JP4000638B2

JP4000638B2 - バーンインソケット

Info

Publication number: JP4000638B2
Application number: JP27970797A
Authority: JP
Inventors: 龍前田
Original assignee: Molex LLC
Current assignee: Molex LLC
Priority date: 1997-09-26
Filing date: 1997-09-26
Publication date: 2007-10-31
Anticipated expiration: 2017-09-26
Also published as: SG97766A1; EP0905521A3; JPH11111889A; KR19990030098A; EP0905521A2

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体デバイスをバーンイン検査する際に使用するバーンインソケットに係り、特に、多極の外部端子がボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）の形態で、チップスケールエリア内に設けられた半導体パッケージ（ＢＧＡ・ＣＳＰ、ボールグリッドアレイ・チップスケールパッケージ）および半導体ベアチップに対応させた小型のバーンインソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、高速化、高密度集積化が進むに従って、プリント回路基板への実装が容易であることから、多ピンで小型化ができるＢＧＡ・ＣＳＰ形式の半導体パッケージの使用が拡がりつつある。このＢＧＡ・ＣＳＰでは、半導体パッケージの下面エリア内に半田ボールや金メッキバンプの形態の外部端子が形成され、他の電子部品と共に、プリント回路基板に一括実装される。このような半導体パッケージの外部端子のピッチは、年々狭ピッチ化しており、従来の金属ばねをコンタクトとしたバーンインソケットでは製造限界に達しており、新たな機構のバーンインソケットの開発が必要になってきている。
【０００３】
また、近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、携帯電話、ディジタルビデオカメラ等の小型化された電子機器の分野では、半導体ベアチップをそのままプリント回路基板に実装する手法（ＭＣＭ・マルチチップモジュール）の採用が進んでおり、半導体素子レベルのバーンインソケットが開発、提案されるに至っている。例えば、絶縁性フィルムに導体回路を形成し、この導体回路に導通させた導電バンプを半導体ベアーチップの外部端子と対応する位置にメッキにより形成し、この絶縁性フィルムをバーンインソケット内に位置合わせして設置すると共に、半導体ベアーチップを、外部端子と前記導電バンプが圧接するようにセットする構造とされている。前記絶縁性フィルムの周縁部には導体回路と導通した導電パッドが形成され、ソケット内に設けた金属コンタクトと接続するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前記のような半導体パッケージ用のバーンインソケットは、バーンインボード上に複数個のバーンインソケットが実装されて、複数個の半導体パッケージを同時にバーンイン検査できるようにされる。従って、バーンインボード上に実装できるバーンインソケットの個数によってバーンイン検査のコストが大きく変化する。即ち、一つのバーンインボードになるべく多数個のバーンインソケットを実装できるようにすることが重要になる。然しながら、従来のＢＧＡ・ＣＳＰに対応させたバーンインソケットでは小型化に限界があった。また、半導体ベアーチップ用のバーンインソケットは、前記の如く、絶縁性フィルムの周縁に形成した導電パッドに金属コンタクトを接続する構造であったので、バーンインソケットのサイズが大きくなっていた。この為、一つのバーンインボードに実装できるバーンインソケットの数が少なくなり、半導体パッケージ或は半導体ベアーチップの１個当たりのバーンイン検査のコストが高くなるという問題点があった。
【０００５】
本発明は斯かる問題点に鑑みてなされたもので、小型化が可能なバーンインソケットを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的のもとになされた本発明のバーンインソケットは、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と当接するようにした第１の導電バンプが片面に形成された絶縁性フィルムの他面に、導体回路を介して導通する第２の導電バンプを形成し、この第２の導電バンプを、絶縁性フィルムを重ねるソケット基板の導電ランドと１対１で対向して電気的に接続するようにした。
