JP3983971B2 - ダブルクラッドファイバ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダブルクラッドファイバに関する。
【0002】
【従来の技術】
コア励起、コア出力のファイバレーザに用いられる光ファイバとしてダブルクラッドファイバが知られている。このダブルクラッドファイバは、ファイバ中心をなすコアと、そのコアを被覆するように設けられた相対的に屈折率の高い第1クラッドと、その第1クラッドを被覆するように設けられた相対的に屈折率の低い第2クラッドとを備えており、第1クラッドに入射された励起光が第1クラッドと第2クラッドとの界面で反射を繰り返しながら第2クラッドで囲まれた領域内を伝播し、励起光がコアを通過する際にコアにドープされたNdやEr等の希土類元素を最外殻電子が励起した反転分布状態にさせ、その誘導放出によってコアを伝播する信号光を増幅するものである。
【0003】
ところが、図3に示すように、ファイバ横断面における第1クラッドbと第2クラッドcとの界面の形状をコアaと同心の円形とすると、第2クラッドbで囲まれた領域内を伝播する励起光dはコアaの周りを周回してほとんどコアaを通過することがないため、コアaにドープされた希土類元素を十分に反転分布状態にすることができず、コアaを伝播する信号光を大きく増幅することができないという問題がある。
【0004】
そこで、図4に示すように、ファイバ横断面における第1クラッドbと第2クラッドcとの界面の形状を正方形としたダブルクラッドファイバが提案されている。このダブルクラッドファイバでは、励起光dがコアaを通過する確率が上記のものよりも高くなり、上記問題が改善されることとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、かかるダブルクラッドファイバでも、第1クラッドbと第2クラッドcとの界面に対して45°の角度で励起光dが進行する特異条件では、励起光dがコアaの周りを周回してほとんどコアaを通過することがなく、それがロスとなってしまうこととなる。
【0006】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、励起光がコアを通過する確率が高く、信号光の増幅効率が良好なダブルクラッドファイバを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ダブルクラッドファイバの第1クラッドが、ファイバ横断面において界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成された界面を構成する相互に屈折率の異なる内側層及び外側層を有するようにしたものである。
【0008】
具体的には、本発明は、
ファイバ中心部をなすコアと、該コアを被覆するように設けられた第1クラッドと、該第1クラッドを被覆するように設けられた第2クラッドとを備え、該第1クラッドに入射された励起光が該第1クラッドと該第2クラッドとの界面で反射を繰り返しながら該第2クラッドで囲まれた領域内を伝播し、励起光が該コアを通過する際に該コアにドープされた信号光増幅成分を活性化させ、該活性化された信号光増幅成分が該コアを伝播する信号光を増幅するように構成されたダブルクラッドファイバにおいて、
上記第1クラッドは、相互に接するように設けられ屈折率が異なる内側層及び外側層を有しており、
上記内側層と上記外側層との界面は、ファイバ横断面において界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成されていると共に、いずれの部位も上記コアと上記第1クラッドとの界面より上記第1クラッドと上記第2クラッドとの界面の方に近く位置していることを特徴とする。
【0009】
上記の構成によれば、第1クラッドに入射した励起光は第1クラッドの内側層から外側層に又は外側層から内側層に進行する際に両層の屈折率の差に起因してそれらの界面で屈折し、しかもその界面はファイバ横断面において界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成されているので、励起光はファイバ横断面において極めてランダムな軌跡を形成しながら第2クラッドで囲まれた領域内を伝播することとなり、その結果、励起光がコアを通過する確率が高められ、コアを伝播する信号光の増幅効率が良好なものとなる。
【0010】
また、内側層と外側層との界面のいずれの部位もコアと第1クラッドとの界面より第1クラッドと第2クラッドとの界面の方に近く位置しており、外側層の層厚みが小さくなるので、外側層のみを周回して内側層及びコアを通過しない励起光が減ぜられることとなり、励起光がコアを通過する確率が高められてコアを伝播する信号光の増幅効率が良好なものとなるという作用効果がより適正に営まれることとなる。
