CN110999061A - 交流开关及具备该交流开关的不间断电源装置和电压暂降补偿装置 - Google Patents

Abstract

交流开关(1)具备第一晶闸管(T1)、第二晶闸管(T2)、第三晶闸管(T3)及第四晶闸管(T4)。第一晶闸管(T1)的阳极连接于交流电源(2)，阴极连接于负载(3)。第二晶闸管(T2)与第一晶闸管(T1)反并联连接。第三晶闸管(T3)的阳极连接于交流电源(2)，阴极连接于负载(3)。第四晶闸管(T4)与第三晶闸管(T3)反并联连接。电流检测器(5)检测由交流电源(2)被供给负载(3)的交流电流。控制装置(6)根据电流检测器(5)的检测值，在交流电流的每一周期使第一晶闸管(T1)及第三晶闸管(T3)交替地导通，而且使第二晶闸管(T2)及第四晶闸管(T4)交替地导通。

Description

交流开关及具备该交流开关的不间断电源装置和电压暂降补 偿装置

技术领域

本发明涉及交流开关及具备该交流开关的不间断电源装置和电压暂降补偿装置。

背景技术

在不间断电源装置和电压暂降补偿装置等中，有的具备用于对交流电源和负载之间的电连接及断开进行快速切换的交流开关。作为这样的交流开关，由反并联连接的一对晶闸管构成的晶闸管开关被广为采用(例如，参照日本特开昭58－21925号公报(专利文献1))。

另一方面，在采用功率用半导体开关元件(下面，也简称为“开关元件”)的电路中，为了抑制因该开关元件的发热引起的温度上升，有的电路构成为将多个开关元件电气地并联连接，通过该多个开关元件分担而使电流流过。由此，在一个开关元件流过的电流减小，因而还能够减小开关元件的发热量。因此，在上述的交流开关中，通过采用这种结构将多个晶闸管元件并联连接，能够抑制各晶闸管开关的温度上升。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭58－21925号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在多个开关元件的并联电路中，当开关元件的电气特性存在偏差时，在多个开关元件之间不能均等地分担电流，存在电流有偏倚地仅流过一部分开关元件的情况。其结果是，随着在并联电路中流过的电流增大，这一部分开关元件的发热量有可能明显增加。

在此，为了在多个开关元件之间使电流的分担均衡，例如可以采用将电抗器与开关元件串联连接的方法、或者由电气特性相同的多个开关元件构成并联电路的方法。但是，在前者的方法中，由于电抗器的设置将导致电路的大型化及高成本化。另外，在后者的方法中，需要测定每个开关元件的电气特性来选择开关元件的新工序，导致产生制造工序复杂化的问题。

另外，当在交流开关中采用多个晶闸管开关的并联电路的情况下，需要在该多个晶闸管开关之间使通电电流同步。为了在多个晶闸管开关之间使通电电流同步，例如可以采用这样的结构：在交流开关的控制装置内设置同步控制电路，使用该同步控制电路使施加给各晶闸管开关的门控信号与交流电源同步。但是，由于设置同步控制电路而使电路结构变复杂，担心会导致装置的大型化及高成本化。

本发明正是为了解决这样的问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种能够以简易的结构抑制开关元件的温度上升的交流开关、以及具备该交流开关的不间断电源装置和电压暂降补偿装置。

用于解决课题的手段

本发明的交流开关用于对交流电源和负载的电连接及断开进行切断，该交流开关具备第一晶闸管、第二晶闸管、第三晶闸管及第四晶闸管。第一晶闸管的阳极被连接于交流电源，阴极被连接于负载。第二晶闸管与第一晶闸管反并联连接。第三晶闸管的阳极被连接于交流电源，阴极被连接于负载。第四晶闸管与第三晶闸管反并联连接。交流开关还具备电流检测器及控制装置。电流检测器检测由交流电源被供给负载的交流电流。控制装置控制第一～第四晶闸管的导通及非导通。控制装置根据电流检测器的检测值，在交流电流的每一周期使第一晶闸管及第三晶闸管交替地导通，而且使第二晶闸管及第四晶闸管交替地导通。

发明效果

根据本发明，能够提供一种能够以简易的结构抑制开关元件的温度上升的交流开关、以及具备该交流开关的不间断电源装置和电压暂降补偿装置。

附图说明

图1是有关本实施方式1的交流开关的概略结构图。

图2是用于说明负载电流和施加给第一晶闸管的门控信号及施加给第三晶闸管的门控信号的关系的图。

图3是用于说明负载电流和施加给第二晶闸管的门控信号及施加给第四晶闸管的门控信号的关系的图。

图4是用于说明通过图2及图3所示的晶闸管的控制而流过各晶闸管开关的电流的图。

图5是表示图1所示的控制装置的结构的框图。

图6是用于说明负载电流和施加给第一晶闸管的门控信号及施加给第三晶闸管的门控信号的关系的图。

图7是用于说明负载电流和施加给第二晶闸管的门控信号及施加给第四晶闸管的门控信号的关系的图。

图8是用于说明通过图6及图7所示的晶闸管的控制而流过各晶闸管开关的电流的图。

图9是有关本实施方式2的交流开关的控制装置的结构的框图。

图10是有关本实施方式3的不间断电源装置的整体结构图。

图11是有关本实施方式4的电压暂降补偿装置的整体结构图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，下面对附图中相同或者相当的部分标注相同的标号，并且原则上不重复进行说明。

[实施方式1]

图1是有关本发明的实施方式1的交流开关的概略结构图。

参照图1，有关本发明的实施方式1的交流开关1连接于交流电源2及负载3之间，用于对交流电源2和负载3的电连接及断开进行切换。另外，在图1及以下说明的附图中，为了附图及说明的简化，仅代表性地示出了有关一相的电路。但是，交流电源2既可以是单相交流电源，也可以是三相交流电源。

交流电源2既可以是商用电源，也可以是独立电源装置。负载3接受从交流电源2经由交流开关1供给的交流电进行动作。负载3既可以是电阻负载，也可以是感应负载。在图1中，设交流电源2的电源电压为V，设经由交流开关1供给负载3的交流电流(下面，称为“负载电流”)为I。

