JP4010068B2 - Vacuum processing apparatus and multi-chamber type vacuum processing apparatus - Google Patents

Vacuum processing apparatus and multi-chamber type vacuum processing apparatus Download PDF

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定減圧下で被処理基板に所定の処理を施す真空処理装置、例えば所定真空下で薄膜を形成する装置、所定真空下でエッチング処理を実施する装置、所定真空下でイオン注入を行う装置等の真空処理装置に関する。
また本発明は、かかる真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置等の所定真空下で薄膜を形成する薄膜形成装置、反応性イオンエッチング装置等の所定真空下でエッチング処理を実施するエッチング装置、所定真空下でイオン注入を行うイオン注入装置等の真空処理装置は、通常、被処理基板に所定の処理を施すための真空チャンバを備えており、該チャンバ内には被処理基板を支持する基板支持台が設置され、さらに目的とする処理に応じた処理を実施するための電極その他の機器等のいずれかが設置されている。
【０００３】
また、真空処理装置は、基板支持台と真空チャンバに接続された基板搬入及び（又は）搬出チャンバ内の基板搬送ロボットとの間で基板を受け渡しするために、通常、該基板支持台を昇降させる基板支持台昇降装置を備えている。或いはさらに基板を基板支持台から持ち上げるためのリフトピン等の基板リフト部材を備えている。
【０００４】
かかる基板支持台、基板支持台昇降装置、リフト部材等の従来例について、図１０を参照して説明する。
図１０（Ａ）は真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置を示している。該プラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバ９１を備えており、該チャンバ９１内には被処理基板Ｓを支持する基板支持台９２が設置されているとともに支持台９２の上方に放電電極９３が設置されている。支持台９２はこの例では電極を兼ねており、接地されている。電極９３にはマッチングボックス９４１を介して高周波電源９４が接続されている。また、チャンバ９１には成膜用のガスを供給するガス供給装置９５、チャンバから排気する排気装置９６等が接続されている。
【０００５】
この装置によると、基板支持台９２上に被処理基板Ｓを設置し、チャンバ９２内を排気装置９６にて所定圧力に減圧する一方、ガス供給装置９５から成膜用ガスをチャンバ９２内に供給し、電極９３に電源９４から高周波電力を印加することで供給されてきたガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで基板Ｓ上に所定の薄膜を形成する。処理中、基板Ｓは図示を省略した加熱冷却装置により必要に応じ所定温度まで加熱又は冷却されることもある。
【０００６】
基板支持台９２は昇降装置９００により若干昇降できる。これにより真空チャンバ９１に接続された基板搬入及び（又は）搬出チャンバ（図示省略）内の基板搬送ロボットとの間で基板Ｓを受け渡しできる。
さらに説明すると、基板支持台９２の中央部下面に昇降用軸９２１が突設されている。該軸９２１はチャンバ９１の底壁９１１を昇降可能に貫通している。軸９２１のチャンバ９１から外へ突出した部分は伸縮可能の気密ベローズ装置９２３に囲繞されており、該ベローズ装置の下端部材を介してチャンバ外の駆動モータ（ここではピストンシリンダ装置）９８に接続されている。駆動モータ９８の運転により基板支持台９２を若干昇降させることができる。また、チャンバ底壁９１１にはリフトピン９７が立設されており、該ピンは基板支持台９２まで延びており、台９２が下降することで相対的に台９２の上へ突出できる。
【０００７】
基板Ｓの搬入搬出は次のように行われる。すなわち、図１０（Ｂ）に示すように、基板搬入時、台９２は予め下降させられ、リフトピン９７が相対的に上方へ突出される。ロボットアームＲＡに支持された基板Ｓがピン９７の上方へ搬入され、次いで該アームＲＡが下降することで基板Ｓがピン９７に載置される。その後アームＲＡは後退する。そのあと台９２が上昇して、図１０（Ａ）に示すように基板Ｓを支持し、処理に供する。
【０００８】
処理後の基板Ｓは、台９２が下降することでピン９７に支持され、ピン９７に支持された基板Ｓと下降した台９２との間にロボットアームＲＡが挿入され、次いで該アームＲＡが上昇し、基板Ｓを支持し、その状態でアームＲＡが後退し、かくして基板Ｓが搬出される。
なお、昇降しないロボットアームＲＡを採用する等の理由で、リフトピン９７を昇降させる装置を設けることもある。
【０００９】
以上プラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、他の真空処理装置においても概ね同様の基板支持台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置を備えている。
そしてかかる基板支持台昇降装置やリフト部材昇降装置は、真空チャンバ底部の下方へ突出するように設けられている。
【００１０】
また半導体メモリ、液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）などの半導体デバイスや太陽電池等は、通常、基板に所定材料の薄膜を所定真空下で形成する処理、基板上の膜等を所定真空下でエッチングする処理などの複数の処理を所定の順序で基板に施すことで製造されている。
【００１１】
薄膜形成処理としては、真空蒸着法等のＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ法などが採用されており、エッチングについては、反応性イオンエッチング等のプラズマによるドライエッチング等が採用されている。
ところが、複数の処理を一つの基板に施すとき、ある処理チャンバにおいて所定の処理が施された基板を、次の処理を行うための処理チャンバに搬送するとき、その基板は大気に触れてしまい、その基板に塵埃などが付着したり、酸化したりするなどして汚染されてしまうことがある。そのため、次の処理を行う前に基板を洗浄するなどの処理が必要となり、それだけ時間と手間がかかり、生産効率が悪い。
【００１２】
そこで、複数の処理を所定の順序で効率的に行って生産性を向上させるため、或いは同一の処理を複数同時に並行してすすめることで生産性を向上させるため、また塵埃などの基板への付着を抑制するなどのために、一つの基板搬送チャンバを設け、その周囲に複数の真空処理装置や基板搬入のためのロードロック室、基板搬出のためのアンロードロック室、さらには必要に応じ基板予備加熱等の前処理を実施する前処理チャンバ等を接続したマルチチャンバ型の真空処理装置が提案されている。
【００１３】
かかるマルチチャンバ型真空処理装置における複数の真空処理装置のうち、薄膜形成、エッチング等のための真空処理装置については、図１０（Ａ）に示す真空処理装置のように、基板支持台と、ガスプラズマ形成のための放電電極とを備え、導入されてくる所定のガスを排気装置による排気減圧下に前記電極へ電力供給してプラズマ化し、該プラズマのもとで前記基板支持台に支持された被処理基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置が主流である。
【００１４】
かかるプラズマ処理装置において、基板支持台は、図１０（Ａ）に示す装置のように、真空チャンバの底部に設置され、基板搬送ロボットとの基板の受け渡しのために昇降可能とされ、処理チャンバ底部下方へ突出するように基板支持台昇降装置が付設される。さらに、基板搬送ロボットとの基板の受け渡しのために、基板支持台だけでなく、基板支持台から基板を持ち上げるためのリフトピン等のリフト部材が昇降可能に設けられ、そのための昇降装置が処理チャンバ底部下方へ突出するように付設されることもある。
【００１５】
このように、基板支持台はチャンバ底部に設置されるが、その場合、ガスプラズマ形成のための電極は、該支持台上方（通常はチャンバ天井に近い領域）に設置され、チャンバ外から電力供給される。また、該電極には、基板面各部の均一な処理のために、基板面各部に対しガスをシャワー状に均一に供給するためのガス供給ノズルが組み込み形成され、それだけ重量が大きくなることが多い。
【００１６】
そして、単独の真空処理装置であれ、マルチチャンバ型の真空処理装置であれ、メンテナンスは、通常、真空チャンバの上部に開閉可能に設けられた蓋体を開けて行われる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の真空処理装置のメンテナンスは、既述のとおり、通常、真空チャンバの上蓋を開けてチャンバ上方より行われるため、基板支持台の下面（裏面部分）やリフト部材に付着した生成物の清掃、さらにはチャンバ内壁（特にチャンバ底壁内面）に付着した生成物の清掃は困難をきわめ、作業性がきわめて悪い。
【００１８】
また、被処理基板が例えば液晶表示装置用の大面積のガラス基板であるような場合、その大きさに合わせて真空チャンバも大きく、従って上蓋も大きくなるが、それにより上蓋重量が増大し、上蓋の開閉作業が困難となり、メンテナンス時の作業性が悪化する。場合によっては、人手で開閉できず、クレーンや電動リフタ等を必要とする場合もある。
【００１９】
目的とする処理を行うために必要な電極等が基板支持台の上方に配置される場合、例えば前記プラズマ処理装置のように基板支持台の上方にガスプラズマ形成のための電極が配置される場合であって、それらが上蓋に取り付けられる場合には、被処理基板が大面積化してくると、前記のとおり上蓋が大きくなってくるばかりか、該電極等も大形化してくるので、上蓋の開閉作業は一層困難となり、人手で開閉できず、クレーンや電動リフタ等を必要とする場合が多くなる。
【００２０】
また、従来の真空処理装置では、基板支持台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置の大半の部分が真空チャンバ底壁下方に配置されるので、基板処理のスループットを向上させるために真空チャンバを複数採用しようとする場合において、装置設置面積の節約のために真空チャンバを上下方向に重ねて配置しようとしてもそれができない。
【００２１】
特に、真空処理装置は、通常、クリーンルームに設置されるところ、マルチチャンバ型真空処理装置において、個々の真空処理装置が大形化してくると、それら真空処理装置を前記中央の基板搬送チャンバの周囲において重ね配置できないから、個々の真空処理装置が大形化するに伴い中央の基板搬送チャンバを大形化しなければならず、そのため中央基板搬送チャンバの設置平面面積が増大し、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置全体の設置平面面積が増大し、これにともないクリーンルームの大形化が要求され、これらにより基板処理コストが増す。
【００２２】
そこで本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することを課題とする。
また本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２３】
また、本発明は、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易である真空処理装置を提供することを課題とする。
さらに本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２４】
また本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２５】
さらに本発明は、設置平面面積を従来のマルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明は先ず、
真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、該基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００２７】
この真空処理装置によると、従来の真空処理装置と同様に基板支持台に被処理基板を設置して所定の処理を施すことができる。
また、この真空処理装置によると、基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、真空チャンバ内壁や基板支持台のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００２８】
真空チャンバ内に配置された電極等の部品のメンテナンスについても前記チャンバ側壁構成部材を取り外したあとにできる開口部から容易に行える。
かかる電極等の部品、例えば前記真空チャンバ内において該チャンバ内へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化するプラズマ形成のための放電電極についても、真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続して、該側壁部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出せるようにしてもよい。
【００２９】
このようにすると、かかる電極等の部品についてのメンテナンスが一層簡単、容易になる。
なお、基板支持台を接続する側壁構成部材と電極を接続する側壁構成部材とは、同じ部材でもよく、別々に設けられていてもよい。
また、本発明の真空処理装置は、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがないので、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易であり、真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ方式の真空処理装置を構成する場合において、該装置をその設置面積を節約できる構成にすることができ、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置を設置するクリーンルームをそれだけ床面積を小さくして安価にできる。
【００３０】
また、真空チャンバ内を所定の真空状態に排気する排気装置は該真空チャンバの側壁に形成された排気口に接続されていてもよい。このような真空処理装置については、その上又は下に別の真空処理装置を重ね配置し易くなる。
真空チャンバ内の前記基板支持台と通常該真空チャンバに接続される基板搬入及び（又は）搬出チャンバにおける基板搬送ロボットとの間で被処理基板を受け渡しするにあたり、該基板搬送ロボットの基板を支持するロボットアームが昇降しないものであるときは、前記基板支持台に対し相対的に昇降して該基板支持台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフト部材の昇降装置を備えることができる。
