JP4016639B2

JP4016639B2 - Electro-optical device, manufacturing method thereof, and projection display device

Info

Publication number: JP4016639B2
Application number: JP2001334612A
Authority: JP
Inventors: 祐一鹿川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-10-31
Filing date: 2001-10-31
Publication date: 2007-12-05
Anticipated expiration: 2021-10-31
Also published as: JP2003140129A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
液晶等の電気光学物質を一対の基板で挟持した電気光学装置に対して、光源から発せられた光を投射し、該装置を透過した光によりスクリーン上に画像を投影する投射型表示装置（一般に、「液晶プロジェクタ」とも呼称される。）が知られている。この投射型液晶表示装置としては更に、上述の構成に加え、例えば、適当なレンズ系と前記電気光学装置を三つ用意することで、該レンズ系により前記光源からの光をＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の三原色に分解し、これらの光を前記三つの電気光学装置に投射することで、カラー画像を得るもの（一般に、「複板式プロジェクタ」とも呼称される。）等も知られている。また、前記電気光学装置としては、例えば、画素電極及びこれに接続された画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、適宜「ＴＦＴ」と称す。）や薄膜ダイオード（Thin Film Diode；以下、適宜「ＴＦＤ」と称す。）等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が可能な電気光学装置が広く使用されている。
【０００３】
ところで、このような投射型表示装置において、高品質・高品位な画像をスクリーン上で得るためには、特に、電気光学装置における「光の再反射」がないことが好ましい。ここに、「光の再反射」とは、電気光学装置における光出射側から反射した光が、画像表示領域外側に位置する、例えばアルミニウム配線等のパターン部で更に反射（再反射）することをいう。このような光の再反射が生じ、該光が電気光学装置外部へと至る（すなわち、光が漏れる）と、スクリーン上の画像では、その周囲に薄ぼんやりした光の縁が現れることになる。その結果、画像それ自体についての画質には大きな影響はないものの、その見栄えにとっては好ましくない影響を与える結果となる。
【０００４】
このような問題は、上述した複板式プロジェクタにおいて、一の電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けてくる戻り光が、他の電気光学装置に対して入射する場合にも、同様に生じる。なぜなら、ここにいう「戻り光」は、上述した、基板の光出射側から反射した光と同じ効果をもたらすからである。
【０００５】
なお、投射型表示装置においては、一般に、入射光が強力であり、かつ斜め成分の光を大量に含むから、このような問題は特に深刻となる。
【０００６】
従来においては、上述のような光の再反射に基づく光漏れを防止するため、電気光学装置の光出射側、より具体的には、前記一対の基板の一方を構成するＴＦＴアレイ基板の光出射側に位置する面の外側に、画像表示領域に対応する窓が形成された黒塗りの外枠が取り付けられていた。これにより、再反射した光を吸収することが可能となり、画像周囲に光の縁が現れることを概ね防止することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した外枠を用いる場合にあっては、次のような問題があった。すなわち、該外枠における窓を規定する縁部分と画像表示領域（上述の画素電極及びＴＦＴ等が設けられる領域）の外縁との間には、一定の隙間を設ける必要があることにより、再反射した光を効果的に遮ることが不可能な点である。つまり、再反射した光は、該隙間を通じて外部に漏れ、光の縁の形成を防止することができないのである。
【０００８】
ここで、「一定の隙間を設ける必要がある」のは、画像そのものに対する影響を排除するためである。すなわち、もし画像表示領域に接するように、あるいは該領域内に至るように、やや大きめの外枠を設置すること、すなわち前記窓の縁部分と画像表示領域の外縁とが平面的にみて接するか、あるいは重なり合うように外枠を設置することによれば、スクリーン上の画像の内縁（つまり、画像内）に、いわゆる「けられ」とも呼称される、暗部を生じさせることになるのである。要するに、やや大きめの外枠を設置すれば、たしかに上述した光の縁の形成を防止することが可能になるかもしれないが、そのためにかえって、画像そのものの画質を劣化させることになり、より深刻な事態を招来する結果になってしまうのである。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高画質・高品位な画像を表示することが可能であるとともに、該画像の周囲に光の縁等が現れることのない、見栄えのよい画像を表示することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置であって、一方の前記基板上に、前記画像表示領域内に配置された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部と、前記額縁領域において、前記パターン部の下方に該パターン部よりも低い光反射率をもつ低反射膜とを備え、他方の前記基板上に、前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備えており、前記低反射膜は、前記画素スイッチング用素子の半導体層と同一層からなるポリシリコン膜からなり、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように配置される。
また、前記外枠の窓は、一方の前記基板側に設けられる第１の窓及び他方の前記基板側に設けられる第２の窓からなり、前記第２の窓の縁部分は、前記第１の窓の縁部分よりも前記画像表示領域側に位置しており、前記額縁遮光膜は、前記第２の窓の縁部分と重なるように設けられており、前記低反射膜は、前記第１の窓の縁部分及び前記第２の窓の縁部分と夫々重なるように設けられる。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出されて額縁領域内に配置される。あるいは、これに代えて又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の少なくとも一部を構成するトランジスタ、あるいはＴＦＴやＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そしてこのように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介して画像信号等を、画素電極、あるいはストライプ状電極等の表示用電極に、ＴＦＴ等の画素スイッチング用素子を介して又は直接供給することにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆動等が可能となる。
【００１２】
この際特に、プロジェクタ用途等のように入射光が強力であり、かつ斜め成分の光を大量に含む場合に、例えばＡｌ（アルミニウム）膜等の導電膜がパターニングされてなるパターン部の反射率に応じて、その表面で入射光が反射（再反射）したり、入射光がパターン部の隙間を通過する。
【００１３】
ここで特に、本発明においては、基板上に、当該電気光学装置が収容される外枠における、前記画像表示領域に対応した窓を規定する縁部分と、前記画像表示領域の外縁との間隙に対向配置された低反射膜が存在することにより、当該電気光学装置に入射した光は、基板の光出射側から反射した後、本発明に係る低反射膜の一の面によって、その進行を遮られることになる。言い換えれば、本発明では、前記パターン部に殆ど光を至らしめず、パターン部における「光の再反射」を未然に防止するのである。その結果、入射光や戻り光は、直接又は内面反射を経た後にパターン部で反射される場合と比べて、パターン部よりも低い反射率をもつ低反射膜により反射されることで、最終的に額縁付近で出射光に混ざるパターン部による再反射光を低減できる。あるいはこれに加えて、低反射膜を透過することで光強度が低下した後の光がパターン部で再反射されることで、最終的に額縁付近で出射光に混ざるパターン部による再反射光を低減できる。また、パターン部の隙間を通過した入射光も、本発明に係る低反射膜の他の面により、上述と同様な作用を得ることが可能となる。
【００１４】
また、本発明において、当該電気光学装置を外枠に収容すれば、外枠よる遮光作用は、従前と同様に発揮される。すなわち、上述のような低反射膜の存在にもかかわらず、これを透過する等の理由により、パターン部へと達した光はそこで再反射することになるが、この再反射した光は、外枠の窓を規定する縁部分及び該縁部分周辺に存在する外枠を構成する部位等によって、遮光されることになる。
【００１５】
以上のような結果、本発明においては、基板の外側の光学部品等で反射した光が、当該電気光学装置外部へと至ることが殆どなくなる。したがって、例えば、本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置を構成するものとして利用する形態を仮に想定すると、スクリーン上の画像の周囲に薄ぼんやりした光の縁を現出させる可能性が殆どなくなることになる。よって、本発明によれば、高画質・高品位な画像を表示することが可能であるとともに、見栄えのよい画像を表示することができる。
【００１６】
なお、本発明における「低い光反射率」という用語は、「高い光吸収率」と解釈し得るものであり、基板の外側の光学部品等で反射した光は、本発明に係る低反射膜において、パターン部におけるよりも吸収される結果、より効果的な「遮光」が達成されるともいいうる。
【００１８】
また、比較的簡単に低反射作用、すなわち光吸収作用に優れた光吸収膜を形成することが可能となり、基板製造工程において、低反射膜を基板上に形成した後、高温プロセスを経なければならないような場合に、該低反射膜において熱変形等の不都合が生じる懸念がない。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記低反射膜は、ベタに形成されている。
【００３２】
この態様によれば、低反射膜はベタに形成されているから、より強い遮光作用の発揮が期待できる。すなわち、該低反射膜の存在にもかかわらず、これを透過する等して当該電気光学装置外部へ至ろうとする光の存在を完全に否定することはできないが、該低反射膜をベタに形成することによれば、そのような透過等の現象を、極力抑止することが可能となる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記パターン部は所定の平面パターンを有し、前記低反射膜は、前記所定の平面パターンに対応する平面パターンを有する。
【００３４】
この態様によれば、低反射膜とパターン部とは相対応する所定の平面パターンを有することになるから、少なくとも最小限必要となるような遮光作用を得ること、換言すれば効率的な遮光作用を得ることが可能となる。すなわち、例えば、前記平面パターンが帯状であるような場合を想定すれば、光出射側から反射した光は該帯状に設けられた低反射膜に遮られ、その背後に位置する、同様に帯状に設けられたパターン部には殆ど届かないことになる。その一方、低反射膜における各帯間においては、光出射側から反射した光は該帯間を通り抜け、その背後へと至る結果となるが、そこにはパターン部が存在しないため、強い反射（再反射）は生じず、画像に大きな影響を及ぼさない。
【００３５】
また、本態様によれば、例えば、低反射膜を単にベタに形成する場合に比べて、該低反射膜の存在による応力の発生を緩和することが可能となり、製造歩留まりや装置信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、一方の前記基板と他方の前記基板とを前記額縁領域の周辺に位置する周辺領域において相接着するシール材とを更に備え、前記低反射膜は、その外縁が前記シール材と離間して形成される。
【００３９】
この態様によれば、低反射膜の外縁が、基板及び他の基板を相接着するシール材と離間して形成されることから、該シール材が、例えば、光硬化性樹脂を含む場合等にあっては、本態様に係る電気光学装置の製造工程中、とりわけシール材の硬化工程において、低反射膜が邪魔になるようなことがない。すなわち、光硬化性樹脂を含むシール材の硬化は、一般に、所定の波長となる光を、基板の裏面から入射し、該基板内で透過させ、最終的にシール材に到達させることによって行われるが、このとき例えば、シール材中に低反射膜の一部が存在する（つまり、相互に離間していない）状態となっていると、該シール材に前記所定の波長となる光が到達することが困難となり、その硬化を十分に行うことができないのである。本態様では、既に述べたように、低反射膜及びシール材は離間して形成されるので、上述のような不都合が生じない。
【００４０】
この態様では特に、前記シール材は、光硬化性樹脂を含むようにするとよい。
【００４１】
このような構成によれば、上述したことからも明らかな通り、シール材の硬化を十分に達成することができる。
【００４２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記外枠を更に備える。
【００４３】
この態様によれば、動作時には、低反射膜を介してパターン部へと達し、再反射した光は、外枠の窓を規定する縁部分及び該縁部分周辺に存在する外枠を構成する部位等によって、遮光される。そして、製造後の運搬や出荷時における当該電気光学装置の機械的強度を、外枠の存在によって高め得る。
【００４４】
本発明の投射型表示装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置（ただし、その各種態様も含む。）からなるライトバルブと、該ライトバルブに投射光を入射する光源と、該ライトバルブから出射した前記投射光を投射する光学系とを備える。
【００４５】
本発明の投射型表示装置によれば、上述した本発明の電気光学装置（その各種態様も含む。）をライトバルブとして備えているので、高品位の画像表示が可能となる。
【００４６】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、一方の前記基板上に表示用電極及び該表示用電極に電気的に接続された画素スイッチング用素子と、前記表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部とを備え、他方の前記基板上に、前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備え、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置の製造方法であって、一方の前記基板上に、前記画素スイッチング用素子の半導体層と前記間隙に対向配置される低反射膜を同時に前記パターン部よりも低い光反射率を有するポリシリコン膜によって形成する工程と、前記低反射膜の上方に、前記パターン部を形成する工程とを含み、前記低反射膜は、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように形成される。
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置であって、画素スイッチング用素子を構成する半導体層と低反射膜とが同一膜からなるものを、比較的容易に製造することが可能となる。
【００５０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５２】
（電気光学装置の全体構成）
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ´断面図である。なお、ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５３】
図１及び図２において、液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【００５４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。ただし、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられていてもよい。
【００５５】
シール材５２の外側の領域には、後述するデータ線（図３等における符号６ａ参照）に画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００５６】
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、周辺回路駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【００５７】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図２に示すように、図１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００５８】
本実施形態では特に、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路３０１が、額縁領域内に配置されている。すなわち、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置されている。更に、額縁領域内には、（１）画像表示領域１０ａ内に配線されたデータ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、（２）データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に至る配線部分、（３）画像表示領域１０ａ内に配線された走査線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配線部分も配置されている。