交流开关1具备第一晶闸管T1、第二晶闸管T2、第三晶闸管T3及第四晶闸管T4。交流开关1还具备电流检测器5及控制装置6。

第一晶闸管T1的阳极连接于交流电源2，阴极连接于负载3。第二晶闸管T2与第一晶闸管T1反并联连接。第三晶闸管T3的阳极连接于交流电源2，阴极连接于负载3。第四晶闸管T4与第三晶闸管T3反并联连接。下文中，在统一表述晶闸管T1～T4的情况下，也称为“晶闸管T”。

电流检测器5检测负载电流I，将表示检测值的信号输出给控制装置6。

控制装置6根据电流检测器5的检测值控制晶闸管T1～T4的导通及非导通。控制装置6主要通过CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)、存储器及接口电路等实现。控制装置6响应于由上位的控制部(未图示)提供的开闭指令，生成施加给晶闸管T的门控信号G。

第一晶闸管T1由控制装置6施加门控信号G1。在被施加门控信号G1的状态下，在负载电流I的正弦波波形中的正半周期的期间，第一晶闸管T1成为导通状态。

第二晶闸管T2由控制装置6施加门控信号G2。在被施加门控信号G2的状态下，在负载电流I的正弦波波形中的负半周期的期间，第二晶闸管T2成为导通状态。

第三晶闸管T3由控制装置6施加门控信号G3。在被施加门控信号G3的状态下，在负载电流I的正弦波波形中的正半周期的期间，第三晶闸管T3成为导通状态。

第四晶闸管T4由控制装置6施加门控信号G4。在被施加门控信号G4的状态下，在负载电流I的正弦波波形中的负半周期的期间，第四晶闸管T4成为导通状态。

即，在所有的晶闸管T被施加门控信号G的状态下，在负载电流I的正半周期的期间晶闸管T1及T3成为导通状态，在负载电流I的负半周期的期间晶闸管T2及T4成为导通状态。

如图1所示，由反并联地连接的第一晶闸管T1及第二晶闸管T2构成第一晶闸管开关4a。由反并联地连接的第三晶闸管T3及第四晶闸管T4构成第二晶闸管开关4b。第一晶闸管开关4a和第二晶闸管开关4b被并联连接于交流电源2及负载3之间。因此，在第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b都是导通状态的情况下，负载电流I由第一晶闸管开关4a和第二晶闸管开关4b分担。在图1中，设第一晶闸管开关4a的分担电流为Ia，设第二晶闸管开关4b的分担电流为Ib。

在此，如果在第一晶闸管开关4a和第二晶闸管开关4b之间晶闸管T的内部阻抗彼此相等，则负载电流I由第一晶闸管开关4a和第二晶闸管开关4b均等地分担(Ia＝Ib)。因此，与由一个晶闸管开关构成的交流开关相比，流过各晶闸管开关的电流被降低为1/2。各晶闸管开关的发热量与流过晶闸管T的电流的平方和晶闸管T的内部阻抗和通电时间之积成比例。因此，通过流过晶闸管开关的电流的降低，晶闸管开关的发热量被抑制。

但是，在第一晶闸管开关4a和第二晶闸管开关4b之间，晶闸管T的电气特性存在偏差，在内部阻抗的大小不同的情况下，负载电流I将集中地流过内部阻抗较小的晶闸管开关。当这样负载电流I的分担产生偏倚时，一方的晶闸管开关的发热量增加，这导致将两个晶闸管开关并联连接的优点减小。特别是在负载电流I增大时，一方的晶闸管开关的发热量的增加也变明显。

有关本实施方式1的交流开关1如下面说明的那样，通过控制晶闸管T1～T4各自的导通及非导通，以简易的结构实现负载电流I的分担的均衡化。

首先，参照图2关于控制装置6对晶闸管T1及T3的控制进行说明。

图2是用于说明负载电流I、和第一晶闸管T1被施加的门控信号G1及第三晶闸管T3被施加的门控信号G3的关系的图。另外，关于各个门控信号G1、G3，附图中用斜线示出的期间表示晶闸管被施加门控信号的期间，附图中用空白框示出的期间表示晶闸管未被施加门控信号的期间。

控制装置6根据由电流检测器5检测的负载电流I施加门控信号G1、G3。具体地，在负载电流I的最小值大于负的阈值“-Io”(Io>0)的情况下，控制装置6同时施加门控信号G1和门控信号G3。在图2中，在时刻t0～t1的期间A中施加门控信号G1和门控信号G3双方。在该期间A中，在负载电流I的正半周期的期间中，晶闸管T1及T3都成为导通状态。因此，正半周期的期间中的负载电流I由第一晶闸管T1和第三晶闸管T3分担。

此时，当第一晶闸管T1和第三晶闸管T3的电气特性存在偏差时，负载电流I的分担产生偏倚，导致电流Ia和电流Ib不均衡。但是，由于负载电流I自身较小，因而假设即使是负载电流I几乎都流过一方的晶闸管T时，该晶闸管的发热量也是没有问题的程度。换言之，负的阈值“-Io”的值被设定成即使是负载电流I全部流过一方的晶闸管T的情况下，该晶闸管的发热量也不会成为问题的值。

当在时刻t1负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”时，控制装置6每当负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”时，就交替地施加门控信号G1和门控信号G3。这相当于每当负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”时，交替地切断门控信号G1和门控信号G3。

在图2中，在时刻t1门控信号G1被切断，仅施加门控信号G3。因此，在紧接着时刻t1的后面的正半周期的期间中，仅第三晶闸管T3成为导通状态，负载电流I全部流过第三晶闸管T3(I＝Ib)。

然后，当在时刻t2负载电流I再次降低并超过负的阈值“-Io”时，门控信号G3被切断，仅施加门控信号G1。因此，在紧接着时刻t2的后面的正半周期的期间中，仅第一晶闸管T1成为导通状态，负载电流I全部流过第一晶闸管T1(I＝Ia)。

另外，当在时刻t3负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”时，门控信号G1被切断，仅施加门控信号G3。因此，在紧接着时刻t3的后面的正半周期的期间中，仅第三晶闸管T3成为导通状态，负载电流I全部流过第三晶闸管T3(I＝Ib)。

其结果是，如图2所示，在时刻t1～t4的期间B中，在负载电流I的每一周期，第一晶闸管T1和第三晶闸管T3交替地导通。因此，每一个晶闸管T的通电时间与晶闸管T1和晶闸管T3双方导通时相比被削减为大约一半。通过该晶闸管T的通电时间的削减，晶闸管T的发热量被抑制。