【００３１】
該基板リフト部材及び基板リフト部材昇降装置も共に前記チャンバ本体に着脱可能の前記チャンバ側壁構成部材に接続し、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができるようにすればよい。
前記基板支持台昇降装置としては、前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記基板支持台を昇降させるリンク機構とを含んでいるものを例示できる。
【００３２】
このような基板支持台昇降装置を採用する場合、前記基板支持台を昇降させるリンク機構としては、前記支持フレーム上に回転可能に搭載され、前記駆動部から動力を受けて正逆回転可能の軸棒と、該軸棒と前記基板支持台とに連結され、該軸棒の回転運動を該基板支持台の上下運動に変換するカム機構等の動作変換機構とを含むものを例示できる。このようなリンク機構を採用する場合、前記駆動部として、例えば、正逆回転可能のモータと、該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝達機構とを含むものを例示できる。
【００３３】
いずれにしても、かかる軸棒は、その片側端部を気密に且つ回転可能に前記チャンバ側壁構成部材に嵌めておくことができる。その場合、真空回転シールをチャンバ側壁構成部材に設け、これに回転可能に且つ気密に前記軸棒を貫通させてもよい。
また、前記基板リフト部材は、例えば、リフト部材上端が前記基板支持台上面以下に位置するポジションと該リフト部材上端が該基板支持台上面より上方へ突出するポジションとの間を往復昇降可能に該基板支持台に搭載されているものを挙げることができる。この場合、前記基板リフト部材昇降装置として、例えば、前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記リフト部材を駆動（通常は上下方向駆動）するリンク機構とを含んでいるものを挙げることができる。
【００３４】
前記リフト部材はその自重で下降できるようにしておいてもよいが、バネ手段により常時下降方向へ付勢されていてもよい。
いずれにしても、リフト部材を駆動するリンク機構としては、前記支持フレーム上に回転可能に搭載され前記駆動部から動力を受けて正逆回転できる軸棒と、該軸棒の回転運動を該リフト部材の上下方向運動に変換するカム機構等の動作変換機構とを含むものを例示できる。例えば、該軸棒に連結されてリフト部材下端面に当接し、該リフト部材をカム従動部材とするカム機構を例示できる。
【００３５】
いずれにしても、軸棒の回転運動を該リフト部材の上下方向運動に変換する機構を採用する場合、前記駆動部として、例えば、正逆回転可能のモータと、該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝達機構とを含むものを例示できる。
なお、支持フレームについては、前記の基板支持台昇降装置を設けるための支持フレームとここに挙げる基板リフト部材昇降装置を設けるための支持フレームは、共通のものでも、別々に設けられてもよい。
【００３６】
既に若干触れたが、以上説明した本発明にかかるいずれの真空処理装置も、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置における該複数の真空処理装置のうちの少なくとも一つとして採用することができる。
また、マルチチャンバ型真空処理装置において、以上説明した本発明にかかるいずれの真空処理装置も複数採用することができる。その場合、該複数の真空処理装置のうち少なくとも二つは上下方向に順次重ねて配置してもよい。そうすることでマルチチャンバ型真空処理装置の設置平面面積をそれだけ節約できる。
【００３７】
またマルチチャンバ型真空処理装置においては、それを構成している複数の真空処理装置に対し共通の基板搬送チャンバを設けることができる。
このようなマルチチャンバ型真空処理装置によると、従来のマルチチャンバ型真空処理装置と同様に、被処理基板に対し複数の処理を所定の順序で効率的に行って、或いは複数の被処理基板について同様の処理を同時並行して実施して、目的とする物品の生産性を向上させることができる。
【００３８】
そして、複数の真空処理装置のうち、基板支持台等が真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ取り出すことができる真空処理装置については、該側壁構成部材をチャンバ本体から取り外すことで、それに接続された基板支持台等をチャンバ本体外へ取り出し、容易にメンテナンスできる。被処理基板のサイズが大きく、従って真空チャンバ、基板支持台等が大きいときでも、該基板支持台等をチャンバ本体外へ容易に取り出し、作業性よく容易にメンテナンスできる。従って、マルチチャンバ型真空処理装置全体としても、それだけ装置メンテナンスが容易である。
【００３９】
なお、マルチチャンバ型真空処理装置では、複数の真空処理装置のそれぞれを基板搬送チャンバの周囲に放射状に接続する、或いはその場合において複数の真空処理装置のうち少なくとも二つについては上下方向に重ね配置し、重ねられたチャンバについては、その重ねられた状態で共通の基板搬送チャンバに接続する、或いは全て真空処理装置を上下方向に重ね配置し、これらを共通の基板搬送チャンバに接続する等を例示できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置Ａの水平断面概略図である。図２は図１に示すプラズマＣＶＤ装置の図１におけるＸ−Ｘ線に沿う一部省略の概略断面図であり、図３、４はそれぞれ、本発明に係る真空処理装置Ａに設置されている基板支持台昇降装置２、基板リフトピン昇降装置４の１例の概略構成を示す図である。
【００４１】
前記プラズマＣＶＤ装置Ａは、直方体の真空チャンバＣを備えており、該チャンバ内には被処理基板Ｓを支持する基板支持台１が設置されているとともに支持台１の上方のチャンバ天井近辺に、ガスプラズマ形成のための放電電極５を備えている。基板支持台１は電極を兼ね、接地されており、放電電極５にはマッチングボックスＭＢを介して高周波電源ＰＳが接続されている。また、放電電極５には、被処理基板面各部の均一な処理のために、該基板面各部に対しガスをシャワー状に均一に供給するためのガス供給ノズル５１が組み込み形成されている。
【００４２】
真空チャンバＣは本体側壁ｃ１に排気口７を備え、排気口７に該チャンバ内を所定の真空状態に排気する真空排気装置Ｅｘが接続されている。また、排気口７と向かい合っている側壁ｃ２に基板搬入搬出用開口８を有している。開口８には、基板搬入搬出用チャンバＲがゲート弁Ｖを介して接続されている。
図２に示すように、排気口７及び基板搬入搬出用開口８が設けられていないチャンバ側壁ｃ３、ｃ４には、それぞれ開口部ｃ３１、ｃ４１が形成されている。開口部ｃ３１は、チャンバ本体の天井壁ｃ６近傍に設けられており、着脱可能の上部チャンバ側壁構成部材６１で閉じることができる。開口部ｃ４１は底壁ｃ５近傍に設けられており着脱可能の下部チャンバ側壁構成部材６２で閉じることができる。
【００４３】
上部チャンバ側壁構成部材６１には、上部支持プレート６１１がその片側端部で接続されており、プレートに絶縁物５２を介して前記放電電極５が固定されている。チャンバＣの天井壁ｃ６内面に、上部チャンバ側壁構成部材６１の着脱時に上部支持プレート６１１の出入の位置決めをするとともに、たわみ等の変形を防止するためのガイドローラ６１２が架設されている。ガイドローラ６１２は、上部支持プレート６１１の大きさに合わせて、且つ、支持プレート６１１の出入方向に沿う各プレート側端部下面に対し３個ずつ、計６個設置されている。かくしてプレート６１１は（従って電極５は）ガイドローラ６１２に支持され、側壁構成部材６１をチャンバＣ本体から取り外すことで、プレート６１１を電極５と共に外へ引き出すことができる。或いはこれらをチャンバＣ内へ設置して部材６１をチャンバ本体に接続固定することができる。
【００４４】
また、側壁構成部材６１には放電電極５へ電力を供給するための電力供給端子６１４と、ガス供給ノズル５１にガスを供給するためのガス供給装置接続口部６１３を設けてある。電極５は端子６１４に接続されており、ノズル５１はその内側空洞部が接続口部６１３に配管接続されている。チャンバ外部の電源ＰＳはマッチングボックスＭＢを介して端子６１４に接続され、ガス供給装置ＧＳは接続口部６１３に接続され、プレート６１１や電極５を外へ引き出すときは、必要に応じ、電源ＰＳ及びマッチングボックスＭＢやガス供給装置ＧＳが外される。
【００４５】
下部チャンバ側壁構成部材６２には、基板支持台１及び基板支持台昇降装置２が接続されている。基板支持台昇降装置２は下部支持プレート６２１を含んでおり、プレート６２１は片側端部でチャンバ側壁構成部材６２に接続固定されている。基板支持台１はプレート６２１の上方に配置されている。チャンバＣの底壁ｃ５の内面には下部支持プレート６２１の大きさに合わせて片側３個ずつ、計６個の支持ローラ６２３が設置されており（図２、図３、図４参照）、さらに底壁ｃ５内面には下部支持プレート６２１の出入の位置決めをする側方ガイド部材６２２が片側２個ずつ、計４個設置されている（図１、図３、図４参照）。
【００４６】
かくして、側壁構成部材６２をチャンバ本体から取り外すことで、プレート６２１を該プレート６２１や部材６２に取り付けられた部品と共に外へ引き出すことができる。或いは、それら部品をチャンバ内に設置して、部材６２をチャンバ本体に接続固定することができる。
昇降装置２はさらに、プレート６２１上に搭載された一対の回転軸（以下「シャフト」という。）２１、シャフト２１の回転運動を基板支持台１の昇降運動に変換するカム機構２３０、及び、シャフト２１に動力を付与する駆動部２５等を備えている。
【００４７】
一対のシャフト２１はプレート６２１の出し入れ方向に互いに平行に配置され、各シャフトに対して２個ずつの軸受２２にてプレート６２１上に回転可能に支持されている。カム機構２３０は、各シャフト２１に２個ずつ嵌着されたカム２３と、各カム２３の自由端に回転自在に取り付けられたローラ２３１とを含んでいる。カム２３は合計４個あるが、２個ずつが、プレート出し入れ方向に直交する方向に対をなすように揃えられており、各対のカム２３に対応させて基板支持台１の下面から脚体１１が突設されている。各脚体１１の両端部にはそれぞれカム従動部としての横溝部１１１が設けられており、前記のローラ２３１はこの横溝部１１１に転動可能に嵌合している。そして、各対のカム２３は側壁構成部材６２側からみて左右対称に配置されている。
【００４８】
また、各シャフト２１は図１に示すように、側壁構成部材６２に設けられた孔６２４から外部に突出しており、この突出端部に前記の駆動部２５が接続されている。すなわち、各シャフト２１には、側壁構成部材６２の外側において回転導入装置２４が気密に嵌まっており、装置２４は側壁構成部材６２の外面に気密に接続固定されている。各シャフト２１の装置２４から突出した部分は、図１及び図５に示すように、ウォームギアボックス２５３内のウォームホイールに嵌着されており、両ギアボックス２５３中のウォームは共通の１本の軸棒２５１の両端部に形成されている。さらに、この軸棒２５１は正逆回転可能のモータ２５２で回転駆動可能である。モータ２５２は図示を省略した部材を介して側壁構成部材６２に支持されている。
【００４９】
かくして、モータ２５２を運転することでプレート６２１上の１対のシャフト２１を、従って各対における２つのカム２３を互いに反対方向に回すことができ、カム２３が回転することで、基板支持台１が昇降する。
なお、各対のカム２３は左右対称にではなく、互いに平行に配置して、一対のシャフト２１を同方向に回すことで、各対のカム２３を昇降回動させるようにしてもよい。
【００５０】
前記基板搬入搬出用チャンバＲ内には基板搬送ロボットが設置されており、ロボットアームＲＡ（図３参照）を利用して真空チャンバＣ内の基板支持台１に、基板Ｓを渡したり、基板支持台１から基板Ｓを受け取ったりできる。基板Ｓを受け渡しするとき、ロボットアームＲＡを基板Ｓの下方に挿入するのであるが、そのための間隙を作るため、基板Ｓを持ち上げる複数の基板リフトピン３と、基板リフトピン３を昇降させる基板リフトピン昇降装置４を備えている。
【００５１】
リフトピン３は前記の一対のシャフト２１と平行方向に沿って複数本（ここでは４本）ずつ２列に配列され、各リフトピン３は基板支持台１に上下方向に貫通する孔１２に昇降可能に嵌合されている。各ピン３はピン本体３１の上下端にそれぞれ抜け落ち防止のためのストッパ３２及びバネストッパ３４を有している。ピン３は孔１２の下方へ突出しており、その突出部分にピンを常時下降方向へ付勢するバネ３３が嵌められ、バネストッパ３４に支えられている。上側のストッパ３２はリフトピン３がバネ３３に付勢されて下降位置にあるとき、台１上面の凹所に嵌入して、支持台上面以下の位置をとる。
【００５２】
基板リフトピン昇降装置４は、基板支持台１の下方に配置されており、２本のシャフト４１とリンク機構４４を備えている。２本のシャフト４１は前記の一対のシャフト２１の間に、且つ、該シャフト２１と平行に配置され、各シャフト４１はそれぞれ２個の軸受４２により前記下部支持プレート６２１に回動可能に支持されている。各シャフト４１には、各リフトピン３に対応させてカム４３が嵌着されており、各ピン３は、前記のバネ３３に付勢されて、対応するカム４３にバネストッパ３４の部分で当接できる。
【００５３】
片方のシャフト４１は下部側壁構成部材６２に開けられた孔６２５（図１参照）に対し設けられた気密シール構成の回転導入機６２６に連結されている。回転導入機６２６は側壁構成部材６２の外面に気密に固定され、基板リフトピン駆動用の正逆回転可能のモータ４１１に接続されている。モータ４１１も図示を省略した部材を介して側壁構成部材６２に支持されている。
【００５４】
前記リンク機構４４は、図６に示される構造になっている。すなわち、２本のシャフト４１のうちモータ４１１に回転導入機６２６を介して連結されたシャフト４１ａの回転をリンクアーム４４１、４４２、４４３を介して他方のシャフト４１ｂに伝えるものである。リンクアーム４４１はシャフト４１ａに、アーム４４３はシャフト４１ｂにそれぞれ嵌着されている。また、各リンクアーム４４１〜４４３は接続ピン４４４によって互いに回動可能に連結されている。シャフト４１ａとシャフト４１ｂの回転方向は互いに反対方向である。かくして、モータ４１１の運転にて、各シャフト４１（４１ａ、４１ｂ）を、従ってそれに嵌着されているカム４３をそれぞれ反対方向に、且つ、ピン３を上昇させる方向に回転駆動することで、各ピン３をバネ３３に抗して基板支持台１の上面の上方へ突出させることができる。モータ４１１を逆運転することで、カム４３を逆方向に回し、それにより各ピン３がバネ３３で基板支持台１の上面以下の位置へ下降することを許すことができる。
【００５５】