【０００７】
図１に示した概念図を参照して本発明を具体的に説明すると、バーンインソケットに、図１（ａ）に示したような、略同一の外形とされた方形の絶縁性フィルム１とソケット基板２を備える。絶縁性フィルム１の表面中央には、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップのチップスケールエリア内に形成された、ＢＧＡ等の外部端子と１対１に対応して当接して電気的に接続可能にした第１の導電バンプ３を形成する。同じく、絶縁性フィルム１の裏面の外周部にも、第２の導電バンプ４をＢＧＡの構成で形成する。そして、前記第１の導電バンプ３と第２の導電バンプ４を、絶縁性フィルム１の面に沿って中央から外周部に向かって延びる方向に形成した導体回路５で、１対１の関係で電気的に導通させる。第１の導電バンプ３が半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と１対１に対応して電気的に接続できるようにされている一方で、第２の導電バンプ４が第１の導電バンプ３に比べてピッチが大きくされて、以下で説明するソケット基板２の外周部に設けた導電ランド７と１対１に対応して電気的に接続するようにされている。
【０００８】
絶縁性フィルム１に形成した導体回路５は、通常のフォトリソグラフィー法によって形成するもので、場合によっては、両面回路形成の構造や、多層回路構造とし、かつ、グランドラインプレーンを設けてインピーダンスマッチングさせた導体回路５とすることもできる。
【０００９】
また、第１、第２の導電バンプ３、４は、電解メッキ、無電解メッキ等のメッキ法で形成するもので、直径を０．０１〜１ｍｍ、絶縁性フィルム面からの高さを０．０１〜１ｍｍの大きさとする。メッキに用いる金属は、金、銀、ニッケル、パラジウム、銅、クロム等の金属のうち、何れかの金属を選択することができる。メッキ法によって形成した導電バンプの表面は、金、白金、パラジウム、ロジウム等の金属で被覆するのが望ましい。
【００１０】
ソケット基板２は、ガラスエポキシ又はセラミックの何れの板体でも良く、外周部に、前記絶縁性フィルム１に形成した第２の導電バンプ４と１対１で対応する導電スルーホール６を設け、ソケット基板２の表面の導電スルーホール６の開口部周囲に導電ランド７を形成すると共に、ソケット基板２の裏面にも、導電スルーホール６の開口部周囲に導電ランド８を形成する。各導電ランド７、８の表面は、前記第１、第２の導電バンプ３、４の表面と同様の、金、白金、パラジウム、ロジウム等の貴金属メッキで被覆する。また、ソケット基板２の表面中央部は、絶縁性フィルム１の第１の導電バンプ３のエリアに対応させて、シリコン樹脂等による樹脂弾性体層９を設けるのが望ましい。
【００１１】
上記のような絶縁性フィルム１とソケット基板２を、図１の（ｂ）又は（ｃ）に示したように重ねてバーンインソケット１０を構成する。絶縁性フィルム１とソケット基板２には、それぞれ複数の位置合わせ用孔１４、１６が互いに対向するように設けられて、これらの対向している位置合わせ用孔１４、１６に結合ねじ２０を挿通する（図６参照）ことによって、絶縁性フィルム１の第２の導電バンプ４とソケット基板２の導電ランド７の位置合わせが可能となっている。更に、前記絶縁性フィルム１の中央に設けた第１の導電バンプ３の外側に半導体パッケージ若しくはベアチップに対する位置合わせ用ストッパ１５が設けられており（図６参照）、この位置合わせ用ストッパ１５と半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップを係合させることによって、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と第１の導電バンプ３の位置合わせが可能となっている。絶縁性フィルム１とソケット基板２を重ねるに当たり、接着剤を用いる構造と、弾性樹脂シートを用いる構造がある。図１（ｂ）は接着剤を用いた構造で、絶縁性フィルム１とソケット基板２を有機接着剤１１で接着すると共に、絶縁性フィルム１に形成した第２の導電バンプ４と、ソケット基板２の外周部表面に形成した導電ランド７は、導電ランド７の表面に予め半田コートを施して、金属合金接合させる。図１（ｃ）は弾性樹脂シート１２を用いた構造で、絶縁性フィルム１の上に重ねた弾性樹脂シート１２の弾力によって第２の導電バンプ４と導電ランド７を圧接接続させる。