【００５９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、周辺回路等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６０】
そして、本実施形態では特に、上述したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、その内部に収容する遮光性の外枠８００が設けられている。これは、例えば適当なプラスチック、ないし高分子材料等で構成すればよい。また、この外枠８００における遮光性は、具体的には例えば、黒色の塗料によって該外枠８００全体を塗装しておく等の手段により得られる。ただし、場合により、外枠８００をそもそも遮光性の材料で構成する結果、遮光性が得られるような構成としてもよい。
【００６１】
この外枠８００では特に、図２に示すように、液晶層５０を通過する光の進行（光の入射又は出射）の妨げとならならないように、画像表示領域１０ａに対応して窓８０１及び８０２が設けられている（後に言及する図４も参照）。ここに、窓８０１は、図中上面、すなわち対向基板２０側に位置するものであり、窓８０２は、図中下面、すなわちＴＦＴアレイ基板１０側に位置するものである。
【００６２】
そして、この外枠８００は、少なくとも窓８０２の縁部分８０２ａについて、該縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａの外縁との間に、所定の距離だけ間隙が形成されるようにして設置されている。ここに、「少なくとも」とは、場合によっては、窓８０１の縁部分についても、画像表示領域１０ａの外縁との間に所定の距離となる間隙を形成してもよいことを意味する。これは、既に述べたように、縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａとが平面的に見て重なり合うような構成とすることで発生する、画像の内縁における「けられ」ないし暗部の発生を避けるためである。図４においては、この間隙の距離を、“Ｗ１”だけとっていることが表されている。
【００６３】
他方、本実施形態では、図２に示すように、低反射膜５０１が、上記した窓８０２の縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａの外縁との間に形成された間隙Ｗ１に対向配置されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上において形成されている。この低反射膜５０１の構成及び遮光作用については、後に詳述する。
【００６４】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの周辺回路駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６５】
次に、以上の如く構成された電気光学装置の回路構成及び動作について、図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００６６】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００６７】
画像表示領域１０ａ外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成する、スイッチング用の回路素子の一例たる、例えばＣＭＯＳ型等のＴＦＴ２０２のドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１のＴＦＴ２０２のソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリング回路３０１のＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６８】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６９】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７０】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７１】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００７２】
次に、図１から図３に示した額縁遮光膜５３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学装置装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた低反射膜の構成及び遮光作用を中心として、第１乃至第３実施形態として、図４から図８を参照して説明する。
【００７３】
まず、第１実施形態について図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図５は、比較例におけるＣＲ部分付近に対応する箇所を拡大して示す部分断面図である。また、図６は、図２に示す矢印Ａ方向から臨んだ電気光学装置の平面図であって、特に、第１実施形態に関係する低反射膜５０１及び外枠８００の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示した平面図である。なお、図４及び図５においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に別の層が形成されているように示されているが、これは、後述する下地絶縁膜１２等の各種層間絶縁膜、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等の各種構造が積層されて形成されているもの（後述の図１０参照）を、簡略化して示したものである。
【００７４】
図４に示すように、第１実施形態では、額縁遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例として、データ線の引き出し配線２０６等の各種配線やサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等の各種回路素子が配置されている。そして、このように額縁領域内に設けられた引出し配線２０６等の下側には、低反射膜５０１が設けられている。より詳しくは、低反射膜５０１は、外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ｂと画像表示領域１０ａの外縁との間隙Ｗ１に対向配置されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。一方、比較例においては、図５に示すように、このような低反射膜５０１が設けられていない。
【００７５】
なお、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図４に示すように、該低反射膜５０１の外縁部分が外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ａと、平面的に見て重なり合うように形成されている（図４中符号Δｗ参照）。
【００７６】
また、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図６に示すように、外枠８００の窓８０２を規定する縁部分８０２ｂと画像表示領域１０ａの外縁との間隙Ｗ１の位置に対応した、基板１０上の位置においてベタに形成されている。なお、図６に示すように、上述した「間隙」とは、一般に、基板１０の横方向における間隙（図中符号Ｗ１）と縦方向における間隙（図中符号Ｗ２）とが異なり得るが、第１実施形態においては、そのように間隙の具体値が異なっているとしても、「間隙に対向配置」されるように低反射膜５０１が形成されることに変わりはない。換言すれば、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、窓８０２を規定する縁部分８０２ｂを外周とし、画像表示領域１０ａの外縁を内周として規定される図形の全面が埋め尽くされるように形成されるのである。
【００７７】
そして、このような構成となる電気光学装置が、例えば、液晶プロジェクタを構成するものとして利用される場合には、図４及び図５に併せて示すように、図中上側から強力で、かつ、斜め成分を大量に含むような入射光Ｌ１が入射することになる。そして、図４及び図５の双方に示すように、この入射光Ｌ１は、ＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射することになる。
【００７８】
ここで、図４に示す第１実施形態に係る電気光学装置においては、入射光Ｌ１がＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射した後、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる、引き出し配線２０６等の反射率に応じて反射（再反射）することが殆どない。なぜなら、入射光Ｌ１がそこに至る前に、低反射膜５０１の図４中下面によって、その進行が遮られるからである。つまり、第１実施形態によれば、引き出し配線２０６等による光の再反射は、未然に防止されることになる。また、引き出し配線２０６等を通過する入射光（不図示）も考えられるが、第１実施形態に係る電気光学装置においては、低反射膜５０１の図中上面において、該光が電気光学装置外部へと至ることも未然に防止されることになる。したがって、額縁領域付近すなわち、画像表示領域１０ａの縁付近において、引き出し配線２０６等で反射（再反射）したり、引き出し配線２０６等の隙間を透過した入射光のうち内面反射を経た後、あるいは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光の光量は、低反射膜５０１で吸収又は反射される分だけ顕著に減少する。
【００７９】
この点、図５の比較例を参照するとわかるように、上述した低反射膜５０１が形成されていない電気光学装置においては、入射光Ｌ１は、基板１０の外側の光学部品等で反射した後、引き出し配線２０６等で容易に再反射し、最終的に、電気光学装置の外部へと至ってしまう。また、引き出し配線２０６等の隙間を通過した入射光についても、低反射膜５０１が存在しないことで、電気光学装置外部へと至ってしまう。結局のところ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光量は、低反射膜５０１のある場合に比べて、顕著に増加する。
【００８０】
また、第１実施形態においては、図４中の符号Δｗを参照して説明したように、低反射膜５０１の外縁部分が外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ａと平面的に見て重なり合うように形成されている。すなわち両者の間には、平面的に見て「隙間がない」ことになるから、従来問題であった隙間から通り抜けてくる光の発生する余地は殆どなくなる。したがって、第１実施形態においては、より効果的な遮光作用を発揮させることが可能となる。
【００８１】
さらに、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図６を参照して説明したように、ベタに形成されていることから、より強い遮光作用の発揮が期待できる。すなわち、該低反射膜５０１の存在にもかかわらず、これを透過する等して当該電気光学装置外部へ至ろうとする光の存在を完全に否定することはできないが、該低反射膜５０１をベタに形成することによれば、そのような透過等の現象を、極力抑止することが可能となる。
【００８２】
このように、第１実施形態における電気光学装置においては、これを例えば、投射型表示装置に適用する場合には、スクリーン上の画像の周囲に光の縁が形成されることがなくなり、見栄えのよい画像を投影することが可能となる。
【００８３】
なお、上述した第１実施形態に係る低反射膜５０１は、好ましくは、引き出し配線２０６等よりも低い光反射率をもつように構成するとよい。このように構成すれば、低反射膜５０１が何ら存在しない場合（図５参照）等に比べて、基板１０の外側の光学部品等で反射した光をより効果的に遮ることが可能となる。つまり、従前では、引き出し配線２０６等において再反射した光が電気光学装置外部へと至っていたところ、本構成では、仮に低反射膜５０１において「再反射」する光があり、これが電気光学装置装置外部へと至る結果となったとしても、前者に比べて後者の方がより光の強さは小さくなる。
【００８４】
また、上述したような材料としては、具体的には例えば、高融点金属等を挙げることができ、この場合更に具体的には、低反射膜５０１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等のうち少なくとも一つを含む金属単体、あるいは合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成するとよい。
【００８５】
さらに、前記材料としては、上記に加えて、ポリシリコンを採用することも好ましい。この場合においては特に、第１実施形態に係る低反射膜５０１とＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ（後に言及する図１０参照）とを同一膜からなる構成とすると更に好適である。というのも、このような構成を採ると、低反射膜５０１及び半導体層１ａの両者は、同一製造工程により同時に形成することが可能となるからである。したがって、製造コストを、相応分、削減することが可能となる。
【００８６】
加えて、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、好適には、導電膜からなるように構成してもよい。これによれば、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、遮光作用が期待されるのは勿論のこと、それのみならず、配線等としても利用可能となる。さらに、低反射膜が配置される箇所における引き出し配線２０６等や回路素子との相対的な位置関係に応じて、低反射膜の電位を適当に設定することも可能となる。この場合特に、前記低反射膜は、少なくとも部分的に固定電位に落とされているようにすると尚よい。これにより、額縁領域内において引き出し配線２０６等や回路素子に対して、低反射膜５０１の電位変動が悪影響を及ぼす事態を未然に防止することができる。
【００８７】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図７を参照して説明する。図７は、図２に示す矢印Ａ方向から臨んだ電気光学装置に対応する平面図であって、特に、第２実施形態に関係する低反射膜５０２及び外枠８００等の配置関係を明らかにするために、これら両者のみを図示した平面図である。
【００８８】
第２実施形態に係る低反射膜５０２は、好適には、引き出し配線２０６等が有する平面パターンに対応した平面パターンを有するように形成されている。すなわち、引き出し配線２０６等は、図３を見てもわかるように、複数本平行に設けられるデータ線６ａのそれぞれに対応して設けられること等からして、一般に、帯状のパターンを有するもの等として想定することができるが、このような場合において、第２実施形態では、低反射膜５０２もこれに対応した帯状のパターンを有するように形成されているのである。なお、図７においては、このような趣旨が把握しやすいように、図に示される電気光学装置全体の縮尺とは異なった縮尺により、当該帯状のパターンを概念的に描いている。
【００８９】
このようにすると、ＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射した光は該帯状に設けられた低反射膜５０２に遮られ、その背後に位置する、同様に帯状に設けられた引き出し配線２０６等には届かないことになる。その一方、低反射膜５０１における各帯間においては、基板１０の外側の光学部品等で反射した光は該帯間を通り抜け、その背後へと至る結果となるが、そこには引き出し配線２０６等が存在しないため、強い反射（再反射）は生じず、画像に大きな影響を及ぼさない。これによれば、少なくとも最小限必要となるような遮光作用を得ること、換言すれば効率的な遮光作用を得ることが可能となる。
【００９０】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図８を参照して説明する。図８は、図４と同趣旨の図であって、その構成の一部に変更が加えられた部分断面図である。
【００９１】
第３実施形態に係る低反射膜５０３は、図８に示すように、その外縁がシール材５２と離間するように形成されている（図８中符号Δｘ参照）。これにより、例えば、シール材５２が光硬化性樹脂を含む場合等にあっては、第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程中、とりわけシール材５２の硬化工程において、低反射膜５０３が邪魔になるようなことがない。すなわち、シール材５２の硬化は、一般に、基板１０の裏面から入射した所定の波長となる光を、該基板１０内で透過させ、最終的にシール材５２に到達させることによって行われるが、このとき例えば、シール材５２中に低反射膜５０３の一部が存在する（つまり、相互に離間していない）状態となっていると、該シール材５２に前記所定の波長となる光が到達することが困難となり、その硬化を十分に行うことができないのである。本実施形態において、既に述べたように、低反射膜５０３及びシール材５２は離間して形成すれば、上述のような不都合が生じなくなるのである。
【００９２】
なお、以上述べた各実施形態においては、周辺回路駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏向フィルム、位相差フィルム、偏向板等が所定の方向で配置される。
【００９３】
（画像表示領域における構成）