なお、リンク機構４４は側壁構成部材６２の外側に設けられていてもよい。また、リンク機構４４における左右のカム４３は互いに平行に配置して、同方向に回せるようにしてもよい。
以上説明した真空処理装置（プラズマＣＶＤ装置）Ａによると次のように被処理基板Ｓに膜形成処理を施すことができる。
【００５６】
先ず図４に示すように、基板搬入時、基板支持台１を予め、図４に実線で示す下限位置ｐ１に配置しておき、基板リフトピン３は基板支持台１内に下降させておく。次に基板搬送チャンバＲ内に予め搬入されて、該チャンバ内のロボットアームで支持された被処理基板Ｓを該ロボットアームで装置ＡのチャンバＣ内の基板リフトピン３の上方へ搬入する。この基板の搬入にあたってはゲート弁Ｖを開ける。
【００５７】
次いでリフトピン昇降装置４におけるモータ４１１の運転にて同装置における各カム４３を回動させ、それにより各ピン３をバネ３３に抗して持ち上げ、基板支持台１の上面上方へ突出させ、突出したピン３に搬入されてきた基板Ｓを支持させる。その後、ロボットアームを後退させ、ゲート弁Ｖを閉じる。
また、ロボットアームが後退した後、モータ４１１を逆回転させ、ピン３がバネ３３の弾性復元力で基板支持台１内へ下降することを許すとともに、基板支持台昇降装置２におけるモータ２５２を運転して一対のシャフト２１、それに嵌着されたカム２３を回動させて支持台１を上昇させる。かくして基板Ｓは基板支持台１に設置されるとともに該支持台が図３に実線で示す上限位置ｐ２に配置されることで基板処理位置に配置される。
【００５８】
この状態で、或いはこの状態を得るに先立って、チャンバＣ内から排気装置Ｅｘにて真空排気し、チャンバＣ内を所定の成膜気圧にする。また、ガス供給装置ＧＳから成膜用ガスをチャンバＣ内へ導入するとともに電源ＰＳから放電電極５に高周波電力を印加して導入したガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜基板Ｓ表面に所定の膜を形成する。
【００５９】
膜形成後は、基板支持台昇降装置２においてモータ２５２を逆回転させ、それにより一対のシャフト２１及びそれに支持されているカム２３を逆回動させることで支持台１を当初の位置ｐ１へ下降させる一方、基板リフトピン３を前記と同様にして支持台１の上方へ突出させ、処理済基板Ｓを該ピンに支持させる。
ここで、ゲート弁Ｖを開け、ロボットアームを該基板Ｓと支持台１との間へ挿入し、次いでピン３を支持台１内へ下降させることで基板Ｓをロボットアームに支持させ、その後ロボットアームを基板搬送チャンバＲへ後退させることで基板Ｓを搬出し、ゲート弁Ｖを閉じる。基板搬送チャンバＲへ搬出された基板Ｓはその後チャンバＲ外へ搬出されるか、或いは次の処理のための図示しないチャンバ内へ搬入される。
【００６０】
以上説明したプラズマＣＶＤ装置Ａによると、基板支持台１及び基板支持台昇降装置２並びにリフトピン３及びその昇降装置４が共に真空チャンバＣ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６２に接続され、側壁構成部材６２の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、真空チャンバＣの内壁、基板支持台１、リフトピン３、これらの昇降装置２、４のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００６１】
また、放電電極５やそれに組み合わされたガス供給ノズル５１については真空チャンバＣ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６１に接続され、側壁構成部材６１の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、電極５等のメンテナンスも従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００６２】
被処理基板のサイズが大きく、従って真空チャンバ、電極、基板支持台等が大きいときでも、該電極、基板支持台等をチャンバ本体外へ容易に取り出し、作業性よくメンテナンスできる。
また、このプラズマＣＶＤ装置Ａでは、真空チャンバＣの底壁下方に基板支持台昇降装置２やリフトピン昇降装置４が突設されることがないので、それだけ真空チャンバＣの上下方向の重ね配置が容易であり、真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置を構成する場合において、該装置をその設置面積を節約できる構成にすることができ、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置を設置するクリーンルームをそれだけ床面積を小さくして安価にできる。
【００６３】
また、真空チャンバＣ内を所定の真空状態に排気する排気装置Ｅｘは真空チャンバＣの側壁ｃ１に形成された排気口７に接続されているので、この点からもチャンバＣの上又は下に別の真空処理装置を重ね配置し易い。
次に本発明に係る真空処理装置の他の例について図７を参照して説明する。
図７に示す真空処理装置Ａ’は、図１等に示す装置Ａと同様にプラズマＣＶＤ装置であり、装置Ａにおいて、真空チャンバＣの側壁ｃ３に開口ｃ３１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材６１を着脱可能に設けるとともに、側壁ｃ４に開口ｃ４１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材６２を着脱可能に設けたことに代えて、片方の側壁ｃ４に大きい開口ｃ４２を設け、これに対し大きい側壁構成部材６２’を着脱自在に設け、この側壁構成部材６２’の上部に、装置Ａで示したガス供給ノズル５１を組み合わせた放電電極５等を接続するとともに、側壁構成部材６２’の下部に、基板支持台１、その昇降装置２、リフトピン３、その昇降装置４等を接続したものである。その他の点は、部品の配置位置や向き等の若干の点を除けばプラズマＣＶＤ装置Ａと実質上同じ構成のものである。装置Ａにおけると同じ部品については同じ参照符号を付してある。
【００６４】
図７のプラズマＣＶＤ装置Ａ’によると、側壁構成部材６２’をチャンバＣの本体から取り外すことで、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を同時にチャンバＣ外へ引き出すことができ、また、側壁構成部材６２’をチャンバＣの本体に接続固定することで、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を同時にチャンバＣ内に設置することができる。
【００６５】
このように側壁構成部材６２’の着脱は、装置Ａの場合と異なり真空チャンバＣの片側から行えるので、メンテナンススペースとしてチャンバＣの両サイドを考慮する必要がなく、それだけ装置置き場所の制約を受けにくい。
なお、以上説明した装置ＡやＡ’は真空チャンバＣ内に導入するガスとしてエッチング用ガスを採用することでプラズマによるエッチング処理にも応用できる。また、プラズマによる他の処理にも応用できる。
【００６６】
次に本発明に係るマルチチャンバ型真空処理装置の１例について図８及び図９を参照して説明する。
図８は被処理基板Ｓに複数の処理を順次施すことのできる複数の真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを備えるマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭの概略平面図である。図９は図８に示すマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭのＹ−Ｙ線に沿う概略断面図である。
【００６７】
マルチチャンバ型真空処理装置ＡＭは、真空処理装置Ａａ〜Ａｃ、基板搬入チャンバＣｉ、基板搬出チャンバＣｏ、基板搬送チャンバＲ’を備えている。真空処理装置Ａａ〜Ａｃは、前記プラズマＣＶＤ装置Ａと実質上同構造の装置であり、処理装置Ａａは真空チャンバＣａを、処理装置Ａｂは真空チャンバＣｂを、処理装置Ａｃは真空チャンバＣｃを備えており、これら真空チャンバは上下方向に順次重ね配置されている。
【００６８】
そして基板搬送チャンバＲ’はこれら重ね配置された真空チャンバＣａ、Ｃｂ、Ｃｃに対し共通の一つの基板搬送チャンバとなっており、チャンバＣａ、Ｃｂ、Ｃｃの側壁開口８ａ、８ｂ、８ｃにそれぞれゲート弁Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅを介して接続されている。
また、基板搬入チャンバＣｉ及び基板搬出チャンバＣｏも重ね配置されており、これらチャンバは、一方で基板搬送チャンバＲ’にゲート弁Ｖｂ、Ｖｆを介して接続されており、他方でそれぞれゲート弁Ｖａ、Ｖｇを介して外部に臨んでいる。
【００６９】
各処理装置についてさらに説明すると、処理装置Ａａは、図８及び図９に示すように、ガス供給ノズルを組み合わせた放電電極５ａ等を備えており、これは真空チャンバＣａの本体側壁開口に対し着脱可能に設けられた側壁構成部材６１ａに、前記の装置Ａにおける場合と同様に接続されている。また、側壁構成部材６１ａを介して電極５ａにマッチングボックスＭＡａ及び電源ＰＳａが順次接続されているとともにガス供給ノズルにガス供給装置ＧＳａが接続されている。
【００７０】
また、基板支持台１ａや基板リフトピン３ａ、これらの昇降装置（前記装置Ａにおけると同様の昇降装置）も備えており、これらは真空チャンバＣａのもう一つの本体側壁開口に対し着脱可能に設けられた側壁構成部材６２ａに前記装置Ａの場合と同様に接続されている。なお、図８において２５ａは基板支持台昇降装置における駆動部であり、４１１ａはリフトピン昇降装置におけるモータであり、Ｅｘａは排気装置である。
【００７１】
他の処理装置Ａｂ、Ａｃについても処理装置Ａａと実質上同じ構成である。図９において、処理装置Ａｂにおける５ｂは放電電極、１ｂは基板支持台、３ｂはリフトピン、Ｅｘｂは排気装置であり、処理装置Ａｃにおける５ｃは放電電極、１ｃは基板支持台、３ｃはリフトピン、Ｅｘｃは排気装置である。図示を省略したが、チャンバＲ’、Ｃｉ、Ｃｏにも排気装置が接続されている。
【００７２】
基板搬送チャンバＲ’中には、回動、伸縮、昇降可能なロボットアームＲＡ’が設置されている。このアームは全体の図示を省略したロボット本体の一部である。
なお、特に断らないかぎり、基板搬送チャンバＲ’に接続された搬入チャンバＣｉ、搬出チャンバＣｏ及び各真空チャンバＣａ〜Ｃｃへの基板Ｓの搬入や、各チャンバからの基板の搬出は、それぞれのチャンバと基板搬送チャンバＲ’の間に配置された各ゲート弁を、また、処理装置ＡＭ外部より搬入チャンバＣｉへの搬入や、搬出チャンバＣｏより処理装置ＡＭ外部への搬出は、各チャンバＣｉ、Ｃｏと処理装置ＡＭ外部とを仕切っている各ゲート弁を、その都度開閉させて行われる。
【００７３】
このマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭにおいては、次のようにして所定の複数の処理を施すことができる。
まず、搬入チャンバＣｉのゲート弁Ｖａを開けて、搬入チャンバＣｉ内に被処理基板Ｓを搬入する。ゲート弁Ｖａを閉じ、搬入チャンバＣｉ内を所定の圧力にする。また、基板搬送チャンバＲ’や複数の真空チャンバＣａ〜Ｃｃ、或いはさらに搬出チャンバＣｏ内はそれぞれに対して設けられた排気装置で予め所定の圧力にしておく。
【００７４】
基板搬送チャンバＲ’内に配置されたロボットアームＲＡ’で、搬入チャンバＣｉ内の被処理基板Ｓを始めの処理の真空処理装置（例えばＡａ）の真空チャンバに搬入する。真空処理装置（Ａａ）での被処理基板Ｓの搬入搬出の手順については、装置Ａの場合と同様である。装置Ａａにおける基板への処理が終了すると該基板はロボットアームＲＡ’で一度基板搬送チャンバＲ’に取り出されその後、次の処理を施す処理装置（例えばＡｂ）の真空チャンバに搬入される。この操作を繰り返し、最後の処理を終了した後、被処理基板Ｓを真空チャンバＣｃから基板搬送チャンバＲ’に搬出し、搬出チャンバＣｏ内に該基板を搬入する。さらに、ゲート弁Ｖｆを閉じ、搬出チャンバＣｏ内の圧力を大気圧にして、搬出チャンバＣｏと外部とを分けているゲート弁Ｖｇを開き該基板Ｓを外部に取り出すことで、基板への処理が終了する。
【００７５】
以上説明したマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭにおいては、各真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを上下に重ねて配置したことにより、次の利点がある。
すなわち、従来のマルチチャンバ型真空処理装置では、基板搬送チャンバを中心に各処理装置が放射状に配置されているが、ここでは各真空処理装置が上下に重ねて配置されているので、従来装置に対し設置平面面積が大幅に低減され、従って、該装置が設置されるクリーンルームの床面積をそれだけ小さくでき、これらにより基板一枚あたりの処理コストを低減できる。
【００７６】
また、放電電極、基板支持台、真空チャンバ内壁等のメインテナンスは側壁構成部材を横方向に取り外して簡単、容易に行える。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することができる。
【００７８】
また本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することができる。
【００７９】
また本発明によると、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易である真空処理装置を提供することができる。
さらに本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【００８０】
また本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【００８１】
さらに本発明によると、設置平面面積を従来のマルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置の水平断面概略図である。
【図２】図１に示すプラズマＣＶＤ装置のＸ−Ｘ線に沿う、一部省略の概略断面図である。
【図３】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置されている基板支持台昇降装置の概略構成を示す図である。
【図４】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置されている基板リフトピン昇降装置の概略構成を示す図である。
【図５】図３に示す基板支持台昇降装置の駆動部の正面図である。
【図６】図４に示す基板リフトピン昇降装置に含まれるリンク機構の構成を示す図である。
【図７】本発明に係る真空処理装置の他の例であるプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図８】本発明に係るマルチチャンバ型真空処理装置の１例の平面図である。