【0011】
ここで、信号光増幅成分は、特に限定されるものではなく、例えば、励起光を受けることによって最外殻電子が励起された反転分布状態となって誘導放出によりコアを伝播する信号光を増幅するエルビウム(Er)やネオジム(Nd)等の希土類元素を挙げることができる。
【0012】
また、ファイバ横断面における内側層と外側層との界面の形状は、界面各部からファイバ中心までの距離が不均一であれば特に限定されるものではなく、正方形や楕円形の他、非幾何学的形状やファイバ中心と中心を異にする円形であってもよい。
【0013】
さらに、内側層と外側層とは互いに屈折率を異にするが、前者が後者よりも屈折率が高いものであっても後者が前者よりも屈折率が高いものであってもいずれでもよい。但し、両者の屈折率差は、両層の界面において励起光の大半を反射するほどのものではない。
【0014】
また、第1クラッドと第2クラッドとの界面のファイバ横断面における形状は、特に限定されるものではなく、正方形等の矩形であっても、ファイバ中心を中心とする円形であってもよい。ダブルクラッドファイバは、通常、通信用の光ファイバに融着によって接続されることとなるが、例えば、直径125μmの円形横断面の通信用の光ファイバに1辺125μmの正方形横断面の第1クラッドを有する従来のダブルクラッドファイバを接続する場合、両者のファイバ断面積が異なるために両者の熱容量及び加熱時の溶融状態が異なることとなって適正な接続がなされず、また、加熱溶融時に両ファイバ断面に働く表面張力の作用によりガラスの流動が生じることとなって両者のコアに軸ずれを生じることとなり、両ファイバを低損失で接続することは困難を極める。また、上記の通信用の光ファイバに1辺が125μmより大きい又は小さい正方形横断面の第1クラッドを有するダブルクラッドファイバを接続する場合、ファイバ外径が異なることとなって通常光ファイバ同士を融着接続するために用いられる軸合わせ用のVブロックの構造を変更する必要が生じる。しかしながら、本発明において、第1クラッドと第2クラッドとの界面のファイバ横断面における形状を通信用の光ファイバと同一の直径125μmの円形とすれば、両ファイバを低損失で接続することができ、また、軸合わせ用のVブロックの構造を変更する必要もない。
【0015】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第1クラッドに入射した励起光は第1クラッドの内側層から外側層に又は外側層から内側層に進行する際に両層の屈折率の差に起因してそれらの界面で屈折し、しかもその界面はファイバ横断面において界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成されているので、励起光はファイバ横断面において極めてランダムな軌跡を形成しながら第2クラッドで囲まれた領域内を伝播することとなり、その結果、励起光がコアを通過する確率が高められ、コアを伝播する信号光の増幅効率を良好なものにすることができる。
【0016】
また、内側層と外側層との界面のいずれの部位もコアと第1クラッドとの界面より第1クラッドと第2クラッドとの界面の方に近く位置しており、外側層の層厚みが小さくなるので、外側層のみを周回して内側層及びコアを通過しない励起光が減ぜられることとなり、励起光がコアを通過する確率が高められてコアを伝播する信号光の増幅効率が良好なものとなるという作用効果がより適正に営まれることとなる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0018】
図1は、本発明の実施形態に係るダブルクラッドファイバ10の横断面を示す。図2は、図1におけるA−A’断面の屈折率分布を示す。
【0019】
このダブルクラッドファイバ10は、ファイバ中心部をなすコア11と、コア11を被覆するように設けられた第1クラッド12と、第1クラッド12を被覆するように設けられた第2クラッド13とにより構成されている。そして、ファイバ横断面におけるコア11と第1クラッド12との界面であるコア側界面14の形状、第1クラッド12と第2クラッド13との界面である第2クラッド側界面15の形状及び第2クラッドの外郭形状は、ファイバ中心を中心とする同心円を構成しており、それぞれの直径は順に10〜12μm、125μm及び135〜250μmである。
【0020】
コア11は、屈折率を高める成分であるゲルマニウム(Ge)、希土類元素であるネオジム(Nd)がドープされた石英(SiO)で形成され、図2に示すように、最も屈折率が高い部分となっている。
【0021】