当在时刻t4负载电流I再次降低并超过负的阈值“-Io”时，门控信号G3被切断，仅施加门控信号G1。在图2中，自时刻t4起，负载电流I的大小(绝对值)减小。控制装置6在从负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”的时刻起到经过规定时间τ的期间，在负载电流I没有再次降低并超过负的阈值“-Io”时，同时施加门控信号G1及G3。在图2中，在从时刻t4起经过规定时间τ(第一时间)后的时刻t5，除门控信号G1外，还施加门控信号G3。由此，在时刻t5后，在负载电流I的正半周期的期间中，晶闸管T1及T3都成为导通状态。因此，正半周期的期间中的负载电流I由第一晶闸管T1和第三晶闸管T3分担。另外，规定时间τ被设定成比负载电流I的一周期长的时间。

下面，参照图3关于控制装置6对晶闸管T2及T4的控制进行说明。

图3是用于说明负载电流I、和第二晶闸管T2被施加的门控信号G2及第四晶闸管T4被施加的门控信号G4的关系的图。另外，关于各个门控信号G2、G4，附图中用斜线示出的期间表示晶闸管被施加门控信号的期间，附图中用空白框示出的期间表示晶闸管未被施加门控信号的期间。

控制装置6根据由电流检测器5检测的负载电流I施加门控信号G2、G4。具体地，在负载电流I的最大值小于正的阈值“Io”的情况下，控制装置6同时施加门控信号G2和G4。在图3中，在时刻t0～t11的期间D中施加门控信号G2和G4双方。在该期间D中，在负载电流I的负半周期的期间中，晶闸管T2及T4都成为导通状态。因此，负半周期的期间中的负载电流I由第二晶闸管T2和第四晶闸管T4分担。

此时，当第二晶闸管T2和第四晶闸管T4的电气特性存在偏差时，负载电流I的分担产生偏倚，导致电流Ia和电流Ib不均衡。但是，由于负载电流I自身较小，因而假设即使是负载电流I几乎都流过一方的晶闸管T时，该晶闸管的发热量也是没有问题的程度。换言之，正的阈值“Io”的值被设定成即使是负载电流I全部流过一方的晶闸管T的情况下，该晶闸管的发热量也不会成为问题的值。

当在时刻t11负载电流I增加并超过正的阈值“Io”时，控制装置6每当负载电流I降低并超过正的阈值“Io”时，就交替地施加门控信号G2和门控信号G4。这相当于每当负载电流I增加并超过正的阈值“Io”时，交替地切断门控信号G2和门控信号G4。

在图3中，在时刻t11门控信号G2被切断，仅施加门控信号G4。因此，在紧接着时刻t11的后面的负半周期的期间中，仅第四晶闸管T4成为导通状态，负载电流I全部流过第四晶闸管T4(I＝Ib)。

然后，当在时刻t12负载电流I再次增加并超过正的阈值“Io”时，门控信号G4被切断，仅施加门控信号G2。因此，在紧接着时刻t12的后面的负半周期的期间中，仅第二晶闸管T2成为导通状态，负载电流I全部流过第二晶闸管T2(I＝Ia)。

另外，当在时刻t13负载电流I增加并超过正的阈值“Io”时，门控信号G2被切断，仅施加门控信号G4。因此，在紧接着时刻t13的后面的负半周期的期间中，仅第四晶闸管T4成为导通状态，负载电流I全部流过第四晶闸管T4(I＝Ib)。

其结果是，如图3所示，在时刻t11～t14的期间E中，在负载电流I的每一周期，第二晶闸管T2和第四晶闸管T4交替地导通。因此，每一个晶闸管T的通电时间与晶闸管T2和T4双方导通时相比被削减为大约一半。通过该晶闸管T的通电时间的削减，晶闸管T的发热量被抑制。

当在时刻t14负载电流I再次增加并超过正的阈值“Io”时，门控信号G4被切断，仅施加门控信号G2。在图3中，在时刻t14后，负载电流I的大小减小。控制装置6在从负载电流I增加并超过正的阈值“Io”的时刻起经过规定时间τ的期间，在负载电流I没有再次增加并超过正的阈值“Io”时，同时施加门控信号G2及G4。在图3中，在从时刻t14起经过规定时间τ后的时刻t15，除门控信号G2外，还施加门控信号G4。由此，在时刻t15后，在负载电流I的负半周期的期间中，晶闸管T2及T4都成为导通状态。因此，负半周期的期间中的负载电流I由第二晶闸管T2和第四晶闸管T4分担。

图4是用于说明通过图2及图3所示的晶闸管T1～T4的控制而流过各晶闸管开关4a、4b的电流的图。在图4中，负载电流I的波形、和流过晶闸管开关4a的电流Ia及流过晶闸管开关4b的电流Ib的波形一起被示出。

如图2及图3所示，控制装置6在由电流检测器5检测的负载电流I的最小值大于负的阈值“-Io”、而且负载电流I的最大值小于正的阈值“Io”时，施加门控信号G1～G4。图2的期间A及图3的期间D、以及图2的期间C及图3的期间F属于此情况。

控制装置6还在每当负载电流I降低并超过负的阈值“-Io”时交替地施加门控信号G1及门控信号G3，而且每当负载电流I增加并超过正的阈值“Io”时交替地施加门控信号G2及门控信号G4。图2的期间B及图3的期间E属于此情况。

由此，在负载电流I的波峰值小于阈值Io的情况下，负载电流I被第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b所分担。另一方面，在负载电流I的波峰值大于阈值Io的情况下，负载电流I在每一周期交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。因此，在负载电流I的波峰值大于阈值Io的期间中，各晶闸管开关的通电时间被削减为该期间的大约一半。由此，虽然流过各晶闸管开关的电流增大，但是其通电时间被削减，因而其结果是能够抑制各晶闸管开关的发热量。

图5是表示图1所示的控制装置6的结构的框图。参照图5，控制装置6包括比较器61、62、D触发器63、64、反转器65～68、定时器69、70、逻辑或(OR)电路71～74。

比较器61的非反转输入端子(+端子)被施加与负的阈值“-Io”对应的阈值电压“-Vo”。比较器61的反转输入端子(-端子)被施加表示由电流检测器5输出的负载电流I的检测值的信号(与模拟电压V相当)。比较器61的输出端子连接于D触发器63的时钟输入C。