【図９】図９に示すマルチチャンバ型真空処理装置のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図１０】図（Ａ）は従来例の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）は図（Ａ）に示す装置における基板搬送動作の説明図である。
【符号の説明】
Ａ、Ａ’ プラズマＣＶＤ装置
ＡＭ マルチャンバ型真空処理装置
Ｃ、Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ 真空チャンバ
ＭＡ、ＭＡａ マッチングボックス
ＰＳ、ＰＳａ 高周波電源
ＧＳ、ＧＳａ ガス供給装置
Ｓ 被処理基板
Ｅｘ 真空排気装置
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 基板支持台
１１ 脚体
１１１ 横溝部
１２ 基板リフトピン装着用孔
２ 基板支持台昇降装置
２１ シャフト
２２ 軸受
２３ カム
２４ 回転導入装置
２５、２５ａ 駆動部
２５１ 軸棒
２５２ モータ
２５３ ギアボックス
３ 基板リフトピン
３１ リフトピン本体
３２ ストッパ
３３ バネ
３４ バネストッパ
４ 基板リフトピン昇降装置
４１（４１ａ、４１ｂ） シャフト
４１１ モータ
４２ 軸受
４３ カム
４４ リンク機構
４４１、４４２、４４３ リンクアーム
４４４ 接続ピン
５ 放電電極
５１ ガス供給ノズル
５２ 絶縁体
６ チャンバ側壁構成部材
６１、６１ａ 上側チャンバ側壁構成部材
６２、６２ｂ 下側チャンバ側壁構成部材
６１１ 上部支持プレート（支持フレームの一例）
６１２ ガイドローラ
６１４ 電力供給端子
６１３ ガス供給装置接続口部
６２１ 下部支持プレート（支持フレームの一例）
６２２ ガイド部材
６２３ 支持ローラ
６２４ シャフト用孔
６２５ シャフト用孔
６２６ 回転導入機
７、７ａ、７ｂ、７ｃ 排気口
８、８ａ、８ｂ、８ｃ 基板搬入搬出用開口
Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅ、Ｖｆ、Ｖｇ ゲート弁
Ｒ、Ｒ’ 基板搬送室
Ｃｉ 搬入チャンバ
Ｃｏ 搬出チャンバ
ＲＡ、ＲＡ’ロボットアーム[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a vacuum processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate to be processed under a predetermined reduced pressure, for example, an apparatus for forming a thin film under a predetermined vacuum, an apparatus for performing an etching process under a predetermined vacuum, and ion implantation under a predetermined vacuum. The present invention relates to a vacuum processing apparatus such as a performing apparatus.
The present invention also relates to a multi-chamber vacuum processing apparatus provided with a plurality of such vacuum processing apparatuses.
[0002]
[Prior art]
A thin film forming apparatus for forming a thin film under a predetermined vacuum such as a plasma CVD apparatus or a vacuum deposition apparatus, an etching apparatus for performing an etching process under a predetermined vacuum such as a reactive ion etching apparatus, or an ion implantation for performing ion implantation under a predetermined vacuum. A vacuum processing apparatus such as an apparatus usually includes a vacuum chamber for performing a predetermined process on a substrate to be processed, and a substrate support for supporting the substrate to be processed is installed in the chamber. Any of an electrode and other devices for performing processing according to the processing is installed.
[0003]
In addition, the vacuum processing apparatus usually raises and lowers the substrate support table in order to deliver the substrate between the substrate support table and the substrate carrying robot connected to the vacuum chamber and / or the substrate transfer robot in the unload chamber. A substrate support base lifting device is provided. Alternatively, a substrate lift member such as lift pins for lifting the substrate from the substrate support is provided.
[0004]
Conventional examples of the substrate support, the substrate support elevating device, and the lift member will be described with reference to FIG.
FIG. 10A shows a plasma CVD apparatus which is an example of a vacuum processing apparatus. The plasma CVD apparatus includes a vacuum chamber 91, in which a substrate support base 92 that supports the substrate S to be processed is installed, and a discharge electrode 93 is installed above the support base 92. Yes. In this example, the support base 92 also serves as an electrode and is grounded. A high frequency power supply 94 is connected to the electrode 93 via a matching box 941. The chamber 91 is connected to a gas supply device 95 that supplies a film forming gas, an exhaust device 96 that exhausts the gas from the chamber, and the like.
[0005]
According to this apparatus, the substrate S to be processed is placed on the substrate support 92 and the inside of the chamber 92 is decompressed to a predetermined pressure by the exhaust device 96, while the film forming gas is supplied from the gas supply device 95 into the chamber 92. The gas supplied by applying high frequency power from the power supply 94 to the electrode 93 is turned into plasma, and a predetermined thin film is formed on the substrate S under the plasma. During the processing, the substrate S may be heated or cooled to a predetermined temperature as required by a heating / cooling device (not shown).
[0006]
The substrate support 92 can be lifted and lowered slightly by the lifting device 900. Accordingly, the substrate S can be transferred to and from the substrate carrying robot in the substrate carrying-in and / or carrying-out chamber (not shown) connected to the vacuum chamber 91.
More specifically, an elevating shaft 921 projects from the lower surface of the central portion of the substrate support base 92. The shaft 921 passes through the bottom wall 911 of the chamber 91 so as to be movable up and down. A portion of the shaft 921 that protrudes from the chamber 91 is surrounded by a telescopic airtight bellows device 923, and is connected to a drive motor (here, a piston cylinder device) 98 outside the chamber via a lower end member of the bellows device. ing. The substrate support 92 can be slightly raised and lowered by the operation of the drive motor 98. Further, lift pins 97 are provided upright on the chamber bottom wall 911, and the pins extend to the substrate support base 92. When the base 92 is lowered, it can relatively protrude onto the base 92.
[0007]
Loading and unloading of the substrate S is performed as follows. That is, as shown in FIG. 10B, when the substrate is carried in, the base 92 is lowered in advance, and the lift pins 97 protrude relatively upward. The substrate S supported by the robot arm RA is carried above the pins 97, and then the substrate RA is placed on the pins 97 as the arm RA is lowered. Thereafter, the arm RA moves backward. Thereafter, the base 92 is raised to support the substrate S as shown in FIG.
[0008]
The substrate S after processing is supported by the pins 97 when the platform 92 is lowered, and the robot arm RA is inserted between the substrate S supported by the pins 97 and the lowered platform 92, and then the arm RA is raised. Then, the substrate S is supported, and the arm RA is retracted in this state, and thus the substrate S is carried out.
Note that a device for raising and lowering the lift pins 97 may be provided for reasons such as adopting a robot arm RA that does not rise and fall.
[0009]
Although the plasma CVD apparatus has been described above as an example, other vacuum processing apparatuses are also provided with a substantially similar substrate support table elevating device or further a lift member elevating device.
