを制御するための信号を示す図。
【図5】 従来のTSCの主要部の構成を示す図。
【図6】 従来のTSCの各相電流波形を示す図。
【符号の説明】
1…コンデンサ
2…正極性電流通電アーム
3…負極性電流通電アーム
4、5、6…各アーム通電電流
7…コンデンサ放電装置
8、9、10…各アーム通電電流波形

Claims (3)

  1. コンデンサを、ゲート信号により導通する半導体素子を含む第1および第2の回路を逆並列に接続した回路によりオン・オフさせる静止型無効電力補償装置において、前記第1の回路はその全てをゲート信号により導通する半導体素子で構成するとともに、前記第2の回路はその一部をゲート信号により導通する半導体素子、残る一部をダイオードで構成し、静止型無効電力補償装置を停止させる場合に、前記第2の回路の側で導通が止まるように前記半導体素子に供給するゲート信号を制御するゲート信号供給制御手段を備えたことを特徴とする静止型無効電力補償装置。
  2. 前記ゲート信号供給制御手段は、静止型無効電力補償装置停止後、前記コンデンサの電荷を放電させるために、パルス状のゲート信号を周期的に前記第1の回路の半導体素子に供給し、前記第1の回路の半導体素子に供給される前記パルス状のゲート信号から半周期遅れたタイミングでパルス状のゲート信号を周期的に前記第2の回路の半導体素子に供給するように制御するものであることを特徴とする請求項1に記載の静止型無効電力補償装置。
  3. 前記ゲート信号供給制御手段は、静止型無効電力補償装置停止後、前記コンデンサの電荷を放電させるために、所定の信号レベルが継続する連続波形状のゲート信号を、前記第1および第2の回路の半導体素子にそれぞれ供給するように制御するものであることを特徴とする請求項1に記載の静止型無効電力補償装置
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