第1クラッド12は、コア11側の内側層12aと第2クラッド13側の外側層12bとからなる。そして、ファイバ横断面における内側層12aと外側層12bとの界面である中間界面16の形状は、図1に示すように、規則性を有しない非幾何学形状に構成され、界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となっている。また、中間界面16のいずれの部位もコア側界面14よりも第2クラッド側界面15の方に近く位置している。そして、内側層12aは石英(SiO)で形成されている一方、外側層12bは屈折率を低下させる成分であるフッ素(F)が若干量ドープされた石英(SiO)で形成されており、図2に示すように、内側層12aが外側層12bよりも屈折率が若干高くなっている。
【0022】
第2クラッド13は、屈折率を低下させる成分であるフッ素(F)がドープされたアクリル系の紫外線硬化型樹脂で形成されており、図2に示すように、コア11や第1クラッド12よりも大幅に屈折率が低くなっている。
【0023】
次に、このダブルクラッドファイバ10の動作機能について説明する。
【0024】
第1クラッド12に入射された励起光17が内側層12aを進行して中間界面16に到達すると、外側層12bよりも内側層12aの方が屈折率が若干大きいために大半の励起光17は中間界面16で屈折して外側層12bを進行する。外側層12bを進行する励起光17が第2クラッド側界面15に到達すると、外側層12bよりも第2クラッド13の方が屈折率が大幅に大きいために大半の励起光17は第2クラッド側界面15で反射して再び外側層12bを進行する。第2クラッド側界面15で反射して外側層12bを進行する励起光17は再度第2クラッド側界面15に到達して反射するか又は中間界面16に到達することとなるが、後者のように中間界面16に到達すると、外側層12bよりも内側層12aの方が屈折率が若干大きいために大半の励起光17は中間界面16で屈折して内側層12aを進行する。内側層12aを進行する励起光17は再度中間界面16に到達して透過するか又はコア側界面14に到達することとなるが、後者のようにコア側界面14に到達すると、内側層12aよりもコア11の方が屈折率が大きいために大半の励起光17はコア側界面14で屈折してコア11を進行する。コア11を進行する励起光17が再度コア側界面14に到達すると、内側層12aよりもコア11の方が屈折率が大きいために大半の励起光17はコア側界面14で屈折して内側層12aを進行する。このように、励起光17は、コア側界面14又は中間界面16での屈折及び第2クラッド側界面15での反射を繰り返しながら第2クラッド13で囲まれた領域内を伝播することとなる。そして、励起光17がコア11を通過する際には、コア11にドープされたネオジム(Nd)は最外殻電子が励起されて反転分布状態となり、その電子が基底準位に遷移した際の誘導放出によりコア11を伝播する信号光を増幅することとなる。
【0025】
次に、このダブルクラッドファイバ10の製造方法について説明する。
【0026】
まず、CVD法(chemical vapor deposition method)、OVD法(outside vapor deposition method)、VAD法(vapor-phase axial deposition method)、ロッドインチューブ法等により、通常の光ファイバのプリフォームと同様のロッド材を作成する。ここで、コア11となる部分は、ゲルマニウム(Ge)及びネオジム(Nd)をドープした石英(SiO)で形成する。また、コア11となる部分を被覆する部分は第1クラッド12の内側層12aとなるものであり、この部分は石英(SiO)で形成する。
【0027】
次いで、このロッド材の表面をグラインダー等によりロッド長手方向に研磨を行い、ロッド横断面外郭が非幾何学的形状となるように加工する。
【0028】
次いで、表面研磨したロッド材の表面にVAD法や融着等により被覆層を設ける。ここで、この被覆層は第1クラッド12の外側層12bとなるものであり、フッ素(F)をドープした石英(SiO)で形成する。
【0029】
続いて、被覆層を設けたロッド材を横断面が円形となるように研磨加工する。このとき、コア11となる部分がロッドの中心軸位置となるように研磨する。
【0030】
そして、この横断面円形のロッドをプリフォームとして線引き加工し、線引き加工したファイバの表面にフッ素(F)を含んだ紫外線硬化型樹脂液を塗布して紫外線を照射することにより第2クラッド13を形成する。
【0031】
上記構成のダブルクラッドファイバ10によれば、第1クラッド12に入射した励起光17は第1クラッド12の内側層12aから外側層12bに又は外側層12bから内側層12aに進行する際に両層の屈折率の差に起因してそれらの界面である中間界面16で屈折し、しかもその中間界面16は、ファイバ横断面における形状が非幾何学的形状であって、界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成されているので、励起光17はファイバ横断面において極めてランダムな軌跡を形成しながら第2クラッド13で囲まれた領域内を伝播することとなり、しかもその中間界面16はいずれの部位もコア側界面14より第2クラッド側界面15の方に近く位置しているので、外側層12bの層厚みが小さくなって外側層12b内のみを周回して内側層12a及びコア11を通過しない励起光が減ぜられることとなり、その結果、励起光17がコア11を通過する確率が高められ、コア11を伝播する信号光の増幅効率が極めて良好なものとなる。