Such a substrate support base lifting device and lift member lifting device are provided so as to protrude downward from the bottom of the vacuum chamber.
[0010]
In addition, semiconductor devices such as semiconductor memories, TFTs for liquid crystal displays (thin film transistors), MPUs (microprocessor units), solar cells, etc. are usually processed by forming a thin film of a predetermined material on a substrate under a predetermined vacuum, a film on the substrate, etc. Is manufactured by subjecting a substrate to a plurality of processes such as a process of etching under a predetermined vacuum.
[0011]
As the thin film forming process, a PVD method such as a vacuum deposition method or a CVD method such as plasma CVD is employed, and dry etching using plasma such as reactive ion etching is employed as the etching.
However, when a plurality of processes are performed on one substrate, the substrate that has been subjected to a predetermined process in a certain processing chamber is transported to a processing chamber for performing the next process, and the substrate is exposed to the atmosphere. The substrate may be contaminated by dust or the like being attached or oxidized. Therefore, it is necessary to perform a process such as cleaning the substrate before performing the next process, which takes time and labor, and the production efficiency is poor.
[0012]
Therefore, in order to improve productivity by efficiently performing a plurality of processes in a predetermined order, or to improve productivity by proceeding with a plurality of the same processes in parallel, adhesion of dust or the like to the substrate For example, a single substrate transfer chamber is provided, and a plurality of vacuum processing apparatuses, a load lock chamber for carrying in the substrate, an unload lock chamber for carrying out the substrate, and a substrate as necessary. There has been proposed a multi-chamber type vacuum processing apparatus to which a preprocessing chamber or the like for performing preprocessing such as preheating is connected.
[0013]
Among a plurality of vacuum processing apparatuses in such a multi-chamber type vacuum processing apparatus, a vacuum processing apparatus for thin film formation, etching, etc. is similar to the vacuum processing apparatus shown in FIG. And a discharge electrode for plasma formation, and the predetermined gas introduced is supplied to the electrode under reduced pressure by an exhaust device to generate plasma, and is supported by the substrate support under the plasma. A plasma processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate to be processed is the mainstream.
[0014]
In such a plasma processing apparatus, the substrate support is installed at the bottom of the vacuum chamber, as shown in FIG. 10A, and can be moved up and down for delivery of the substrate to and from the substrate transfer robot. A substrate support base lifting device is attached so as to protrude downward. Further, not only the substrate support but also lift members such as lift pins for lifting the substrate from the substrate support are provided to be able to move up and down for the transfer of the substrate to and from the substrate transfer robot. It may be attached so as to protrude downward.
[0015]
In this way, the substrate support is installed at the bottom of the chamber. In this case, the electrode for forming the gas plasma is installed above the support (usually in the area close to the chamber ceiling) and power is supplied from outside the chamber. Is done. In addition, in order to uniformly process each part of the substrate surface, the electrode is provided with a gas supply nozzle for uniformly supplying gas to each part of the substrate surface in a shower-like manner, and the weight is often increased accordingly. .
[0016]
Whether it is a single vacuum processing apparatus or a multi-chamber type vacuum processing apparatus, maintenance is usually performed by opening a lid that can be opened and closed at the top of the vacuum chamber.
[0017]
[Problems to be solved by the invention]
However, as described above, maintenance of such a conventional vacuum processing apparatus is usually performed from above the chamber by opening the upper lid of the vacuum chamber, so that it adheres to the lower surface (back surface portion) of the substrate support and the lift member. Cleaning the product and further cleaning the product adhering to the inner wall of the chamber (particularly the inner surface of the bottom wall of the chamber) is extremely difficult and the workability is extremely poor.
[0018]
Further, when the substrate to be processed is, for example, a large-area glass substrate for a liquid crystal display device, the vacuum chamber is increased in accordance with the size, and thus the upper lid is increased. Opening and closing work becomes difficult, and workability during maintenance deteriorates. In some cases, it cannot be manually opened and closed, and a crane, an electric lifter, or the like may be required.
[0019]
When an electrode or the like necessary for performing a target process is disposed above the substrate support, for example, when an electrode for forming gas plasma is disposed above the substrate support as in the plasma processing apparatus. However, when they are attached to the upper lid, when the substrate to be processed becomes larger, not only the upper lid becomes larger as described above, but also the electrodes and the like become larger. Opening and closing work becomes even more difficult, cannot be manually opened and closed, and often requires a crane, an electric lifter or the like.
[0020]
Also, in the conventional vacuum processing equipment, most of the substrate support platform lifting device or even the lift member lifting device is located below the bottom wall of the vacuum chamber, so multiple vacuum chambers are used to improve substrate processing throughput. In this case, it is not possible to arrange the vacuum chambers in the vertical direction in order to save the device installation area.
[0021]
In particular, the vacuum processing apparatus is usually installed in a clean room. In a multi-chamber type vacuum processing apparatus, when each vacuum processing apparatus becomes larger, the vacuum processing apparatuses are arranged around the central substrate transfer chamber. Therefore, the central substrate transfer chamber must be increased in size as individual vacuum processing apparatuses are increased in size, so that the installation plane area of the central substrate transfer chamber is increased. As the installation plane area of the entire processing apparatus increases, it is required to increase the size of the clean room, which increases the substrate processing cost.
[0022]
Accordingly, the present invention provides a vacuum processing apparatus that performs a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber, and maintains a vacuum chamber inner wall, a substrate support, or a substrate lift member. It is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus that can perform the process more simply and easily than a conventional vacuum processing apparatus.
The present invention also relates to a vacuum processing apparatus for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed, which is installed on a substrate support in a vacuum chamber, and maintaining a vacuum chamber inner wall, a substrate support, or a substrate lift member. It is another object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus that can perform maintenance of electrodes and other components disposed above the substrate support base more easily and easily than conventional vacuum processing apparatuses.
[0023]
In addition, the present invention provides a vacuum processing apparatus in which a part of the substrate support raising / lowering device does not protrude greatly below the bottom wall of the vacuum chamber, and the vacuum chamber can be easily stacked in the vertical direction. The task is to do.
Furthermore, the present invention is a multi-chamber type vacuum processing apparatus provided with a plurality of vacuum processing apparatuses for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in the vacuum chamber. For at least one of the processing apparatuses, a multi-chamber type vacuum processing apparatus capable of performing maintenance of the inner wall of the vacuum chamber, the substrate support or the substrate lift member more easily and easily than the conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus. The issue is to provide.
[0024]
Further, the present invention is a multi-chamber type vacuum processing apparatus including a plurality of vacuum processing apparatuses that perform a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber. For at least one of the processing apparatuses, the maintenance of the inner wall of the vacuum chamber, the substrate support or the substrate lift member, and the maintenance of the electrodes and other components arranged above the substrate support are performed using a conventional multi-chamber vacuum. It is an object of the present invention to provide a multi-chamber type vacuum processing apparatus that is simpler and easier than a processing apparatus.
[0025]
Furthermore, this invention makes it a subject to provide the multi-chamber type vacuum processing apparatus which can make an installation plane area smaller than the conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus.
[0026]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention firstly
A vacuum processing apparatus for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber, comprising a lifting device for the substrate support, and the substrate support and the substrate support Provided is a vacuum processing apparatus characterized in that both lifting devices are connected to a chamber side wall detachable member that can be attached to and detached from the vacuum chamber main body, and can be pulled out of the chamber main body together with the removal of the side wall constituent member.
[0027]
According to this vacuum processing apparatus, the substrate to be processed can be placed on the substrate support table and subjected to a predetermined process as in the conventional vacuum processing apparatus.
Further, according to this vacuum processing apparatus, both the substrate support base and the substrate support base lifting device are connected to the chamber side wall constituent member that can be attached to and detached from the vacuum chamber main body, and can be pulled out of the chamber main body with the removal of the side wall constituent member. Therefore, by pulling out in such a manner, the maintenance of the inner wall of the vacuum chamber and the substrate support can be performed more easily and easily than the conventional vacuum processing apparatus.
[0028]
Maintenance of parts such as electrodes arranged in the vacuum chamber can also be easily performed from the opening formed after the chamber side wall constituent member is removed.
Parts such as electrodes, for example, discharge electrodes for plasma formation for converting a predetermined gas introduced into the chamber into plasma in the vacuum chamber are also connected to a chamber side wall constituent member that can be attached to and detached from the vacuum chamber body. Then, the side wall member may be removed and pulled out of the chamber body.
[0029]
In this way, the maintenance of parts such as electrodes becomes easier and easier.
The side wall constituent member connecting the substrate support and the side wall constituent member connecting the electrodes may be the same member or may be provided separately.
In addition, since the vacuum processing apparatus of the present invention does not project a part of the substrate support raising / lowering device greatly below the bottom wall of the vacuum chamber, it is easy to stack the vacuum chamber in the vertical direction. In the case of configuring a multi-chamber type vacuum processing apparatus provided with a plurality of vacuum processing apparatuses, the apparatus can be configured to save the installation area, and as a result, only a clean room in which the multi-chamber type vacuum processing apparatus is installed The floor area can be made small and inexpensive.
[0030]
Further, an exhaust device that exhausts the inside of the vacuum chamber to a predetermined vacuum state may be connected to an exhaust port formed on the side wall of the vacuum chamber. About such a vacuum processing apparatus, it becomes easy to arrange | position another vacuum processing apparatus on or under it.
In delivering a substrate to be processed between the substrate support in the vacuum chamber and a substrate carrying robot usually connected to the vacuum chamber and / or a substrate carrying robot in the carry-out chamber, the substrate of the substrate carrying robot is supported. When the robot arm does not move up and down, the robot arm can be provided with a substrate lift member that can be moved up and down relative to the substrate support table and protrude above the substrate support table, and a lift device for the lift member.
[0031]
Both the substrate lift member and the substrate lift member elevating device may be connected to the chamber side wall detachable member that can be attached to and detached from the chamber main body, and can be pulled out of the chamber main body with the removal of the side wall constituent member.
The substrate support platform elevating device is connected to the chamber side wall constituent member below the substrate support base, and is disposed in the chamber main body by attaching the chamber side wall constituent member to the vacuum chamber main body. A support frame that is pulled out of the chamber main body upon removal of the member, a drive unit that is capable of forward / reverse operation located outside the chamber side wall constituting member, and at least a part of which is mounted on the support frame, And a link mechanism that raises and lowers the substrate support.
[0032]
When such a substrate support base lifting device is adopted, the link mechanism that lifts and lowers the substrate support base is rotatably mounted on the support frame, and is a shaft that can rotate forward and backward by receiving power from the drive unit. Examples include a rod, and an operation conversion mechanism such as a cam mechanism that is connected to the shaft rod and the substrate support base and converts the rotational motion of the shaft rod into the vertical motion of the substrate support base. When such a link mechanism is employed, examples of the drive unit include a motor including a motor that can rotate forward and reverse and a transmission mechanism that transmits the power of the motor to the shaft rod.
[0033]
In any case, one end of the shaft rod can be fitted to the chamber side wall constituent member so as to be airtight and rotatable. In this case, a vacuum rotary seal may be provided on the chamber side wall constituent member, and the shaft rod may be penetrated in a rotatable and airtight manner.
Further, the substrate lift member is capable of reciprocating up and down between, for example, a position where the upper end of the lift member is located below the upper surface of the substrate support base and a position where the upper end of the lift member protrudes upward from the upper surface of the substrate support base. The thing mounted on the board | substrate support stand can be mentioned. In this case, as the substrate lift member elevating device, for example, it is connected to the chamber side wall constituent member below the substrate support, and is disposed in the chamber main body by attaching the chamber side wall constituent member to the vacuum chamber main body. A support frame that is pulled out of the chamber body upon removal of the side wall component;
A drive unit that is capable of forward / reverse operation, located outside the chamber side wall component;
There may be mentioned one including at least a part mounted on the support frame and a link mechanism that receives power from the drive unit to drive the lift member (usually vertical drive).