【００１２】
ソケット基板２の下面に形成した導電ランド８には、実施例で説明するように、金属ボールを半田結合させてＢＧＡ構造としたり、金属ピンをろう付けしてピングリッドアレイ（ＰＧＡ）構造として、バーンインボード（図示していない）へ実装可能とされる。
【００１３】
【作用】
上記の如くに構成した本発明のバーンインソケット１０は、絶縁性フィルム１の中央の第１の導電バンプ３を形成した位置に半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップを位置合わせしてセットし、上蓋で半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップを絶縁性フィルム１側へ押し付けて、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と第１の導電バンプ３を接触状態とする。このようなバーンインソケット１０をバーンインボード上に実装してバーンイン検査に供する。絶縁性フィルム１の外周部に第２の導電バンプ４を形成して、この第２の導電バンプ４をソケット基板２の外周部に形成した導電ランド７と電気的に接続する構成としたので、金属バネコンタクト等の介在を無くしてバーンインソケット１０全体が小型化される。従って、バーンインボードに実装するバーンインソケット１０の数を増大させることができる。
【００１４】
絶縁性フィルム１とソケット基板２は、有機接着剤１１や弾性樹脂シート１２の弾力によって一体化されており、絶縁性フィルム１側の第２の導電バンプ４とソケット基板２側の導電ランド７との接続の信頼性を、高い状態で維持することができる。第２の導電バンプ４と導電ランド７を金属合金接合させることで、特に接続の信頼性を高めることができる。また、弾性樹脂シート１２で圧接させた接続構造では、絶縁性フィルム１の交換が可能である。
【００１５】
ソケット基板２とバーンインボードは、ソケット基板２の導電スルーホール６に導通させた裏面側の導電ランド８に設けた金属ピン又は金属ボールを介して電気的に接続することで、バーンインソケット１０の実装をすることができる。金属ピンによる場合は、バーンインボード側にはピングリッドアレイ（ＰＧＡ）と対応する既成のＰＧＡソケットを使用することが可能で、実装を容易にすることができる。また、金属ボールの場合は、バーンインボード側にＢＧＡ構造の金属ボールに対応させた導電ランドを形成し、金属ボールと導電ランドを当接させることで電気的な接続が可能であり、実装を容易にすると共に、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子が多極となっても、確実な小型化が可能である。
【００１６】
ソケット基板２の表面中央部に樹脂弾性体層９を設けた構成では、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップと上蓋の間に、ばね部材の弾性力で付勢される押圧部材を介在させて、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップを絶縁性フィルム１側に押し付けて外部端子と第１の導電バンプ３の接触圧を所定の圧力にすることができる。ばね部材のばね定数は、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子の数と、各外部端子に必要な接触圧に基づいて決定する。半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子が形成された面（底面）のコプラナリティー及び絶縁性フィルム１の第１の導電バンプ３のコプラナリティーの差を樹脂弾性体層９で吸収しながら、各外部端子に必要な接触圧を付与し、信頼性のある接続構造が形成される。
【００１７】
【実施例１】
図２、３は、実施例１のソケット基板２を模式的に表したものである。厚さ０．５ｍｍ、３０ｍｍ角のアルミナセラミック板を用い、外周部に既成のＰＧＡソケットに対応させて穴あけして導電スルーホール６を形成した後、表面側には、導電スルーホール６の回りに金メッキした直径１ｍｍの導電ランド７を形成し、裏面側には、導電スルーホール６の回りに金メッキした直径１ｍｍの導電ランド８を形成し、この裏面側の導電ランド８にはコバール製の金属ピン１３を金−錫によるろう付けで接合した。ソケット基板２の４隅には、位置合わせ用孔１４を形成した。