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ´断面図である。なお、図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００９４】
図９において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００９５】
走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００９６】
ＴＦＴ３０は、図１０に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図１０に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００９８】
一方、図９及び図１０に示すように、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００９９】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に詳述する容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【０１００】
中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、ＴＦＴ３０における半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの接続を中継する機能を果たす。
【０１０１】
このように中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度と長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続することができ、画素開口率を高めることが可能となる。また、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【０１０２】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図９に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【０１０３】
このような容量線３００は、好ましくは高融点金属を含む導電性遮光膜からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【０１０４】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【０１０５】
図９及び図１０においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。また、開口領域の規定は、図１１中縦方向に延びるデータ線６ａと図１１中横方向に延びる容量線３００とが相交差して形成されることによっても、なされている。
【０１０６】
なお、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１０７】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１０８】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１０９】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、中継層７２及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄ中継層７２へ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１１０】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１１１】
第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【０１１２】
第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。
【０１１３】
ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【０１１４】
更にこの他、図９及び図１０において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【０１１５】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。また、配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の有機膜からなる。
【０１１６】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透明導電成膜からなる。また、配向膜２２は、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【０１１７】
（製造方法）
以下では、上述した第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、図１１から図１３を参照して説明する。ここに図１１は、第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程をその順に沿って示したフローチャートであり、図１２は、ＴＦＴ３０の半導体層形成工程（図１１におけるステップＳ１４）後、ＴＦＴアレイ基板上に形成されるパターン配置の様子を示す平面図、図１３は、シール材硬化工程（図１１におけるステップＳ８１）実施中の様子を示す説明図である。
【０１１８】
まず、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス雰囲気で約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスでＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪が少なくなるように前処理しておく（ステップＳ１１）。
【０１１９】
続いて、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状が格子状の下側遮光膜１１ａを形成する（ステップＳ１２）。
【０１２０】
次に、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する（ステップＳ１３）。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【０１２１】
続いて、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間のアニール処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよい。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する（ステップＳ１４）。
【０１２２】
本実施形態においては特に、この半導体層１ａが、上述のようにポリシリコン膜を含み得ることにより、第１実施形態に係る低反射膜５０１をポリシリコン膜を含む構成とするのであれば、該低反射膜５０１を、半導体層１ａと同一膜として、すなわち同一製造工程により同時に成膜することが可能である。より詳しくは、半導体層１ａは、図９あるいは図１２に示すような所定パターンを有するように、下地絶縁膜１２（図１０参照）上で、フォトリソグラフィ及びエッチング工程等を経て形成されるが、低反射膜５０１もまた、当該フォトリソグラフィ及びエッチング工程等によって同時に形成することができるのである。
【０１２３】
ただし、本発明は、上述のように、低反射膜５０１がＴＦＴ３０の半導体層１ａと同一膜として形成される形態のみに限定されるわけではない。例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の直上に、これを設けるような形態としてもよい。この場合、低反射膜５０１を形成した後、上述の下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２等が形成されることになる。もちろん、低反射膜５０１と下側遮光膜１１ａとを同時に形成する形態等も考えられる（すなわち、図１１のステップＳ１２を実施中に、低反射膜もまた、同時に形成する。）。
【０１２４】
また、本発明に係る低反射膜を高融点金属又はポリシリコン膜を含むものとして構成する場合には、場合によっては、後述する走査線３ａ、データ線６ａ、あるいは容量線３００、中継層７１等（図１０参照）と同一膜として形成する形態も考えられる。これらのような形態によれば、本発明に係る低反射膜と別の構成要素とが同一の製造工程で同時に形成されることになるから、上述の半導体層１ａと同時に形成する場合と略同様な効果が奏されることが明らかである。
【０１２５】
ただ一般的には、図４等で説明したように、本発明に係る低反射膜は、引き出し配線２０６等のパターン部に光が至らないようにすることを主たる作用としてもつものであるから、可能な限り基板上のより下層側、本実施形態に関して言うならば、ＴＦＴアレイ基板１０上のより下層側において、低反射膜を設ける形態が好ましくはある。
【０１２６】
続いて、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、場合により、これに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する（ステップＳ１５）。この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【０１２７】
続いて、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。
【０１２８】
なお、上記第１実施形態で述べたように、低反射膜５０１を導電膜を含む構成とする場合には、例えば、この時点で、該低反射膜５０１に対しても同時にイオン注入等を実施すればよい。
【０１２９】
次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定のパターンの走査線３ａを形成する（ステップＳ１６）。
【０１３０】
次に、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するため、あるいは高濃度ソース領域１３ｄ及び高濃度ドレイン領域１３ｅを形成する（ステップＳ１７）。
【０１３１】
ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパンを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１３ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ´となる。このとき走査線３ａがマスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは自己整合的に形成されることになる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ続元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０^１５／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。
【０１３２】
なお、このように低濃度と高濃度の２段階に分けて、ドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐイオン・Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより、走査線３ａは更に低抵抗化される。
【０１３３】
以上のようにして、不純物打ち込み工程が完了すると、本実施形態におけるＴＦＴ３０は完成することになる（図１１参照）。なお、このＴＦＴ３０の完成と同時に、図１、あるいは図３等に示した走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１等も同時に形成されることになる（図１１において不図示）。
【０１３４】
後は、図１１のステップＳ１８にあるように、図１０に示す蓄積容量７０（下から順に、中継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００）や各種層間絶縁膜４１、４２及び４３、データ線６ａ等のその他の構成要素を、上述したように形成されたＴＦＴ３０の上に、順次積層・形成していけばよい。なお、これら各構成要素のうち、図１０に示すデータ線６ａの形成と同時に、図３及び図４等に示した引き出し配線２０６等も形成されることになる（図１１において不図示）。そして最後に、画素電極９ａ及び配向膜１６を形成する（ステップＳ１９）ことによって、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造は完了する。
【０１３５】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等がまず用意され（ステップＳ５１）、額縁としての遮光膜５３が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエッチングを経て形成される（ステップＳ５２）。なお、この額縁遮光膜５３は、導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。
【０１３６】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する（ステップＳ５３）。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される（ステップＳ５４）。
【０１３７】
最後に、上述のように、各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされる（ステップＳ８１）。
【０１３８】
なお、この際、上述した第３実施形態のように、低反射膜５０３の外縁とシール材５２とが離間するように形成されている場合であって、該シール材５２が光硬化性樹脂からなる場合には、図１３に示すように、シール材５２の硬化工程、すなわち所定の波長となる光Ｌｈを、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射するとともに、該基板１０内を透過させてシール材５２に到達させ、該シール材５２を硬化させる工程において、低反射膜５０３が、当該光Ｌｈの進行の妨げとなるようなことがないから、該シール材５２の硬化は、何ら支障なく実現されることになる。
【０１３９】
続いて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の空間に、真空吸引等により、例えば複数種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される（ステップＳ８２）。そして最終的には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を収容するようにして、外枠８００が設置される（図２参照）。
【０１４０】
以上のようにして、電気光学装置の製造は完了する。
【０１４１】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１４２】
図１４において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路とともに示すブロック図である。
【図４】図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分拡大図である。
【図５】比較例におけるＣＲ部分付近に対応する箇所を拡大して示す部分断面図である。
【図６】図２の矢印Ａ方向から臨んだ平面図であって、第１実施形態に関係する低反射膜及び外枠の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示する平面図である。
【図７】図２の矢印Ａ方向から臨んだ平面図に対応する平面図であって、第２実施形態に関係する低反射膜及び外枠の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示する平面図である。
【図８】図４と同趣旨の図であって、その構成の一部に変更が加えられた部分断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１０】図９のＥ−Ｅ´断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程をその順に沿って示したフローチャートである。
【図１２】図１１に示すステップＳ１４、半導体層形成工程の後に基板上に形成されるパターン配置の様子を示す平面図である。
【図１３】シール材硬化工程実施中の様子を示す説明図である。
【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ´…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…周辺回路
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
８１、８２、８３、８５…コンタクトホール
１０１…周辺回路駆動回路
１０２…外部回路接続端子
１０４…走査線駆動回路
１１４…サンプリング回路駆動信号線
１１５…画像信号線
１１６…引き出し配線
２０２…ＴＦＴ
２０６…引き出し配線
３０１…サンプリング回路
５０１、５０２及び５０３…低反射膜
８００…外枠
８０１、８０２…窓
８０２ａ…（窓の）縁部分[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to a technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, a manufacturing method thereof, and a projection display device.