[0034]
The lift member may be lowered by its own weight, but may be constantly urged in the downward direction by a spring means.
In any case, as a link mechanism for driving the lift member, a shaft rod that is rotatably mounted on the support frame and can be rotated forward and backward by receiving power from the drive portion, and the rotational movement of the shaft rod is used as the lift mechanism. Examples include an operation conversion mechanism such as a cam mechanism that converts the movement of the member in the vertical direction. For example, a cam mechanism that is connected to the shaft rod and abuts on the lower end surface of the lift member and uses the lift member as a cam driven member can be exemplified.
[0035]
In any case, when adopting a mechanism that converts the rotational movement of the shaft rod into the vertical movement of the lift member, for example, a motor capable of forward and reverse rotation and the power of the motor as the shaft rod are used as the drive unit. And a mechanism including a transmission mechanism for transmitting to the terminal.
In addition, about the support frame, the support frame for providing the said board | substrate support stand raising / lowering apparatus and the support frame for providing the board | substrate lift member raising / lowering apparatus mentioned here may be provided in common, or may be provided separately.
[0036]
As described above, any of the vacuum processing apparatuses according to the present invention described above includes a plurality of vacuum processing apparatuses that perform predetermined processing under a predetermined vacuum on a substrate to be processed installed on a substrate support in a vacuum chamber. It can be employed as at least one of the plurality of vacuum processing apparatuses in the multi-chamber vacuum processing apparatus.
In the multi-chamber type vacuum processing apparatus, any of the vacuum processing apparatuses according to the present invention described above can be employed. In that case, at least two of the plurality of vacuum processing apparatuses may be sequentially stacked in the vertical direction. By doing so, the installation plane area of the multi-chamber type vacuum processing apparatus can be saved accordingly.
[0037]
In the multi-chamber type vacuum processing apparatus, a common substrate transfer chamber can be provided for a plurality of vacuum processing apparatuses constituting the same.
According to such a multi-chamber type vacuum processing apparatus, similarly to the conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus, a plurality of processes are efficiently performed on a substrate to be processed in a predetermined order, or a plurality of substrates to be processed are processed. Similar processing can be performed in parallel to improve the productivity of the target article.
[0038]
Among the plurality of vacuum processing apparatuses, a substrate processing table is connected to a chamber side wall constituent member that can be attached to and detached from the vacuum chamber main body, and the vacuum processing apparatus can be taken out of the chamber main body along with the removal of the side wall constituent member By removing the side wall constituent member from the chamber main body, the substrate support etc. connected thereto can be taken out of the chamber main body and easily maintained. Even when the size of the substrate to be processed is large, and therefore the vacuum chamber, the substrate support, etc. are large, the substrate support, etc. can be easily taken out of the chamber body and can be easily maintained with good workability. Therefore, the entire multi-chamber type vacuum processing apparatus can be easily maintained.
[0039]
In the multi-chamber type vacuum processing apparatus, each of the plurality of vacuum processing apparatuses is connected radially around the substrate transfer chamber, or in that case, at least two of the plurality of vacuum processing apparatuses are vertically stacked. For the stacked chambers, the stacked substrates are connected to the common substrate transfer chamber, or all the vacuum processing apparatuses are stacked in the vertical direction, and these are connected to the common substrate transfer chamber. it can.
[0040]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic horizontal sectional view of a plasma CVD apparatus A which is an example of a vacuum processing apparatus according to the present invention. 2 is a schematic cross-sectional view of the plasma CVD apparatus shown in FIG. 1 partially omitted along the line XX in FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are respectively installed in the vacuum processing apparatus A according to the present invention. It is a figure which shows schematic structure of one example of the board | substrate support raising / lowering apparatus 2 and the board | substrate lift pin raising / lowering apparatus 4. FIG.
[0041]
The plasma CVD apparatus A includes a rectangular parallelepiped vacuum chamber C in which a substrate support 1 for supporting the substrate to be processed S is installed and in the vicinity of the chamber ceiling above the support 1. Discharge electrode 5 for gas plasma formation is provided. The substrate support 1 also serves as an electrode and is grounded, and the discharge electrode 5 is connected to a high-frequency power source PS via a matching box MB. The discharge electrode 5 is formed with a gas supply nozzle 51 for supplying gas uniformly to each part of the substrate surface in a shower-like manner for uniform processing of each part of the substrate surface.
[0042]
The vacuum chamber C includes an exhaust port 7 on the main body side wall c1, and a vacuum exhaust device Ex that exhausts the inside of the chamber to a predetermined vacuum state is connected to the exhaust port 7. Further, the substrate loading / unloading opening 8 is provided on the side wall c <b> 2 facing the exhaust port 7. A substrate loading / unloading chamber R is connected to the opening 8 via a gate valve V.
As shown in FIG. 2, openings c31 and c41 are formed in the chamber side walls c3 and c4, respectively, where the exhaust port 7 and the substrate loading / unloading opening 8 are not provided. The opening c31 is provided in the vicinity of the ceiling wall c6 of the chamber body, and can be closed by a removable upper chamber side wall constituting member 61. The opening c41 is provided in the vicinity of the bottom wall c5 and can be closed by a detachable lower chamber side wall constituting member 62.
[0043]
An upper support plate 611 is connected to the upper chamber side wall constituting member 61 at one end thereof, and the discharge electrode 5 is fixed to the plate via an insulator 52. A guide roller 612 is installed on the inner surface of the ceiling wall c6 of the chamber C to position the upper support plate 611 in and out of the upper chamber side wall constituting member 61 and to prevent deformation such as deflection. A total of six guide rollers 612 are installed in accordance with the size of the upper support plate 611 and three on each plate side end lower surface along the direction of the support plate 611. Thus, the plate 611 (and hence the electrode 5) is supported by the guide roller 612, and the plate 611 can be pulled out together with the electrode 5 by removing the side wall constituting member 61 from the main body of the chamber C. Alternatively, these members can be installed in the chamber C and the member 61 can be connected and fixed to the chamber body.
[0044]
Further, the side wall constituting member 61 is provided with a power supply terminal 614 for supplying power to the discharge electrode 5 and a gas supply device connection port 613 for supplying gas to the gas supply nozzle 51. The electrode 5 is connected to a terminal 614, and the inner cavity of the nozzle 51 is connected to a connection port 613 by piping. The power supply PS outside the chamber is connected to the terminal 614 through the matching box MB, the gas supply device GS is connected to the connection port 613, and when pulling out the plate 611 and the electrode 5 to the outside, the power supply PS and The matching box MB and the gas supply device GS are removed.
[0045]
The substrate support base 1 and the substrate support base lifting device 2 are connected to the lower chamber side wall constituting member 62. The substrate support raising / lowering device 2 includes a lower support plate 621, and the plate 621 is connected and fixed to the chamber side wall constituting member 62 at one end portion. The substrate support 1 is disposed above the plate 621. A total of six support rollers 623 are installed on the inner surface of the bottom wall c5 of the chamber C, three on each side according to the size of the lower support plate 621 (see FIGS. 2, 3, and 4). A total of four side guide members 622 for positioning the lower support plate 621 in and out are provided on the inner surface of the bottom wall c5, two on each side (see FIGS. 1, 3, and 4).
[0046]
Thus, by removing the side wall constituting member 62 from the chamber body, the plate 621 can be pulled out together with the plate 621 and the parts attached to the member 62. Alternatively, these components can be installed in the chamber and the member 62 can be connected and fixed to the chamber body.
The lifting device 2 further includes a pair of rotating shafts (hereinafter referred to as “shafts”) 21 mounted on the plate 621, a cam mechanism 230 that converts the rotational motion of the shaft 21 into the lifting motion of the substrate support 1, and the shaft The drive part 25 etc. which provide motive power to 21 are provided.
[0047]
The pair of shafts 21 are arranged in parallel to each other in the direction in which the plate 621 is inserted and removed, and are rotatably supported on the plate 621 by two bearings 22 for each shaft. The cam mechanism 230 includes two cams 23 fitted to each shaft 21, and a roller 231 rotatably attached to the free end of each cam 23. There are a total of four cams 23, but each two are aligned so as to form a pair in a direction perpendicular to the plate insertion / removal direction. 11 is protrudingly provided. A lateral groove 111 as a cam follower is provided at both ends of each leg 11, and the roller 231 is fitted to the lateral groove 111 so as to be able to roll. The pairs of cams 23 are arranged symmetrically as viewed from the side wall component member 62 side.
[0048]
Further, as shown in FIG. 1, each shaft 21 protrudes outside from a hole 624 provided in the side wall constituting member 62, and the driving portion 25 is connected to the protruding end portion. In other words, each shaft 21 is fitted with the rotation introducing device 24 in an airtight manner outside the side wall constituting member 62, and the device 24 is connected and fixed to the outer surface of the side wall constituting member 62 in an airtight manner. As shown in FIGS. 1 and 5, a portion of each shaft 21 protruding from the device 24 is fitted to a worm wheel in a worm gear box 253, and the worms in both gear boxes 253 are a common shaft. It is formed at both ends of the rod 251. Further, the shaft rod 251 can be driven to rotate by a motor 252 that can rotate forward and backward. The motor 252 is supported on the side wall constituting member 62 through a member not shown.
[0049]
Thus, by operating the motor 252, the pair of shafts 21 on the plate 621, and thus the two cams 23 in each pair, can be rotated in the opposite directions. Goes up and down.
Each pair of cams 23 may be arranged in parallel to each other, not symmetrically, and the pair of cams 23 may be rotated up and down by rotating the pair of shafts 21 in the same direction.
[0050]
A substrate transfer robot is installed in the substrate loading / unloading chamber R, and the substrate S is transferred to the substrate support 1 in the vacuum chamber C by using the robot arm RA (see FIG. 3) or the substrate support. The substrate S can be received from the table 1. When delivering the substrate S, the robot arm RA is inserted below the substrate S. In order to create a gap therefor, a plurality of substrate lift pins 3 for lifting the substrate S and a substrate lift pin lifting device for raising and lowering the substrate lift pins 3 are provided. 4 is provided.
[0051]
The lift pins 3 are arranged in two rows (four in this case) in parallel with the pair of shafts 21, and each lift pin 3 can be moved up and down in a hole 12 penetrating the substrate support 1 in the vertical direction. It is mated. Each pin 3 has a stopper 32 and a spring stopper 34 for preventing falling off at the upper and lower ends of the pin body 31, respectively. The pin 3 protrudes downward from the hole 12, and a spring 33 that constantly urges the pin in the downward direction is fitted to the protruding portion and supported by a spring stopper 34. When the lift pin 3 is biased by the spring 33 and is in the lowered position, the upper stopper 32 is inserted into a recess on the upper surface of the base 1 and takes a position below the upper surface of the support base.
[0052]
The substrate lift pin lifting / lowering device 4 is arranged below the substrate support 1 and includes two shafts 41 and a link mechanism 44. The two shafts 41 are arranged between the pair of shafts 21 and in parallel with the shaft 21, and each shaft 41 is rotatably supported by the lower support plate 621 by two bearings 42. ing. Each shaft 41 is fitted with a cam 43 corresponding to each lift pin 3, and each pin 3 is biased by the spring 33 so that it can abut against the corresponding cam 43 at the portion of the spring stopper 34. .