【００１８】
図４、５は、実施例１の絶縁性フィルム１を模式的に表したものである。厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを用いた。一方の面の中央部に、半導体パッケージの外部端子と１対１で対応させて、直径５０μｍ、高さ２０μｍの金メッキした第１の導電バンプ３を形成し、もう一方の面に、第１の導電バンプ３と導通させた導体回路５をファーンアウトして出して、この導体回路５と導通する第２の導電バンプ４を絶縁性フィルム１の外周部に、前記導電ランド７と１対１で対応するように形成した。第２の導電バンプ４は、直径３００μｍ、高さ５０μｍとし、表面は金メッキした。絶縁性フィルム１には、第１の導電バンプ３の外側に、フォトリソ法によって、半導体パッケージに対する位置合わせ用ストッパ１５を設け（図６参照）、また、４隅には、ソケット基板２の位置合わせ用孔１４と同一の位置に位置合わせ用孔１６を形成してソケット基板２との位置合わせができるようにした。
【００１９】
図６は、上記の絶縁性フィルム１とソケット基板２を備えたバーンインソケット１０に半導体パッケージ１７をセットした状態の模式的に表した断面図である。ソッケト基板２の中央部に、厚さ０．２ｍｍ、大きさ１０ｍｍ角のシリコーン樹脂シート１８を載置し、この上に絶縁性フィルム１を載せ、更に絶縁性フィルム１の上に、厚さ０．５ｍｍのシリコーン樹脂シート１９を載せると共に、位置合わせ用孔１４、１６に結合ねじ２０を挿通した。そして、絶縁性フィルム１の中央部に、半導体パッケージ１７を位置合わせ用ストッパ１５を介してセットし、半導体パッケージ１７の外部端子２１と第１の導電バンプ３を対向させた。この半導体パッケージ１７の上に前記シリコーン樹脂シート１８と同様のシリコーン樹脂シート２２を載せると共に、全体に上蓋２３を被せ、結合ねじ２０を介して締め付けて、半導体パッケージ１７の外部端子２１と第１の導電バンプ３を圧接させると共に、絶縁性フィルム１の第２の導電バンプ４とソケット基板２の導電ランド７を圧接させた。
【００２０】
バーンインボード（図示していない）側には、既成のＰＧＡソケットを半田実装しておき、このＰＧＡソケットに、ソケット基板２に取り付けた金属ピン１３を挿入するようにして、バーンインソケット１０をバーンインボードに装着し、その後、バーンイン検査を行った。
【００２１】
【実施例２】
実施例１と同様のソケット基板２を使用し、導電スルーホール６と導通させた上面の導電ランド７は、更に、半田メッキを施した。下面側の導電ランド８には、直径０．７ｍｍの金メッキ銅ボール２４を金−錫によりろう付け接合した（図７参照）。
【００２２】
絶縁性フィルム１も、実施例１と同様のものを使用した。第１の導電バンプ３は、直径５０μｍ、高さ２０μｍとし、表面に金メッキを施した。第２の導電バンプ４は、直径０．５ｍｍ、高さを０．３ｍｍとし、表面は金メッキした。
【００２３】
図７が実施例２のバーンインソケット１０に、半導体パッケージ１７をセットした状態の模式的に表した断面図である。絶縁性フィルム１とソケット基板２は、有機接着剤１１で接着して一体化すると共に、半田メッキした導電ランド７と金メッキした第２の導電バンプ４は、加熱によって金属合金結合させた。絶縁性フィルム１の中央部下側には、前記と同様のシリコーン樹脂シート１８を配置し、上側にはシリコーン樹脂シート１９を重ねた。そして、絶縁性フィルム１の中央部に半導体パッケージ１７をセットし、この半導体パッケージ１７の上にシリコーン樹脂シート２２を載せると共に、全体に上蓋２３を被せ、結合ねじ２０で全体を一体化させた。
【００２４】
バーンインボード側には、ソケット基板２に設けた金メッキ銅ボール２４と対応させて導電ランドを形成し、この導電ランドに金メッキ銅ボール２４を半田付けしてバーンインソケット１０をバーンインボード上に実装し、バーンイン検査を行った。
【００２５】
【実施例３】
ソケット基板２には、厚さ１．５ｍｍで３０ｍｍ角のガラスエポキシ板を使用した。このソケット基板２の中央部に、深さ０．５ｍｍで１０ｍｍ角の凹入部２５を形成し、この凹入部２５にシリコーン樹脂シートを接着して樹脂弾性体層９を形成した。ソケット基板２の外周部には、導電スルーホール６を形成して、上面には、導電スルーホール６の回りに金メッキした直径１ｍｍの導電ランド７を形成し、表面は半田メッキした。ソケット基板２の下面側は、導電スルーホール６の回りに同様の導電ランド８を形成し、この導電ランド８に、直径０．７ｍｍの金メッキ銅ボール２６を高温半田で接合した。
【００２６】