[0002]
[Background]
A projection display device that projects light emitted from a light source onto an electro-optical device in which an electro-optical material such as liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates, and projects an image on a screen by the light transmitted through the device (generally, , Also called “liquid crystal projector”). In addition to the above-described configuration, the projection type liquid crystal display device further includes, for example, three appropriate lens systems and the electro-optical device, so that the light from the light source is R (red) by the lens system. A color image is obtained by separating the three primary colors of G (green) and B (blue) and projecting these lights onto the three electro-optical devices (generally also referred to as “multi-plate projector”). Etc. are also known. The electro-optical device includes, for example, a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT” as appropriate) or a thin film diode (Thin Film Diode) as a pixel switching element connected to the pixel electrode. An electro-optical device capable of a so-called active matrix driving method is widely used by appropriately including “TFD”).
[0003]
By the way, in such a projection display device, in order to obtain a high-quality and high-quality image on the screen, it is particularly preferable that there is no “light re-reflection” in the electro-optical device. Here, “light re-reflection” means that the light reflected from the light emitting side of the electro-optical device is further reflected (re-reflected) by a pattern portion such as an aluminum wiring located outside the image display region. Say. When such re-reflection of light occurs and the light reaches the outside of the electro-optical device (that is, light leaks), a thin edge of light appears around the image on the screen. As a result, although the image quality of the image itself is not greatly affected, it has a negative effect on the appearance.
[0004]
Such a problem also occurs in the above-described multi-plate projector when return light that is emitted from one electro-optical device and penetrates the combining optical system is incident on another electro-optical device. . This is because the “return light” here has the same effect as the light reflected from the light emitting side of the substrate.
[0005]
In the projection display device, generally, the incident light is strong and contains a large amount of oblique component light, so that such a problem becomes particularly serious.
[0006]
Conventionally, in order to prevent light leakage due to re-reflection of light as described above, the light emission side of the electro-optical device, more specifically, the light emission of the TFT array substrate constituting one of the pair of substrates. A black outer frame in which a window corresponding to the image display area is formed is attached to the outside of the surface located on the side. Thereby, it becomes possible to absorb the re-reflected light, and it is possible to generally prevent the appearance of the edge of the light around the image.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the above-described outer frame is used, there are the following problems. That is, it is necessary to provide a certain gap between the edge portion defining the window in the outer frame and the outer edge of the image display area (the area where the above-described pixel electrode, TFT, etc. are provided). It is impossible to effectively block the light. That is, the re-reflected light leaks to the outside through the gap, and the formation of the light edge cannot be prevented.
[0008]
Here, the “necessary to provide a certain gap” is to eliminate the influence on the image itself. That is, if a slightly larger outer frame is installed so as to contact or reach the image display area, that is, whether the edge of the window and the outer edge of the image display area are in contact with each other in plan view. Alternatively, if the outer frames are installed so as to overlap each other, a dark portion, which is also referred to as so-called “damage”, is generated at the inner edge of the image on the screen (that is, in the image). In short, if a slightly larger outer frame is installed, it may be possible to prevent the formation of the above-mentioned edge of the light. However, the image quality of the image itself is deteriorated, which is more serious. It will result in a strange situation.
[0009]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and can display a high-quality and high-quality image, and does not show an edge of light around the image. It is an object to provide an electro-optical device and an electronic device that can display a good image.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, an electro-optical device according to an embodiment of the present invention includes an electro-optical material sandwiched between a pair of substrates, an image display region, and a frame region around the image display region. Housed in a light-shielding outer frame in which a corresponding window is formed so that a planar gap is formed between the outer edge of the image display area and the edge of the window when viewed from one of the substrates. An electro-optical device, on one of the substrates, a display electrode disposed in the image display region, and connected to the display electrode via a pixel switching element or directly, A pattern portion made of wiring provided in a frame region, and a low reflection film having a lower light reflectance than the pattern portion below the pattern portion in the frame region, on the other substrate, Frame shading film defining the frame area The low reflection film is made of a polysilicon film made of the same layer as the semiconductor layer of the pixel switching element, covers the gap in a plan view when viewed from one substrate side, and the frame light shielding film and It arrange | positions so that it may overlap with the edge part of the window of the said outer frame.
Further, the window of the outer frame includes a first window provided on one of the substrate sides and a second window provided on the other substrate side, and an edge portion of the second window is formed by the first window. The frame light-shielding film is provided so as to overlap the edge part of the second window, and the low reflection film is the first reflection film. And an edge portion of the second window and an edge portion of the second window.
[0011]
According to the electro-optical device of the present invention, for example, wirings such as data lines and scanning lines are drawn from the image display area and arranged in the frame area. Alternatively, in addition to or in addition to this, a transistor constituting at least a part of a peripheral circuit connected to the drawn wiring, or a circuit element such as TFT or TFD is arranged in the frame region. In this way, an image signal or the like is supplied to a display electrode such as a pixel electrode or a stripe electrode via a pixel switching element such as a TFT or directly via a wiring or a circuit element provided in the frame region. As a result, active matrix driving, passive matrix driving, or the like becomes possible.
[0012]
In particular, when the incident light is strong and contains a large amount of oblique component light, such as in projector applications, the reflectivity of the pattern portion formed by patterning a conductive film such as an Al (aluminum) film is used. Accordingly, incident light is reflected (re-reflected) on the surface, or incident light passes through the gaps in the pattern portion.
[0013]
In particular, in the present invention, in the outer frame in which the electro-optical device is accommodated on the substrate, the gap between the edge portion defining the window corresponding to the image display area and the outer edge of the image display area. Due to the presence of the opposed low reflection film, the light incident on the electro-optical device is reflected from the light emitting side of the substrate, and then the progress is blocked by one surface of the low reflection film according to the present invention. Will be. In other words, according to the present invention, light hardly reaches the pattern portion, and “re-reflection of light” in the pattern portion is prevented in advance. As a result, incident light and return light are reflected by a low-reflection film having a lower reflectance than that of the pattern portion, compared to the case where the light is reflected directly or after internal reflection and then finally reflected. The re-reflected light by the pattern part mixed with the emitted light near the frame can be reduced. Alternatively, in addition to this, the light after the light intensity is reduced by being transmitted through the low-reflection film is re-reflected by the pattern portion, so that the re-reflected light by the pattern portion that is finally mixed with the emitted light near the frame Can be reduced. In addition, the incident light that has passed through the gap between the pattern portions can obtain the same effect as described above by the other surface of the low reflection film according to the present invention.
[0014]
In the present invention, if the electro-optical device is accommodated in the outer frame, the light shielding action by the outer frame is exhibited as before. That is, despite the presence of the low-reflection film as described above, the light that reaches the pattern portion is re-reflected there for the reason that it is transmitted through the low-reflection film. The light is shielded by an edge portion that defines the window of the frame and a portion that constitutes an outer frame that exists around the edge portion.
[0015]
As a result of the above, in the present invention, the light reflected by the optical component or the like outside the substrate hardly reaches the outside of the electro-optical device. Therefore, for example, assuming that the electro-optical device according to the present invention is used as a constituent of a projection display device, there is almost a possibility that a thin edge of light appears around the image on the screen. It will disappear. Therefore, according to the present invention, it is possible to display a high-quality and high-quality image, and it is possible to display a good-looking image.
[0016]
Note that the term “low light reflectance” in the present invention can be interpreted as “high light absorptance”, and light reflected by an optical component or the like outside the substrate is reflected in the low reflective film according to the present invention. It can be said that more effective “light shielding” is achieved as a result of absorption than in the pattern portion.
[0018]
In addition, it is possible to form a light absorption film having a low reflection effect, that is, an excellent light absorption effect, relatively easily. In the substrate manufacturing process, after a low reflection film is formed on the substrate, a high temperature process must be performed. In such a case, there is no concern that inconvenience such as thermal deformation occurs in the low reflection film.
[0031]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the low reflection film is solid.
[0032]
According to this aspect, since the low reflection film is solid, it can be expected to exhibit a stronger light shielding effect. In other words, despite the presence of the low-reflection film, it is impossible to completely deny the presence of light that passes through the electro-optical device and the like, but the low-reflection film is formed solidly. By doing so, it is possible to suppress such a phenomenon as transmission as much as possible.
[0033]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the pattern unit has a predetermined plane pattern, and the low reflection film has a plane pattern corresponding to the predetermined plane pattern.
[0034]
According to this aspect, since the low reflective film and the pattern portion have a predetermined plane pattern corresponding to each other, at least a light shielding effect that is necessary at least is obtained, in other words, an efficient light shielding effect. Can be obtained. That is, for example, assuming that the planar pattern is a band shape, the light reflected from the light emitting side is blocked by the low reflection film provided in the band shape and is located behind the same, similarly to the band shape. The provided pattern portion hardly reaches. On the other hand, between each band in the low-reflection film, the light reflected from the light emitting side passes through the band and reaches the back, but there is no pattern portion, so strong reflection ( (Re-reflection) does not occur and the image is not greatly affected.
[0035]
Further, according to this aspect, for example, it is possible to alleviate the generation of stress due to the presence of the low-reflection film, compared with the case where the low-reflection film is simply formed as a solid, thereby improving the manufacturing yield and device reliability. Can be achieved.
[0038]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the electro-optical device may further include a sealing material that adheres one of the substrates and the other substrate in a peripheral region located around the frame region, and the low-reflection film includes: The outer edge is formed apart from the sealing material.
[0039]
According to this aspect, since the outer edge of the low reflection film is formed apart from the sealing material that adheres the substrate and the other substrate, the sealing material includes, for example, a photocurable resin. In this case, the low reflective film does not get in the way during the manufacturing process of the electro-optical device according to this aspect, especially in the curing process of the sealing material. In other words, the curing of the sealing material including the photocurable resin is generally performed by allowing light having a predetermined wavelength to enter from the back surface of the substrate, pass through the substrate, and finally reach the sealing material. However, at this time, for example, if a part of the low reflection film is present in the sealing material (that is, not separated from each other), the light having the predetermined wavelength reaches the sealing material. This makes it difficult to sufficiently cure the resin. In this aspect, as described above, the low reflection film and the sealing material are formed apart from each other, so that the above-described disadvantage does not occur.
[0040]
In this embodiment, in particular, the sealing material may include a photocurable resin.
[0041]
According to such a configuration, as is clear from the above description, the sealing material can be sufficiently cured.
[0042]
In another aspect of the electro-optical device of the invention, the outer frame is further provided.
[0043]
According to this aspect, at the time of operation, the light reaches the pattern portion through the low-reflection film, and the re-reflected light forms the edge portion that defines the window of the outer frame and the portion that forms the outer frame around the edge portion. Etc. are shielded from light. Then, the mechanical strength of the electro-optical device at the time of transportation after shipment or shipping can be increased by the presence of the outer frame.
[0044]
In order to solve the above-described problems, a projection display device of the present invention includes a light valve including the above-described electro-optical device according to the present invention (including various aspects thereof), and incident light is incident on the light valve. And an optical system for projecting the projection light emitted from the light valve.
[0045]
According to the projection type display device of the present invention, since the above-described electro-optical device (including various aspects thereof) of the present invention is provided as a light valve, high-quality image display is possible.