比较器61将电压V和负的阈值电压“-Vo”进行比较，输出表示比较结果的信号。具体地，在电压V小于负的阈值电压“-Vo”时、即负载电流I小于负的阈值“-Io”时，比较器61输出H(逻辑高)电平的信号。另一方面，在电压V为负的阈值电压“-Vo”以上时、即负载电流I为负的阈值“-Io”以上时，比较器61输出L(逻辑低)电平的信号。

D触发器63将比较器61的输出信号作为时钟进行动作。反转器66连接于D触发器63的控制输入D和置位输出Q之间。

D触发器63仅在被输入时钟时进行动作，此时Q＝D。置位(set)输出Q和复位(reset)输出/Q形成为相互互补的关系。置位输出D在被输入时钟的期间不变。例如，如果当控制输入D为L电平时被输入时钟，则置位输出Q成为L电平，复位输出/Q成为H电平。并且，控制输入D变化为H电平。在到下一个的时钟输入前，被保持Q＝L以及/Q＝H。在被输入下一个的时钟时，由于控制输入D为H电平，因而置位输出Q变化为H电平，复位输出/Q变化为L电平。并且，控制输入D变化为L电平。在被输入又下一个时钟时，由于控制输入D为L电平，因而置位输出Q变化为L电平，复位输出/Q变化为H电平。

D触发器63的置位输出Q被输入至OR电路71。D触发器63的复位输出/Q被输入至OR电路72。OR电路71、72分别还经由反转器65及定时器69被输入比较器61的输出信号。比较器61的输出信号在反转器65被反转后被输入至定时器69。

定时器69将反转器65的输出信号输入至OR电路71、72。因此，OR电路71、72被输入的是比较器61的输出信号的反转信号。定时器69还测量自反转器65的输出信号由H电平变为L电平的时刻起的经过时间。如果在经过时间到达规定时间τ前的期间，反转器65的输出信号不再次变为H电平，则定时器69在经过时间到达规定时间τ的时刻强制使该输出信号变为H电平。另一方面，当在经过时间到达规定时间τ前的期间，反转器65的输出信号再次变为H电平的情况下，定时器69直接输出反转器65的输出信号。另外，规定时间τ被设定成比负载电流I的一周期长的时间。优选的是，规定时间τ被设定成比负载电流I的一周期长、而且比负载电流I的一周期的2倍短的时间。

OR电路71运算D触发器63的置位输出Q和定时器69的输出信号的逻辑或，由此生成门控信号G1。在置位输出Q为H电平时或者定时器69的输出信号为H电平时，门控信号G1被生成并被施加给第一晶闸管T1。

OR电路72运算D触发器63的复位输出/Q和定时器69的输出信号的逻辑或，由此生成门控信号G3。在复位输出/Q为H电平时或者定时器69的输出信号为H电平时，门控信号G3被生成并被施加给第三晶闸管T3。

如以上说明的那样，比较器61、D触发器63、反转器65、66、定时器69及OR电路71、72构成门控信号G1、G3的生成电路。根据该生成电路，每当电压V小于负的阈值电压“-Vo”时D触发器63进行动作，生成相互互补的关系的门控信号G1、G3。由此，如在图2及图4中说明的那样，在负载电流I的每个正半周期的期间，第一晶闸管T1及第三晶闸管T3交替地成为导通状态。

与此相对，在从电压V小于负的阈值电压“-Vo”的时刻起经过规定时间τ的期间，如果电压V不再次小于负的阈值电压“-Vo”，则从定时器69向OR电路71、72输入H电平的信号，由此同时生成H电平的门控信号G1、G3。由此，如在图2及图4中说明的那样，在负载电流I的正半周期的期间中，第一晶闸管T1及第三晶闸管T3都成为导通状态。

在图5所示的控制装置6中，比较器62、D触发器64、反转器67、68、定时器70及OR电路73、74构成门控信号G2、G4的生成电路。在该生成电路中，比较器62的反转输入端子(-端子)被施加与正的阈值“Io”对应的阈值电压“Vo”。比较器62的非反转输入端子(+端子)被施加表示由电流检测器5输出的负载电流I的检测值的信号(与模拟电压V相当)。比较器62的输出端子连接于D触发器64的时钟输入C。

比较器62将电压V和正的阈值电压“Vo”进行比较，输出表示比较结果的信号。具体地，在电压V大于正的阈值电压“Vo”时、即负载电流I大于正的阈值“Io”时，比较器62输出H电平的信号。另一方面，在电压V为正的阈值电压“Vo”以下时、即负载电流I为正的阈值“Io”以下时，比较器62输出L电平的信号。

D触发器64将比较器62的输出信号作为时钟进行动作。反转器68连接于D触发器64的控制输入D和置位输出Q之间。

D触发器64具备与D触发器63相同的结构。D触发器64的置位输出Q被输入至OR电路73。D触发器64的复位输出/Q被输入至OR电路74。OR电路73、74分别还经由反转器67及定时器70被输入比较器62的输出信号。比较器62的输出信号在反转器67被反转后输入至定时器70。

定时器70将反转器67的输出信号输入至OR电路73、74。因此，OR电路73、74被输入的是比较器62的输出信号的反转信号。定时器70具备与定时器69相同的结构。如果在自反转器67的输出信号由H电平变为L电平的时刻起的经过时间到达规定时间τ前的期间，反转器67的输出信号不再次变为H电平，则定时器70在经过时间到达规定时间τ的时刻强制使该输出信号变为H电平。另一方面，当在经过时间到达规定时间τ前的期间，反转器67的输出信号再次变为H电平的情况下，定时器70直接输出反转器75的输出信号。

OR电路73运算D触发器64的置位输出Q和定时器70的输出信号的逻辑或，由此生成门控信号G2。在置位输出Q为H电平时或者定时器70的输出信号为H电平时，门控信号G2被生成并被施加给第二晶闸管T2。

OR电路74运算D触发器64的复位输出/Q和定时器70的输出信号的逻辑或，由此生成门控信号G4。在复位输出/Q为H电平时或者定时器70的输出信号为H电平时，门控信号G4被生成并被施加给第四晶闸管T4。

如以上说明的那样，在门控信号G2、G4的生成电路中，每当电压V大于正的阈值电压“Vo”时，D触发器64进行动作，生成相互互补的关系的门控信号G2、G4。由此，如在图3及图4中说明的那样，在负载电流I的每个负半周期的期间，第二晶闸管T2及第四晶闸管T4交替地成为导通状态。