[0053]
One shaft 41 is connected to a rotary introducer 626 having a hermetic seal configuration provided in a hole 625 (see FIG. 1) formed in the lower side wall constituting member 62. The rotation introducing machine 626 is airtightly fixed to the outer surface of the side wall constituting member 62 and is connected to a motor 411 that can rotate forward and reverse for driving a substrate lift pin. The motor 411 is also supported by the side wall constituting member 62 via a member not shown.
[0054]
The link mechanism 44 has a structure shown in FIG. That is, of the two shafts 41, the rotation of the shaft 41a connected to the motor 411 via the rotation introducing machine 626 is transmitted to the other shaft 41b via the link arms 441, 442, 443. The link arm 441 is fitted to the shaft 41a, and the arm 443 is fitted to the shaft 41b. The link arms 441 to 443 are connected to each other by a connection pin 444 so as to be rotatable. The rotation directions of the shaft 41a and the shaft 41b are opposite to each other. Thus, in the operation of the motor 411, each shaft 41 (41a, 41b), and therefore the cam 43 fitted thereto, is rotated in the opposite direction and in the direction in which the pin 3 is raised, The pin 3 can be protruded above the upper surface of the substrate support 1 against the spring 33. By rotating the motor 411 in the reverse direction, the cam 43 can be rotated in the reverse direction, thereby allowing each pin 3 to be lowered by the spring 33 to a position below the upper surface of the substrate support 1.
[0055]
The link mechanism 44 may be provided outside the side wall constituting member 62. Further, the left and right cams 43 in the link mechanism 44 may be arranged parallel to each other so that they can be rotated in the same direction.
According to the vacuum processing apparatus (plasma CVD apparatus) A described above, a film forming process can be performed on the substrate S to be processed as follows.
[0056]
First, as shown in FIG. 4, when the substrate is loaded, the substrate support 1 is placed in advance at a lower limit position p <b> 1 indicated by a solid line in FIG. 4, and the substrate lift pin 3 is lowered into the substrate support 1. Next, the substrate S to be processed that has been loaded into the substrate transfer chamber R and supported by the robot arm in the chamber is loaded onto the substrate lift pins 3 in the chamber C of the apparatus A by the robot arm. When carrying in this substrate, the gate valve V is opened.
[0057]
Next, in the operation of the motor 411 in the lift pin lifting / lowering device 4, each cam 43 in the device is rotated, whereby each pin 3 is lifted against the spring 33, and protrudes upward from the upper surface of the substrate support 1. The substrate S carried into the pins 3 is supported. Thereafter, the robot arm is retracted and the gate valve V is closed.
In addition, after the robot arm is retracted, the motor 411 is rotated in the reverse direction to allow the pin 3 to be lowered into the substrate support table 1 by the elastic restoring force of the spring 33 and to operate the motor 252 in the substrate support table lifting device 2. Then, the pair of shafts 21 and the cams 23 fitted thereto are rotated to raise the support base 1. Thus, the substrate S is placed on the substrate support 1 and is placed at the substrate processing position by being placed at the upper limit position p2 indicated by the solid line in FIG.
[0058]
In this state or prior to obtaining this state, the chamber C is evacuated by the exhaust device Ex to bring the chamber C to a predetermined film formation pressure. Further, a film forming gas is introduced into the chamber C from the gas supply device GS, and the introduced gas is converted into plasma by applying high frequency power from the power source PS to the discharge electrode 5, and the film formation substrate S is generated under the plasma. A predetermined film is formed on the surface.
[0059]
After the film formation, the motor 252 is reversely rotated in the substrate support raising / lowering device 2, and thereby the pair of shafts 21 and the cam 23 supported by the pair are reversely rotated to lower the support 1 to the initial position p <b> 1. On the other hand, the substrate lift pins 3 are protruded above the support base 1 in the same manner as described above, and the processed substrate S is supported by the pins.
Here, the gate valve V is opened, the robot arm is inserted between the substrate S and the support base 1, and then the pins 3 are lowered into the support base 1 to support the substrate S on the robot arm. By retracting the arm to the substrate transfer chamber R, the substrate S is unloaded and the gate valve V is closed. The substrate S carried out to the substrate transfer chamber R is then carried out of the chamber R or carried into a chamber (not shown) for the next processing.
[0060]
According to the plasma CVD apparatus A described above, the substrate support 1, the substrate support lifting / lowering device 2, the lift pins 3 and the lifting / lowering device 4 are all connected to the chamber side wall constituent member 62 that can be attached to and detached from the vacuum chamber C main body. Since the member 62 can be pulled out of the main body of the chamber C together with the removal of the member 62, the inner wall of the vacuum chamber C, the substrate support 1, the lift pins 3, and the lifting devices 2 and 4 can be maintained by pulling out as described above. It is simpler and easier than processing equipment.
[0061]
The discharge electrode 5 and the gas supply nozzle 51 combined therewith are connected to a chamber side wall constituting member 61 that can be attached to and detached from the vacuum chamber C main body, and can be pulled out of the chamber C main body with the removal of the side wall constituting member 61. By pulling out in this manner, the maintenance of the electrode 5 and the like can be performed more easily and easily than the conventional vacuum processing apparatus.
[0062]
Even when the size of the substrate to be processed is large, and therefore the vacuum chamber, electrode, substrate support, etc. are large, the electrode, substrate support, etc. can be easily taken out of the chamber body and maintained with good workability.
Further, in this plasma CVD apparatus A, since the substrate support lifting / lowering device 2 and the lift pin lifting / lowering device 4 are not projected below the bottom wall of the vacuum chamber C, the vacuum chamber C can be easily stacked in the vertical direction. In the case of configuring a multi-chamber type vacuum processing apparatus provided with a plurality of vacuum processing apparatuses, the apparatus can be configured to save the installation area, and thus a clean room for installing the multi-chamber type vacuum processing apparatus can be provided. The floor area can be reduced accordingly, and the cost can be reduced.
[0063]
The exhaust device Ex for exhausting the inside of the vacuum chamber C to a predetermined vacuum state is connected to the exhaust port 7 formed on the side wall c1 of the vacuum chamber C. It is easy to stack the vacuum processing apparatus.
Next, another example of the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
A vacuum processing apparatus A ′ shown in FIG. 7 is a plasma CVD apparatus similar to the apparatus A shown in FIG. 1 and the like. In the apparatus A, an opening c31 is provided in the side wall c3 of the vacuum chamber C, and a chamber side wall constituent member is provided. 61 is detachably provided, and an opening c41 is provided in the side wall c4, and instead of providing the chamber side wall constituting member 62 in a detachable manner, a large opening c42 is provided in one side wall c4, which is larger than this. A side wall constituting member 62 ′ is detachably provided, and the discharge electrode 5 combined with the gas supply nozzle 51 shown in the apparatus A is connected to the upper part of the side wall constituting member 62 ′, and the lower side of the side wall constituting member 62 ′. The substrate support 1, its lifting device 2, lift pins 3, its lifting device 4, etc. are connected. The other points are substantially the same as those of the plasma CVD apparatus A except for some points such as the arrangement position and orientation of the parts. The same parts as those in apparatus A are denoted by the same reference numerals.
[0064]
According to the plasma CVD apparatus A ′ of FIG. 7, the upper discharge electrode 5 and the lower substrate support 1 are pulled out of the chamber C at the same time by removing the side wall constituting member 62 ′ from the main body of the chamber C. In addition, the upper discharge electrode 5 and the lower substrate support 1 and the like can be installed in the chamber C at the same time by connecting and fixing the side wall constituting member 62 ′ to the main body of the chamber C.
[0065]
As described above, the side wall constituting member 62 ′ can be attached and detached from one side of the vacuum chamber C unlike the case of the apparatus A. Therefore, there is no need to consider both sides of the chamber C as a maintenance space, and the apparatus placement location is limited accordingly. Hateful.
The apparatuses A and A ′ described above can be applied to an etching process using plasma by employing an etching gas as a gas introduced into the vacuum chamber C. It can also be applied to other processing using plasma.
[0066]
Next, an example of the multi-chamber type vacuum processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a schematic plan view of a multi-chamber vacuum processing apparatus AM including a plurality of vacuum processing apparatuses Aa, Ab, and Ac that can sequentially perform a plurality of processes on the substrate S to be processed. FIG. 9 is a schematic sectional view taken along line YY of the multi-chamber vacuum processing apparatus AM shown in FIG.
[0067]
The multi-chamber type vacuum processing apparatus AM includes vacuum processing apparatuses Aa to Ac, a substrate carry-in chamber Ci, a substrate carry-out chamber Co, and a substrate transfer chamber R ′. The vacuum processing apparatuses Aa to Ac have substantially the same structure as the plasma CVD apparatus A. The processing apparatus Aa includes a vacuum chamber Ca, the processing apparatus Ab includes a vacuum chamber Cb, and the processing apparatus Ac includes a vacuum chamber Cc. These vacuum chambers are sequentially stacked in the vertical direction.
[0068]
The substrate transfer chamber R ′ serves as a common substrate transfer chamber for the vacuum chambers Ca, Cb, Cc arranged in an overlapping manner, and gates are provided at the side wall openings 8a, 8b, 8c of the chambers Ca, Cb, Cc, respectively. It is connected via valves Vc, Vd, Ve.
A substrate carry-in chamber Ci and a substrate carry-out chamber Co are also arranged in an overlapping manner, and these chambers are connected to the substrate transfer chamber R ′ via gate valves Vb and Vf on the one hand and gate valves Va and V on the other hand, respectively. It faces the outside through Vg.
[0069]
Further explaining each processing apparatus, as shown in FIGS. 8 and 9, the processing apparatus Aa includes a discharge electrode 5a combined with a gas supply nozzle and the like, which is attached to and detached from the main body side wall opening of the vacuum chamber Ca. It is connected to the side wall constituting member 61a provided in the same manner as in the apparatus A. Further, the matching box MAa and the power source PSa are sequentially connected to the electrode 5a via the side wall constituting member 61a, and the gas supply device GSa is connected to the gas supply nozzle.
[0070]
Also provided are a substrate support 1a, a substrate lift pin 3a, and their lifting devices (same lifting devices as in the device A), which are detachably attached to another main body side wall opening of the vacuum chamber Ca. The side wall constituting member 62a is connected in the same manner as in the apparatus A. In FIG. 8, reference numeral 25 a denotes a drive unit in the substrate support lifting device, reference numeral 411 a denotes a motor in the lift pin lifting device, and Exa denotes an exhaust device.
[0071]
The other processing apparatuses Ab and Ac have substantially the same configuration as the processing apparatus Aa. In FIG. 9, 5b in the processing apparatus Ab is a discharge electrode, 1b is a substrate support, 3b is a lift pin, Exb is an exhaust device, 5c in the processing apparatus Ac is a discharge electrode, 1c is a substrate support, 3c is a lift pin, Exc Is an exhaust device. Although not shown, an exhaust device is also connected to the chambers R ′, Ci, and Co.
[0072]
In the substrate transfer chamber R ′, a robot arm RA ′ that can be rotated, expanded and contracted and moved up and down is installed. This arm is a part of the robot body, not shown in its entirety.
Unless otherwise specified, the loading of the substrate S to the loading chamber Ci, the unloading chamber Co and the vacuum chambers Ca to Cc connected to the substrate transfer chamber R ′ and the unloading of the substrate from each chamber are performed in the respective chambers. Each gate valve disposed between the substrate transport chamber R ′ and the chamber Ci, Co from the outside of the processing apparatus AM to the loading chamber Ci and from the unloading chamber Co to the processing apparatus AM. Each gate valve that partitions the outside of the processing device AM is opened and closed each time.