[0046]
In order to solve the above-described problem, the electro-optical device manufacturing method of the present invention has an electro-optical material sandwiched between a pair of substrates, an image display region, and a frame region around the image display region. A display electrode on the substrate, a pixel switching element electrically connected to the display electrode, and a pixel switching element connected directly or directly to the display electrode and provided in the frame region In the light-shielding outer frame provided with a frame light-shielding film that defines the frame region on the other substrate, and a window corresponding to the image display region is formed on the other substrate. A method of manufacturing an electro-optical device that is accommodated so that a planar gap is formed between an outer edge of the image display region and an edge portion of the window when viewed from one substrate side. On the substrate, the pixel switch Forming a semiconductor layer of a semiconductor device and a low reflection film opposed to the gap at the same time with a polysilicon film having a light reflectance lower than that of the pattern portion, and the pattern portion above the low reflection film. The low reflection film is formed so as to cover the gap in a plan view when viewed from one substrate side and to overlap the frame light shielding film and the edge portion of the window of the outer frame. .
[0047]
According to the electro-optical device manufacturing method of the present invention, the above-described electro-optical device of the present invention, in which the semiconductor layer constituting the pixel switching element and the low reflection film are made of the same film, is relatively easy. Can be manufactured.
[0050]
Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.
[0051]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the invention is applied to a liquid crystal device.
[0052]
(Overall configuration of electro-optical device)
First, the overall configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of a TFT array substrate as viewed from the counter substrate 20 side together with the components formed thereon, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. Note that here, a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit is taken as an example.
[0053]
1 and 2, in the liquid crystal device, a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 are arranged to face each other. A sealing material 52 is provided on the TFT array substrate 10 along its edge. The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like, and is cured by ultraviolet rays, heating, or the like in order to bond the two substrates together. Further, in this sealing material 52, if the liquid crystal device according to the present embodiment is a small-sized liquid crystal device that performs enlarged display like a projector, the distance between the two substrates (inter-substrate gap) is set to a predetermined value. Gap materials (spacers) such as glass fibers or glass beads are dispersed. Alternatively, such a gap material may be included in the liquid crystal layer 50 as long as the liquid crystal device is a large-sized liquid crystal device that performs the same magnification display as a liquid crystal display or a liquid crystal television.
[0054]
A frame light shielding film 53 as a frame defining the periphery of the image display region 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal region where the seal material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side.
[0055]
A data line driving circuit 101 and an external circuit for driving the data line 6a by supplying an image signal to a data line (see reference numeral 6a in FIG. 3 and the like) to be described later at a predetermined timing are provided in an area outside the sealing material 52. A connection terminal 102 is provided along one side of the TFT array substrate 10, and a scanning line driving circuit 104 for driving the scanning line 3a is provided on this side by supplying a scanning signal to the scanning line 3a at a predetermined timing. It is provided along two adjacent sides.
[0056]
Needless to say, if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 3a is not a problem, the scanning line driving circuit 104 may be provided on only one side. Further, the peripheral circuit drive circuit 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a.
[0057]
Furthermore, a plurality of wirings 105 are provided on the remaining side of the TFT array substrate 10 to connect between the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display region 10a. Further, at least one corner portion of the counter substrate 20 is provided with a conductive material 106 for electrical connection between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. As shown in FIG. 2, the counter substrate 20 having substantially the same outline as the sealing material 52 shown in FIG. 1 is fixed to the TFT array substrate 10 by the sealing material 52.
[0058]
In the present embodiment, in particular, a sampling circuit 301 that samples an image signal supplied from the data line driving circuit 101 is disposed in the frame area. That is, circuit elements such as TFTs constituting the sampling circuit 301 are arranged in the frame area. Further, in the frame area, (1) a wiring part extending from the data line wired in the image display area 10a to the sampling circuit 301, (2) a wiring part extending from the data line driving circuit 101 to the sampling circuit 301, (3 ) Various wiring portions such as a wiring portion extending from the scanning line wired in the image display area 10a to the scanning line driving circuit 104 are also arranged.
[0059]
In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the pixel switching TFT, the scanning line, the peripheral circuit and the like are formed. On the other hand, in addition to the counter electrode 21, an alignment film is formed on the uppermost layer portion on the counter substrate 20. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.
[0060]
In the present embodiment, in particular, a light-shielding outer frame 800 that houses the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 described above is provided. This may be made of, for example, a suitable plastic or polymer material. Further, the light shielding property of the outer frame 800 is specifically obtained by means such as coating the entire outer frame 800 with a black paint, for example. However, in some cases, the outer frame 800 may be made of a light-shielding material so that the light-shielding property can be obtained.
[0061]
Particularly in the outer frame 800, as shown in FIG. 2, windows 801 and 802 corresponding to the image display area 10a are provided so as not to hinder the progress of light passing through the liquid crystal layer 50 (incident or emission of light). (See also FIG. 4 mentioned later). Here, the window 801 is located on the upper surface in the drawing, that is, the counter substrate 20 side, and the window 802 is located on the lower surface in the drawing, that is, on the TFT array substrate 10 side.
[0062]
The outer frame 800 is installed so that a gap is formed at a predetermined distance between the edge portion 802a and the outer edge of the image display region 10a at least at the edge portion 802a of the window 802. Here, “at least” means that a gap having a predetermined distance may be formed between the edge portion of the window 801 and the outer edge of the image display region 10a in some cases. As described above, this is to avoid the occurrence of “scratching” or dark portions at the inner edge of the image, which occurs when the edge portion 802a and the image display area 10a overlap each other in plan view. It is. FIG. 4 shows that the distance of this gap is “W1”.
[0063]
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, the low reflection film 501 is disposed so as to face the gap W1 formed between the edge portion 802a of the window 802 and the outer edge of the image display region 10a. In addition, it is formed on the TFT array substrate 10. The configuration and light shielding effect of the low reflection film 501 will be described in detail later.
[0064]
On the TFT array substrate 10, in addition to the peripheral circuit drive circuit 101, the scanning line drive circuit 104, and the like, a precharge signal having a predetermined voltage level is supplied to each of the plurality of data lines 6a in advance of the image signal. An inspection circuit for inspecting the quality, defects, etc. of the pre-charge circuit, the quality of the electro-optical device during manufacture or at the time of shipment may be formed.
[0065]
Next, the circuit configuration and operation of the electro-optical device configured as described above will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a block diagram showing equivalent circuits such as various elements and wirings and peripheral circuits in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes an image display area of the electro-optical device.
[0066]
In FIG. 3, a pixel electrode 9 a and a TFT 30 for controlling the switching of the pixel electrode 9 a are formed in a plurality of pixels formed in a matrix that constitutes the image display region of the electro-optical device according to the present embodiment. The data line 6 a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30.
[0067]
In the peripheral region outside the image display region 10a, one end (the lower end in FIG. 3) of the data line 6a is a drain of the TFT 202 such as a CMOS type which is an example of a switching circuit element constituting the sampling circuit 301. It is connected to the. On the other hand, the image signal line 115 is connected to the source of the TFT 202 of the sampling circuit 301 via the lead wiring 116. The sampling circuit drive signal line 114 connected to the data line drive circuit 101 is connected to the gate of the TFT 202 of the sampling circuit 301. The image signals S1, S2,..., Sn on the image signal line 115 are sampled in response to a sampling circuit drive signal supplied from the data line drive circuit 101 via the sampling circuit drive signal line 114. And is supplied to each data line 6a.
[0068]
In this way, the image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, and may be supplied for each of a plurality of adjacent data lines 6a. It may be.
[0069]
The scanning line 3a is electrically connected to the gate of the pixel switching TFT 30, and the scanning signals G1, G2,..., Gm are pulsed to the scanning line 3a at a predetermined timing. Thus, it is configured to apply the lines sequentially in this order. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,..., Sn supplied from the data line 6a is obtained by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. Write at a predetermined timing.
[0070]
Image signals S1, S2,..., Sn written in a liquid crystal as an example of an electro-optical material via the pixel electrode 9a are held for a certain period with the counter electrode 21 formed on the counter substrate. . The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly according to the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to the image signal is emitted from the electro-optical device as a whole.
[0071]
In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9 a and the counter electrode 21. A capacitor line 300 including a fixed potential side capacitor electrode of the storage capacitor 70 and fixed at a constant potential is provided alongside the scanning line 3a.
[0072]
Next, regarding the detailed configuration of the electro-optical device in the frame region and the peripheral region provided with the frame light-shielding film 53 shown in FIGS. 1 to 3, the configuration of the low-reflection film provided in the frame region and the light-shielding action are mainly described. As a first to a third embodiment, a description will be given with reference to FIGS.
[0073]
First, a first embodiment will be described with reference to FIGS. 4 is an enlarged partial sectional view showing the vicinity of the CR portion in FIG. 2. FIG. 5 is an enlarged partial sectional view showing a portion corresponding to the vicinity of the CR portion in the comparative example. FIG. 6 is a plan view of the electro-optical device as viewed from the direction of arrow A shown in FIG. 2, and in particular, the arrangement relationship between the low reflection film 501 and the outer frame 800 related to the first embodiment is clarified. Therefore, it is the top view which illustrated only these both. In FIGS. 4 and 5, it is shown that another layer is formed on the TFT array substrate 10, but this is because various interlayer insulating films such as a base insulating film 12 described later, TFT 30, A structure in which various structures such as the storage capacitor 70 are laminated (see FIG. 10 described later) is simplified.
[0074]
As shown in FIG. 4, in the first embodiment, in the frame region under the frame light shielding film 53, as an example of a pattern portion, various wirings such as a data line lead-out wiring 206, TFTs constituting the sampling circuit 301, and the like. These various circuit elements are arranged. A low reflection film 501 is provided below the lead-out wiring 206 and the like provided in the frame area. More specifically, the low reflection film 501 is formed on the TFT array substrate 10 so as to be opposed to the gap W1 between the edge portion 802b defining the window 802 in the outer frame 800 and the outer edge of the image display region 10a. Yes. On the other hand, in the comparative example, as shown in FIG. 5, such a low reflection film 501 is not provided.
[0075]
As shown in FIG. 4, the low reflection film 501 according to the first embodiment has an outer edge portion of the low reflection film 501 overlapped with an edge portion 802 a defining the window 802 in the outer frame 800 when viewed in a plan view. (See symbol Δw in FIG. 4).
[0076]
Further, the low reflection film 501 according to the first embodiment corresponds to the position of the gap W1 between the edge portion 802b defining the window 802 of the outer frame 800 and the outer edge of the image display region 10a, as shown in FIG. A solid surface is formed at a position on the substrate 10. As shown in FIG. 6, the “gap” described above may generally be different from the gap in the lateral direction of the substrate 10 (reference numeral W1 in the figure) and the gap in the vertical direction (reference numeral W2 in the figure). In one embodiment, even if the specific values of the gaps are different, the low reflection film 501 is still formed so as to be “disposed facing the gap”. In other words, the low reflective film 501 according to the first embodiment fills the entire figure defined with the edge portion 802b defining the window 802 as the outer periphery and the outer edge of the image display region 10a as the inner periphery. It is formed.
[0077]
And when the electro-optical device having such a configuration is used as, for example, a liquid crystal projector, it is powerful from the upper side in the drawing, as shown in FIGS. Incident light L1 containing a large amount of oblique components is incident. As shown in both FIGS. 4 and 5, the incident light L <b> 1 is reflected by an optical component or the like outside the TFT array substrate 10.