与此相对，在从电压V大于正的阈值电压“Vo”的时刻起经过规定时间τ的期间，如果电压V不再次大于正的阈值电压“Vo”，则从定时器70向OR电路73、74输入H电平的信号，并且生成H电平的门控信号G2、G4。由此，如在图3及图4中说明的那样，在负载电流I的负半周期的期间中，第二晶闸管T2及第四晶闸管T4都成为导通状态。

如以上说明的那样，根据有关本发明的实施方式1的交流开关1，在负载电流I的波峰值大于阈值Io的情况下，负载电流I在每一周期中交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。因此，在负载电流I的波峰值大于阈值Io的期间中，各晶闸管开关的通电时间被削减为该期间的大约一半。由此，虽然流过各晶闸管开关的电流增大，但是由于其通电时间被削减，因而能够以简易的结构抑制晶闸管开关的发热量。

[实施方式2]

在上述的实施方式1中说明了这样的结构，即：在负载电流I的波峰值大于阈值Io的情况下，使负载电流I在每一周期中交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b，这样的结构与负载电流I的波峰值的大小无关都能够被采用。

在实施方式2中说明这样的结构，即：始终使负载电流I在每一周期中交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。另外，有关实施方式2的交流开关1的电路结构除控制装置6的结构以外，与图1所示的交流开关1相同，因而不重复详细的说明。

首先，参照图6关于控制装置6对晶闸管T1及T3的控制进行说明。

图6是用于说明负载电流I、和第一晶闸管T1被施加的门控信号G1及第三晶闸管T3被施加的门控信号G3的关系的图。另外，关于各个门控信号G1、G3，附图中用斜线示出的期间表示晶闸管被施加门控信号的期间，附图中用空白框示出的期间表示晶闸管未被施加门控信号的期间。

控制装置6根据由电流检测器5检测的负载电流I施加门控信号G1、G3。具体地，每当从负载电流I的极性由正切换为负的时刻起经过规定时间δ时，就交替地施加门控信号G1和门控信号G3。

在图6中，当在时刻t21负载电流I的极性由正切换为负时，在从时刻t21起经过规定时间δ(第二时间)后的时刻t22，门控信号G3被切断，施加门控信号G1。因此，在紧接着时刻t22的后面的负载电流I的正半周期的期间中，仅第一晶闸管T1成为导通状态，负载电流I全部流过第三晶闸管T3(I＝Ia)。

然后，当在时刻t23负载电流I的极性再次由正切换为负时，在从时刻t23起经过规定时间δ后的时刻t24，门控信号G1被切断，施加门控信号G3。因此，在紧接着时刻t24的后面的正半周期的期间中，仅第三晶闸管T3成为导通状态，负载电流I全部流过第三晶闸管T3(I＝Ib)。另外，规定时间δ被设定成比负载电流I的一半周期短的时间。

另外，当在时刻t25负载电流I的极性由正切换为负时，在从时刻t25起经过规定时间δ后的时刻t26，门控信号G3被切断，被施加门控信号G1。因此，在紧接着时刻t26的后面的正半周期的期间中，仅第一晶闸管T1成为导通状态，负载电流I全部流过第一晶闸管T1(I＝Ia)。

其结果是，如图6所示，在负载电流I的每一周期，第一晶闸管T1和第三晶闸管T3都交替地导通。因此，每一个晶闸管T的通电时间与晶闸管T1及T3双方导通时相比被削减为大约一半。通过该晶闸管T的通电时间的削减，晶闸管T的发热量被抑制。

下面，参照图7关于控制装置6对晶闸管T2及T4的控制进行说明。

图7是用于说明负载电流I、和第二晶闸管T2被施加的门控信号G2及第四晶闸管T4被施加的门控信号G4的关系的图。另外，关于各个门控信号G2、G4，附图中用斜线示出的期间表示晶闸管被施加门控信号的期间，附图中用空白框示出的期间表示晶闸管未被施加门控信号的期间。

控制装置6根据由电流检测器5检测的负载电流I施加门控信号G2、G4。具体地，每当自负载电流I的极性由负切换为正的时刻起经过规定时间δ时，就交替地施加门控信号G2和门控信号G4。

在图7中，当在时刻t32负载电流I的极性由负切换为正时，在从时刻t32起经过规定时间δ(第二时间)后的时刻t33，门控信号G4被切断，施加门控信号G2。因此，在紧接着时刻t34的后面的负载电流I的负半周期的期间中，仅第二晶闸管T2成为导通状态，负载电流I全部流过第二晶闸管T2(I＝Ia)。

然后，当在时刻t34负载电流I的极性再次由负切换为正时，在从时刻t34起经过规定时间δ后的时刻t35，门控信号G2被切断，施加门控信号G4。因此，在紧接着时刻t35的后面的负半周期的期间中，仅第四晶闸管T4成为导通状态，负载电流I全部流过第四晶闸管T4(I＝Ib)。

另外，当在时刻t36负载电流I的极性由负切换为正时，在从时刻t36起经过规定时间δ后的时刻t37，门控信号G4被切断，施加门控信号G2。因此，在紧接着时刻t37的后面的负半周期的期间中，仅第二晶闸管T2成为导通状态，负载电流I全部流过第二晶闸管T2(I＝Ia)。

其结果是，如图7所示，在负载电流I的每一周期，第二晶闸管T2和第四晶闸管T4都交替地导通。因此，每一个晶闸管T的通电时间与晶闸管T2及T4双方导通时相比被削减为大约一半。通过该晶闸管T的通电时间的削减，晶闸管T的发热量被抑制。

图8是用于说明通过图6及图7所示的晶闸管T1～T4的控制而流过各晶闸管开关4a、4b的电流的图。在图8中，负载电流I的波形、和流过晶闸管开关4a的电流Ia及流过晶闸管开关4b的电流Ib的波形一起被示出。

如图6及图7所示，控制装置6每当从电流检测器5检测的负载电流I的极性由正切换为负的时刻起经过规定时间δ时，就交替地施加门控信号G1及G3，每当从负载电流I的极性由负切换为正的时刻起经过规定时间δ时，就交替地施加门控信号G2及G4。

由此，负载电流I在每一周期交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。因此，各晶闸管开关的通电时间被削减为该期间的大约一半。由此，各晶闸管开关的通电时间被削减，因而其结果是能够抑制晶闸管发热量。