絶縁性フィルム１は、実施例１、２と同様で、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムを使用し、直径２００μｍ、高さ６０μｍの金メッキした第１の導電バンプ３、直径５００μｍ、高さ５０μｍの金メッキした第２の導電バンプ４、並びに第１の導電バンプ３と第２の導電バンプ４を導通させる導体回路５を設けた。
【００２７】
上記のソケット基板２と絶縁性フィルム１を有機接着剤１１で接合すると共に、半田メッキした導電ランド７と第２の導電バンプ４を加熱して金属合金結合させた。
【００２８】
図８は、実施例３のバーンインソケット１０に半導体パッケージ１７をセットした状態の模式的に表した断面図である。半導体パッケージ１７を保持枠２７を介してセットし、半導体パッケージ１７のＢＧＡ構造とした外部端子２１と絶縁性フィルム１の第１の導電バンプ３を１対１に対向させて当接させ、上蓋２３で固定してある。上蓋２３の中央部には、コイルばね２８で付勢された押圧部材２９が設けてあり、押圧部材２９が半導体パッケージ１７を絶縁性フィルム１側に押し付けるようにしてあり、外部端子２１と第１の導電バンプ３が所定の当接圧で接合するようにしてある。図中、３０は上蓋２３に設けた固定金具で、ソケット基板２側に係止できるようになっている。
【００２９】
バーンインボード側には、実施例２と同様に、ソケット基板２に設けた金メッキ銅ボール２６と対応させて導電ランドを形成し、この導電ランドに金メッキ銅ボール２６を半田付けしてバーンインソケット１０をバーンインボード上に実装し、バーンイン検査を行った。
【００３０】
尚、上記の各実施例では、半導体パッケージ１７をバーンイン検査しているが、半導体パッケージ１７を半導体ベアチップとしても、同様に実施することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】
以上に説明の通り、本発明によれば、小型化が可能なバーンインソケットを提供できる効果がある。従って、バーンインボード上に実装するバーンインソケットの数を多くすることができ、バーンイン検査のコストを低減することができる。このことにより、新規の半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの信頼性保証が可能になり、電子機器の小型軽量化、高性能化が達成できるようになるのである。
【００３２】
請求項２の本発明によれば、絶縁性フィルムの第２の導電バンプとソケット基板の導電ランドが金属合金結合されるので、電気的接続の信頼性を特に向上することができる。
【００３３】
請求項３の本発明によれば、絶縁性フィルムとソケット基板を、必要に応じて分離することができる構造であるので、絶縁性フィルムの交換ができるばかりでなく、絶縁性フィルム上に半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップをセットした後、ソケット基板に結合するような手順でバーンイン検査を行うことも可能にできる。
【００３４】
請求項４の本発明によれば、ソケット基板とバーンインボードをＢＧＡ構造で接合できるので、一層の小型化が可能である。
【００３５】
請求項５の本発明によれば、ソケット基板とバーンインボードが、ＰＧＡ構造の金属ピントＰＧＡソケットを介して接続できるので、バーンインボードに対するバーンインソケットの実装を簡単にすることができる。
【００３６】
更に、請求項６の本発明によれば、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と第１の導電バンプを、必要な当接圧で当接できるばかりでなく、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップ側のコプラナリティーと第１の導電バンプ側のコプラナリティーの差を吸収できるので、外部端子と第１の導電バンプの電気的接続部分の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の概念図であり、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）、（ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の実施例のソケット基板を模式的に表した斜視図である。
【図３】同じく実施例のソケット基板を模式的に表した断面図である。
【図４】同じく実施例の絶縁性フィルムを模式的に表した斜視図である。