[0078]
Here, in the electro-optical device according to the first embodiment shown in FIG. 4, after the incident light L1 is reflected by an optical component or the like outside the TFT array substrate 10, a conductive film such as an Al film is patterned. The reflection wiring 206 or the like hardly reflects (re-reflects) according to the reflectance. This is because the progress of the low reflection film 501 is blocked by the lower surface of FIG. 4 before the incident light L1 reaches the incident light L1. That is, according to the first embodiment, re-reflection of light by the lead-out wiring 206 or the like is prevented in advance. In addition, incident light (not shown) passing through the lead-out wiring 206 and the like is also conceivable. However, in the electro-optical device according to the first embodiment, the light is transmitted to the outside of the electro-optical device on the upper surface of the low reflection film 501 in the drawing. It will be prevented in advance. Therefore, in the vicinity of the frame area, that is, near the edge of the image display area 10a, the reflected light is reflected (re-reflected) by the lead-out wiring 206 or the like, or after the internal reflection of the incident light transmitted through the gap of the lead-out wiring 206 or the like, or directly In addition, the amount of light finally mixed with the display output light Lout is significantly reduced by the amount absorbed or reflected by the low reflection film 501.
[0079]
In this regard, as can be seen by referring to the comparative example of FIG. 5, in the above-described electro-optical device in which the low reflection film 501 is not formed, the incident light L <b> 1 is reflected by an optical component or the like outside the substrate 10. The light is easily re-reflected by the lead wiring 206 or the like, and finally reaches the outside of the electro-optical device. Also, incident light that has passed through a gap such as the extraction wiring 206 reaches the outside of the electro-optical device because the low reflection film 501 does not exist. After all, the amount of light finally mixed with the display outgoing light Lout is significantly increased as compared with the case where the low reflection film 501 is provided.
[0080]
In the first embodiment, as described with reference to the symbol Δw in FIG. 4, the outer edge portion of the low reflection film 501 is viewed in plan with the edge portion 802 a that defines the window 802 in the outer frame 800. It is formed to overlap. That is, since there is no “gap” between the two in plan view, there is almost no room for light to pass through the gap, which was a problem in the past. Therefore, in the first embodiment, it is possible to exhibit a more effective light shielding effect.
[0081]
Furthermore, since the low reflection film 501 according to the first embodiment is solid as described with reference to FIG. 6, it can be expected to exhibit a stronger light shielding effect. That is, in spite of the presence of the low reflection film 501, it is impossible to completely deny the presence of light that passes through the electro-optical device by passing through it, but the low reflection film 501 is solid. According to the formation, it is possible to suppress such a phenomenon as transmission as much as possible.
[0082]
As described above, in the electro-optical device according to the first embodiment, when this is applied to, for example, a projection display device, an edge of light is not formed around the image on the screen, which is attractive. A good image can be projected.
[0083]
Note that the low reflection film 501 according to the first embodiment described above is preferably configured to have a light reflectance lower than that of the lead-out wiring 206 and the like. With this configuration, it is possible to more effectively block the light reflected by the optical components on the outside of the substrate 10 as compared with the case where no low reflection film 501 is present (see FIG. 5). That is, in the past, the light re-reflected at the lead-out wiring 206 and the like has reached the outside of the electro-optical device. In this configuration, however, there is light that is “re-reflected” at the low-reflection film 501, and this is the light outside the electro-optical device. Even if the result reaches the point, the intensity of light in the latter is smaller than that in the former.
[0084]
Specific examples of the material described above include refractory metals. In this case, more specifically, the low reflective film 501 includes, for example, Ti (titanium), Cr (chromium). ), W (tungsten), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), or the like, or a metal, an alloy, a metal silicide, a polysilicide, or a laminate of these.
[0085]
Further, in addition to the above, it is also preferable to employ polysilicon as the material. In this case, in particular, it is more preferable that the low reflection film 501 according to the first embodiment and the semiconductor layer 1a (see FIG. 10 to be described later) constituting the TFT 30 are made of the same film. This is because, when such a configuration is adopted, both the low reflection film 501 and the semiconductor layer 1a can be simultaneously formed by the same manufacturing process. Therefore, the manufacturing cost can be reduced by a corresponding amount.
[0086]
In addition, the low reflection film 501 according to the first embodiment may be preferably configured to include a conductive film. According to this, the low reflection film 501 according to the first embodiment can be used not only as a light shielding effect but also as a wiring or the like. Furthermore, the potential of the low reflection film can be appropriately set according to the relative positional relationship with the lead-out wiring 206 and the like and circuit elements at the location where the low reflection film is disposed. In this case, in particular, it is more preferable that the low reflection film is at least partially lowered to a fixed potential. As a result, it is possible to prevent a situation in which the potential fluctuation of the low reflection film 501 adversely affects the lead-out wiring 206 and the like and circuit elements in the frame region.
[0087]
(Second Embodiment)
Below, the 2nd Embodiment of this invention is described with reference to FIG. FIG. 7 is a plan view corresponding to the electro-optical device as viewed from the direction of arrow A shown in FIG. 2, and in particular, the arrangement relationship between the low reflection film 502 and the outer frame 800 related to the second embodiment is clarified. Therefore, it is a plan view illustrating only both of them.
[0088]
The low reflection film 502 according to the second embodiment is preferably formed to have a plane pattern corresponding to the plane pattern of the lead-out wiring 206 and the like. That is, as can be seen from FIG. 3, the lead-out wiring 206 and the like generally have a belt-like pattern because they are provided corresponding to each of the data lines 6a provided in parallel. In such a case, in the second embodiment, the low reflection film 502 is also formed so as to have a belt-like pattern corresponding thereto. In FIG. 7, the band-like pattern is conceptually drawn at a scale different from the scale of the entire electro-optical device shown in the drawing so that such a purpose can be easily understood.
[0089]
In this way, the light reflected by the optical components or the like outside the TFT array substrate 10 is blocked by the low-reflection film 502 provided in the band shape, and the lead-out wiring 206 similarly provided in the band shape is located behind it. It will not reach. On the other hand, between the bands in the low-reflection film 501, the light reflected by the optical components on the outside of the substrate 10 passes through the bands and reaches the back. Therefore, strong reflection (re-reflection) does not occur and the image is not greatly affected. According to this, it is possible to obtain at least a light shielding effect that is at least necessary, in other words, an efficient light shielding effect.
[0090]
(Third embodiment)
Below, the 3rd Embodiment of this invention is described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram having the same concept as in FIG. 4, and is a partial cross-sectional view in which a part of the configuration is changed.
[0091]
As shown in FIG. 8, the low reflective film 503 according to the third embodiment is formed so that the outer edge thereof is separated from the seal material 52 (see symbol Δx in FIG. 8). Thereby, for example, when the sealing material 52 includes a photocurable resin, the low reflective film 503 is formed during the manufacturing process of the electro-optical device according to the third embodiment, particularly in the curing process of the sealing material 52. There is nothing to get in the way. That is, the curing of the sealing material 52 is generally performed by transmitting light having a predetermined wavelength incident from the back surface of the substrate 10 through the substrate 10 and finally reaching the sealing material 52. Sometimes, for example, when a part of the low reflection film 503 is present in the sealing material 52 (that is, not separated from each other), the light having the predetermined wavelength reaches the sealing material 52. This makes it difficult to sufficiently cure the resin. In the present embodiment, as described above, if the low reflection film 503 and the sealing material 52 are formed apart from each other, the above-described disadvantages do not occur.
[0092]
In each of the embodiments described above, instead of providing the peripheral circuit drive circuit 101 and the scanning line drive circuit 104 on the TFT array substrate 10, for example, a drive LSI mounted on a TAB (Tape Automated Bonding) substrate is used. Alternatively, the TFT array substrate 10 may be electrically and mechanically connected through an anisotropic conductive film provided in the peripheral portion. Further, on the side on which the projection light of the counter substrate 20 enters and on the side on which the emission light of the TFT array substrate 10 exits, for example, a TN (Twisted Nematic) mode, a VA (Vertically Aligned) mode, a PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal), respectively. ) Mode, etc., and a deflection film, a retardation film, a deflection plate, and the like are arranged in a predetermined direction depending on whether the mode is a normally white mode or a normally black mode.
[0093]
(Configuration in the image display area)
Next, the configuration of the image display area of the electro-optical device according to the embodiment of the invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In FIG. 10, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.
[0094]
In FIG. 9, on the TFT array substrate of the electro-optical device, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (outlined by dotted line portions 9a ′) are provided in a matrix, and the vertical and horizontal directions of the pixel electrodes 9a are provided. A data line 6a and a scanning line 3a are provided along each boundary.
[0095]
The scanning line 3a is arranged so as to face the channel region 1a 'indicated by the hatched region rising to the right in the drawing in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a functions as a gate electrode. That is, each of the intersections between the scanning lines 3a and the data lines 6a is provided with a pixel switching TFT 30 in which the main line portion of the scanning line 3a is disposed opposite to the channel region 1a ′ as a gate electrode.
[0096]
As shown in FIG. 10, the TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, and includes, as described above, a scanning line 3a functioning as a gate electrode, for example, a polysilicon film. The channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by the electric field from 3a, the insulating film 2 including the gate insulating film that insulates the scanning line 3a from the semiconductor layer 1a, the low-concentration source region 1b in the semiconductor layer 1a, and the low A concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are provided.
[0097]
The TFT 30 preferably has an LDD structure as shown in FIG. 10, but may have an offset structure in which impurities are not implanted into the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c, or a part of the scanning line 3a. A self-aligned TFT may be used in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed in a self-aligned manner by implanting impurities at a high concentration using a gate electrode made of In the present embodiment, only one gate electrode of the pixel switching TFT 30 is disposed between the high-concentration source region 1d and the high-concentration drain region 1e. However, two or more gates are interposed between these gate electrodes. An electrode may be arranged. If the TFT is configured with dual gates or triple gates or more in this way, leakage current at the junction between the channel and the source and drain regions can be prevented, and the off-time current can be reduced. Further, the semiconductor layer 1a constituting the TFT 30 may be a non-single crystal layer or a single crystal layer. A known method such as a bonding method can be used for forming the single crystal layer. By making the semiconductor layer 1a a single crystal layer, it is possible to improve the performance of peripheral circuits in particular.
[0098]
On the other hand, as shown in FIGS. 9 and 10, the storage capacitor 70 includes a relay layer 71 as a pixel potential side capacitor electrode connected to the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a, and a fixed potential side capacitor electrode. A part of the capacitor line 300 is formed so as to be opposed to each other through the dielectric film 75. According to the storage capacitor 70, it is possible to remarkably improve the potential holding characteristic in the pixel electrode 9a.
[0099]
The relay layer 71 is made of, for example, a conductive polysilicon film and functions as a pixel potential side capacitor electrode. However, the relay layer 71 may be composed of a single layer film or a multilayer film containing a metal or an alloy, similarly to the capacitor line 300 described in detail later. The relay layer 71 has a function of relaying and connecting the pixel electrode 9a and the high-concentration drain region 1e of the TFT 30 via the contact holes 83 and 85, in addition to the function as a pixel potential side capacitor electrode.