图9是表示有关本实施方式2的交流开关1中的控制装置6的结构的框图。参照图9，控制装置6包括比较器81、82、定时器83、84、单发脉冲(one shot pulse)发生器85、86、D触发器87、88、反转器89、90。

比较器81的非反转输入端子(+端子)被施加接地电压(0V)。比较器81的反转输入端子(-端子)被施加表示由电流检测器5输出的负载电流I的检测值的信号(与模拟电压V相当)。比较器81的输出端子连接于定时器83。

比较器81将电压V和接地电压进行比较，输出表示比较结果的信号。具体地，在电压V小于接地电压时、即负载电流I小于零时，比较器81输出H电平的信号。另一方面，在电压V为接地电压以上时、即负载电流I为零以上时，比较器81输出L电平的信号。

定时器83将比较器81的输出信号输入至单发脉冲发生器85。具体地，定时器83测量从比较器81的输出信号由L电平变为H电平的时刻起的经过时间。当在经过时间到达规定时间δ前的期间，比较器81的输出信号被保持为H电平的情况下，定时器83将H电平的输出信号输入至单发脉冲发生器85。另一方面，在比较器81的输出信号为L电平的情况下、或者比较器81的输出信号在从变为H电平的时刻起的规定时间δ以内变为L电平的情况下，定时器83将L电平的输出信号输入至单发脉冲发生器85。

单发脉冲发生器85在从定时器83接收到H电平的信号时，产生具备规定的脉宽的单发的脉冲信号。

D触发器87将在单发脉冲发生器85产生的脉冲信号作为时钟进行动作。反转器89连接于D触发器87的控制输入D和置位输出Q之间。

D触发器87仅在被输入时钟时进行动作，此时Q＝D。置位输出Q和复位输出/Q形成为相互互补的关系。置位输出D在被输入时钟的期间不变。例如，如果当控制输入D为L电平时被输入时钟，则置位输出Q成为L电平，复位输出/Q成为H电平。并且，控制输入D变化为H电平。在到下一个的时钟输入前，保持Q＝L以及/Q＝H。在被输入下一个的时钟时，由于控制输入D为H电平，因而置位输出Q变化为H电平，复位输出/Q变化为L电平。并且，控制输入D为L电平。在被输入再下一个的时钟时，由于控制输入D为L电平，因而置位输出Q变化为L电平，复位输出/Q变化为H电平。

D触发器87根据置位输出Q生成门控信号G1，根据复位输出/Q生成门控信号G3。因此，在置位输出Q为H电平(复位输出/Q为L电平)时，门控信号G1被生成并被施加给第一晶闸管T1。并且，在复位输出/Q为H电平(置位输出Q为L电平)时，门控信号G3被生成并被施加给第三晶闸管T3。

如以上说明的那样，由比较器81、定时器83、单发脉冲发生器85、D触发器87及反转器89，构成门控信号G1、G3的生成电路。根据该生成电路，每当从电压V的极性由正切换为负的时刻起经过规定时间δ时，D触发器87就进行动作，生成相互互补的关系的门控信号G1、G3。由此，如在图6及图8中说明的那样，在负载电流I的每个正半周期的期间，第一晶闸管T1及第三晶闸管T3交替地成为导通状态。

在图9所示的控制装置6中，比较器82、定时器84、单发脉冲发生器86、D触发器88及反转器90构成门控信号G2、G4的生成电路。在该生成电路中，比较器82的反转输入端子(-端子)被施加接地电压(0V)。比较器82的非反转输入端子(+端子)被施加表示由电流检测器5输出的负载电流I的检测值的信号(与模拟电压V相当)。比较器82的输出端子连接于定时器84。

比较器82将电压V和接地电压进行比较，输出表示比较结果的信号。具体地，在电压V大于接地电压时、即负载电流I大于零时，比较器82输出H电平的信号。另一方面，在电压V为接地电压以下时、即负载电流I为零以下时，比较器82输出L电平的信号。

定时器84将比较器82的输出信号输入至单发脉冲发生器86。具体地，定时器84具备与定时器83相同的结构。当在从比较器82的输出信号由L电平变为H电平的时刻起的经过时间到达规定时间δ前的期间被保持为H电平的情况下，定时器84将H电平的输出信号输入至单发脉冲发生器86。另一方面，在比较器82的输出信号为L电平的情况下、或者比较器82的输出信号在从变为H电平的时刻起的规定时间δ以内变为L电平的情况下，定时器84将L电平的输出信号输入至单发脉冲发生器86。

单发脉冲发生器86在从定时器84接收到H电平的信号时，产生具备规定的脉宽的单发的脉冲信号。

D触发器88将在单发脉冲发生器86产生的脉冲信号作为时钟进行动作。反转器90连接于D触发器88的控制输入D和置位输出Q之间。

D触发器88具备与D触发器87相同的结构。D触发器88根据置位输出Q生成门控信号G2，根据复位输出/Q生成门控信号G4。因此，在置位输出Q为H电平(复位输出/Q为L电平)时，门控信号G2被生成并被施加给第二晶闸管T2。并且，在复位输出/Q为H电平(置位输出Q为L电平)时，门控信号G4被生成并被施加给第四晶闸管T4。

如以上说明的那样，根据门控信号G2、G4的生成电路，每当从电压V的极性由负切换为正的时刻起经过规定时间δ时，D触发器88就进行动作，生成相互互补的关系的门控信号G2、G4。由此，如在图7及图8中说明的那样，在负载电流I的每个负半周期的期间，第二晶闸管T2及第四晶闸管T4交替地成为导通状态。

如以上说明的那样，根据有关本发明的实施方式2的交流开关1，负载电流I在每一周期中交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b，因而各晶闸管开关的通电时间被削减为使晶闸管开关4a和4b都通电时的大约一半。由此，各晶闸管开关的通电时间被削减，因而能够以简易的结构抑制晶闸管开关的发热量。

[实施方式3]

在下面的实施方式3及4中，对有关实施方式1及2的交流开关1可以适用的装置的代表例进行说明。

图10是有关本发明的实施方式3的不间断电源装置的整体结构图。参照图10，有关本实施方式3的不间断电源装置100连接于交流电源2和负载3之间。

不间断电源装置100具备输入端子7及输出端子20。输入端子7接受由交流电源2供给的交流电。输出端子20与负载3连接。负载3借助由不间断电源装置100供给的交流电而被驱动。