[0073]
In this multi-chamber vacuum processing apparatus AM, a plurality of predetermined processes can be performed as follows.
First, the gate valve Va of the loading chamber Ci is opened, and the substrate S to be processed is loaded into the loading chamber Ci. The gate valve Va is closed, and the inside of the carry-in chamber Ci is set to a predetermined pressure. The substrate transfer chamber R ′, the plurality of vacuum chambers Ca to Cc, or the carry-out chamber Co are preliminarily set to a predetermined pressure by an exhaust device provided for each.
[0074]
The robot arm RA ′ disposed in the substrate transfer chamber R ′ carries the substrate S to be processed in the carry-in chamber Ci into the vacuum chamber of the vacuum processing apparatus (for example, Aa) for the first process. The procedure for loading and unloading the substrate S to be processed in the vacuum processing apparatus (Aa) is the same as in the apparatus A. When the processing on the substrate in the apparatus Aa is completed, the substrate is once taken out to the substrate transfer chamber R ′ by the robot arm RA ′ and then loaded into the vacuum chamber of the processing apparatus (for example, Ab) that performs the next processing. After repeating this operation and finishing the last process, the substrate S to be processed is unloaded from the vacuum chamber Cc to the substrate transfer chamber R ′, and the substrate is loaded into the unload chamber Co. Further, the gate valve Vf is closed, the pressure in the carry-out chamber Co is set to atmospheric pressure, the gate valve Vg that separates the carry-out chamber Co and the outside is opened, and the substrate S is taken out, so that the processing on the substrate can be performed. finish.
[0075]
The multi-chamber type vacuum processing apparatus AM described above has the following advantages by arranging the vacuum processing apparatuses Aa, Ab, and Ac one above the other.
That is, in the conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus, each processing apparatus is radially arranged around the substrate transfer chamber, but here, since the respective vacuum processing apparatuses are arranged one above the other, On the other hand, the installation plane area is greatly reduced, and therefore the floor area of the clean room in which the apparatus is installed can be reduced accordingly, thereby reducing the processing cost per substrate.
[0076]
Further, maintenance such as the discharge electrode, the substrate support, and the inner wall of the vacuum chamber can be easily and easily performed by removing the side wall constituent member in the lateral direction.
[0077]
【The invention's effect】
According to the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber, and maintaining the inner wall of the vacuum chamber, the substrate support, or further the substrate lift member. Thus, it is possible to provide a vacuum processing apparatus that can perform the process more simply and easily than the conventional vacuum processing apparatus.
[0078]
Further, according to the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber, wherein the vacuum chamber inner wall, the substrate support, or further a substrate lift member is provided. It is possible to provide a vacuum processing apparatus that can perform maintenance and further maintenance of electrodes and other components disposed above the substrate support base more easily and easily than conventional vacuum processing apparatuses.
[0079]
In addition, according to the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus in which a part of the substrate support raising / lowering device is not largely projected below the bottom wall of the vacuum chamber, and the vacuum chamber can be easily stacked in the vertical direction. can do.
Furthermore, according to the present invention, there is provided a multi-chamber type vacuum processing apparatus comprising a plurality of vacuum processing apparatuses for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed which is installed on a substrate support in a vacuum chamber. As for at least one of the vacuum processing apparatuses, a multi-chamber vacuum processing apparatus capable of performing maintenance of the inner wall of the vacuum chamber, the substrate support or the substrate lift member more easily and easily than the conventional multi-chamber vacuum processing apparatus. Can be provided.
[0080]
According to the present invention, there is also provided a multi-chamber vacuum processing apparatus including a plurality of vacuum processing apparatuses that perform a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in the vacuum chamber. For at least one of the vacuum processing apparatuses, the maintenance of the inner wall of the vacuum chamber, the substrate support or the substrate lift member, and the maintenance of the electrodes and other components disposed above the substrate support are performed in the conventional multi-chamber type. It is possible to provide a multi-chamber type vacuum processing apparatus that is simpler and easier than a vacuum processing apparatus.
[0081]
Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a multi-chamber type vacuum processing apparatus that can have a smaller installation plane area than a conventional multi-chamber type vacuum processing apparatus.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic horizontal sectional view of a plasma CVD apparatus which is an example of a vacuum processing apparatus according to the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view of the plasma CVD apparatus shown in FIG. 1, partially omitted along line XX. FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate support raising / lowering device installed in the plasma CVD apparatus shown in FIGS. 1 and 2;
4 is a view showing a schematic configuration of a substrate lift pin lifting device installed in the plasma CVD apparatus shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
FIG. 5 is a front view of a drive unit of the substrate support platform lifting apparatus shown in FIG. 3;
6 is a diagram showing a configuration of a link mechanism included in the substrate lift pin lifting device shown in FIG. 4;
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a plasma CVD apparatus which is another example of the vacuum processing apparatus according to the present invention.
FIG. 8 is a plan view of an example of a multi-chamber vacuum processing apparatus according to the present invention.
9 is a cross-sectional view taken along line YY of the multi-chamber vacuum processing apparatus shown in FIG.
10A is a diagram showing a schematic configuration of a conventional example, and FIG. 10B is an explanatory diagram of a substrate transfer operation in the apparatus shown in FIG.
[Explanation of symbols]
A, A 'Plasma CVD equipment
AM multi-chamber vacuum processing equipment
C, Ca, Cb, Cc Vacuum chamber
MA, MAa matching box
PS, PSa High frequency power supply
GS, GSa gas supply device
S Substrate
Ex vacuum exhaust system
1, 1a, 1b, 1c substrate support
11 Legs
111 Horizontal groove
12 Hole for mounting board lift pins
2 Substrate support stand lifting device
21 Shaft
22 Bearing
23 cam
24 Rotation introducing device
25, 25a Drive unit
251 shaft rod
252 motor
253 gearbox
3 Board lift pin
31 Lift pin body
32 Stopper
33 Spring
34 Spring stopper
4 Substrate lift pin lifting device
41 (41a, 41b) shaft
411 motor
42 Bearing
43 cams
44 Link mechanism
441, 442, 443 Link arm
444 Connection pin
5 Discharge electrode
51 Gas supply nozzle
52 Insulator
6 Chamber side wall components
61, 61a Upper chamber side wall constituent member
62, 62b Lower chamber side wall constituent members
611 Upper support plate (an example of a support frame)
612 Guide roller
614 Power supply terminal
613 Gas supply device connection port
621 Lower support plate (an example of a support frame)
622 Guide member
623 Support roller
624 Shaft hole
625 Shaft hole
626 Rotating machine
7, 7a, 7b, 7c Exhaust port
8, 8a, 8b, 8c Substrate loading / unloading opening
Va, Vb, Vc, Vd, Ve, Vf, Vg Gate valve
R, R 'substrate transfer chamber
Ci loading chamber
Co unloading chamber
RA, RA 'robot arm

Claims (9)

真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、該基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができることを特徴とする真空処理装置。A vacuum processing apparatus for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed that is installed on a substrate support in a vacuum chamber, comprising a lifting device for the substrate support, the substrate support and the substrate support A vacuum processing apparatus characterized in that both lifting and lowering devices are connected to a chamber side wall constituent member that can be attached to and detached from the vacuum chamber main body, and can be pulled out of the chamber main body together with the removal of the side wall constituent member. 前記基板支持台に対し相対的に昇降して該基板支持台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフト部材の昇降装置を備えており、該基板リフト部材及び基板リフト部材昇降装置が共に前記チャンバ本体に着脱可能の前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができる請求項１記載の真空処理装置。A substrate lift member capable of moving up and down relative to the substrate support and projecting upward from the substrate support and a lift device for the lift member are provided, and both the substrate lift member and the substrate lift member lift are provided in the chamber body. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus is connected to the chamber side wall detachable member, and can be pulled out of the chamber main body together with the removal of the side wall constituent member. 前記基板リフト部材は、リフト部材上端が前記基板支持台上面以下に位置するポジションと該リフト部材上端が該基板支持台上面より上方へ突出するポジションとの間を往復昇降可能に該基板支持台に搭載されており、前記基板リフト部材昇降装置は、
前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記リフト部材を駆動するリンク機構とを含んでいる請求項２記載の真空処理装置。The substrate lift member can be moved back and forth between a position where the upper end of the lift member is located below the upper surface of the substrate support and a position where the upper end of the lift member protrudes upward from the upper surface of the substrate support. The substrate lift member lifting device is mounted,
Connected to the chamber side wall constituent member below the substrate support, and disposed in the chamber main body by attaching the chamber side wall constituent member to the vacuum chamber main body, and to the outside of the chamber main body with the removal of the side wall constituent member A support frame pulled out;
A drive unit that is capable of forward / reverse operation, located outside the chamber side wall component;
The vacuum processing apparatus according to claim 2, further comprising: a link mechanism that is mounted on at least a part of the support frame and that receives power from the drive unit to drive the lift member. 前記基板支持台昇降装置は、
前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記基板支持台を昇降させるリンク機構とを含んでいる請求項１、２又は３記載の真空処理装置。The substrate support stand lifting device is
Connected to the chamber side wall constituent member below the substrate support, and disposed in the chamber main body by attaching the chamber side wall constituent member to the vacuum chamber main body, and to the outside of the chamber main body with the removal of the side wall constituent member A support frame pulled out;
A drive unit that is capable of forward / reverse operation, located outside the chamber side wall component;
The vacuum processing apparatus according to claim 1, further comprising a link mechanism mounted at least partially on the support frame and configured to raise and lower the substrate support by receiving power from the drive unit. 前記真空チャンバ内において該チャンバ内へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化するガスプラズマ形成のための放電電極を備えており、該電極が前記チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができる請求項１から４のいずれかに記載の真空処理装置。The vacuum chamber includes a discharge electrode for forming a gas plasma for converting a predetermined gas introduced into the chamber into a plasma, and the electrode is connected to a chamber side wall detachable member from the chamber body. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus can be pulled out of the chamber body along with the removal of the side wall constituent member. 前記真空チャンバ内を所定真空状態にするための排気装置を備えており、該排気装置は該真空チャンバの側壁に形成された排気口に接続されている請求項１から５のいずれかに記載の真空処理装置。The exhaust system for making the inside of the said vacuum chamber into a predetermined vacuum state is provided, This exhaust system is connected to the exhaust port formed in the side wall of this vacuum chamber. Vacuum processing equipment. 真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つは請求項１から６のいずれかに記載の真空処理装置であるマルチチャンバ型真空処理装置。A plurality of vacuum processing apparatuses for performing a predetermined process under a predetermined vacuum on a substrate to be processed installed on a substrate support in a vacuum chamber, wherein at least one of the plurality of vacuum processing apparatuses is defined in claims 1 to 6. A multi-chamber vacuum processing apparatus, which is the vacuum processing apparatus according to any one of the above. 請求項１から６のいずれかに記載の真空処理装置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち少なくとも二つは上下方向に順次重ねて配置されているマルチチャンバ型真空処理装置。A multi-chamber type vacuum processing apparatus comprising a plurality of vacuum processing apparatuses according to any one of claims 1 to 6, wherein at least two of the plurality of vacuum processing apparatuses are sequentially stacked in the vertical direction. 前記複数の真空処理装置に対し共通の基板搬送チャンバが設けられている請求項７又は８に記載のマルチチャンバ型真空処理装置。The multi-chamber type vacuum processing apparatus according to claim 7, wherein a common substrate transfer chamber is provided for the plurality of vacuum processing apparatuses.
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