[0100]
The relay layer 71 functions not only as a pixel potential side capacitor electrode but also as a relay function for relaying the connection between the high concentration drain region 1e and the pixel electrode 9a in the semiconductor layer 1a of the TFT 30 via the contact holes 83 and 85. .
[0101]
If the relay layer 71 is used in this way, even if the interlayer distance is as long as about 2000 nm, for example, two or more series having a relatively small diameter are avoided while avoiding the technical difficulty of connecting the two with a single contact hole. A good contact hole makes it possible to connect the two well, and the pixel aperture ratio can be increased. It also helps prevent etching through when opening contact holes.
[0102]
The capacitor line 300 is made of, for example, a conductive film containing a metal or an alloy and functions as a fixed potential side capacitor electrode. When viewed in a plan view, the capacitor line 300 is formed so as to overlap the region where the scanning line 3a is formed, as shown in FIG. More specifically, the capacitor line 300 includes a main line portion that extends along the scanning line 3a, a protruding portion that protrudes upward along the data line 6a from each location that intersects the data line 6a, and a contact hole. A portion corresponding to 85 is provided with a constricted portion slightly constricted. Of these, the protruding portion contributes to an increase in the formation region of the storage capacitor 70 using the region above the scanning line 3a and the region below the data line 6a.
[0103]
Such a capacitor line 300 is preferably made of a conductive light-shielding film containing a refractory metal. In addition to the function as a fixed-potential-side capacitor electrode of the storage capacitor 70, the light-shielding layer that shields the TFT 30 from incident light above the TFT 30. As a function. In addition, the capacitor line 300 preferably extends from the image display region 10a where the pixel electrode 9a is disposed to the periphery thereof, and is electrically connected to a constant potential source to be a fixed potential. As such a constant potential source, a constant potential source of a positive power source or a negative power source supplied to the data line driving circuit 101 or a constant potential supplied to the counter electrode 21 of the counter substrate 20 may be used.
[0104]
The dielectric film 75 is made of, for example, a relatively thin HTO (High Temperature Oxide) film having a film thickness of about 5 to 200 nm, a silicon oxide film such as an LTO (Low Temperature Oxide) film, or a silicon nitride film. From the viewpoint of increasing the storage capacitor 70, the thinner the dielectric film 75 is, the better as long as the reliability of the film is sufficiently obtained.
[0105]
9 and 10, in addition to the above, a lower light-shielding film 11 a is provided below the TFT 30. The lower light-shielding film 11a is patterned in a lattice pattern, thereby defining an opening area of each pixel. The opening area is also defined by the crossing of the data line 6a extending in the vertical direction in FIG. 11 and the capacitor line 300 extending in the horizontal direction in FIG.
[0106]
As in the case of the capacitance line 300, the lower light-shielding film 11a is also extended from the image display region to the periphery thereof in order to prevent the potential fluctuation from adversely affecting the TFT 30. It may be connected to a potential source.
[0107]
A base insulating film 12 is provided under the TFT 30. In addition to the function of interlayer insulating the TFT 30 from the lower light-shielding film 11a, the base insulating film 12 is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10 so that the surface of the TFT array substrate 10 is roughened during the surface polishing or remains after cleaning. For example, the pixel switching TFT 30 has a function of preventing characteristic changes.
[0108]
On the scanning line 3a, a first interlayer insulating film 41 is formed in which a contact hole 81 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high concentration drain region 1e are opened.
[0109]
A relay layer 71, a relay layer 72, and a capacitor line 300 are formed on the first interlayer insulating film 41, and a contact hole 81 and a relay layer 71 leading to the high concentration source region 1 d relay layer 72 are formed thereon. A second interlayer insulating film 42 is formed in which contact holes 85 leading to each other are opened.
[0110]
In the present embodiment, the first interlayer insulating film 41 is baked at about 1000 ° C. to activate ions implanted into the polysilicon film constituting the semiconductor layer 1a and the scanning line 3a. May be. On the other hand, the stress generated in the vicinity of the interface of the capacitor line 300 may be reduced by not performing such firing on the second interlayer insulating film 42.
[0111]
A data line 6 a is formed on the second interlayer insulating film 42, and a third interlayer insulating film 43 in which a contact hole 85 leading to the relay layer 71 is formed is formed thereon.
[0112]
The surface of the third interlayer insulating film 43 is flattened by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process or the like, and reduces alignment defects of the liquid crystal layer 50 caused by steps due to various wirings and elements existing below the third interlayer insulating film 43.
[0113]
However, instead of or in addition to performing the planarization process on the third interlayer insulating film 43 in this way, the TFT array substrate 10, the base insulating film 12, the first interlayer insulating film 41, and the second interlayer insulating film 42 A flattening process may be performed by digging a groove in at least one of them and embedding a wiring such as the data line 6a or the TFT 30 or the like.
[0114]
In addition, in FIGS. 9 and 10, the electro-optical device includes a transparent TFT array substrate 10 and a transparent counter substrate 20 disposed to face the TFT array substrate 10. The TFT array substrate 10 is made of, for example, a quartz substrate, a glass substrate, or a silicon substrate, and the counter substrate 20 is made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate.
[0115]
As shown in FIG. 10, the TFT array substrate 10 is provided with a pixel electrode 9a, and an alignment film 16 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided above the pixel electrode 9a. The pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film. The alignment film 16 is made of an organic film such as a polyimide film.
[0116]
On the other hand, a counter electrode 21 is provided over the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 subjected to a predetermined alignment process such as a rubbing process is provided below the counter electrode 21. The counter electrode 21 is formed of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is made of a transparent organic film such as a polyimide film.
[0117]
(Production method)
Hereinafter, a method for manufacturing the electro-optical device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a flowchart showing the manufacturing process of the electro-optical device according to the first embodiment in that order. FIG. 12 shows the TFT array after the semiconductor layer forming process of the TFT 30 (step S14 in FIG. 11). FIG. 13 is an explanatory view showing a state in which the sealing material curing step (step S81 in FIG. 11) is being performed.
[0118]
First, a TFT array substrate 10 such as a quartz substrate, hard glass, or silicon substrate is prepared. Where preferably N ₂ Annealing treatment is performed at a high temperature of about 900 to 1300 ° C. in an inert gas atmosphere such as (nitrogen), and pretreatment is performed so as to reduce distortion generated in the TFT array substrate 10 in a high-temperature process performed later (step S11). .
[0119]
Subsequently, a metal alloy film such as a metal such as Ti, Cr, W, Ta, and Mo or a metal silicide is sputtered on the entire surface of the TFT array substrate 10 thus processed, and the film thickness is about 100 to 500 nm. A light shielding film with a thickness of 200 nm is preferably formed. Then, the lower light-shielding film 11a whose planar shape is a lattice is formed by photolithography and etching (step S12).
[0120]
Next, on the lower light-shielding film 11a, for example, TEOS (tetra-ethyl ortho-silicate) gas, TEB (tetra-ethyl boat rate) gas, TMOP (tetra-methyl. Using oxy-phosphate gas, silicate glass films such as NSG (non-silicate glass), PSG (phosphorus silicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass), silicon nitride film and oxide A base insulating film 12 made of a silicon film or the like is formed (step S13). The thickness of the base insulating film 12 is, for example, about 500 to 2000 nm.
[0121]
Subsequently, low pressure CVD (for example, pressure) using monosilane gas, disilane gas or the like at a flow rate of about 400 to 600 cc / min on the base insulating film 12 in a relatively low temperature environment of about 450 to 550 ° C., preferably about 500 ° C. An amorphous silicon film is formed by CVD of about 20 to 40 Pa. Thereafter, an annealing process is performed in a nitrogen atmosphere at about 600 to 700 ° C. for about 1 to 10 hours, preferably 4 to 6 hours, so that the p-Si (polysilicon) film has a thickness of about 50 to 200 nm. The solid phase growth is preferably performed until the thickness becomes about 100 nm. As a method for solid phase growth, annealing using RTA or laser annealing using an excimer laser or the like may be used. At this time, a dopant of a group V element or a group III element may be slightly doped by ion implantation or the like depending on whether the pixel switching TFT 30 is an n-channel type or a p-channel type. Then, the semiconductor layer 1a having a predetermined pattern is formed by photolithography and etching (step S14).
[0122]
Particularly in the present embodiment, if the semiconductor layer 1a can include a polysilicon film as described above, the low reflection film 501 according to the first embodiment includes the polysilicon film. The low reflection film 501 can be formed at the same time as the same film as the semiconductor layer 1a, that is, by the same manufacturing process. More specifically, the semiconductor layer 1a is formed on the base insulating film 12 (see FIG. 10) through a photolithography and etching process so as to have a predetermined pattern as shown in FIG. 9 or FIG. The low reflection film 501 can also be formed simultaneously by the photolithography and the etching process.
[0123]
However, the present invention is not limited to the form in which the low reflection film 501 is formed as the same film as the semiconductor layer 1a of the TFT 30 as described above. For example, a configuration in which this is provided directly on the TFT array substrate 10 may be adopted. In this case, after the low reflection film 501 is formed, the above-described lower light-shielding film 11a, the base insulating film 12, and the like are formed. Of course, a mode in which the low reflection film 501 and the lower light-shielding film 11a are formed at the same time is also conceivable (that is, the low reflection film is also formed at the same time during step S12 in FIG. 11).
[0124]
When the low reflection film according to the present invention is configured to include a refractory metal or a polysilicon film, the scanning line 3a, the data line 6a, the capacitor line 300, the relay layer 71, etc., which will be described later, may be used depending on the case. A form of forming the same film as (see FIG. 10) is also conceivable. According to such a form, since the low reflection film according to the present invention and another component are formed at the same time in the same manufacturing process, it is substantially the same as the case of forming at the same time as the semiconductor layer 1a. It is clear that there is an effect.
[0125]
However, generally, as described with reference to FIG. 4 and the like, the low reflection film according to the present invention has a main function of preventing light from reaching the pattern portion such as the lead-out wiring 206. In terms of the present embodiment, the lower layer on the substrate as much as possible, and in the lower layer on the TFT array substrate 10, it is preferable to provide a low reflection film.
[0126]
Subsequently, the semiconductor layer 1a constituting the TFT 30 is thermally oxidized at a temperature of about 900 to 1300 [deg.] C., preferably about 1000 [deg.] C., to form a lower gate insulating film. By forming the upper gate insulating film by the above, the insulating film 2 (including the gate insulating film) made of a single layer or a multilayer high-temperature silicon oxide film (HTO film) or silicon nitride film is formed (step S15). As a result, the semiconductor layer 1a has a thickness of about 30 to 150 nm, preferably about 35 to 50 nm, and the insulating film 2 has a thickness of about 20 to 150 nm, preferably about 30 to 100 nm. It becomes thickness.
[0127]
Subsequently, in order to control the threshold voltage Vth of the TFT 30 for pixel switching, the n-channel region or the p-channel region of the semiconductor layer 1a is doped with a predetermined amount of a dopant such as boron by ion implantation or the like. To do.
[0128]
As described in the first embodiment, when the low reflection film 501 includes a conductive film, for example, at this time, ion implantation or the like is performed on the low reflection film 501 at the same time. do it.