不间断电源装置100还具备电磁接触器(contactor)(接触器)8、13、19、熔断器(fuse)9、电抗器10、17、转换器11、电解电容器15、逆变器16、电容器18、交流开关1、电流检测器5和控制装置6。其中，接触器8、熔断器9、电抗器10、转换器11、逆变器16、电抗器17及接触器19被串联连接于输入端子7和输出端子20之间。

接触器8连接于输入端子7和转换器11之间的通电路径中。接触器8在由交流电源2被正常地供给交流电的通常时闭合(接通)，例如在不间断电源装置100的维护时打开(断开)。熔断器9被插入在输入端子7和转换器11之间的通电路径中，用于防止过电流从交流电源2流入。电抗器10是为了使来自交流电源2的交流电通过，防止在转换器11产生的开关频率的信号传递至交流电源2而设置的。

转换器11及逆变器16由半导体开关元件构成。作为半导体开关元件，例如使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)。并且，作为半导体开关元件的控制方式，能够适用PWM(Pulse Width Modulation，脉宽调制)控制。

转换器11在通常时将由交流电源2供给的交流电转换成直流电。转换器11生成的直流电被供给逆变器16及蓄电装置12。另一方面，在来自交流电源2的交流电的供给被停止的停电时期，转换器11的运转停止。转换器11的电力转换由控制装置6进行控制。

电解电容器15与转换器11的交流输出端子连接，对转换器11的输出电压进行平滑处理。逆变器16在通常时将通过电解电容器15被平滑化的直流电转换成交流电。另一方面，在停电时，逆变器16将蓄电装置12的直流电转变为交流电。逆变器16的电力转换由控制装置6进行控制。

蓄电装置12是在停电时向逆变器16供给直流电的电力贮存装置。蓄电装置12在通常时蓄积在转换器11生成的直流电。熔断器14及接触器13被串联连接于转换器11的直流输入端子和蓄电装置12之间。接触器13在通常时被接通，例如在不间断电源装置100及蓄电装置12的维护时被断开。熔断器14防止过电流流入转换器11及蓄电装置12。

电抗器17及电容器18构成将由逆变器16输出的交流电中包含的开关频率的成分去除用的滤波器。

接触器19(开闭器)在由逆变器16对负载3供给交流电的模式(以下也称为“逆变器供电模式”)时接通。另一方面，在由交流电源2经由交流开关11对负载3供给交流电的模式(以下也称为“旁通供电模式”)时，接触器19断开。接触器19的接通断开由控制装置6进行控制。

在逆变器供电模式时，通过转换器11将由交流电源2供给的交流电转换成直流电，通过逆变器16将该直流电转换成交流电并供给负载3。因此，逆变器供电模式在对负载3的供电稳定性方面比较好。另一方面，逆变器供电模式由于在转换器11及逆变器16分别产生伴随电力转换的功耗，因而存在不间断电源装置100的效率化比较困难的课题。

与此相对，在旁通供电模式时，将由交流电源2供给的交流电经由交流开关1——换言之不通过转换器11及逆变器16而供给负载3。由此，在转换器11及逆变器16中的功耗的产生被抑制，因而能够提高不间断电源装置100的运转效率。另外，在商用供电模式时，通过根据需要使转换器11进行运转，能够在蓄电装置12蓄积直流电。

在有关本实施方式3的不间断电源装置100中，转换器11、逆变器16、接触器19及蓄电装置12构成“转换器供电电路”。另一方面，交流开关1构成“旁通供电电路”。

交流开关1连接于输入端子7和输出端子20之间。电流检测器5检测负载电流I，将表示检测值的信号输出给控制装置6。

控制装置6构成为控制接触器19及交流开关1的接通断开、和转换器11及逆变器16的电力转换，使得不间断电源装置100有选择地执行逆变器供电模式及旁通供电模式。

具体地，在由逆变器供电模式切换为旁通供电模式时，控制装置6使交流开关1导通，并且将接触器19断开。并且，在旁通供电模式中，控制装置6根据电流检测器5的检测值，控制构成交流开关1的晶闸管T1～T4的导通及非导通。此时，控制装置6使用在图5或者图9中说明的控制结构生成门控信号G1～G4，将所生成的门控信号G1～G4分别施加给晶闸管T1～T4。在由旁通供电模式切换为逆变器供电模式时，控制装置6将接触器19接通，并且将晶闸管T1～T4全部设为非导通状态。

根据有关本实施方式3的不间断电源装置100，在商用供电模式中，根据负载电流I的检测值，负载电流I在每一周期交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。因此，与负载电流I流过晶闸管开关4a及4b双方的情况相比，各晶闸管开关的通电时间被削减。由此，能够以简易的结构抑制各晶闸管开关的发热量。

[实施方式4]

图11是有关本发明的实施方式4的电压暂降补偿装置的整体结构图。参照图11，有关本实施方式4的电压暂降补偿装置110连接于交流电源2和负载3之间。电压暂降补偿装置110构成为在交流电源2产生瞬时电压降低(电压暂降：voltage sag)或者瞬时停电时，与交流电源2和负载3瞬时分离，并且以无停电状态对负载3供给电力。另外，所谓电压暂降是指在通过送电线保护继电器解除雷击等引起的送电线事故前产生的暂时的电压降低。

电压暂降补偿装置110具备输入端子30和输出端子33。输入端子30接受由交流电源2供给的交流电。输出端子33与负载3连接。电压暂降补偿装置110具备交流开关1、逆变器31、蓄电装置32和控制装置6。

交流开关1连接于输入端子30和输出端子33之间。电流检测器5检测负载电流I，将表示检测值的信号输出给控制装置6。

逆变器31能够执行逆转换动作和顺转换动作。逆变器31通过顺转换动作，将由交流电源2供给的交流电转换成直流电，借助该直流电对蓄电装置32充电。在发生电压暂降时，逆变器31通过逆转换动作将在蓄电装置32蓄积的直流电转换成交流电，将该交流电供给负载3。

控制装置6控制逆变器31中的电力转换，并且控制交流开关1的接通断开。具体地，控制装置6在未发生电压暂降的健康时，根据电流检测器5的检测值控制构成交流开关1的晶闸管T1～T4的导通及非导通。控制装置6使用在图5及图9中说明的控制结构生成门控信号G1～G4，将所生成的门控信号G1～G4分别施加给晶闸管T1～T4。另一方面，在发生电压暂降时，控制装置6将晶闸管T1～T4全部设为非导通状态，并且控制逆变器31进行逆转换动作。