【0032】
また、第2クラッド側界面15は、そのファイバ横断面における形状がファイバ中心を中心とする直径125μmの円形であり、通信用の光ファイバと同一であるので、両ファイバを低損失で融着接続することができ、また、通常の軸合わせ用のVブロックを用いた接続が可能となる。
【0033】
なお、上記実施形態では、コア11に信号光増幅成分としてネオジム(Nd)をドープしたが、特に限定されるものではなく、エルビウム(Er)等の他の希土類元素であってもよい。
【0034】
また、上記実施形態では、ファイバ横断面における中間界面16の形状を、非幾何学的形状としたが、ファイバ中心から各部位までの距離が不均一なものであれば特に限定されるものではなく、正方形や楕円形の他、ファイバ中心と中心を異にする円形であってもよい。
【0035】
また、上記実施形態では、外側層12bよりも内側層12aの方が屈折率が高い構成としたが、特にこれに限定されるものではなく、内側層12aよりも外側層12bの方が屈折率が高いものであってもよい。
【0036】
また、上記実施形態では、内側層12aと外側層12bとの間に屈折率差を設けるために、内側層12aを石英(SiO)で形成する一方、外側層12bを屈折率を低下させる成分であるフッ素(F)をドープした石英(SiO)で形成したが、特にこれに限定されるものではなく、内側層を屈折率を高める成分であるゲルマニウム(Ge)をドープした石英(SiO)で形成する一方、外側層12bを石英(SiO)又はフッ素(F)をドープした石英(SiO)で形成するようにしてもよい。
【0037】
また、上記実施形態では、ファイバ横断面における第2クラッド側界面15の形状をファイバ中心を中心とした円形としたが、特にこれに限定されるものではなく、正方形等の矩形であってもよい。
【0038】
また、上記実施形態では、ダブルクラッドファイバ10を製造する際に、ロッド材表面を研磨加工することによって第1クラッドとなる部分の横断面外郭形状を非幾何学的形状としたが、特にこれに限定されるものではなく、ロッド材表面に石英(SiO)製の棒材等を融着し、その外側に被覆層を設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態に係るダブルクラッドファイバの横断面図である。
【図2】 図1におけるA−A’断面の屈折率分布を示す説明図である。
【図3】 第1クラッドの横断面形状が円形である従来のダブルクラッドファイバの横断面図である。
【図4】 第1クラッドの横断面形状が正方形である従来のダブルクラッドファイバの横断面図である。
【符号の説明】
10 ダブルクラッドファイバ
11 コア
12 第1クラッド
12a 内側層
12b 外側層
13 第2クラッド
14 コア側界面
15 第2クラッド側界面
16 中間界面
17 励起光
a コア
b 第1クラッド
c 第2クラッド
d 励起光

Claims (3)

  1. ファイバ中心部をなすコアと、該コアを被覆するように設けられた第1クラッドと、該第1クラッドを被覆するように設けられた第2クラッドとを備え、該第1クラッドに入射された励起光が該第1クラッドと該第2クラッドとの界面で反射を繰り返しながら該第2クラッドで囲まれた領域内を伝播し、励起光が該コアを通過する際に該コアにドープされた信号光増幅成分を活性化させ、該活性化された信号光増幅成分が該コアを伝播する信号光を増幅するように構成されたダブルクラッドファイバにおいて、
    上記第1クラッドは、相互に接するように設けられ屈折率が異なる内側層及び外側層を有しており、
    上記内側層と上記外側層との界面は、ファイバ横断面において界面各部からファイバ中心までの距離が不均一となるように形成されていると共に、いずれの部位も上記コアと上記第1クラッドとの界面より上記第1クラッドと上記第2クラッドとの界面の方に近く位置していることを特徴とするダブルクラッドファイバ。
  2. 上記第1クラッドと第2クラッドとの界面は、ファイバ横断面における形状がファイバ中心を中心とする円形であることを特徴とする請求項1に記載のダブルクラッドファイバ。
  3. 上記内側層よりも上記外側層の方が屈折率が高いことを特徴とする請求項1に記載のダブルクラッドファイバ。
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