【図５】同じく実施例の絶縁性フィルムを模式的に表した断面図である。
【図６】本発明の実施例１のバーンインソケットの概略断面図である。
【図７】本発明の実施例２のバーンインソケットの概略断面図である。
【図８】本発明の実施例３のバーンインソケットの概略断面図である。
【符号の説明】
１絶縁性フィルム
２ソケット基板
３第１の導電バンプ
４第２の導電バンプ
５導体回路
６導電スルーホール
７、８導電ランド
９樹脂弾性体層
１０バーンインソケット
１１有機接着剤
１２弾性樹脂シート
１３金属ピン
１４、１６位置合わせ用孔
１５位置合わせ用ストッパ
１７半導体パッケージ
１８、１９、２２シリコーン樹脂シート
２０結合ねじ
２１半導体パッケージの外部端子
２３上蓋
２４、２６金メッキ銅ボール
２５凹入部
２７保持枠
２８コイルばね
２９押圧部材
３０固定金具

Claims

少なくとも片面に導体回路（５）が形成され、この導体回路（５）に導通している第１の導電バンプ（３）が半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップのチップスケールエリア（ＣＳＡ）内に形成された外部端子と当接して電気的に接続可能にした絶縁性フィルム（１）を備えているバーンインソケット（１０）において、
前記絶縁性フィルム（１）が、ソケット基板（２）上に重ねる構成とされており、絶縁性フィルム（１）の一方の面の中央に、前記第１の導電バンプ（３）が設けられ、絶縁性フィルム（１）の前記第１の導電バンプ（３）が形成されている面と反対の面の外周部に第２の導電バンプ（４）が形成され、
前記導体回路（５）が、絶縁性フィルム（１）の中央から外周部に向かって延びる方向に形成されて、この導体回路（５）を介して前記第１の導電バンプ（３）と第２の導電バンプ（４）が導通していると共に、
第１の導電バンプ（３）が半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と１対１に対応して電気的に接続できるようにされている一方で、第２の導電バンプ（４）が第１の導電バンプ（３）に比べてピッチが大きくされて、ソケット基板（２）の外周部に設けた導電ランド（７）と１対１に対応して電気的に接続するようにされており、そして、
絶縁性フィルム（１）とソケット基板（２）には、それぞれ複数の位置合わせ用孔（１４、１６）が互いに対向するように設けられて、これらの対向している位置合わせ用孔（１４、１６）に結合ねじ（２０）を挿通することによって、絶縁性フィルム（１）の第２の導電バンプ（４）とソケット基板（２）の導電ランド（７）の位置合わせが可能となっており、
更に、前記絶縁性フィルム（１）の中央に設けた第１の導電バンプ（３）の外側に半導体パッケージ若しくはベアチップに対する位置合わせ用ストッパ（１５）が設けられており、この位置合わせ用ストッパ（１５）と半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップを係合させることによって、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップの外部端子と第１の導電バンプ（３）の位置合わせが可能となっていることを特徴とするバーンインソケット。
絶縁性フィルム（１）の第２の導電バンプ（４）とソケット基板（２）の導電ランド（７）の電気的接続が、絶縁性フィルム（１）とソケット基板（２）の有機接着剤（１１）による接着と、第２の導電バンプ（４）と導電ランド（７）の金属合金結合で構成されている請求項１に記載のバーンインソケット。
絶縁性フィルム（１）の第２の導電バンプ（４）とソケット基板（２）の導電ランド（７）の電気的接続が、絶縁性フィルム（１）に重ねた弾性樹脂シート（１２）の弾性力を介した圧接で構成されている請求項１に記載のバーンインソケット。
ソケット基板（２）は、導電ランド（７）が形成された面と反対の面に導電スルーホール（６）を介して導電ランド（７）と導通する金属ボール（２４、２６）が設けてある請求項１に記載のバーンインソケット。
ソケット基板（２）は、導電ランド（７）が形成された面と反対の面に導電スルーホール（６）を介して導電ランド（７）と導通する金属ピン（１３）が設けてある請求項１に記載のバーンインソケット。
絶縁性フィルム（１）の第１の導電バンプ（３）と反対の面に樹脂弾性体層（９）が設けられ、かつ、半導体パッケージ若しくは半導体ベアチップが、ばね部材（２８）の弾性力を介して前記第１の導電バンプ（３）に向けて押圧される構造を更に備えている請求項１に記載のバーンインソケット。