根据有关本实施方式4的电压暂降补偿装置110，在未发生电压暂降的健康时，根据负载电流I的检测值，负载电流I在每一周期交替地流过第一晶闸管开关4a及第二晶闸管开关4b。因此，与负载电流I流过晶闸管开关4a及4b双方的情况相比，各晶闸管开关的通电时间被削减。由此，能够以简易的结构抑制各晶闸管开关的发热量。

应理解为，此次公开的实施方式是所有方面中的示例，不是限制性的。本发明的范围不是由上述的说明、而是由权利要求书进行公开，应理解为包括与权利要求书同等的意义及范围内的所有的变更。

标号说明

1…交流开关；2…交流电源；3…负载；4a…第一晶闸管开关；4b…第二晶闸管开关；5…电流检测器；6…控制装置；7、30…输入端子；8、13、19…接触器；9、14…熔断器；10、17…电抗器；11…转换器；12、32…蓄电装置；15…电解电容器；16、31…逆变器；18…电容器；20、33…输出端子；61、62…比较器；63、64、87、88…D触发器；65、66、67、68、89、90…反转器；69、70、83、84…定时器；71、72、73、74…OR电路；85、86…单发脉冲发生器；100…不间断电源装置；110…电压暂降补偿装置；T1…第一晶闸管；T2…第二晶闸管；T3…第三晶闸管；T4…第四晶闸管。

Claims (6)

1.一种交流开关，用于对交流电源和负载的电连接及断开进行切换，具备：

第一晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；

第二晶闸管，与所述第一晶闸管反并联连接；

第三晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；

第四晶闸管，与所述第三晶闸管反并联连接；

电流检测器，检测由所述交流电源供给所述负载的交流电流；以及

控制装置，控制所述第一～第四晶闸管的导通及非导通，

所述控制装置根据所述电流检测器的检测值，在所述交流电流的每一周期使所述第一晶闸管及所述第三晶闸管交替地导通，而且使所述第二晶闸管及所述第四晶闸管交替地导通。

2.根据权利要求1所述的交流开关，

所述第一～第四晶闸管构成为在分别被施加第一～第四门控信号的状态下，根据所述交流电流进行接通及断开，

所述控制装置在所述电流检测器的检测值的最小值大于负的阈值、而且所述检测值的最大值小于正的阈值时，同时施加所述第一及第三门控信号，而且同时施加第二及第四门控信号，

另一方面，在所述检测值的最小值小于所述负的阈值、而且所述检测值的最大值大于所述正的阈值时，

所述控制装置每当所述电流检测器的检测值降低并超过所述负的阈值时，就交替地施加所述第一门控信号及所述第三门控信号，

而且，每当所述电流检测器的检测值增加并超过所述正的阈值时，就交替地施加所述第二门控信号及所述第四门控信号。

3.根据权利要求2所述的交流开关，

在从所述电流检测器的检测值降低并超过所述负的阈值的时刻起、到经过比所述交流电流的一个周期长的第一时间之前的期间，在该检测值没有再次降低并超过所述负的阈值时，所述控制装置同时施加所述第一门控信号及所述第三门控信号，

在从所述电流检测器的检测值增加并超过所述正的阈值的时刻起、到经过所述第一时间之前的期间，在该检测值没有再次增加并超过所述正的阈值时，所述控制装置同时施加所述第二门控信号及所述第四门控信号。

4.根据权利要求1所述的交流开关，

所述第一～第四晶闸管构成为在分别被施加第一～第四门控信号的状态下，根据所述交流电流进行接通及断开，

所述控制装置每当从所述电流检测器的检测值的极性由正切换为负的时刻起经过比所述交流电流的一半周期短的第二时间时，就交替地施加所述第一门控信号及所述第三门控信号，

每当从所述电流检测器的检测值的极性由负切换为正的时刻起经过所述第二时间时，就交替地施加所述第二门控信号及所述第四门控信号。

5.一种不间断电源装置，用于切换转换器供电电路及旁通供电电路并对负载供电，

所述转换器供电电路包括：

转换器，将交流电源的交流电转换成直流电；

逆变器，将由所述转换器输出的直流电转换成交流电；

开闭器，连接于所述逆变器的交流输出端子和所述负载之间；以及

蓄电装置，连接于所述转换器及所述逆变器之间的直流电路，

所述旁通供电电路包括连接于所述交流电源和所述负载之间的交流开关，

所述不间断电源装置具备：

控制装置，构成为在将供电路径由所述转换器供电电路切换为所述旁通供电电路时，使所述交流开关导通，并且使所述开闭器断开；以及

电流检测器，检测由所述旁通供电电路供给所述负载的交流电流，

所述交流开关包括：

第一晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；

第二晶闸管，与所述第一晶闸管反并联地连接于所述交流电源和所述负载之间；

第三晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；以及

第四晶闸管，与所述第三晶闸管反并联地连接于所述交流电源和所述负载之间，

在由所述旁通供电电路对所述负载供电时，所述控制装置根据所述电流检测器的检测值，在所述交流电流的每一周期使所述第一晶闸管及所述第三晶闸管交替地导通，而且使所述第二晶闸管及所述第四晶闸管交替地导通。

6.一种电压暂降补偿装置，用于在交流电源的瞬时电压降低或者瞬时停电时对负载供电，

所述电压暂降补偿装置具备：

交流开关，连接于所述交流电源及所述负载之间；

蓄电装置；

逆变器，将由所述蓄电装置输出的直流电转换成交流电；

控制装置，构成为在所述交流电源的瞬时电压降低或者瞬时停电时将所述交流开关设为非导通，将供电路径从所述交流电源切换为所述逆变器；以及

电流检测器，在所述交流电源健康时检测由所述交流电源供给所述负载的交流电流，

所述交流开关包括：

第一晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；

第二晶闸管，与所述第一晶闸管反并联地连接于所述交流电源和所述负载之间；

第三晶闸管，阳极连接于所述交流电源，阴极连接于所述负载；以及

第四晶闸管，与所述第三晶闸管反并联地连接于所述交流电源和所述负载之间，

在所述交流电源健康时，所述控制装置根据所述电流检测器的检测值，在所述交流电流的每一周期使所述第一晶闸管及所述第三晶闸管交替地导通，而且使所述第二晶闸管及所述第四晶闸管交替地导通。

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