[0129]
Next, a polysilicon film is deposited by low pressure CVD or the like, and phosphorus (P) is further thermally diffused to make this polysilicon film conductive. Instead of this thermal diffusion, a doped silicon film in which P ions are introduced simultaneously with the formation of the polysilicon film may be used. The thickness of this polysilicon film is about 100 to 500 nm, preferably about 350 nm. Then, a scanning line 3a having a predetermined pattern including the gate electrode portion of the TFT 30 is formed by photolithography and etching (step S16).
[0130]
Next, for the semiconductor layer 1a, the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c are formed, or the high concentration source region 13d and the high concentration drain region 13e are formed (step S17).
[0131]
Here, the case where the TFT 30 is an n-channel TFT having an LDD structure will be described. Specifically, first, in order to form the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c, the scanning line 3a (gate electrode) is formed. Is used as a mask and a dope of a V group element such as P at a low concentration (for example, P ions of 1 to 3 × 10 ¹³ cm ² Dope). Thereby, the semiconductor layer 1a under the scanning line 3a becomes the channel region 1a ′. At this time, since the scanning line 3a serves as a mask, the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c are formed in a self-aligned manner. Next, in order to form the high concentration source region 1d and the high concentration drain region 1e, a resist layer having a planar pattern wider than the scanning line 3a is formed on the scanning line 3a. Thereafter, a dopant of a V secondary element such as P is used at a high concentration (for example, 1 to 3 × 10 P ions are added). ¹⁵ / Cm ² Dope).
[0132]
In addition, it is not necessary to dope by dividing into two steps of low concentration and high concentration. For example, a TFT having an offset structure may be used without doping at a low concentration, or a self-aligned TFT may be formed by an ion implantation technique using P ions, B ions, etc. with the scanning line 3a (gate electrode) as a mask. Good. The resistance of the scanning line 3a is further reduced by this impurity doping.
[0133]
When the impurity implantation process is completed as described above, the TFT 30 in this embodiment is completed (see FIG. 11). Simultaneously with the completion of the TFT 30, the scanning line driving circuit 104, the data line driving circuit 101, the sampling circuit 301 and the like shown in FIG. 1 or FIG. 3 and the like are formed at the same time (not shown in FIG. 11). .
[0134]
After that, as shown in step S18 of FIG. 11, the storage capacitor 70 (relay layer 71, dielectric film 75 and capacitor line 300 in order from the bottom), various interlayer insulating films 41, 42 and 43, data, as shown in FIG. Other components such as the line 6a may be sequentially stacked and formed on the TFT 30 formed as described above. Of these components, the lead-out wiring 206 and the like shown in FIGS. 3 and 4 are formed simultaneously with the formation of the data line 6a shown in FIG. 10 (not shown in FIG. 11). Finally, by forming the pixel electrode 9a and the alignment film 16 (step S19), the manufacture on the TFT array substrate 10 side is completed.
[0135]
On the other hand, for the counter substrate 20, a glass substrate or the like is first prepared (step S51), and a light shielding film 53 as a frame is formed through sputtering and etching of metal chromium, for example, (step S52). The frame light shielding film 53 does not need to be conductive, and may be formed of a material such as resin black in which carbon or Ti is dispersed in a photoresist in addition to a metal material such as Cr, Ni, or Al.
[0136]
Thereafter, a transparent conductive film such as ITO is deposited on the entire surface of the counter substrate 20 by sputtering or the like to a thickness of about 50 to 200 nm, thereby forming the counter electrode 21 (step S53). Furthermore, after applying a polyimide alignment film coating solution on the entire surface of the counter electrode 21, the alignment film 22 is formed by performing a rubbing process in a predetermined direction so as to have a predetermined pretilt angle ( Step S54).
[0137]
Finally, as described above, the TFT array substrate 10 on which each layer is formed and the counter substrate 20 are bonded together with a sealing material so that the alignment films 16 and 22 face each other (step S81).
[0138]
At this time, as in the third embodiment described above, the outer edge of the low reflective film 503 and the sealing material 52 are formed so as to be separated from each other, and the sealing material 52 is made of a photo-curing resin. In this case, as shown in FIG. 13, the sealing material 52 is cured, that is, light Lh having a predetermined wavelength is incident from the TFT array substrate 10 side and is transmitted through the substrate 10 to be sealed. In the step of curing the sealing material 52, the low reflective film 503 does not hinder the progress of the light Lh, so that the curing of the sealing material 52 is realized without any trouble. It will be.
[0139]
Subsequently, in the space between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, for example, liquid crystal formed by mixing a plurality of types of nematic liquid crystals is sucked by vacuum suction or the like to form a liquid crystal layer 50 having a predetermined layer thickness ( Step S82). Finally, the outer frame 800 is installed so as to accommodate the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 (see FIG. 2).
[0140]
As described above, the manufacture of the electro-optical device is completed.
[0141]
(Embodiment of electronic device)
Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection color display device as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device described in detail as a light valve will be described. FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the projection type color display device.
[0142]
In FIG. 14, a liquid crystal projector 1100 as an example of a projection type color display device according to the present embodiment prepares three liquid crystal modules including a liquid crystal device in which a drive circuit is mounted on a TFT array substrate, each of which is a light valve for RGB. It is configured as a projector used as 100R, 100G, and 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB are obtained by three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108. Divided into B, the light valves are guided to the light valves 100R, 100G and 100B corresponding to the respective colors. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an incident lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are synthesized again by the dichroic prism 1112 and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.
[0143]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change. In addition, electronic devices are also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a TFT array substrate in an electro-optical device according to a first embodiment of the present invention, as viewed from the side of a counter substrate together with the components formed thereon.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG.
FIG. 3 is a block diagram showing an equivalent circuit including various elements and wirings provided in a plurality of matrix-like pixels constituting an image display area in the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention, together with peripheral circuits. .
4 is a partially enlarged view showing the vicinity of a CR portion in FIG. 2 in an enlarged manner.
FIG. 5 is an enlarged partial cross-sectional view showing a portion corresponding to the vicinity of a CR portion in a comparative example.
6 is a plan view from the direction of arrow A in FIG. 2, and is a plan view illustrating only the low reflection film and the outer frame related to the first embodiment, in order to clarify the arrangement relationship between them. is there.
7 is a plan view corresponding to the plan view from the direction of the arrow A in FIG. 2, and only these two are used in order to clarify the positional relationship between the low reflection film and the outer frame related to the second embodiment. It is a top view to show in figure.
FIG. 8 is a diagram having the same concept as in FIG. 4, and is a partial cross-sectional view in which a part of the configuration is changed.
FIG. 9 is a plan view of a plurality of pixel groups adjacent to each other on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes and the like are formed in the electro-optical device according to the embodiment of the invention.
10 is a cross-sectional view taken along the line EE ′ of FIG.
FIG. 11 is a flowchart showing manufacturing steps of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention along the order thereof;
12 is a plan view showing a pattern arrangement formed on a substrate after step S14 shown in FIG. 11 and a semiconductor layer forming step;
FIG. 13 is an explanatory view showing a state in which a sealing material curing step is being performed.
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a color liquid crystal projector as an example of a projection type color display device which is an embodiment of the electronic apparatus of the invention.
[Explanation of symbols]
1a ... Semiconductor layer
1a '... channel region
1b ... low concentration source region
1c: low concentration drain region
1d ... High concentration source region
1e ... High concentration drain region
2… Insulating film
3a ... scan line
6a ... peripheral circuit
9a: Pixel electrode
10 ... TFT array substrate
11a: Lower light shielding film
16 ... Alignment film
20 ... Counter substrate
21 ... Counter electrode
22 ... Alignment film
30 ... TFT
50 ... Liquid crystal layer
70 ... Storage capacity
81, 82, 83, 85 ... contact holes
101 ... Peripheral circuit drive circuit
102: External circuit connection terminal
104: Scanning line driving circuit
114: Sampling circuit drive signal line
115: Image signal line
116 ... Lead-out wiring
202 ... TFT
206 ... Lead-out wiring
301: Sampling circuit
501, 502 and 503 ..low reflection film
800 ... Outer frame
801, 802 ... windows
802a ... (window) edge

Claims

An electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, an image display area and a frame area around the image display area, and a light-shielding outer frame in which a window corresponding to the image display area is formed, An electro-optical device that is accommodated so that a planar gap is formed between an outer edge of the image display region and an edge portion of the window as viewed from one substrate side,
On one of the substrates,
Display electrodes arranged in the image display area;
A pattern portion that is connected to the display electrode via a pixel switching element or directly, and includes a wiring provided in the frame region;
In the frame region, comprising a low reflection film having a lower light reflectance than the pattern portion below the pattern portion,
On the other substrate,
A frame shading film defining the frame region;
The low reflection film is made of a polysilicon film made of the same layer as the semiconductor layer of the pixel switching element, covers the gap in a plan view when viewed from one of the substrates, and the frame light shielding film and the outer frame. An electro-optical device arranged to overlap an edge portion of a window.

The window of the outer frame is composed of a first window provided on one side of the substrate and a second window provided on the other side of the substrate,
The edge portion of the second window is located closer to the image display area than the edge portion of the first window,
The frame light shielding film is provided so as to overlap with an edge portion of the second window,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the low reflection film is provided so as to overlap with an edge portion of the first window and an edge portion of the second window.

The electro-optical device according to claim 1, wherein the low reflection film is solid.

The pattern portion has a predetermined plane pattern,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the low reflection film has a planar pattern corresponding to the predetermined planar pattern.

A sealing material that adheres the one substrate and the other substrate together in a peripheral region located around the frame region;
The electro-optical device according to claim 1, wherein an outer edge of the low reflection film is formed apart from the sealing material.

The electro-optical device according to claim 5, wherein the sealing material includes a photocurable resin.

The electro-optical device according to claim 1, further comprising the outer frame.

A light valve comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 6,
A light source for projecting light into the light valve;
An optical system for projecting the projection light emitted from the light valve;
A projection-type display device comprising:

An electro-optic material is sandwiched between a pair of substrates, an image display region and a frame region around the image display region are provided, and are electrically connected to the display electrode and the display electrode on one of the substrates. A pixel switching element, and a pattern portion formed of a wiring provided in the frame region, and connected to the display electrode via the pixel switching element, or on the other substrate. A frame light-shielding film that defines the frame region, and in a light-shielding outer frame in which a window corresponding to the image display region is formed, the outer edge of the image display region and the window as viewed from one substrate side A method of manufacturing an electro-optical device that is accommodated so that a planar gap is formed between the edge portion,
On one of the substrates,
Forming a semiconductor layer of the pixel switching element and a low reflection film opposed to the gap simultaneously with a polysilicon film having a light reflectance lower than that of the pattern portion;
Forming the pattern portion above the low-reflection film,
The low-reflection film is formed so as to cover the gap in a plan view when viewed from one substrate side and to overlap with the frame light-shielding film and the edge portion of the window of the outer frame. Manufacturing method.

The window of the outer frame is composed of a first window provided on one side of the substrate and a second window provided on the other side of the substrate,
The edge portion of the second window is located closer to the image display area than the edge portion of the first window,
Forming the frame light-shielding film so as to overlap an edge portion of the second window;
10. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 9, wherein the low reflection film is formed so as to overlap with an edge portion of the first window and an edge portion of the second window.